JPH02116630A - フェライト膜の形成方法 - Google Patents
フェライト膜の形成方法Info
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- JPH02116630A JPH02116630A JP63266382A JP26638288A JPH02116630A JP H02116630 A JPH02116630 A JP H02116630A JP 63266382 A JP63266382 A JP 63266382A JP 26638288 A JP26638288 A JP 26638288A JP H02116630 A JPH02116630 A JP H02116630A
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- Japan
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- ferrite film
- ferrite
- plating
- film
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
Landscapes
- Compounds Of Iron (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、磁気ヘッド
、磁気光学素子、マイクロ波素子、磁歪素子、磁気音管
素子などに広く応用されているスピネル型フェライト膜
の作製におけるフェライト膜の形成方法に関するもので
ある。
、磁気光学素子、マイクロ波素子、磁歪素子、磁気音管
素子などに広く応用されているスピネル型フェライト膜
の作製におけるフェライト膜の形成方法に関するもので
ある。
従来の技術
フェライトめっきとは、例えば、特開昭６９−１１１９
２９号公報に示されているように、固体表面に、金属イ
オンとして少なくとも第１鉄イオンを含む水溶液を接触
させて、固体表面にＦｅＯＨ＋またはこれと他の水酸化
金属イオンを吸着させ、次いで、吸着したＦｅＯＨ＋を
酸化させることによりＦｅＯＨ２＋を得、これが水溶液
中の水酸化金属イオンとの間でフェライト結晶化反応を
起こし、これによって固体表面にフェライト膜を形成す
ることをいう。
２９号公報に示されているように、固体表面に、金属イ
オンとして少なくとも第１鉄イオンを含む水溶液を接触
させて、固体表面にＦｅＯＨ＋またはこれと他の水酸化
金属イオンを吸着させ、次いで、吸着したＦｅＯＨ＋を
酸化させることによりＦｅＯＨ２＋を得、これが水溶液
中の水酸化金属イオンとの間でフェライト結晶化反応を
起こし、これによって固体表面にフェライト膜を形成す
ることをいう。
従来、この技術を基にめっき膜の均質化、反応速度の向
上等を図ったもの（特開昭θ〇−１４０７１３号公報）
、固体表面に界面活性を付与して種々の固体にフェライ
ト膜を形成しようとするものく特開昭６１−３０６７４
号公報）、あるいはフェライト膜の形成速度の向上に関
するもの（特開昭６１−１７９８７７号公報ないし特開
昭６１−２２２９２４号公報）がある。
上等を図ったもの（特開昭θ〇−１４０７１３号公報）
、固体表面に界面活性を付与して種々の固体にフェライ
ト膜を形成しようとするものく特開昭６１−３０６７４
号公報）、あるいはフェライト膜の形成速度の向上に関
するもの（特開昭６１−１７９８７７号公報ないし特開
昭６１−２２２９２４号公報）がある。
フェライトめっきは、膜を形成しようとする固体が前述
した水溶液に対して耐性があれば、何でもよい。さらに
、水溶液を介した反応であるため、温度が比較的低温（
水溶液の訓点以下）でスピネル型フェライト膜を作製で
きるという特徴がある０そのため、他のフェライト膜作
製技術に比べて、固体の限定範囲が小さい。
した水溶液に対して耐性があれば、何でもよい。さらに
、水溶液を介した反応であるため、温度が比較的低温（
水溶液の訓点以下）でスピネル型フェライト膜を作製で
きるという特徴がある０そのため、他のフェライト膜作
製技術に比べて、固体の限定範囲が小さい。
発明が解決しようとする課題
しかし、前述したように、これまで膜の均質性あるいは
膜の生成速度等に種々の改善が提案されているが、得ら
れる膜の磁気特性については前述した全ての方式とも不
十分であった。つまり、スピネル型フェライトとしての
十分な磁気特性、特にソフト材料としての特性が得られ
ていない。そのため、各種電子部品等への応用・適用等
に関して大きな課題があった。
膜の生成速度等に種々の改善が提案されているが、得ら
れる膜の磁気特性については前述した全ての方式とも不
十分であった。つまり、スピネル型フェライトとしての
十分な磁気特性、特にソフト材料としての特性が得られ
ていない。そのため、各種電子部品等への応用・適用等
に関して大きな課題があった。
フェライト膜の保磁力については、例えば、金属表面技
術ＶＯＩａ −３８＋ ％９ ＋ １９８７ Ｐ 、Ｉ
Ｋ 示すしているように約１０００ｅ以上であり、マ
グネタイトもＭｎおよびＺｎを含んだ（ＭｎＺｎ系）フ
ェライトもほぼ同様の大きさである。
術ＶＯＩａ −３８＋ ％９ ＋ １９８７ Ｐ 、Ｉ
Ｋ 示すしているように約１０００ｅ以上であり、マ
グネタイトもＭｎおよびＺｎを含んだ（ＭｎＺｎ系）フ
ェライトもほぼ同様の大きさである。
課題を解決するための手段
以上の課題を解決するだめに本発明は、金属イオンとし
て少なくとも第１鉄イオンおよび第１鉄イオンを酸化す
るだめの酸化剤の少なくとも２種類含んだ溶液を基体に
接触させる前に混合して基体に供給して、基体表面にフ
ェライト膜を堆積させる方法としだものである。
て少なくとも第１鉄イオンおよび第１鉄イオンを酸化す
るだめの酸化剤の少なくとも２種類含んだ溶液を基体に
接触させる前に混合して基体に供給して、基体表面にフ
ェライト膜を堆積させる方法としだものである。
作用
前述した方法によって、つまシ金属イオンとして少なく
とも第」鉄イオンおよびＭ１鉄イオンを酸化するだめの
酸化剤の少な″くとも２種類含んだ溶液を基体に接触さ
せる前に混合して基体に供給して、基体表面にフェライ
ト膜を形成することによって、これ寸でに得られていな
かった磁気特性（ソフト特性）の優れたフェライト膜を
形成することができる。
とも第」鉄イオンおよびＭ１鉄イオンを酸化するだめの
酸化剤の少な″くとも２種類含んだ溶液を基体に接触さ
せる前に混合して基体に供給して、基体表面にフェライ
ト膜を形成することによって、これ寸でに得られていな
かった磁気特性（ソフト特性）の優れたフェライト膜を
形成することができる。
実施例
以下、本発明の実施例について説明する。
本発明のフェライト膜の形成方法の基本的な部分は、公
知の方法と大部分同じである０゛しかし、本発明では、
金属イオンとして少なくとも第１鉄イオンおよび第１鉄
イオンを酸化するための酸化剤の少なくとも２種類含ん
だ溶液を順次基体に供給するため、これまでの方法に比
べると非常に小さい保磁力（あるいは高い透磁率）のフ
ェライト膜を得ることができる。
知の方法と大部分同じである０゛しかし、本発明では、
金属イオンとして少なくとも第１鉄イオンおよび第１鉄
イオンを酸化するための酸化剤の少なくとも２種類含ん
だ溶液を順次基体に供給するため、これまでの方法に比
べると非常に小さい保磁力（あるいは高い透磁率）のフ
ェライト膜を得ることができる。
公知の方法で金属イオンとして少なくとも第１鉄イオン
および第１鉄イオンを酸化するだめの酸化剤を用いる方
法があるが、本発明ではこれらの両者を基体に接触させ
る前に１溶液中に存在させ、はぼ均一に反応させてから
基体に供給する。そのため、これまでに認められていな
いフェライト膜の軟質磁気特性の向上（保磁力の低下あ
るいは高い透磁率）という現象を見出すことがでべた。
および第１鉄イオンを酸化するだめの酸化剤を用いる方
法があるが、本発明ではこれらの両者を基体に接触させ
る前に１溶液中に存在させ、はぼ均一に反応させてから
基体に供給する。そのため、これまでに認められていな
いフェライト膜の軟質磁気特性の向上（保磁力の低下あ
るいは高い透磁率）という現象を見出すことがでべた。
その原因は明確ではない。
結果的に、めっき反応（基体への堆積）前にめっき液中
で反応（例えば、酸化反応など）を行わせることが、得
られるフェライト膜の磁気特性のソフト化（低い保磁力
あるいは高い透磁率）になんらかの効果があるのではな
いかと思われる。
で反応（例えば、酸化反応など）を行わせることが、得
られるフェライト膜の磁気特性のソフト化（低い保磁力
あるいは高い透磁率）になんらかの効果があるのではな
いかと思われる。
本発明のフェライト膜の形成方法のいくつかの例を図を
用いて説明する。
用いて説明する。
例えば、−例の装置の概略図を第１図に示す。
３はフェライト膜を形成しようとする基体である。
４は基体３を取り付けて、回転することができる回転台
である。めっき液は、基体３に供給する時点では１液で
あるが、めっき反応前の不必要な反応を極力おさえ、得
られるフェライト膜の特性のバラツキを小さくし、ある
いはコントロールしやすくするためには、めっきに必要
な液はいくつかに分割して準備する方がよい。この図で
は２分割した場合を示す。これらの液を混合部１で混合
し、混合・反応しためっき液をノズル２を介して、基体
３に供給する。混合部１の混合方式としては、２つのノ
ズルから液を滴下させ、ロートで混合して１つの口から
流出させる方式やあるいは２本の管を１本にしてノズル
から液を出す方式など適描な方式を選択すればよい。こ
のノズルの形状・構造を適当に選択することによって、
液を滴下あるいは噴霧状等で基体３に供給することがで
きる。
である。めっき液は、基体３に供給する時点では１液で
あるが、めっき反応前の不必要な反応を極力おさえ、得
られるフェライト膜の特性のバラツキを小さくし、ある
いはコントロールしやすくするためには、めっきに必要
な液はいくつかに分割して準備する方がよい。この図で
は２分割した場合を示す。これらの液を混合部１で混合
し、混合・反応しためっき液をノズル２を介して、基体
３に供給する。混合部１の混合方式としては、２つのノ
ズルから液を滴下させ、ロートで混合して１つの口から
流出させる方式やあるいは２本の管を１本にしてノズル
から液を出す方式など適描な方式を選択すればよい。こ
のノズルの形状・構造を適当に選択することによって、
液を滴下あるいは噴霧状等で基体３に供給することがで
きる。
６および６は、各めっき液を貯蔵するタンクである。ま
た、図に示すように基体３および回転台４等のフェライ
トめっき反応を行う部分はケースによって仕切り、場合
によっては、非酸化性（例えば窒素）ガスをケース内に
送ることによって、非酸化性雰囲気にすることもできる
。タンク６には、例えば酸化剤として亜硝酸す） ＩＪ
ウムＮａＮＯ２を用い、さらに緩衝剤あるいは錯化剤と
して酢酸アンモニウムＣＨ３ＧＯＯＮＨ４をいれた水溶
液（酸化液）を入れ、タンク６に少なくとも第１鉄イオ
ンを含む水溶液（反応液）を入れて、ポンプ等で液を混
合部１に供給する。この反応液にさらにＮｉイオンおよ
びＺｎイオンが含まれると得られるフェライト膜はＮｉ
Ｚｎ系フェライト膜であり、ＭｎイオンおよびＺｎイオ
ンが含まれると得られるフェライト膜はｋｎＺｎ系フェ
ライト膜である。それ以外にも各イオンを含めることが
できる。たとえば、Ｍｇ。
た、図に示すように基体３および回転台４等のフェライ
トめっき反応を行う部分はケースによって仕切り、場合
によっては、非酸化性（例えば窒素）ガスをケース内に
送ることによって、非酸化性雰囲気にすることもできる
。タンク６には、例えば酸化剤として亜硝酸す） ＩＪ
ウムＮａＮＯ２を用い、さらに緩衝剤あるいは錯化剤と
して酢酸アンモニウムＣＨ３ＧＯＯＮＨ４をいれた水溶
液（酸化液）を入れ、タンク６に少なくとも第１鉄イオ
ンを含む水溶液（反応液）を入れて、ポンプ等で液を混
合部１に供給する。この反応液にさらにＮｉイオンおよ
びＺｎイオンが含まれると得られるフェライト膜はＮｉ
Ｚｎ系フェライト膜であり、ＭｎイオンおよびＺｎイオ
ンが含まれると得られるフェライト膜はｋｎＺｎ系フェ
ライト膜である。それ以外にも各イオンを含めることが
できる。たとえば、Ｍｇ。
Ｃｏ、Ｃｕ、Ｌｉなどのスピネル構造をとる元素あるい
は各種の添加元素である。基体３には、回転台４により
回転した状態で多液が供給される。回転台４は、ヒータ
ー等により、５０〜１Ｑ○°Ｃに加熱する。このように
して、基体３上でフェライト結晶化反応を行わせて、基
体３にフェライト膜を形成する。
は各種の添加元素である。基体３には、回転台４により
回転した状態で多液が供給される。回転台４は、ヒータ
ー等により、５０〜１Ｑ○°Ｃに加熱する。このように
して、基体３上でフェライト結晶化反応を行わせて、基
体３にフェライト膜を形成する。
さらに、別の方法の一例の装置の概略図を第２図に示す
Ｑ混合部１、タンク５および６は、第１図のものと同様
である。めっき反応部７およびウォーターパス８が本方
法の異なる部分である。つまり、本方法では、第１図に
示した方法と異なり、回転台を使用せずにしかもめつき
反応部分などを気体から隔離した状態で行うことができ
る。めっき反応部７にはフェライト膜を形成しようとす
る基体３が組み込まれている。めっき反応部７では、物
理的に基体３０表面上をめっき液が均一に流れるように
している。混合物１およびめっき反応部７をウォーター
バス８内にセットすることによって、６０〜１００℃に
加熱する０このようにしてめっき反応部７にセットした
基体３の表面にフェライト膜を堆積させる。
Ｑ混合部１、タンク５および６は、第１図のものと同様
である。めっき反応部７およびウォーターパス８が本方
法の異なる部分である。つまり、本方法では、第１図に
示した方法と異なり、回転台を使用せずにしかもめつき
反応部分などを気体から隔離した状態で行うことができ
る。めっき反応部７にはフェライト膜を形成しようとす
る基体３が組み込まれている。めっき反応部７では、物
理的に基体３０表面上をめっき液が均一に流れるように
している。混合物１およびめっき反応部７をウォーター
バス８内にセットすることによって、６０〜１００℃に
加熱する０このようにしてめっき反応部７にセットした
基体３の表面にフェライト膜を堆積させる。
さらに、別の方法の一例の装置の概略図を第３図に示す
。これは先に示した第２図の方法とほぼ同様であるが、
基体３の一平面のある部分だけにフェライト膜を形成す
る方法である。タンク６および６よりポンプを介して、
各めっき液を混合部１に供給し、その部分でめっき液を
混合・反応させて、めっき反応部７へ送り込む０めつき
反応部７にはフェライト膜を形成しようとする基体３の
一部分が組み込まれている。めっき反応部７では、第２
図に示した方法と同様に、物理的に基体３の表面上をめ
っき液が薄く均一に流れるようにしている。混合部１、
めっき反応部７および基体３全ウオーターバス８内にセ
ットすることによって、５０〜１００℃に加熱する。こ
のようにして、めっき反応部７にセントした基体３の表
面の一部にフェライト膜を堆積させる。
。これは先に示した第２図の方法とほぼ同様であるが、
基体３の一平面のある部分だけにフェライト膜を形成す
る方法である。タンク６および６よりポンプを介して、
各めっき液を混合部１に供給し、その部分でめっき液を
混合・反応させて、めっき反応部７へ送り込む０めつき
反応部７にはフェライト膜を形成しようとする基体３の
一部分が組み込まれている。めっき反応部７では、第２
図に示した方法と同様に、物理的に基体３の表面上をめ
っき液が薄く均一に流れるようにしている。混合部１、
めっき反応部７および基体３全ウオーターバス８内にセ
ットすることによって、５０〜１００℃に加熱する。こ
のようにして、めっき反応部７にセントした基体３の表
面の一部にフェライト膜を堆積させる。
以上、示してきた３種類の方法とも２つのめっき液を加
熱した後、１液に混合した方が基体３にバラツキの小さ
い、磁気特性的にも望ましいフェライト膜を作製するこ
とができた。加熱温度は約り０℃〜俗液の沸点以下の範
囲である。
熱した後、１液に混合した方が基体３にバラツキの小さ
い、磁気特性的にも望ましいフェライト膜を作製するこ
とができた。加熱温度は約り０℃〜俗液の沸点以下の範
囲である。
基体３の材質としては、特に限定はない。いくつか例に
６けると、ポリイミドフィルム、ポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）などの各種プラスチック類、銅、ニッ
ケル、銀、金、タングステン、モリブデン、白金、パラ
ジウム、鉄、鉄合金などの金属類、各種の有機積層板、
つまり紙基材エポキシ、ガラス布基材エポキシ、ガラス
基材ポリエステル、ガラス布基材テフロン等の積層板な
ど、各種ガラス類、セラミックスなどがある。
６けると、ポリイミドフィルム、ポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）などの各種プラスチック類、銅、ニッ
ケル、銀、金、タングステン、モリブデン、白金、パラ
ジウム、鉄、鉄合金などの金属類、各種の有機積層板、
つまり紙基材エポキシ、ガラス布基材エポキシ、ガラス
基材ポリエステル、ガラス布基材テフロン等の積層板な
ど、各種ガラス類、セラミックスなどがある。
さらに、基体３０表面あらさは、中心線平均粗さ（Ｒａ
）で０．０１μｍ以上であれば、フェライト膜の堆積
速度の向上が図れる。これは、ＦｅＯＨ＋の吸着や酸化
反応あるいはフェライト結晶化反応に対して、特に吸着
等に対してプラスに働らき、水溶液中で生成した微粒子
が基体３の表面、つまりフェライト結晶化反応をしてい
る表面にとらえられたり、あるいは集まり、さらには膜
成長を促進・加担すると考えられる。まだ、ある程度以
上の表面粗さを有していることによって、実質的な基体
３の表面積が増加して吸着等の反応に携わる面積の増加
も影響を与えていると考えられる。
）で０．０１μｍ以上であれば、フェライト膜の堆積
速度の向上が図れる。これは、ＦｅＯＨ＋の吸着や酸化
反応あるいはフェライト結晶化反応に対して、特に吸着
等に対してプラスに働らき、水溶液中で生成した微粒子
が基体３の表面、つまりフェライト結晶化反応をしてい
る表面にとらえられたり、あるいは集まり、さらには膜
成長を促進・加担すると考えられる。まだ、ある程度以
上の表面粗さを有していることによって、実質的な基体
３の表面積が増加して吸着等の反応に携わる面積の増加
も影響を与えていると考えられる。
実験的に、特にフェライト膜の形成に対して相性がよか
ったものが、酸素、窒素あるいは硫黄のいずれか１つ以
上を含むものあるいは特に酸化物類である。
ったものが、酸素、窒素あるいは硫黄のいずれか１つ以
上を含むものあるいは特に酸化物類である。
この酸化物としては、アルミナ（１２０ｓ ）、ムライ
ト（３ム１２０ｓ ・２Ｓｉ０２ ）、 ヘリリフ （
ＢｅＯ）、ステアタイト（ＭｇＯ・５ｉ０２）、フォル
ステライト（２Ｍｇｏ・５ｉ０２）、マグネシア（Ｍｇ
Ｏ）、チタニア（Ｔｉ０２）、チタニア＋ジ／ｌ／ ：
２ ＝ ７ （Ｚｒ０２）、チタニア中マグネシア等の
各種セラミックス、ムＪｈＯｓ−８ｉｎ２６ Ｂ２０．
ム１２０３− ＰｂＯ，５ｉｏ２− Ｂ２Ｏ３、ムｅ２
０５− ＭｇＯ−８ｉ０２・Ｂ２Ｏ５、ム１２０５−
ＣａＯ−ＭｇＯ−３ｉ０２−Ｂ２０５などのガラスセラ
ミックス、Ｃｕｂ、ＮｉＯなどの金属酸化物あるいはフ
ェライト等の鉄を含んだ酸化物などがある。
ト（３ム１２０ｓ ・２Ｓｉ０２ ）、 ヘリリフ （
ＢｅＯ）、ステアタイト（ＭｇＯ・５ｉ０２）、フォル
ステライト（２Ｍｇｏ・５ｉ０２）、マグネシア（Ｍｇ
Ｏ）、チタニア（Ｔｉ０２）、チタニア＋ジ／ｌ／ ：
２ ＝ ７ （Ｚｒ０２）、チタニア中マグネシア等の
各種セラミックス、ムＪｈＯｓ−８ｉｎ２６ Ｂ２０．
ム１２０３− ＰｂＯ，５ｉｏ２− Ｂ２Ｏ３、ムｅ２
０５− ＭｇＯ−８ｉ０２・Ｂ２Ｏ５、ム１２０５−
ＣａＯ−ＭｇＯ−３ｉ０２−Ｂ２０５などのガラスセラ
ミックス、Ｃｕｂ、ＮｉＯなどの金属酸化物あるいはフ
ェライト等の鉄を含んだ酸化物などがある。
次に本発明の更に具体的な実施例について説明する。
（実施例１）
イオノ交換水（以下単に水とする。）２１に塩化第１鉄
４ｇｓ塩化マンガン６ｇおよび塩化亜鉛６０ｍｇ’ｉそ
れぞれ溶解した水溶液（反応液）を作製した。さらに別
の溶液として、水２ｅに亜硝酸ナトリウム１ｇと酢酸ア
ンモニウム１０ｇを溶解した後、アンモニア水でｐ Ｈ
＝ ９に調整した水溶液（酸化液）を作製した。
４ｇｓ塩化マンガン６ｇおよび塩化亜鉛６０ｍｇ’ｉそ
れぞれ溶解した水溶液（反応液）を作製した。さらに別
の溶液として、水２ｅに亜硝酸ナトリウム１ｇと酢酸ア
ンモニウム１０ｇを溶解した後、アンモニア水でｐ Ｈ
＝ ９に調整した水溶液（酸化液）を作製した。
これらの溶液を用いて、第１図に示すような装置でフェ
ライトめっきを行った。装置には窒素ガスを毎分１．６
６で送り込み非酸化性雰囲気を得、回転台４をヒータに
より９０℃一定にした。回転台４は毎分３００回転の速
度で回転させた。溶液は毎分８０ｍ１Ｏ流景で滴下して
供給した０めつきに用いた基体３はアルミナ基板である
。
ライトめっきを行った。装置には窒素ガスを毎分１．６
６で送り込み非酸化性雰囲気を得、回転台４をヒータに
より９０℃一定にした。回転台４は毎分３００回転の速
度で回転させた。溶液は毎分８０ｍ１Ｏ流景で滴下して
供給した０めつきに用いた基体３はアルミナ基板である
。
比較のために、第１図に示した装置の混合部１を除いて
、２種類のめつき液を別々のノズルで、噴霧状にして、
基体３に供給し、先に示した条件と同様に、フェライト
めっきを行った０本発明の方法で得たフェライト膜と比
較のために作製したフェライト膜の磁気特性を測定した
ところ、本発明の方法で得たフェライト膜のＨａは、比
較のために作製した膜のＨｃの１／１０であり、本発明
の方法で得たフェライト膜の方が、優れたソフト磁気特
性を示した。
、２種類のめつき液を別々のノズルで、噴霧状にして、
基体３に供給し、先に示した条件と同様に、フェライト
めっきを行った０本発明の方法で得たフェライト膜と比
較のために作製したフェライト膜の磁気特性を測定した
ところ、本発明の方法で得たフェライト膜のＨａは、比
較のために作製した膜のＨｃの１／１０であり、本発明
の方法で得たフェライト膜の方が、優れたソフト磁気特
性を示した。
（実施例２）
水２４に塩化第１鉄４ｇ、塩化ニッケル４ｇおよび塩化
亜鉛１００１１１ｇをそれぞれ溶解した反応液を作製し
た。さらに酸化液として、水２７！に亜硝酸ナトリウム
０．６ｇと酢酸アンモニウム１ｇを溶解した液を作製し
た。
亜鉛１００１１１ｇをそれぞれ溶解した反応液を作製し
た。さらに酸化液として、水２７！に亜硝酸ナトリウム
０．６ｇと酢酸アンモニウム１ｇを溶解した液を作製し
た。
これらの溶液を用いて、実施例１と同様に、第１図に示
すような装置でフェライトめっきを行った０ めっきに用いた基体３はアルミナ基板であり、その表面
粗さは中心線平均粗さ（Ｒａ、μｍ単位）で表１に示す
ような種々のものを用いた。
すような装置でフェライトめっきを行った０ めっきに用いた基体３はアルミナ基板であり、その表面
粗さは中心線平均粗さ（Ｒａ、μｍ単位）で表１に示す
ような種々のものを用いた。
各基体３のめっき膜の厚みおよびフェライト膜の堆積速
度を戒１に示す。表１の値は、基体３内の１４Ｘ２１ｗ
ｎの部分の平均膜厚である。Ｒａ＝０．０１μｍ以上の
基体（基体ＮＱＢ以降）ではこれまでにない速い堆積速
度で、膜厚の均一なフェライト膜を得ることができた。
度を戒１に示す。表１の値は、基体３内の１４Ｘ２１ｗ
ｎの部分の平均膜厚である。Ｒａ＝０．０１μｍ以上の
基体（基体ＮＱＢ以降）ではこれまでにない速い堆積速
度で、膜厚の均一なフェライト膜を得ることができた。
（以下余白）
表１
各基体の表面粗さと膜厚（μｍ）、堆積速度（μｍ／ｍ
１ｎ）比較のために、前述した各種のアルミナ基板を用
いて、混合部１を除いて、２液をそれぞれ噴霧状にして
、同様にめっきを行った。得られたフェライト膜の膜厚
はほぼ同様であったが、膜のＨａは異なり、本発明の方
法で得ためっき膜の方がソフト特性が６〜１０倍（Ｈａ
の比較）であった。
１ｎ）比較のために、前述した各種のアルミナ基板を用
いて、混合部１を除いて、２液をそれぞれ噴霧状にして
、同様にめっきを行った。得られたフェライト膜の膜厚
はほぼ同様であったが、膜のＨａは異なり、本発明の方
法で得ためっき膜の方がソフト特性が６〜１０倍（Ｈａ
の比較）であった。
（実施例３）
水２１に塩化第１鉄２ｇと塩化ニッケル３ｇおよび塩化
亜鉛ｓｏｍｇをそれぞれ溶解し、反応液を作製した。さ
らに、水２７！に亜硝酸ナトリウム２ｇと酢酸アンモニ
ウム５ｇを溶解して酸化液を作製した。
亜鉛ｓｏｍｇをそれぞれ溶解し、反応液を作製した。さ
らに、水２７！に亜硝酸ナトリウム２ｇと酢酸アンモニ
ウム５ｇを溶解して酸化液を作製した。
これらの溶液を用いて、実施例１と同様にフェライトめ
っきを行った。用いた基体３は主としてＭｇＯ−８ｉ０
２、ＭｇＯ１Ｂｏｏ、ＡＪ２０５−５ｉ０２．Ｂ２０．
ガラスセラミックス基板、石英ガラス板、ポリイミドフ
ィルム、ステンレス板、銅板、銅張りガラス布基材エポ
キシの９種類である。得られたそれぞれのめっき膜の膜
厚はほぼ同じで約２．４μｍ（堆積速度で０．０４８μ
ｍ／分）であり、膜厚が均一で、十分な付着強度を有し
た膜であった。
っきを行った。用いた基体３は主としてＭｇＯ−８ｉ０
２、ＭｇＯ１Ｂｏｏ、ＡＪ２０５−５ｉ０２．Ｂ２０．
ガラスセラミックス基板、石英ガラス板、ポリイミドフ
ィルム、ステンレス板、銅板、銅張りガラス布基材エポ
キシの９種類である。得られたそれぞれのめっき膜の膜
厚はほぼ同じで約２．４μｍ（堆積速度で０．０４８μ
ｍ／分）であり、膜厚が均一で、十分な付着強度を有し
た膜であった。
比較のために、第１図に示した装置の混合部１を除いて
、２つのめつき液を噴霧状にして、同様にめっきを行っ
た。それぞれ９種類の基体３についてめっきを行い、得
られたフェライト膜の磁気特性を測定した。
、２つのめつき液を噴霧状にして、同様にめっきを行っ
た。それぞれ９種類の基体３についてめっきを行い、得
られたフェライト膜の磁気特性を測定した。
本発明の方法で得たフェライト膜と比較のために作製し
たフェライト膜の磁気特性を比較したところ、両者のＨ
ａＯ比は１：８〜１ｏであシ、本発明の方法で得たフェ
ライト膜の方が、優れたソフト磁気特性を示した。
たフェライト膜の磁気特性を比較したところ、両者のＨ
ａＯ比は１：８〜１ｏであシ、本発明の方法で得たフェ
ライト膜の方が、優れたソフト磁気特性を示した。
（実施例４）
実施例１と同じ反応液および酸化液をそれぞれ２１作製
した。
した。
これらの溶液を用いて、第２図に示した装置を使用して
、フェライトめっきを行った。めっき時間は１時間であ
った。用いた基体３はアルミナ基板である。
、フェライトめっきを行った。めっき時間は１時間であ
った。用いた基体３はアルミナ基板である。
得られたフェライト膜は、実施例１で得られたフェライ
ト膜と同様の磁気特性を示した。
ト膜と同様の磁気特性を示した。
（実施例６）
実施例２と同様に反応液および酸化液を各２４作製した
。
。
これらの溶液を使って、第３図に示した装置を用い、ア
ルミナ基板にフェライトめっきを行った０めっき時間は
１時間であった。
ルミナ基板にフェライトめっきを行った０めっき時間は
１時間であった。
得られたフェライト膜は、実施例２で得られた膜と同様
の磁気特性を示した。
の磁気特性を示した。
発明の効果
本発明によって、前述したように、めっき液を混合した
後、順次基体に供給して、フェライト膜を形成すること
によって、これまでのフェライト膜の形成方法では達成
されなかったソフトフェライトとしての磁気特性を示す
フェライト膜を作製することができる。これによって、
各種電子部品等への適用に十分な磁気特性を有するフェ
ライト膜を得ることができる。
後、順次基体に供給して、フェライト膜を形成すること
によって、これまでのフェライト膜の形成方法では達成
されなかったソフトフェライトとしての磁気特性を示す
フェライト膜を作製することができる。これによって、
各種電子部品等への適用に十分な磁気特性を有するフェ
ライト膜を得ることができる。
第１図、第２図および第３図は本発明のフェライト膜の
形成方法の実施例に用いた装置の概略図である。 １・・・・・・混合部、２・・・・・・ノズノペ３・・
・・・・基体、４・・・・・・回転台、６，６・・・・
・・タンク、７・・・・・・めっき反応部、８・・・・
・・ウォーターバス。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名第 図 第 図 ウォーターバス
形成方法の実施例に用いた装置の概略図である。 １・・・・・・混合部、２・・・・・・ノズノペ３・・
・・・・基体、４・・・・・・回転台、６，６・・・・
・・タンク、７・・・・・・めっき反応部、８・・・・
・・ウォーターバス。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名第 図 第 図 ウォーターバス
Claims (7)
- （１）金属イオンとして少なくとも第１鉄イオンおよび
第１鉄イオンを酸化するための酸化剤を少なくとも含ん
だ溶液を基体に接触させる前に混合して基体に供給して
、基体表面にフェライト膜を堆積させることを特徴とす
るフェライト膜の形成方法。 - （２）基体表面の表面あらさが中心線平均粗さ（Ｒａ）
で０．０１μｍ以上である請求項１記載のフェライト膜
の形成方法゜ - （３）基体あるいは基体表面が主として酸素、窒素、あ
るいは硫黄の少なくとも１元素を含む物で構成される請
求項１記載のフェライト膜の形成方法。 - （４）基体あるいは基体表面が主として酸化物で構成さ
れる請求項１記載のフェライト膜の形成方法。 - （５）基体あるいは基体表面が曲面である請求項１記載
のフェライト膜の形成方法。 - （６）酸化物が主としてＡｌ＿３Ｏ＿３である請求項４
記載のフェライト膜の形成方法。 - （７）基体あるいは基体表面が酸化物のセラミックスで
ある請求項４記載のフェライト膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63266382A JP2629896B2 (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | フェライト膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63266382A JP2629896B2 (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | フェライト膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02116630A true JPH02116630A (ja) | 1990-05-01 |
| JP2629896B2 JP2629896B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=17430160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63266382A Expired - Lifetime JP2629896B2 (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | フェライト膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2629896B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006161157A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
| JP2006282463A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
| US11029059B2 (en) | 2013-10-01 | 2021-06-08 | Amazon Technologies, Inc. | Passive cooling system with ambient fluid collection |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6342378A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-23 | Nippon Paint Co Ltd | フエライト膜の形成方法 |
-
1988
- 1988-10-21 JP JP63266382A patent/JP2629896B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6342378A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-23 | Nippon Paint Co Ltd | フエライト膜の形成方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006161157A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
| JP2006282463A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
| US11029059B2 (en) | 2013-10-01 | 2021-06-08 | Amazon Technologies, Inc. | Passive cooling system with ambient fluid collection |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2629896B2 (ja) | 1997-07-16 |
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