JPH02116624A - フェライト膜の形成方法 - Google Patents
フェライト膜の形成方法Info
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- JPH02116624A JPH02116624A JP63266370A JP26637088A JPH02116624A JP H02116624 A JPH02116624 A JP H02116624A JP 63266370 A JP63266370 A JP 63266370A JP 26637088 A JP26637088 A JP 26637088A JP H02116624 A JPH02116624 A JP H02116624A
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- film
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、磁気ヘッド
、磁気光学素子、マイクロ波素子、磁歪素子、磁気音響
素子などに広く応用されているスピネル型フェライト膜
の作製におけるフェライト膜の形成方法に関するもので
ある。
、磁気光学素子、マイクロ波素子、磁歪素子、磁気音響
素子などに広く応用されているスピネル型フェライト膜
の作製におけるフェライト膜の形成方法に関するもので
ある。
従来の技術
フェライトめっきとは、例えば、特開昭６９−１１１９
２９号公報に示されているように、固体表面に、金属イ
オンとして少なくとも第１鉄イオンを含む水溶液を接触
させて、固体表面にＦｅＯＨ”またはこれと他の水酸化
金属イオンを吸着させ、次いで、吸着したＦｅＯＨ＋を
酸化させることによりＦｅＯＨを得、これが水溶液中の
水酸化金属イオンとの間でフェライト結晶化反応を起こ
し、これによって固体表面にフェライト膜を形成するこ
とをいう。
２９号公報に示されているように、固体表面に、金属イ
オンとして少なくとも第１鉄イオンを含む水溶液を接触
させて、固体表面にＦｅＯＨ”またはこれと他の水酸化
金属イオンを吸着させ、次いで、吸着したＦｅＯＨ＋を
酸化させることによりＦｅＯＨを得、これが水溶液中の
水酸化金属イオンとの間でフェライト結晶化反応を起こ
し、これによって固体表面にフェライト膜を形成するこ
とをいう。
従来、この技術を基にめっき膜の均質化２反応速度の向
上等を図ったもの（特開昭６０−１４０７１３号公報）
、固体表面に界面活性を付与して種々の固体にフェライ
ト膜を形成しようとするもの（特開昭６１−３０６７４
号公報）、するいはフェライト膜の形成速度の向上に関
するもの（特開昭６１−１７９８７７号公報ないし特開
昭６１２２２９２４号公報）がある。
上等を図ったもの（特開昭６０−１４０７１３号公報）
、固体表面に界面活性を付与して種々の固体にフェライ
ト膜を形成しようとするもの（特開昭６１−３０６７４
号公報）、するいはフェライト膜の形成速度の向上に関
するもの（特開昭６１−１７９８７７号公報ないし特開
昭６１２２２９２４号公報）がある。
フェライトめっきは、膜を形成しようとする固体が前述
した水溶液に対して耐性があれば何でもよい。さらに、
水溶液を介した反応であるため、温度が比較的低温（水
溶液の沸点以下）でスピネル型フェライト膜を作製でき
るという特徴がある。
した水溶液に対して耐性があれば何でもよい。さらに、
水溶液を介した反応であるため、温度が比較的低温（水
溶液の沸点以下）でスピネル型フェライト膜を作製でき
るという特徴がある。
そのため、他のフェライト膜作製技術に比べて、固体の
限定範囲が小さい。
限定範囲が小さい。
発明が解決しようとする課題
しかし、前述したように、これまで膜の均質性、あるい
は膜の生成速度等に種々の改善が提案されているが、得
られる膜の磁気特性については前述した全ての方式とも
不十分であった。つまシ、スピネル型フェライトとして
の十分な磁気特性、特にソフト材料としての特性が得ら
れていない。そのため、各種電子部品等への応用・適用
等に関して大きな課題があった。
は膜の生成速度等に種々の改善が提案されているが、得
られる膜の磁気特性については前述した全ての方式とも
不十分であった。つまシ、スピネル型フェライトとして
の十分な磁気特性、特にソフト材料としての特性が得ら
れていない。そのため、各種電子部品等への応用・適用
等に関して大きな課題があった。
フェライト膜の保磁力については、例えば、金属表面技
術ＶＯＬ、３Ｂ 、 ％ ９ 、１９８７ Ｐ 、
Ｉ Ｋ示されているように約１ｏｏｏｅ以上であシ、マ
グネタイトもＭｎおよびＺｎを含んだ（Ｍｎ Ｚｎ系）
フェライトもほぼ同様の大きさである。
術ＶＯＬ、３Ｂ 、 ％ ９ 、１９８７ Ｐ 、
Ｉ Ｋ示されているように約１ｏｏｏｅ以上であシ、マ
グネタイトもＭｎおよびＺｎを含んだ（Ｍｎ Ｚｎ系）
フェライトもほぼ同様の大きさである。
課題を解決するための手段
以上の課題を解決するために本発明は、金属イオンとし
て少なくとも第１鉄イオンを含んだ溶液を磁場中で、基
体に接触させ、基体表面にフェライト膜を堆積させる方
法としたものである。
て少なくとも第１鉄イオンを含んだ溶液を磁場中で、基
体に接触させ、基体表面にフェライト膜を堆積させる方
法としたものである。
作用
前述した方法によって、つｔ、ｂ金属イオンとして少な
くとも第１鉄イオンを含んだ溶液を磁場中で、基体に供
給して、基体表面にフェライト膜を形成することによっ
て、公知の方法では得られていなかった磁気特性（ソフ
ト特性）の優れたフェライト膜を形成することができる
。
くとも第１鉄イオンを含んだ溶液を磁場中で、基体に供
給して、基体表面にフェライト膜を形成することによっ
て、公知の方法では得られていなかった磁気特性（ソフ
ト特性）の優れたフェライト膜を形成することができる
。
実施例
以下、本発明の実施例について説明する。
本発明のフェライト膜の形成方法の基本的な部分は、公
知の方法と大部分同じである。
知の方法と大部分同じである。
しかし、本発明では、金属イオンとして少なくとも第１
鉄イオンを含んだ溶液を磁場中で、基体に接触させ、基
体表面にフェライト膜を形成するため、これまでの方法
に比べると非常に小さい保磁力しかも高い透磁率のフェ
ライト膜を得ることができる。
鉄イオンを含んだ溶液を磁場中で、基体に接触させ、基
体表面にフェライト膜を形成するため、これまでの方法
に比べると非常に小さい保磁力しかも高い透磁率のフェ
ライト膜を得ることができる。
以上の方法によって、これまでに認められていないフェ
ライトめっき膜の軟質磁気特性の向上（小さい保磁力し
かも高い透磁率）という現象を見出すことができた。
ライトめっき膜の軟質磁気特性の向上（小さい保磁力し
かも高い透磁率）という現象を見出すことができた。
第１鉄イオンを酸化するためには、酸化剤を用いる方法
ちるいはめっき反応時の雰囲気を酸素の含んだガス中で
行ういずれの方法でもよい。
ちるいはめっき反応時の雰囲気を酸素の含んだガス中で
行ういずれの方法でもよい。
本発明のフェライト膜の形成方法のいくつかの例を図を
用いて説明する。
用いて説明する。
例えば、−例の装置の概略図を第１図に示す。
３はフェライト膜を形成しようとする基体である。
４は基体３を取シ付けて、回転することができる回転台
である。回転台４には、基体３を磁場中下にするために
磁石７を基体３のそばにセットする。
である。回転台４には、基体３を磁場中下にするために
磁石７を基体３のそばにセットする。
これによって、フェライト膜の堆積を磁場中で行うこと
ができる。図の場合、磁界方向は基体３の面内の１方向
にほぼ平行である。この図の場合、めっき液は基体３に
供給する時点では１液であるが、得られるフェライト膜
の特性のバラツキを小さくシ、コントロールしやすくす
るためには、めっきに必要な液はいくつかに分割して準
備する方がよい。この図では２分割した場合を示す。図
の場合、混合部１を用いて各めっき液を混合しているが
、多液を別々に基体３に供給してもよい。これらの液を
混合部１で混合し、混合しためっき液をノズル２を介し
て、基体３に供給する。ノズル２の形状・構造を適当に
選択することによって、液を滴下あるいは噴霧状等で基
体３に供給することができる。６および６は、各めっき
液を貯蔵するタンクである。また、図に示すように基体
３および回転台４等のフェライトめっき反応を行う部分
はケースによって仕切シ、液の飛散の防止あるいは反応
時の雰囲気の一定化を計ってもよい。たとえば、非酸化
性（例えば窒素）ガスをケース内に送ることによって、
非酸化性雰囲気にすることができる。タンク６には、例
えば酸化剤として亜硝酸ナトリウムＮ ａＮＯ２を用い
、さらに緩衝剤あるいは錯化剤として酢酸アンモニウム
０Ｈ５ＣＯＯＮＨ４をいれた水溶液（酸化液）を入れ、
タンク５に少なくとも第１鉄イオンを含む水溶液（反応
液）を入れて、ポンプ等で液を混合部１に供給する。基
体３には、回転台４により回転した状態で多液が供給さ
れる。回転台４は、ヒーター・等により６０〜１００℃
に加熱する。このようにして、基体３上でフェライト結
晶化反応を行わせて、基体３にフェライト膜を形成する
。
ができる。図の場合、磁界方向は基体３の面内の１方向
にほぼ平行である。この図の場合、めっき液は基体３に
供給する時点では１液であるが、得られるフェライト膜
の特性のバラツキを小さくシ、コントロールしやすくす
るためには、めっきに必要な液はいくつかに分割して準
備する方がよい。この図では２分割した場合を示す。図
の場合、混合部１を用いて各めっき液を混合しているが
、多液を別々に基体３に供給してもよい。これらの液を
混合部１で混合し、混合しためっき液をノズル２を介し
て、基体３に供給する。ノズル２の形状・構造を適当に
選択することによって、液を滴下あるいは噴霧状等で基
体３に供給することができる。６および６は、各めっき
液を貯蔵するタンクである。また、図に示すように基体
３および回転台４等のフェライトめっき反応を行う部分
はケースによって仕切シ、液の飛散の防止あるいは反応
時の雰囲気の一定化を計ってもよい。たとえば、非酸化
性（例えば窒素）ガスをケース内に送ることによって、
非酸化性雰囲気にすることができる。タンク６には、例
えば酸化剤として亜硝酸ナトリウムＮ ａＮＯ２を用い
、さらに緩衝剤あるいは錯化剤として酢酸アンモニウム
０Ｈ５ＣＯＯＮＨ４をいれた水溶液（酸化液）を入れ、
タンク５に少なくとも第１鉄イオンを含む水溶液（反応
液）を入れて、ポンプ等で液を混合部１に供給する。基
体３には、回転台４により回転した状態で多液が供給さ
れる。回転台４は、ヒーター・等により６０〜１００℃
に加熱する。このようにして、基体３上でフェライト結
晶化反応を行わせて、基体３にフェライト膜を形成する
。
さらに、別の方法の一例の装置の概略図を第２図に示す
。混合部１．タンク６および６は、第１図のものと同様
である。めっき反応部８およびウォーターバス９が本方
法の異なる部分である。つまシ、本方法では、第１図に
示した方法と異なシ、回転台を使用せずにしかもめっき
反応部分などを気体から隔離した状態で行うことができ
る。めっき反応部８にはフェライト膜を形成しようとす
る基体３および先の第１図と同様に基体３のそばに磁石
７が組み込まれている。めっき反応部８では、物理的に
基体３の表面上をめっき液が均一に流れるようにしてい
る。混合部１およびめっき反応部８をウォーターバス９
内にセットすることによって、６０〜１ｏｏ℃に加熱す
る。このようにして、めっき反応部８にセットした基体
３の表面にフェライト膜を堆積させる。
。混合部１．タンク６および６は、第１図のものと同様
である。めっき反応部８およびウォーターバス９が本方
法の異なる部分である。つまシ、本方法では、第１図に
示した方法と異なシ、回転台を使用せずにしかもめっき
反応部分などを気体から隔離した状態で行うことができ
る。めっき反応部８にはフェライト膜を形成しようとす
る基体３および先の第１図と同様に基体３のそばに磁石
７が組み込まれている。めっき反応部８では、物理的に
基体３の表面上をめっき液が均一に流れるようにしてい
る。混合部１およびめっき反応部８をウォーターバス９
内にセットすることによって、６０〜１ｏｏ℃に加熱す
る。このようにして、めっき反応部８にセットした基体
３の表面にフェライト膜を堆積させる。
さらに、別の方法の一例の装置の概略図を第３図に示す
。これは先に示した第２図の方法とほぼ同様であるが、
基体３の一平面のある部分だけをフェライトめっきする
のに適した方法である。タンク６および６よりポンプを
介して、各めっき液を混合部１に供給し、めっき液を混
合して、めっき反応部８へ供給する。めっき反応部８に
はフェライト膜を形成しようとする基体３の一部の部分
が組み込まれている。めっき反応部８では、第２図に示
した方法と同様に、物理的に基体３の表面上をめっき液
が薄く均一に流れるようにしている。
。これは先に示した第２図の方法とほぼ同様であるが、
基体３の一平面のある部分だけをフェライトめっきする
のに適した方法である。タンク６および６よりポンプを
介して、各めっき液を混合部１に供給し、めっき液を混
合して、めっき反応部８へ供給する。めっき反応部８に
はフェライト膜を形成しようとする基体３の一部の部分
が組み込まれている。めっき反応部８では、第２図に示
した方法と同様に、物理的に基体３の表面上をめっき液
が薄く均一に流れるようにしている。
混合部１．めっき反応部８および基体３をウォーターバ
ス９内にセットすることによって、６０〜＝００″Ｃに
加熱する。このようにして、めっき反応部８にセットし
た基体３の表面にフェライト膜を堆積させる。
ス９内にセットすることによって、６０〜＝００″Ｃに
加熱する。このようにして、めっき反応部８にセットし
た基体３の表面にフェライト膜を堆積させる。
以上示した３つの例では全て混合部１を用いてめっき液
を１液に混合した後、基体３に供給する方法を示したが
、混合部１を使用せずに各めっき液を別々に基体３に供
給する方法でもよい。
を１液に混合した後、基体３に供給する方法を示したが
、混合部１を使用せずに各めっき液を別々に基体３に供
給する方法でもよい。
めっき液は、基体３に供給する前に加熱しておく方が、
得られるフェライト膜の均一性あるいは磁気特性がよい
。
得られるフェライト膜の均一性あるいは磁気特性がよい
。
基体３の材質としては、特に限定はない。いくつか例を
あげると、ポリイミドフィルム、ポリエチレンテレツク
レート（ＰＥＴ）などの各種プラスチック類、銅、ニッ
ケル、銀、金、タングステン、モリブデン、白金、パラ
ジウム、鉄、鉄合金などの金属類、各種の有機積層板、
つまり紙基材エポキシ、ガラス布基材エポキシ、ガラス
基材ポリエステル、ガラス布基材テフロン等の積層板な
ど、各種ガラス類、セラミックスなどがある。
あげると、ポリイミドフィルム、ポリエチレンテレツク
レート（ＰＥＴ）などの各種プラスチック類、銅、ニッ
ケル、銀、金、タングステン、モリブデン、白金、パラ
ジウム、鉄、鉄合金などの金属類、各種の有機積層板、
つまり紙基材エポキシ、ガラス布基材エポキシ、ガラス
基材ポリエステル、ガラス布基材テフロン等の積層板な
ど、各種ガラス類、セラミックスなどがある。
さらに、基体３０表面あらさが、中心腺平均粗さ（Ｒ＆
）で０．０１μｍ以上であることによって、膜の堆積速
度あるいは限界膜厚（膜の厚みがある厚み以上になると
剥離する）の向上が図れる。この堆積速度の向上は、Ｆ
ｅＯＨ＋の吸着や酸化反応あるいはフェライト結晶化反
応に対して、特に吸着等に対してプラスに働らき、水溶
液中で生成した微粒子が基体３の表面、つまシフエライ
ト結晶化反応をしている表面にとらえられたシ、あるい
は集まり、さらには膜成長を促進・加担すると考えられ
る。また、ある程度以上の表面粗さを有していることに
よって、実質的な基体３の表面積が増加して吸着等の反
応に携わる面積の増加も影響を与えているとも考えられ
る。
）で０．０１μｍ以上であることによって、膜の堆積速
度あるいは限界膜厚（膜の厚みがある厚み以上になると
剥離する）の向上が図れる。この堆積速度の向上は、Ｆ
ｅＯＨ＋の吸着や酸化反応あるいはフェライト結晶化反
応に対して、特に吸着等に対してプラスに働らき、水溶
液中で生成した微粒子が基体３の表面、つまシフエライ
ト結晶化反応をしている表面にとらえられたシ、あるい
は集まり、さらには膜成長を促進・加担すると考えられ
る。また、ある程度以上の表面粗さを有していることに
よって、実質的な基体３の表面積が増加して吸着等の反
応に携わる面積の増加も影響を与えているとも考えられ
る。
実験的に、特にフェライト膜形成に対して相性がよかっ
たものが、酸素、窒素あるいは硫黄のいずれか１つ以上
を含むものあるいは特に酸化物類である。
たものが、酸素、窒素あるいは硫黄のいずれか１つ以上
を含むものあるいは特に酸化物類である。
この酸化物としては、アルミナ（人’２０５）ｌ ム５
イト（３Ａ４２０． ・２ｓｉｏ２） 、 ベリリア
（Ｂｅｄ） 、 ステアタイト（ＭｇＯ−５ｉｎ２）
、フォルステライト（２Ｍｇｏ・５ｉｎ２）、マグネ
シア（ＭｇＯ）、チタニア（Ｔｉｅ□）、チタニア＋ジ
ル：ｒ＝７（ＺｒＯ２）、 ５−タニア＋マグネシア等
の各種セラミックス、人１２０５−８１０２ ・ Ｂ２
Ｏ５、Ａｌ２Ｏ５−ＰｂＯ−５ｉＯ２−Ｂ２０．、Ａｌ
２Ｏ，−ＭｇＯ・５ｉ０２．Ｂ２０．、人１２０５−Ｃ
ａＯ−ＭｇＯ−３ｉＯ２，Ｂ２０゜などのガラスセラミ
ックス、ＣｕＯ、ＮｉＯなどの金属酸化物あるいはフェ
ライト等の鉄を含んだ酸化物などがある。
イト（３Ａ４２０． ・２ｓｉｏ２） 、 ベリリア
（Ｂｅｄ） 、 ステアタイト（ＭｇＯ−５ｉｎ２）
、フォルステライト（２Ｍｇｏ・５ｉｎ２）、マグネ
シア（ＭｇＯ）、チタニア（Ｔｉｅ□）、チタニア＋ジ
ル：ｒ＝７（ＺｒＯ２）、 ５−タニア＋マグネシア等
の各種セラミックス、人１２０５−８１０２ ・ Ｂ２
Ｏ５、Ａｌ２Ｏ５−ＰｂＯ−５ｉＯ２−Ｂ２０．、Ａｌ
２Ｏ，−ＭｇＯ・５ｉ０２．Ｂ２０．、人１２０５−Ｃ
ａＯ−ＭｇＯ−３ｉＯ２，Ｂ２０゜などのガラスセラミ
ックス、ＣｕＯ、ＮｉＯなどの金属酸化物あるいはフェ
ライト等の鉄を含んだ酸化物などがある。
次に本発明の更に具体的な実施例について説明する。
（実施例１）
イオン交換水（以下単に水とする。）２Ｎに塩化第１鉄
４ｆ、塩化マンガン６ｇおよび塩化亜鉛５０ｑをそれぞ
れ溶解した水溶液（反応液）を作製した。さらに別の溶
液として、水２１に亜硝酸ナトリウム１ｇおよび酢酸ア
ンモニウム１０ダを溶解した後、アンモニア水でｐＨ＝
ｓに調整した水溶液（酸化液）を作製した。
４ｆ、塩化マンガン６ｇおよび塩化亜鉛５０ｑをそれぞ
れ溶解した水溶液（反応液）を作製した。さらに別の溶
液として、水２１に亜硝酸ナトリウム１ｇおよび酢酸ア
ンモニウム１０ダを溶解した後、アンモニア水でｐＨ＝
ｓに調整した水溶液（酸化液）を作製した。
これらの溶液を用いて、第１図に示すような装置でフェ
ライトめっきを行った。ただし、混合部１を用いずに、
２液を別々に基体３に供給した。
ライトめっきを行った。ただし、混合部１を用いずに、
２液を別々に基体３に供給した。
装置には窒素ガスを毎分１．６４で送シ非酸化性雰囲気
を得、回転台４をヒータによ！１１９ｏ′ｃ一定にした
。回転台４は毎分３００回転の速度で回転させた。缶液
は毎分６ｏｍｌの流量で噴霧状で、供給した。めっきに
用いた基体３はアルミナ基板である。
を得、回転台４をヒータによ！１１９ｏ′ｃ一定にした
。回転台４は毎分３００回転の速度で回転させた。缶液
は毎分６ｏｍｌの流量で噴霧状で、供給した。めっきに
用いた基体３はアルミナ基板である。
比較のために、第１図の磁石７を取シ外して、先に示し
た条件と同様に、フェライトめっきを行った０ 本発明の方法で得たフェライト膜と比較のために作製し
たフェライト膜の磁気特性を測定したところ、両者のＨ
ａＯ比は１：４で１）、さらに透磁率は１：５であった
。本発明の方法で得たフェライト膜の方が、優れたソフ
ト磁気特性を示した。
た条件と同様に、フェライトめっきを行った０ 本発明の方法で得たフェライト膜と比較のために作製し
たフェライト膜の磁気特性を測定したところ、両者のＨ
ａＯ比は１：４で１）、さらに透磁率は１：５であった
。本発明の方法で得たフェライト膜の方が、優れたソフ
ト磁気特性を示した。
（実施例２）
水２１に塩化第１鉄４ｇと塩化ニッケル４ｆおよび塩化
亜鉛８０ダをそれぞれ溶解し、反応液を作製した。さら
に、水２１に亜硝酸ナトリウム０．６ｇおよび酢酸アン
モニウム１ダを溶解して酸化液を作製した。
亜鉛８０ダをそれぞれ溶解し、反応液を作製した。さら
に、水２１に亜硝酸ナトリウム０．６ｇおよび酢酸アン
モニウム１ダを溶解して酸化液を作製した。
これらの溶液を用いて、実施例１と同様にフェライトめ
っきを行った。ただし、混合部１を取シ付け、２液を１
液に混合後、基体３に供給した。
っきを行った。ただし、混合部１を取シ付け、２液を１
液に混合後、基体３に供給した。
用いた基体３は主としてＭｇＯ−ＳｉＯ２、ＭｇＯ，Ｂ
ｅ０１ｋ１２０．−８ｉｎ２・Ｂ２Ｏ５ガラスセラミッ
クス基板、石英ガラス板、ポリイミドフィルム、ステン
レス板、銅板、銅張シガラス布基材エポキシの９種類で
ある。得られたフェライト膜の磁気特性を測定した。
ｅ０１ｋ１２０．−８ｉｎ２・Ｂ２Ｏ５ガラスセラミッ
クス基板、石英ガラス板、ポリイミドフィルム、ステン
レス板、銅板、銅張シガラス布基材エポキシの９種類で
ある。得られたフェライト膜の磁気特性を測定した。
比較のために、第１図の磁石７を取シ外して、同様にめ
っきを行った。各９種類の基体３についてめっきを行い
、得られたフェライト膜の磁気特性を測定した。
っきを行った。各９種類の基体３についてめっきを行い
、得られたフェライト膜の磁気特性を測定した。
本発明の方法で得たフェライト膜と比較のために作製し
たフェライト膜の磁気特性を比較したところ、両者のＨ
ａおよび透磁率の比は１：２〜４であシ、本発明の方法
で得たフェライト膜の方が、優れたソフト磁気特性を示
した。
たフェライト膜の磁気特性を比較したところ、両者のＨ
ａおよび透磁率の比は１：２〜４であシ、本発明の方法
で得たフェライト膜の方が、優れたソフト磁気特性を示
した。
（実施例３）
実施例１と同じ反応液および酸化液を各２１作製し、こ
れらの溶液を用いて、第２図に示した装置で、フェライ
トめっきを行った。めっき時間は１時間であり、アルミ
ナ基板を使用した。
れらの溶液を用いて、第２図に示した装置で、フェライ
トめっきを行った。めっき時間は１時間であり、アルミ
ナ基板を使用した。
得られたフェライト膜は、実施例１で得られた膜と同様
の磁気特性を示した。
の磁気特性を示した。
（実施例４）
実施例２と同じ反応液および酸化液をそれぞれ２４作製
し、第３図に示した装置を用いて、フェライトめっきを
行った。アルミナ基板に１時間のめっきを行った。
し、第３図に示した装置を用いて、フェライトめっきを
行った。アルミナ基板に１時間のめっきを行った。
得られたフェライト膜は、実施例２で得られた膜と同様
の磁気特性を示した。
の磁気特性を示した。
発明の効果
本発明によって、前述したように、磁場中で、基体表面
にフェライト膜を堆積させることによって、これまでの
フェライト膜の形成方法では達成されなかったソフトフ
ェライトとしての磁気特性を示すフェライト膜を作製す
ることができる。これによって、各種電子部品等への適
用に十分な磁気特性を有するフェライト膜を得ることが
できる。
にフェライト膜を堆積させることによって、これまでの
フェライト膜の形成方法では達成されなかったソフトフ
ェライトとしての磁気特性を示すフェライト膜を作製す
ることができる。これによって、各種電子部品等への適
用に十分な磁気特性を有するフェライト膜を得ることが
できる。
第１図、第２図および第３図は本発明のフェライト膜の
形成方法の実施例に用いた装置の概略図である。 １・・・・・・混合部、２・・・・・・ノズル、３・・
・・・・基体、・・・・・・回転台、６，６・・・・・
・タンク、７・・・・・・磁石、・・・・・・めっき反
応部、９・・・・・・ウォーターバス。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名図 ９対−ターバス
形成方法の実施例に用いた装置の概略図である。 １・・・・・・混合部、２・・・・・・ノズル、３・・
・・・・基体、・・・・・・回転台、６，６・・・・・
・タンク、７・・・・・・磁石、・・・・・・めっき反
応部、９・・・・・・ウォーターバス。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名図 ９対−ターバス
Claims (2)
- （１）金属イオンとして少なくとも第１鉄イオンを含ん
だ溶液を磁場中で、基体に接触させ、基体表面にフェラ
イト膜を堆積させることを特徴とするフェライト膜の形
成方法。 - （２）液中にさらに、第１鉄イオンを酸化するための酸
化剤を含んだ請求項１記載のフェライト膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63266370A JP2668998B2 (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | フェライト膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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-
1988
- 1988-10-21 JP JP63266370A patent/JP2668998B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP1403886A3 (en) * | 2002-09-13 | 2004-06-09 | Nec Tokin Corporation | Ferrite thin film, method of manufacturing the same and electromagnetic noise suppressor using the same |
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Also Published As
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