JPH02163362A - 窒化チタン薄膜の形成方法 - Google Patents
窒化チタン薄膜の形成方法Info
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- JPH02163362A JPH02163362A JP14287088A JP14287088A JPH02163362A JP H02163362 A JPH02163362 A JP H02163362A JP 14287088 A JP14287088 A JP 14287088A JP 14287088 A JP14287088 A JP 14287088A JP H02163362 A JPH02163362 A JP H02163362A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は金属産業や機械、装置産業などで使用する工具
や各種装置に用いられる金属材料や有機材料などの表面
にイオンビームを利用して薄膜を形成し１表面性能（硬
度、耐摩耗性、耐熱性、耐食性など）を改善する方法に
関するものである。
や各種装置に用いられる金属材料や有機材料などの表面
にイオンビームを利用して薄膜を形成し１表面性能（硬
度、耐摩耗性、耐熱性、耐食性など）を改善する方法に
関するものである。
従来のイオンビームを利用したイオンミキシング法によ
りて化合物薄膜を形成する装置の一例を第５図を参閤し
て説明する。第５図において（＋）は成膜室、（２）は
基板、（３）は金属蒸発源（例えば電子ビーム加熱によ
る） 、 （４）は蒸発した金属ビーム、（５）はイオ
ンビーム源、（６）は加速された高エネルギーのイオン
ビーム、（７）は基板加熱用のヒーターを備えた基板ホ
ルダー、（８）は真空ポンプ、（９）は蒸発する金属で
ある。
りて化合物薄膜を形成する装置の一例を第５図を参閤し
て説明する。第５図において（＋）は成膜室、（２）は
基板、（３）は金属蒸発源（例えば電子ビーム加熱によ
る） 、 （４）は蒸発した金属ビーム、（５）はイオ
ンビーム源、（６）は加速された高エネルギーのイオン
ビーム、（７）は基板加熱用のヒーターを備えた基板ホ
ルダー、（８）は真空ポンプ、（９）は蒸発する金属で
ある。
上記の装置において、高真空に排気された成膜室（＋）
中で、（３）の金属蒸発源から蒸発した金属ビーム（４
）１例えばチタン（Ｔｉ）のビームと、（５）のイオン
ビーム源から発生したエネルギー数１０ｋｅＶ〜数１０
０ｋｅＶの例えば窒素イオンビーム（Ｎ；および／又は
１１”）（６）とを、鋼などで作製された基板（２）上
に同時に照射することによって基板（２）上に窒化チタ
ン（ＴｉＮ）の薄膜を形成するというのが従来のイオン
ミキシング法である。
中で、（３）の金属蒸発源から蒸発した金属ビーム（４
）１例えばチタン（Ｔｉ）のビームと、（５）のイオン
ビーム源から発生したエネルギー数１０ｋｅＶ〜数１０
０ｋｅＶの例えば窒素イオンビーム（Ｎ；および／又は
１１”）（６）とを、鋼などで作製された基板（２）上
に同時に照射することによって基板（２）上に窒化チタ
ン（ＴｉＮ）の薄膜を形成するというのが従来のイオン
ミキシング法である。
〔発明が解決しようとする課ＩＩ）
従来の方法では、化合物（上記の例ではＴｉＮ）の１つ
の成分（例： Ｔｉ）を蒸発金属ビーム（４）より他の
成分 （例：Ｎ）をイオンビーム（Ｎｔおよび／又はＮ
”） （６）より供給して化合物膜を形成するが、一般
に基板に対するイオンビームの入射頻度は金属ビームの
入射頻度より小さいため、化合物膜の形成速度はイオン
ビームの入射頻度によって定まり、化合物膜の高速成膜
が困難であった。又、イオンビームの入射頻度を上げる
には多大な電流量を要するので高価なものとなり、経済
的な面でも問題があった。
の成分（例： Ｔｉ）を蒸発金属ビーム（４）より他の
成分 （例：Ｎ）をイオンビーム（Ｎｔおよび／又はＮ
”） （６）より供給して化合物膜を形成するが、一般
に基板に対するイオンビームの入射頻度は金属ビームの
入射頻度より小さいため、化合物膜の形成速度はイオン
ビームの入射頻度によって定まり、化合物膜の高速成膜
が困難であった。又、イオンビームの入射頻度を上げる
には多大な電流量を要するので高価なものとなり、経済
的な面でも問題があった。
本発明は以上のような問題に鑑みてなされたもので、基
板上に化合物膜を高速で形成するためのイオンミキシン
グ法による化合ＴｈｆＩＩＩの形成方法を提供すること
を目的としている。
板上に化合物膜を高速で形成するためのイオンミキシン
グ法による化合ＴｈｆＩＩＩの形成方法を提供すること
を目的としている。
（ｒ！１題を解決するための手段）
上記目的を達成するために１本発明は、金属蒸発源から
の蒸発金属および高速イオンビームを基板に照射して該
基板に化合物Ｆａ膜を形成させるようにしたイオンミキ
シング法による化合物１ｉＪＷＡの形成方法において、
前記化合物の少なくとも１つの成分の元素を含む反応ガ
スの雰囲気中で前記蒸発金属および前記化合物の少なく
とも１つの成分元素の高速イオンビームを前記基板に照
射させるようにして化合物薄膜を形成するものである。
の蒸発金属および高速イオンビームを基板に照射して該
基板に化合物Ｆａ膜を形成させるようにしたイオンミキ
シング法による化合物１ｉＪＷＡの形成方法において、
前記化合物の少なくとも１つの成分の元素を含む反応ガ
スの雰囲気中で前記蒸発金属および前記化合物の少なく
とも１つの成分元素の高速イオンビームを前記基板に照
射させるようにして化合物薄膜を形成するものである。
本発明によれば、基板上に蒸着される金属表面に反応ガ
スが強固に化学（解離）吸着され、それが、同時に照射
される数１０ｋｅＶ〜数１００ｋｅＶのエネルギーを持
つイオンビームによるイオンミキシング効果によって膜
中に取り込まれ、化合物相を形成する０例えば蒸発金属
としてチタン、イオンビームとして窒素イオン、友応ガ
スとして窒素を用いた場合、基板上に蒸着したチタンは
雰囲気の窒素ガス（Ｎ２）を強−固に化学（解離）吸着
する。この状態で高速の窒素イオンビーム （Ｎ、およ
び／又はＮ”）を照射すると、チタン表面に吸着した窒
素原子（Ｎ）の一部はスパッタされて表面から離脱し雰
囲気中に放出されるが、残りのＮはイオンビームによる
ミキシング効果（カスケード、ミキシング、増速拡散な
ど）により膜中に取り込まれ、窒化チタン（ＴｉＮ）化
合物膜を形成する。即ち、化合物の成分がイオンビーム
以外に雰囲気の反応ガスからも供給されることになり、
化合物膜の形成を高速で行なうことができる。
スが強固に化学（解離）吸着され、それが、同時に照射
される数１０ｋｅＶ〜数１００ｋｅＶのエネルギーを持
つイオンビームによるイオンミキシング効果によって膜
中に取り込まれ、化合物相を形成する０例えば蒸発金属
としてチタン、イオンビームとして窒素イオン、友応ガ
スとして窒素を用いた場合、基板上に蒸着したチタンは
雰囲気の窒素ガス（Ｎ２）を強−固に化学（解離）吸着
する。この状態で高速の窒素イオンビーム （Ｎ、およ
び／又はＮ”）を照射すると、チタン表面に吸着した窒
素原子（Ｎ）の一部はスパッタされて表面から離脱し雰
囲気中に放出されるが、残りのＮはイオンビームによる
ミキシング効果（カスケード、ミキシング、増速拡散な
ど）により膜中に取り込まれ、窒化チタン（ＴｉＮ）化
合物膜を形成する。即ち、化合物の成分がイオンビーム
以外に雰囲気の反応ガスからも供給されることになり、
化合物膜の形成を高速で行なうことができる。
又、従来の反応性蒸着のみ（例えば窒素ガス雰囲気中で
チタンを蒸発させる方法）によって得られる膜に較べ、
イオンビームを照射することによって膜構造が変化し、
膜特性を大きく変化させることができる。
チタンを蒸発させる方法）によって得られる膜に較べ、
イオンビームを照射することによって膜構造が変化し、
膜特性を大きく変化させることができる。
（実施例）
本発明を実施するための第１図の装置を参照しながら実
施例について説明する。
施例について説明する。
真空ポンプ（２２）により高真空（１０−’Ｐ、）に排
気された成膜室（１１）中に、マスフローコントローラ
ー（１８）で流量を７ＳＣＣＭ（ｓｔａｎｄａｒｄ ｃ
ｕｂｉｃ ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒｐｃ「＠１ｎｕｔｅ）
にｖＲ整した窒素ガス（Ｎｌ）（２０）をノズル（１ｇ
）より注入し、圧力調整バルブ（２１）の開度を調整し
て反応室内の真空度を １．７ｘ １０−’Ｐ、に保っ
た。基板ホルダー（１３）の加熱ヒーターによってシリ
コンウェハー製の基板（１２）を加熱して２００・Ｃに
保つた。この状態で、電子ビームで金属蒸発源（１４）
のチタン（２３）を加熱してチタンの中性ビーム（１５
）を蒸発させ基板（１２）に照射した。チタンの蒸着速
度はｌＯ人／ｓｅｃである。それと同時にイオン加速器
（１６）から窒素イオンビーム（Ｎ、および／又はＮ”
） （１７）を発生させて基板（１２）上に照射した。
気された成膜室（１１）中に、マスフローコントローラ
ー（１８）で流量を７ＳＣＣＭ（ｓｔａｎｄａｒｄ ｃ
ｕｂｉｃ ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒｐｃ「＠１ｎｕｔｅ）
にｖＲ整した窒素ガス（Ｎｌ）（２０）をノズル（１ｇ
）より注入し、圧力調整バルブ（２１）の開度を調整し
て反応室内の真空度を １．７ｘ １０−’Ｐ、に保っ
た。基板ホルダー（１３）の加熱ヒーターによってシリ
コンウェハー製の基板（１２）を加熱して２００・Ｃに
保つた。この状態で、電子ビームで金属蒸発源（１４）
のチタン（２３）を加熱してチタンの中性ビーム（１５
）を蒸発させ基板（１２）に照射した。チタンの蒸着速
度はｌＯ人／ｓｅｃである。それと同時にイオン加速器
（１６）から窒素イオンビーム（Ｎ、および／又はＮ”
） （１７）を発生させて基板（１２）上に照射した。
窒素イオンビーム（１７）のエネルギーは４０ｋｅＶ
、電流密度は５終Ａ／ｃ層２であつた。
、電流密度は５終Ａ／ｃ層２であつた。
以上の操作を、基板（１２）上に形成される膜の厚さか
１．５１になるまで続けた。得られた膜は緻密化した
微結晶の窒化チタン（ＴｉＮ）で、Ｘ線回折の結果、結
晶面（１１１）と （２００）との強度比は（１１１）
／（２００）−０，７５の無配向のものに近かった。こ
の膜の硬度を測、定したところ、ビッカース硬度で２３
０１）Ｋｇｆ／＠ｓ”という硬いものでありた。
１．５１になるまで続けた。得られた膜は緻密化した
微結晶の窒化チタン（ＴｉＮ）で、Ｘ線回折の結果、結
晶面（１１１）と （２００）との強度比は（１１１）
／（２００）−０，７５の無配向のものに近かった。こ
の膜の硬度を測、定したところ、ビッカース硬度で２３
０１）Ｋｇｆ／＠ｓ”という硬いものでありた。
本発明の実施には、上記の実施例に示された条件だけで
なく種々の条件を用いることができる。
なく種々の条件を用いることができる。
第２図に、窒素イオンビームの照射量の変化にともなっ
て、生成した窒化タチン（Ｔｉｅ） Ｍの結晶構造が変
化する様子を示した。結晶構造の変化のめやすとして結
晶面のＸ線回折強度比（１１１）／（ＺＯＯ）をとフて
いる。＊形成の条件は、基板の温度：２００・Ｃ，窒素
イオンビームのエネルギー： ４０ｋｅＶ、チタン蒸着
速度＝１０人／ｓｅｅで窒素ガスの流速は７ＳＣＣＭと
１０３００Ｍの２点である。この時の成膜室（１１）内
の圧力はそれぞれ ！、７ｘ １０−’Ｐａおよび２．
６ｘ １０−’Ｐａであった。第２図において、窒素イ
オンビームの電流密度が０の時は反応性蒸着（窒素ガス
雰囲気中でチタンを蒸発させる方法）に相当するが、そ
の場合に較べて窒素イオン、ビームの電流密度が上がる
につれ、結晶構造がどんどん変化していくのがわかる。
て、生成した窒化タチン（Ｔｉｅ） Ｍの結晶構造が変
化する様子を示した。結晶構造の変化のめやすとして結
晶面のＸ線回折強度比（１１１）／（ＺＯＯ）をとフて
いる。＊形成の条件は、基板の温度：２００・Ｃ，窒素
イオンビームのエネルギー： ４０ｋｅＶ、チタン蒸着
速度＝１０人／ｓｅｅで窒素ガスの流速は７ＳＣＣＭと
１０３００Ｍの２点である。この時の成膜室（１１）内
の圧力はそれぞれ ！、７ｘ １０−’Ｐａおよび２．
６ｘ １０−’Ｐａであった。第２図において、窒素イ
オンビームの電流密度が０の時は反応性蒸着（窒素ガス
雰囲気中でチタンを蒸発させる方法）に相当するが、そ
の場合に較べて窒素イオン、ビームの電流密度が上がる
につれ、結晶構造がどんどん変化していくのがわかる。
ＴｉＮ１ｌｌの結晶構造の変化と、硬さ（ビッカー
ス硬度）の変化の関係を示したのが第３図である。基板
（１２）の温度は４０−Ｃと２００−Ｃの２種類につい
て実験されているが、いずれの場合も（１，１１）／（
２０Ｇ）−０，７５の無配向の結晶構造に近い場合に膜
の硬度も高くなっており、ビッカース硬度２Ｑ００にｇ
ｆ／ａｍ”以上の硬いＴｉＮ１１１が得られた。なお、
膜構造の変化は走査電子顕微鏡による膜断面構造の１１
察によってもわかる。
ス硬度）の変化の関係を示したのが第３図である。基板
（１２）の温度は４０−Ｃと２００−Ｃの２種類につい
て実験されているが、いずれの場合も（１，１１）／（
２０Ｇ）−０，７５の無配向の結晶構造に近い場合に膜
の硬度も高くなっており、ビッカース硬度２Ｑ００にｇ
ｆ／ａｍ”以上の硬いＴｉＮ１１１が得られた。なお、
膜構造の変化は走査電子顕微鏡による膜断面構造の１１
察によってもわかる。
又、窒素イオンビームの照射にともなつて ＴｉＮ膜が
ｗｋ密化していくことも観察された。
ｗｋ密化していくことも観察された。
次に窒素ガス流速と窒素イオンビームの電流密度との条
件を変えながら得られたＴｉＮ膜の硬度を測定した結果
をｔｊＩＪ４図に示す、チタンの蒸着速度は１０人／ｓ
ｅｃ、窒素イオンビームのエネＪレギーは４０ｋｅＶで
ある。基板の温度によって実験結果に幅があるか、いず
れにしても窒素ガスを流すことによりて得られる化合物
膜の硬度が高くなることが明らかである。
件を変えながら得られたＴｉＮ膜の硬度を測定した結果
をｔｊＩＪ４図に示す、チタンの蒸着速度は１０人／ｓ
ｅｃ、窒素イオンビームのエネＪレギーは４０ｋｅＶで
ある。基板の温度によって実験結果に幅があるか、いず
れにしても窒素ガスを流すことによりて得られる化合物
膜の硬度が高くなることが明らかである。
第２図に示したように、この実験でチタンの蒸着速度１
０人／ｓｅｃを得るために用いた窒素イオンビームの電
流密度は３０μＡ／ｃ諺”以下であった。従来のイオン
ミキシング法に関する文献 ＣＭ、 Ｋｉｕｃｈｉ。
０人／ｓｅｃを得るために用いた窒素イオンビームの電
流密度は３０μＡ／ｃ諺”以下であった。従来のイオン
ミキシング法に関する文献 ＣＭ、 Ｋｉｕｃｈｉ。
ｅＬ、 ａｌ、、 Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓｖｏｌ、 ２
６． Ｎｏ、６． （１９８７）、 ｐｐ、 Ｌ９３
８〜Ｌ９４０）によれば、チタンの蒸着速度６．８〜７
．８人／ｓｅｅを得るために用いた窒素イオンビームの
電流密度は１００〜３００ ｇ Ａ／ｃｓ”である０本
発１！】による方法によれば、上記文献の約１７１０と
いう少量のイオンビームで硬い窒化チタン（ＴｉＮ）
ＷＡが得られていることがわかる。
ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓｖｏｌ、 ２
６． Ｎｏ、６． （１９８７）、 ｐｐ、 Ｌ９３
８〜Ｌ９４０）によれば、チタンの蒸着速度６．８〜７
．８人／ｓｅｅを得るために用いた窒素イオンビームの
電流密度は１００〜３００ ｇ Ａ／ｃｓ”である０本
発１！】による方法によれば、上記文献の約１７１０と
いう少量のイオンビームで硬い窒化チタン（ＴｉＮ）
ＷＡが得られていることがわかる。
従って本発明の方法によれば、同量のイオンビームを使
用した場合、従来のイオンミキシング法の場合より５倍
以上の高速成膜が可能になる。
用した場合、従来のイオンミキシング法の場合より５倍
以上の高速成膜が可能になる。
以上、本発明の実施例について説明したか、勿論、本発
明はこれらに限定されることなく本発明の技術的思想に
基づき種々の変形が可能である。
明はこれらに限定されることなく本発明の技術的思想に
基づき種々の変形が可能である。
例えば、上記実施例では窒素ガス、窒素イオンビーム、
チタン中性ビームを用いて窒化チタン化合＊ＷＡを形成
した例を示したか、これらの組合せは他にも色々なもの
が考えられる。この場合重要なことは、雰囲気ガスとし
て用いた反応ガスが金属膜に強固に化学（解離）吸着す
る必要かあるこトチアル、多くノ高融点金属（Ｔｊ、Ｔ
ａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｖなど）は、 Ｎｆｉ、ＮＨ，
、ＣよＩＩ８．０８などのガスを化学吸着するのて、こ
れらのガス雰囲気中で、これらの高融点金属を蒸発させ
、同時にＮオ（および又はＮ′″）、Ｃ−，０□（およ
び又は０４）などのイオンビームを闇討することにより
、これらの窒化物、炭化物、酸化物あるいはこれらの複
数から成る化合物、すなわち複合化合物を高速で形成す
ることが可能である。なお反応ガスは金属膜に強固に化
学（解離）吸着するものであれば、Ｎ、Ｃ，又は０を分
離する他のガスてあってもよい。
チタン中性ビームを用いて窒化チタン化合＊ＷＡを形成
した例を示したか、これらの組合せは他にも色々なもの
が考えられる。この場合重要なことは、雰囲気ガスとし
て用いた反応ガスが金属膜に強固に化学（解離）吸着す
る必要かあるこトチアル、多くノ高融点金属（Ｔｊ、Ｔ
ａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｖなど）は、 Ｎｆｉ、ＮＨ，
、ＣよＩＩ８．０８などのガスを化学吸着するのて、こ
れらのガス雰囲気中で、これらの高融点金属を蒸発させ
、同時にＮオ（および又はＮ′″）、Ｃ−，０□（およ
び又は０４）などのイオンビームを闇討することにより
、これらの窒化物、炭化物、酸化物あるいはこれらの複
数から成る化合物、すなわち複合化合物を高速で形成す
ることが可能である。なお反応ガスは金属膜に強固に化
学（解離）吸着するものであれば、Ｎ、Ｃ，又は０を分
離する他のガスてあってもよい。
（発明の効果〕
本発明は以上に述べたような構成とな９ているので、以
下のような効果を発揮する。
下のような効果を発揮する。
すなわち本発明は反応ガス雰囲気中で、反応ガスと高速
イオンビームと金属蒸気とを基板上に同時照射し、イオ
ンミキシング法によって化合物薄膜を形成する方法であ
って、反応ガスが、基板上に蒸着される金属膜に強固に
解離吸着し、その状態で同時照射さ、れた高速イオンビ
ームによるイオンミキシングの効果によって吸着した元
素も膜中に取り込まれ、化合物を形成する。したがって
本発明によれば化合物の成分がイオンビームからだけで
なく、反応ガスからも供給されるために、高価なイオン
ビームの電流量を節約でき、かつ高速で化合物膜を形成
することができる。
イオンビームと金属蒸気とを基板上に同時照射し、イオ
ンミキシング法によって化合物薄膜を形成する方法であ
って、反応ガスが、基板上に蒸着される金属膜に強固に
解離吸着し、その状態で同時照射さ、れた高速イオンビ
ームによるイオンミキシングの効果によって吸着した元
素も膜中に取り込まれ、化合物を形成する。したがって
本発明によれば化合物の成分がイオンビームからだけで
なく、反応ガスからも供給されるために、高価なイオン
ビームの電流量を節約でき、かつ高速で化合物膜を形成
することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す概略断面図、第２図は
本発明によって得られた窒化チタン膜の結晶構造と、窒
素イオンビームの電流密度との関係を示す図、第３図は
得られた窒化チタン膜の結晶構造とその硬度との関係を
示す図、第４図は窒素ガス流速、窒素イオンビームの電
流密度と、得られた窒化チタン膜の硬度との関係を示す
図、第５図はを来のイオンミキシング法に用いられる装
衣の一例を示す概略断面図である。 なお、図において （１ｚ）・・・・・・基板 （１５）・・・・・・ チタン中性ビーム（１７）・・
・・・・ ｖ１素イオンビーム（２０） ・・・・・
・ 窒 素 ガ ス代 理 人 飯 阪 泰 雄 第２図 窒素イオンビーム電流密度［１ＬＡ７ ａｍ” ）（１
１１）／ （２００） ｒαｔｉ。 括晶構造
本発明によって得られた窒化チタン膜の結晶構造と、窒
素イオンビームの電流密度との関係を示す図、第３図は
得られた窒化チタン膜の結晶構造とその硬度との関係を
示す図、第４図は窒素ガス流速、窒素イオンビームの電
流密度と、得られた窒化チタン膜の硬度との関係を示す
図、第５図はを来のイオンミキシング法に用いられる装
衣の一例を示す概略断面図である。 なお、図において （１ｚ）・・・・・・基板 （１５）・・・・・・ チタン中性ビーム（１７）・・
・・・・ ｖ１素イオンビーム（２０） ・・・・・
・ 窒 素 ガ ス代 理 人 飯 阪 泰 雄 第２図 窒素イオンビーム電流密度［１ＬＡ７ ａｍ” ）（１
１１）／ （２００） ｒαｔｉ。 括晶構造
Claims (7)
- （１）金属蒸発源からの蒸発金属及びイオンビーム源か
らの高速イオンビームを基板に照射して該基板に化合物
薄膜を形成させるようにしたイオンミキシング法による
化合物薄膜の形成方法において、前記化合物の少なくと
も１つの成分元素を含む反応ガスの雰囲気中で前記蒸発
金属及び前記化合物の少なくとも１つの成分元素の高速
イオンビームを前記基板に照射させるようにしたことを
特徴とするイオンミキシング法による化合物薄膜の形成
方法。 - （２）前記反応ガスと前記高速イオンビームは同一元素
で成ることを特徴とする請求項１記載のイオンミキシン
グ法による化合物薄膜の形成方法。 - （３）前記蒸発金属は高融点金属であることを特徴とす
る請求項１記載のイオンミキシング法による化合物薄膜
の形成方法。 - （４）前記高融点金属はチタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔ
ａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、ジルコニ
ウム（Ｚｒ）およびバナジウム（Ｖ）の少なくとも１つ
であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つ
に記載のイオンミキシング法による化合物薄膜の形成方
法。 - （５）前記反応ガスは窒素（Ｎ＿２）、アンモニア（Ｎ
Ｈ＿３）、アセチレン（Ｃ＿２Ｈ＿２）、酸素（Ｏ＿２
）およびＮ、Ｃ又はＯを分離するガスの少なくとも１つ
であり、前記高速イオンビームは前記反応ガスに対応し
てＮ＿２＾＋および／又はＮ＾＋、Ｃ＾＋およびＯ＿２
＾＋および／又はＯ＾＋の少なくとも１つであることを
特徴とする請求項１記載のイオンミキシング法による化
合物薄膜の形成方法。 - （６）前記化合物薄膜は、前記蒸発金属の窒化物、炭化
物および酸化物の１つ又はそれらの複合化合物であるこ
とを特徴とする請求項５記載のイオンミキシング法によ
る化合物薄膜の形成方法。 - （７）前記化合物薄膜は前記高融点金属の窒化物、炭化
物および酸化物の１つ又はそれらの複合化合物であるこ
とを特徴とする請求項３と５記載のイオンミキシング法
による化合物薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63142870A JPH0745706B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 窒化チタン薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63142870A JPH0745706B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 窒化チタン薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02163362A true JPH02163362A (ja) | 1990-06-22 |
| JPH0745706B2 JPH0745706B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=15325517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63142870A Expired - Fee Related JPH0745706B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 窒化チタン薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745706B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6797335B1 (en) * | 1999-08-16 | 2004-09-28 | Paderov Anatol Y Nikolaevich | Method for deposition of wear-resistant coatings and for increasing the lifespan of parts |
| JP2010511137A (ja) * | 2006-12-08 | 2010-04-08 | コリア アトミック エナジー リサーチ インスティテュート | 原子力水素生産用高温高圧耐食性プロセス熱交換器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61190064A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-23 | Nissin Electric Co Ltd | 窒化チタン薄膜形成方法 |
| JPS62157968U (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-07 |
-
1988
- 1988-06-10 JP JP63142870A patent/JPH0745706B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0745706B2 (ja) | 1995-05-17 |
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