JPH02116626A - フェライト膜の形成方法 - Google Patents
フェライト膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH02116626A JPH02116626A JP63266378A JP26637888A JPH02116626A JP H02116626 A JPH02116626 A JP H02116626A JP 63266378 A JP63266378 A JP 63266378A JP 26637888 A JP26637888 A JP 26637888A JP H02116626 A JPH02116626 A JP H02116626A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- ferrite
- ferrite film
- film
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、磁気ヘッド
、磁気光学素子、マイクロ波素子、磁歪素子、磁気音響
素子などに広く応用されているスピネル型フェライト膜
の作製におけるフェライト膜の形成方法に関するもので
ある。
、磁気光学素子、マイクロ波素子、磁歪素子、磁気音響
素子などに広く応用されているスピネル型フェライト膜
の作製におけるフェライト膜の形成方法に関するもので
ある。
従来の技術
フェライトめっきとは、例えば、特開昭５９−１１１９
２９号公報に示されているように、固体表面に、金属イ
オンとして少なくとも第１鉄イオンを含む水浴液を接触
させて、固体表面にＦ６０Ｈ＋またはこれと他の水酸化
金属イオンを吸着させ、次いで、吸着したＦｅＯＨ”
ｉ酸化させることによりＦｅＯＨ２＋を得、これが水溶
液中の水酸化金属イオンとの間でフェライト結晶化反応
を起こし、これによって固体表面にフェライト膜を形成
することをいう。
２９号公報に示されているように、固体表面に、金属イ
オンとして少なくとも第１鉄イオンを含む水浴液を接触
させて、固体表面にＦ６０Ｈ＋またはこれと他の水酸化
金属イオンを吸着させ、次いで、吸着したＦｅＯＨ”
ｉ酸化させることによりＦｅＯＨ２＋を得、これが水溶
液中の水酸化金属イオンとの間でフェライト結晶化反応
を起こし、これによって固体表面にフェライト膜を形成
することをいう。
従来、この技術をもとにめっき膜の均質化、反応速度の
向上等を図ったもの（特開昭６０−１４０７１３号公報
）、固体表面に界面活性を付与して種々の固体にフェラ
イト膜を形成しようとするも（７）（Ｆ＃開昭６１−３
０６７４号公報）、あるいはフェライト膜の形成速度の
向上に関するもの（％開昭６１−１７９８γ７号公報な
いし特開昭６１−２２２９２４号公報）がある。
向上等を図ったもの（特開昭６０−１４０７１３号公報
）、固体表面に界面活性を付与して種々の固体にフェラ
イト膜を形成しようとするも（７）（Ｆ＃開昭６１−３
０６７４号公報）、あるいはフェライト膜の形成速度の
向上に関するもの（％開昭６１−１７９８γ７号公報な
いし特開昭６１−２２２９２４号公報）がある。
フェライトめっきは、膜を形成しようとする固体が前述
した水溶液に対して耐性があれば、何でもよい。さらに
、水溶液を介した反応であるため、温度が比較的低温（
水浴液の沸点以下）でスピネル型フェライト膜を作製で
きるという特徴がある。
した水溶液に対して耐性があれば、何でもよい。さらに
、水溶液を介した反応であるため、温度が比較的低温（
水浴液の沸点以下）でスピネル型フェライト膜を作製で
きるという特徴がある。
そのため、他のフェライト膜作製技術に比べて、固体の
限定範囲が小さい。
限定範囲が小さい。
ただし、固体の表面全域にわたって、ＦｅＯＨの吸着に
対して十分な界面活性を有する必要がある。
対して十分な界面活性を有する必要がある。
発明が解決しようとする課題
しかし、前述したように、これまでに種々の改善が提案
されているが、まだまだ十分な生産性が得られるまでの
フェライト膜の作製方法が得られていない。
されているが、まだまだ十分な生産性が得られるまでの
フェライト膜の作製方法が得られていない。
例えば、前述した特開昭５９−１１１９２９号公報では
、ポリイミドフィルムへのめっきに対しては、クロム酸
混液で表面処理を行い、ステンレス板に対してはマグネ
タイト形成後、所定のフェライト膜を作製する。石英ガ
ラスに対しては、パラジウム処理を行ってから所定のめ
っきする。
、ポリイミドフィルムへのめっきに対しては、クロム酸
混液で表面処理を行い、ステンレス板に対してはマグネ
タイト形成後、所定のフェライト膜を作製する。石英ガ
ラスに対しては、パラジウム処理を行ってから所定のめ
っきする。
一方、特開昭６１−３０６７４号公報では、ポリイミド
フィルム、銅板、ステンレス板、ガラス、アルミナ等へ
のめっきに対しては、プラズマ処理後、めっきを行う。
フィルム、銅板、ステンレス板、ガラス、アルミナ等へ
のめっきに対しては、プラズマ処理後、めっきを行う。
このように、フェライト膜全作製するにあたり基体の表
面はなんらかの前処理を必要とする。
面はなんらかの前処理を必要とする。
さらに、アルミナ基板へ前処理なしに、直接フェライト
膜全形成する方法もあるが、めっき膜形成が窒素等の非
酸化性雰囲気であり、しかも酸化剤を用いる方法である
。
膜全形成する方法もあるが、めっき膜形成が窒素等の非
酸化性雰囲気であり、しかも酸化剤を用いる方法である
。
課題を解決するための手段
以上の課題を解決するために本発明は、金属イオンとし
て少なくとも第１鉄イオンを含んだ液を酸化性雰囲気で
、基体表面の表面あらさが中心線平均粗さ（Ｒａ）で０
．０１μｍ以上である基体の表面に供給しフェライト膜
を形成することにしたものである。
て少なくとも第１鉄イオンを含んだ液を酸化性雰囲気で
、基体表面の表面あらさが中心線平均粗さ（Ｒａ）で０
．０１μｍ以上である基体の表面に供給しフェライト膜
を形成することにしたものである。
作用
前述した限定した雰囲気および基体を用いることによっ
て、これまではフェライト膜を形成しようとする基体表
面に種々の前処理（プラズマ処理、パラジウム処理等）
が必要であったが、前処理なしに、しかもめつき液中に
酸化剤を溶解せずに基体表面に直接フェライト膜を形成
することができる。
て、これまではフェライト膜を形成しようとする基体表
面に種々の前処理（プラズマ処理、パラジウム処理等）
が必要であったが、前処理なしに、しかもめつき液中に
酸化剤を溶解せずに基体表面に直接フェライト膜を形成
することができる。
実施例
以下、本発明の実施例について説明する。
本発明のフェライト膜の形成力法の基本的な部分は、公
知の方法と大部分同じである。
知の方法と大部分同じである。
しかし、本発明では、水溶液中に金属イオンとして少な
くとも第１鉄イオンを含んだ溶液を酸化性雰囲気で基体
に供給し、しかもフェライトめっきする固体、つまり基
体あるいは基体表面が前述したような条件を満足したも
のだけに、これまでに認められていない前処理なしに直
接フェライト膜を形成できるという現象を見出すことが
できた。
くとも第１鉄イオンを含んだ溶液を酸化性雰囲気で基体
に供給し、しかもフェライトめっきする固体、つまり基
体あるいは基体表面が前述したような条件を満足したも
のだけに、これまでに認められていない前処理なしに直
接フェライト膜を形成できるという現象を見出すことが
できた。
その原因については明確ではない。
ある程度以上の表面粗さを有していることによって、Ｆ
θＯＨ＋の吸着や酸化反応あるいはフェライト結晶化反
応に対して、特に吸着等に対してプラスに働らき、水溶
液中で生成した微粒子が基体表面、つまりフェライト結
晶化反応をしている表面にとらえられたり、あるいは集
まり、さらには膜成長を促進・加担すると考えられる。
θＯＨ＋の吸着や酸化反応あるいはフェライト結晶化反
応に対して、特に吸着等に対してプラスに働らき、水溶
液中で生成した微粒子が基体表面、つまりフェライト結
晶化反応をしている表面にとらえられたり、あるいは集
まり、さらには膜成長を促進・加担すると考えられる。
また、ある程度以上の表面粗さヲ有していることによっ
て、実質的な基体の表面積が増加して吸着等の反応に携
わる面積の増加も影響を与えていると考えられる。結果
として、材質には無関係に前処理なしにフェライト膜を
形成することができる。
て、実質的な基体の表面積が増加して吸着等の反応に携
わる面積の増加も影響を与えていると考えられる。結果
として、材質には無関係に前処理なしにフェライト膜を
形成することができる。
本発明のフェライト膜の形成方法のいくつかの例を図を
用いて説明する。
用いて説明する。
例えば、−例の装置の概略図を第１図に示す。
３はフェライト膜を形成しようとする基体である。
基体３の表面あらさは中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０
１μｍ以上である。４は基体３を取り付けて、回転する
ことができる回転台である。めっきに必要な液はいくつ
かに分割して準備する方がよい。
１μｍ以上である。４は基体３を取り付けて、回転する
ことができる回転台である。めっきに必要な液はいくつ
かに分割して準備する方がよい。
得られるフェライト膜の特性のバラツキの低減、膜の特
性等のコントロール、あるいはめっき反応前の余分な溶
液中の反応を極力おさえるためである。この図では２分
割して準備し、基体３に供給する前に混合部１でめっき
液を１液に混合する方式を示した。めっき液を混合部１
で混合し、混合しためつき液をノズル２を介して、基体
３に供給する。適当なノズル形状・構造を選択すること
によって、液を滴下るるいは噴霧状等で基体３に供給す
ることができる。５および６は、各めっき液を貯蔵する
タンクである。また、場合によっては。
性等のコントロール、あるいはめっき反応前の余分な溶
液中の反応を極力おさえるためである。この図では２分
割して準備し、基体３に供給する前に混合部１でめっき
液を１液に混合する方式を示した。めっき液を混合部１
で混合し、混合しためつき液をノズル２を介して、基体
３に供給する。適当なノズル形状・構造を選択すること
によって、液を滴下るるいは噴霧状等で基体３に供給す
ることができる。５および６は、各めっき液を貯蔵する
タンクである。また、場合によっては。
図に示すように基体３および回転台４等のフェライトめ
っき反応を行う部分をケースによって仕切り、反応時の
雰囲気の一定化あるいは液の飛散の防止を行ってもよい
。例えば、雰囲気全調整する方法には、空気あるいは適
当に調整しｔ窒素と酸素の混合ガスをケース内に送るこ
とによって、反応時の雰囲気を一定にする方法がある。
っき反応を行う部分をケースによって仕切り、反応時の
雰囲気の一定化あるいは液の飛散の防止を行ってもよい
。例えば、雰囲気全調整する方法には、空気あるいは適
当に調整しｔ窒素と酸素の混合ガスをケース内に送るこ
とによって、反応時の雰囲気を一定にする方法がある。
タンク６には、例えば、緩衝剤あるいは錯化剤として酢
酸アンモニウムＣＩ（、ＧＯＯＮＨ４ｉいれた水溶液（
調整液）を入れ、タンク５に少なくとも第１鉄イオンを
含む水溶液（反応液）を入れて、ポンプ等で液を混合部
１に供給する。この反応液にさらにＮ１イオンおよびＺ
ｎイオンが含まれると得られるフェライト膜はＮｉＺｎ
系フェライト膜であり、ＭｎイオンおよびＺｎイオンが
含まれると得られるフェライト膜はＭｎＺｎ系フェライ
ト膜である。それ以外にも、各イオン金倉めることがで
きる。之とえば、Ｍｇ 、 Ｃｏ 、 Ｃｕ 、 Ｌｉ
などのスピネル構造ｋには、回転台４によ多回転した
状態で多液が供給される。回転台４は、ヒーター等によ
り６０〜１００℃に加熱する。このようにして、基体３
上でフェライト結晶化反応を行わせて、基体３にフェラ
イト膜を形成する。
酸アンモニウムＣＩ（、ＧＯＯＮＨ４ｉいれた水溶液（
調整液）を入れ、タンク５に少なくとも第１鉄イオンを
含む水溶液（反応液）を入れて、ポンプ等で液を混合部
１に供給する。この反応液にさらにＮ１イオンおよびＺ
ｎイオンが含まれると得られるフェライト膜はＮｉＺｎ
系フェライト膜であり、ＭｎイオンおよびＺｎイオンが
含まれると得られるフェライト膜はＭｎＺｎ系フェライ
ト膜である。それ以外にも、各イオン金倉めることがで
きる。之とえば、Ｍｇ 、 Ｃｏ 、 Ｃｕ 、 Ｌｉ
などのスピネル構造ｋには、回転台４によ多回転した
状態で多液が供給される。回転台４は、ヒーター等によ
り６０〜１００℃に加熱する。このようにして、基体３
上でフェライト結晶化反応を行わせて、基体３にフェラ
イト膜を形成する。
さらに、別の方法の一例の装置の概略図を第２図に示す
。混合部１、タンク５および６ば、第１図のものと同様
である。基体台７が本方法の異なる部分である。つまり
、第１図に示した方法と異な９、回転台を使用せずにそ
の代わりに基体台７を用いる。図に示すように、基体台
７には基体３を傾斜させてセットしている。基体３め表
面上をめっき液が均一に流れるように基体３を所定の角
度に傾斜させ、内蔵したヒーターによって、６０〜１０
０℃に基体３を加熱することができる。このようにして
、基体台７にセットした基体３の表面にフェライト膜を
堆積させる。
。混合部１、タンク５および６ば、第１図のものと同様
である。基体台７が本方法の異なる部分である。つまり
、第１図に示した方法と異な９、回転台を使用せずにそ
の代わりに基体台７を用いる。図に示すように、基体台
７には基体３を傾斜させてセットしている。基体３め表
面上をめっき液が均一に流れるように基体３を所定の角
度に傾斜させ、内蔵したヒーターによって、６０〜１０
０℃に基体３を加熱することができる。このようにして
、基体台７にセットした基体３の表面にフェライト膜を
堆積させる。
これまで示した２方式ともめっき液は、基体３に供給す
る前にあらかじめ加熱しておく方が、得られるフェライ
ト膜の均一性あるいは砒気特性が良好なものが得られた
。
る前にあらかじめ加熱しておく方が、得られるフェライ
ト膜の均一性あるいは砒気特性が良好なものが得られた
。
基体３の材質としては、特に限定はない。いくつか例を
あげると、ポリイミドフィルム、ポリエチレンテレフタ
レー）（ＰＥＴ）などの各種プラスチック類、銅、ニッ
ケル、銀、金、タングステン、モリブデン、白金、パラ
ジウム、鉄、鉄合金などの金属類、各種の有機積層板、
っまり紙基材エホキシ、ガラス布基材エポキシ、ガラス
基材ポリエステル、ガラス布基材テフロン等の積層板な
ど、各種ガラス頌、セラミックスなどがある。実験的に
特にフェライト膜形成に対して相性がよかったものが、
酸素、窒素あるいは硫黄のいずれが１つ以上を含むもの
あるいは特に配化物類である。
あげると、ポリイミドフィルム、ポリエチレンテレフタ
レー）（ＰＥＴ）などの各種プラスチック類、銅、ニッ
ケル、銀、金、タングステン、モリブデン、白金、パラ
ジウム、鉄、鉄合金などの金属類、各種の有機積層板、
っまり紙基材エホキシ、ガラス布基材エポキシ、ガラス
基材ポリエステル、ガラス布基材テフロン等の積層板な
ど、各種ガラス頌、セラミックスなどがある。実験的に
特にフェライト膜形成に対して相性がよかったものが、
酸素、窒素あるいは硫黄のいずれが１つ以上を含むもの
あるいは特に配化物類である。
この酸化物としては、アルミナ（人（１２０，）、ムラ
イト（３Ａ６２０３．２５ｉｎ２）、ベリリア（Ｂｅｏ
）、ステアタイト（ＭｇＯ−５ｉｎ２＞、 フォル
ステライト（２ＭｇＯ・５ｉｎ２）、マグネシア（Ｍｇ
Ｏ）、チタニア（ＴｉＯ２）、チタニア＋ジルコニア（
ＺｒＯ２）、チタニア＋マグネシア等の各種セラミック
ス、Ａ１２０３−５ｉｎ２− Ｂ２０．、Ａ３２０．−
５ｉｎ２− Ｂ、、Ｏ，、Ａ１２０．− ＭｇＯ−５ｉ
ｎ２− Ｂ２Ｏ３、Ａ１２０３− （ａｏ −ＭｇＯ
・ＳｉＯ２・Ｂ２Ｏ３などのガラスセラミックス、Ｃｕ
Ｏ１ＮｉＯなどの金属酸化物あるいはフェライト等の鉄
を含んだ酸化物などがある。
イト（３Ａ６２０３．２５ｉｎ２）、ベリリア（Ｂｅｏ
）、ステアタイト（ＭｇＯ−５ｉｎ２＞、 フォル
ステライト（２ＭｇＯ・５ｉｎ２）、マグネシア（Ｍｇ
Ｏ）、チタニア（ＴｉＯ２）、チタニア＋ジルコニア（
ＺｒＯ２）、チタニア＋マグネシア等の各種セラミック
ス、Ａ１２０３−５ｉｎ２− Ｂ２０．、Ａ３２０．−
５ｉｎ２− Ｂ、、Ｏ，、Ａ１２０．− ＭｇＯ−５ｉ
ｎ２− Ｂ２Ｏ３、Ａ１２０３− （ａｏ −ＭｇＯ
・ＳｉＯ２・Ｂ２Ｏ３などのガラスセラミックス、Ｃｕ
Ｏ１ＮｉＯなどの金属酸化物あるいはフェライト等の鉄
を含んだ酸化物などがある。
次に本発明の更に具体的な実施例について説明する。
（実施例１）
イオン交換水（以下、単に水とする。）２１に塩化第１
鉄４ｙ−１塩化ニツケル４？および塩化亜鉛６０■をそ
れぞれ溶解した水溶液（反応液）を作製した。さらに別
の溶液として、水２ｇに酢酸アンモニウム６ノを溶解し
た水溶液（調整液）を作製した。
鉄４ｙ−１塩化ニツケル４？および塩化亜鉛６０■をそ
れぞれ溶解した水溶液（反応液）を作製した。さらに別
の溶液として、水２ｇに酢酸アンモニウム６ノを溶解し
た水溶液（調整液）を作製した。
これらの溶液を用いて、第１図に示すような装置でフェ
ライトめっきを行った。装置には空気を毎分１．６４で
送り込み酸化性雰囲気を得、回転台４をヒータにより９
０”Ｃ一定にした。回転台４は毎分３００回転の速度で
回転させた。溶液は毎分９６ｍ／の流量で滴下して、供
給した。
ライトめっきを行った。装置には空気を毎分１．６４で
送り込み酸化性雰囲気を得、回転台４をヒータにより９
０”Ｃ一定にした。回転台４は毎分３００回転の速度で
回転させた。溶液は毎分９６ｍ／の流量で滴下して、供
給した。
めっきに用いた基体３はアルミナ基板であシ、その表面
粗さは中心線平均粗さ（Ｒａ 、μｍ単位）で表１に示
すような種々のものを用いた。
粗さは中心線平均粗さ（Ｒａ 、μｍ単位）で表１に示
すような種々のものを用いた。
めっき後の各基体３のめつき膜の厚みおよび膜の堆積速
度を表１に示す。基体階ムでは、フェライトめっきは行
えたが、非常に厚みムラが多く、実用に耐えるものでは
なかった。表１の値は、基体３内の１４Ｘ２１ｍｍの部
分の平均膜厚である。
度を表１に示す。基体階ムでは、フェライトめっきは行
えたが、非常に厚みムラが多く、実用に耐えるものでは
なかった。表１の値は、基体３内の１４Ｘ２１ｍｍの部
分の平均膜厚である。
ＲＩＬ＝００１μｍ以上の基体（基体１１＆ＬＢ以降）
では厚みムラのない膜厚の均一なフェライト膜を得るこ
とができた。しかも、速い堆積速度である。
では厚みムラのない膜厚の均一なフェライト膜を得るこ
とができた。しかも、速い堆積速度である。
表１ 各基体の表面粗さと膜厚（ｌ１ｍ）、堆積速度Ｃ
ｔｔｍｕｍ ）比較のために、基体３をパイレックスガ
ラス（商標Ｈコーニング社）、Ｒａ （０，００５μｍ
にして同様にめっきを行ったが、得られたフェライト膜
の膜厚はｏ、４〜０．７μｍ（堆積速度０．００９〜０
０１６μｍ７分）であったが、非常に膜厚のムラが多く
、均一なめっき膜が得られなかった。
ｔｔｍｕｍ ）比較のために、基体３をパイレックスガ
ラス（商標Ｈコーニング社）、Ｒａ （０，００５μｍ
にして同様にめっきを行ったが、得られたフェライト膜
の膜厚はｏ、４〜０．７μｍ（堆積速度０．００９〜０
０１６μｍ７分）であったが、非常に膜厚のムラが多く
、均一なめっき膜が得られなかった。
（実施例２）
水２ｇに塩化第１鉄２ノと塩化マンガン４ノおよび塩化
亜鉛６０〜をそれぞれ溶解し、反応液を作製、した。さ
らに、水２１に酢酸アンモニウム６ノを溶解し、さらに
アンモニア水を用いて、ｐＨ＝８．８にして調整液を作
製した。
亜鉛６０〜をそれぞれ溶解し、反応液を作製、した。さ
らに、水２１に酢酸アンモニウム６ノを溶解し、さらに
アンモニア水を用いて、ｐＨ＝８．８にして調整液を作
製した。
これらの溶液を用いて、実施例１と同様にフェライトめ
っきを行った。用いた基体３は主としてＭｇＯ−５ｉｎ
２、ＭｇＯ１Ｂｏｏからなる３種類である。表面粗さは
１２Ｌテそれぞれ０．２ 、０．１ 、０．３μｍ”ｔ
’あった。得られたフェライト膜の膜厚は３種類の基体
３ともほぼ同じで約２，３７ｚｍ（堆積速度で０．０５
５μｍ／分）であり、膜厚が均一で、十分な付着強度を
有した膜が得られた。
っきを行った。用いた基体３は主としてＭｇＯ−５ｉｎ
２、ＭｇＯ１Ｂｏｏからなる３種類である。表面粗さは
１２Ｌテそれぞれ０．２ 、０．１ 、０．３μｍ”ｔ
’あった。得られたフェライト膜の膜厚は３種類の基体
３ともほぼ同じで約２，３７ｚｍ（堆積速度で０．０５
５μｍ／分）であり、膜厚が均一で、十分な付着強度を
有した膜が得られた。
（実施例３）
水２１に塩化第１鉄６ノと塩化ニッケル６！？および塩
化亜鉛ｓ ＯＷ ’１それぞれ溶解し、反応液を作製し
た。さらに、水２１に酢酸アンモニウム２ｙ−を溶解し
て調整液を作製した。
化亜鉛ｓ ＯＷ ’１それぞれ溶解し、反応液を作製し
た。さらに、水２１に酢酸アンモニウム２ｙ−を溶解し
て調整液を作製した。
これらの溶液を用いて、実施例１と同様にフェライトめ
っきを行った。用いた基体３は”’２０５−８１０２・
Ｂ２Ｏ３ガラスセラミックス基板である。表面粗さはＲ
ａ＝０．１μｍであった。得られたフェライト膜の膜厚
は約２．３μｍ（堆積速度で００６５Ｉｔｍ１分）であ
り、膜厚が均一で、十分な付着強度を有した膜が得られ
た。
っきを行った。用いた基体３は”’２０５−８１０２・
Ｂ２Ｏ３ガラスセラミックス基板である。表面粗さはＲ
ａ＝０．１μｍであった。得られたフェライト膜の膜厚
は約２．３μｍ（堆積速度で００６５Ｉｔｍ１分）であ
り、膜厚が均一で、十分な付着強度を有した膜が得られ
た。
（実施例４）
実施例１と同様に反応液および調整液を各２ｅ作製した
。
。
この溶液をそれぞれ８回（合計缶液：１６ｇ）作製し、
これらの溶液を用いて、実施例１と同様にフェライトめ
っきを行った。めっき時間は８時間であった。基体３は
アルミナ基板と実施例１で用いたガラス基板の２種類で
ある。アルミナ基板の表面粗さはＲａ ＝ ０．２１ノ
ｍであった。得られたフェライト膜の膜厚はアルミナ基
板では、２６μｍであったが、ガラス基板では、フェラ
イト膜が剥離していた。
これらの溶液を用いて、実施例１と同様にフェライトめ
っきを行った。めっき時間は８時間であった。基体３は
アルミナ基板と実施例１で用いたガラス基板の２種類で
ある。アルミナ基板の表面粗さはＲａ ＝ ０．２１ノ
ｍであった。得られたフェライト膜の膜厚はアルミナ基
板では、２６μｍであったが、ガラス基板では、フェラ
イト膜が剥離していた。
本実施例では、これまでにない大きな膜厚（２６μｍ）
のフェライト膜を得ることができ、しかも堆積速度が速
いため比較的短時間で得られる。
のフェライト膜を得ることができ、しかも堆積速度が速
いため比較的短時間で得られる。
（実施例６）
水２１に塩化第１鉄３ｙ−と塩化ニッケル５ｙ−および
塩化亜鉛１５０１７９’ｉそれぞれ溶解し、反応液を作
製した。さらに、水２１に酢酸アンモニウムｏ、ｓ ｙ
−を溶解して調整液を作製した。
塩化亜鉛１５０１７９’ｉそれぞれ溶解し、反応液を作
製した。さらに、水２１に酢酸アンモニウムｏ、ｓ ｙ
−を溶解して調整液を作製した。
これらの溶液を用いて、第２図に示した装置を用いて、
大気中で、フェライトめっきを行った。
大気中で、フェライトめっきを行った。
基体台７はヒーターにより９５℃に加熱した。用いた基
体３は石英ガラス板、ポリイミドフィルム、ステンレス
板、銅板、銅張りガラス布基材エポキシの６種類である
。表面粗さは全てＲａ ＝ ０．１μｍであった。得ら
れたフェライト膜の膜厚は５種類の基体３で大きな差が
なく約２．３μｍ（堆積速度で０．０５５μｍ／分）で
あり、膜厚が均一で十分な付着強度を有した膜が得られ
友。
体３は石英ガラス板、ポリイミドフィルム、ステンレス
板、銅板、銅張りガラス布基材エポキシの６種類である
。表面粗さは全てＲａ ＝ ０．１μｍであった。得ら
れたフェライト膜の膜厚は５種類の基体３で大きな差が
なく約２．３μｍ（堆積速度で０．０５５μｍ／分）で
あり、膜厚が均一で十分な付着強度を有した膜が得られ
友。
発明の効果
本発明によって、前述したように、これまで必要として
いた基体表面の前処理を省略して、直接フェライト膜を
基体上に作製することができる。
いた基体表面の前処理を省略して、直接フェライト膜を
基体上に作製することができる。
さらに、酸化剤を用いずに空気中でもフェライトめっき
を行うことができる。しかも、十分速い堆積速度で均一
なフェライト膜を形成することができ、これにより、各
種電子部品等への適用に十分な高膜厚の単層のフェライ
ト膜を得ることができる。さらに、十分な付着強度を有
するフェライト膜が得られる。
を行うことができる。しかも、十分速い堆積速度で均一
なフェライト膜を形成することができ、これにより、各
種電子部品等への適用に十分な高膜厚の単層のフェライ
ト膜を得ることができる。さらに、十分な付着強度を有
するフェライト膜が得られる。
第１図および第２図は、本発明のフェライト膜の形成方
法の実施例に用いた装置の概略図である。 １・・・・・・混合部、２・・・・・・ノズル、３・・
・・・・基体、４・・・・・・回転台、６．６・・・・
・・タンク、７・・・・・・基体台。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名１図 第２図
法の実施例に用いた装置の概略図である。 １・・・・・・混合部、２・・・・・・ノズル、３・・
・・・・基体、４・・・・・・回転台、６．６・・・・
・・タンク、７・・・・・・基体台。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名１図 第２図
Claims (8)
- （１）金属イオンとして少なくとも第１鉄イオンを含ん
だ溶液を酸化性雰囲気で、基体表面の表面あらさが中心
線平均粗さ（Ｒａ）で０．０１μｍ以上である基体の表
面上に供給しフェライト膜を堆積させることを特徴とす
るフェライト膜の形成方法。 - （２）基体あるいは基体表面が主として酸素、窒素、あ
るいは硫黄の少なくとも１元素を含む物で構成される請
求項１記載のフェライト膜の形成方法。 - （３）基体あるいは基体表面が主として酸化物で構成さ
れる請求項１記載のフェライト膜の形成方法。 - （４）酸化物が主としてＡｌ＿２Ｏ＿３である請求項３
記載のフェライト膜の形成方法。 - （５）酸化物が主としてＭｇＯ・ＳｉＯ＿２である請求
項３記載のフェライト膜の形成方法。 - （６）酸化物が主としてＭｇＯである請求項３記載のフ
ェライト膜の形成方法。 - （７）酸化物が主としてＢｅＯである請求項３記載のフ
ェライト膜の形成方法。 - （８）基体あるいは基体表面が酸化物のセラミックスで
ある請求項３記載のフェライト膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63266378A JP2595691B2 (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | フェライト膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63266378A JP2595691B2 (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | フェライト膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02116626A true JPH02116626A (ja) | 1990-05-01 |
| JP2595691B2 JP2595691B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=17430107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63266378A Expired - Lifetime JP2595691B2 (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | フェライト膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2595691B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012002124A1 (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 金属膜形成システム、金属膜形成方法及びコンピュータ記憶媒体 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6342378A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-23 | Nippon Paint Co Ltd | フエライト膜の形成方法 |
-
1988
- 1988-10-21 JP JP63266378A patent/JP2595691B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6342378A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-23 | Nippon Paint Co Ltd | フエライト膜の形成方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012002124A1 (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 金属膜形成システム、金属膜形成方法及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP2012031506A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-02-16 | Tokyo Electron Ltd | 金属膜形成システム、金属膜形成方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2595691B2 (ja) | 1997-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6342378A (ja) | フエライト膜の形成方法 | |
| EP0111869B1 (en) | Process for forming a ferrite film | |
| JPS63203775A (ja) | 基板のメツキ処理方法 | |
| JPH02116631A (ja) | フェライト膜の形成方法 | |
| JPH02116626A (ja) | フェライト膜の形成方法 | |
| JP2668998B2 (ja) | フェライト膜の形成方法 | |
| JP2629896B2 (ja) | フェライト膜の形成方法 | |
| JPH02248328A (ja) | フェライト膜の形成方法 | |
| JP2792115B2 (ja) | フェライト膜の形成方法およびフェライト基板 | |
| JP2841568B2 (ja) | フェライト膜の形成方法 | |
| US5215782A (en) | Method of forming ferrite coatings | |
| JPH01246149A (ja) | フェライト膜の形成方法 | |
| JPH02248329A (ja) | フェライト膜の形成方法 | |
| JPH02116627A (ja) | フェライト膜の形成方法 | |
| JPH02116625A (ja) | フェライト膜の形成方法 | |
| JPH02116628A (ja) | フェライト膜の形成方法 | |
| JPH0338006A (ja) | 異方性フェライト膜およびその形成方法 | |
| JPS61222924A (ja) | フエライト膜の形成方法 | |
| JPH02116629A (ja) | フェライト膜の形成方法 | |
| JPH0456779B2 (ja) | ||
| JPS6130674A (ja) | フエライト膜形成法 | |
| JP2736666B2 (ja) | 無電解めっき用パラジウムヒドロゾル触媒及びその製造方法 | |
| JPH06100318A (ja) | 管状体内壁面でのフェライト膜形成方法 | |
| JPS6237301A (ja) | 金属担持粒子の製造方法 | |
| JPH0310086A (ja) | 無電解ニッケル―リンめっき浴 |