JPH02122071A - スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
スパッタリングターゲットの製造方法Info
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- JPH02122071A JPH02122071A JP27238488A JP27238488A JPH02122071A JP H02122071 A JPH02122071 A JP H02122071A JP 27238488 A JP27238488 A JP 27238488A JP 27238488 A JP27238488 A JP 27238488A JP H02122071 A JPH02122071 A JP H02122071A
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- Japan
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- warpage
- target
- sputtering target
- backing plate
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、スパッタリングターゲ、）の製造方法に係り
、特に線膨張係数の小さいターゲットをＣｕやＳ［ＪＳ
のバッキングプレートに接着した時に発生する反りを矯
正するスパッタリングターゲットの製造方法に関する。
、特に線膨張係数の小さいターゲットをＣｕやＳ［ＪＳ
のバッキングプレートに接着した時に発生する反りを矯
正するスパッタリングターゲットの製造方法に関する。
（従来の技術とその課題）
ＳｉＯ２やガラス等のターゲットを、ＣｕやＳＵＳのバ
ッキングプレートに接着してスパッタリングターゲット
を製造することが、従来より行われているが、常温に冷
却された時反りが発生する。
ッキングプレートに接着してスパッタリングターゲット
を製造することが、従来より行われているが、常温に冷
却された時反りが発生する。
この為、スパンター装置にセットすることができず、ま
た少しの反りの場合でもセフ）時には５１０２やガラス
のターゲットは割れてしまうものである。
た少しの反りの場合でもセフ）時には５１０２やガラス
のターゲットは割れてしまうものである。
上記のように反りが発生ずるのは、５１０２やガラスの
線膨張係数が小さいのに対し、ＣｕやＳ［ＪＳの線膨張
係数が大きい為、高温での接着後常温まで冷却すると、
線膨張係数の違いにより必ず発生する現象である。
線膨張係数が小さいのに対し、ＣｕやＳ［ＪＳの線膨張
係数が大きい為、高温での接着後常温まで冷却すると、
線膨張係数の違いにより必ず発生する現象である。
そこで本発明は、反りを矯正することのできるスパッタ
リングターゲットの製造方法を提供しようとするもので
ある。
リングターゲットの製造方法を提供しようとするもので
ある。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決するための本発明のスパッタリングター
ゲットの製造方法は、線膨張係数の小さいターゲットと
Ｃｕ又はＳＯ３のバッキングプレートとを、Ｉｎをボン
ディング材として接着した後、これをＩｎの融点直下の
温度にして矯正治具上にセットし、逆反り荷重をかけた
状態で常温まで冷却することを特徴とするものである。
ゲットの製造方法は、線膨張係数の小さいターゲットと
Ｃｕ又はＳＯ３のバッキングプレートとを、Ｉｎをボン
ディング材として接着した後、これをＩｎの融点直下の
温度にして矯正治具上にセットし、逆反り荷重をかけた
状態で常温まで冷却することを特徴とするものである。
（作用）
上記の如く本発明のスパッタリングターゲットの製造方
法は、Ｉｎを用いて線膨張係数の小さいターゲットとＣ
ｕ又はＳＵＳのバッキングプレートとを接着した後、こ
れをＩｎの融点直下の温度にして逆反り荷重をかけるこ
とにより、荷重による変位量を少なくでき、脆いターゲ
ットの矯正が可能となる。即ち、ターゲットとバッキン
グプレートのずれは、高温下の逆反り時に軟かくて追従
性の良いＩｎ層に吸収されるので、ターゲットの反りが
矯正される。
法は、Ｉｎを用いて線膨張係数の小さいターゲットとＣ
ｕ又はＳＵＳのバッキングプレートとを接着した後、こ
れをＩｎの融点直下の温度にして逆反り荷重をかけるこ
とにより、荷重による変位量を少なくでき、脆いターゲ
ットの矯正が可能となる。即ち、ターゲットとバッキン
グプレートのずれは、高温下の逆反り時に軟かくて追従
性の良いＩｎ層に吸収されるので、ターゲットの反りが
矯正される。
（実施例）
本発明のスパッタリングターゲットの製造方法の一実施
例を図によって説明する。第１図に示す如く幅１２７
ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍの５１０２の
ターゲットｌと、幅１４７ｍｍ、長さ４０１１ＩＩ［１
１、厚さ１２ｍｍのＣｕのバッキングプレート２とを、
Ｉｎをボンディング材３として接着し、次に常温まで冷
却した後第２図に示す如く定盤４上で反りを測定した処
２〜３１Ｉ１ｍ発生した。次いで第３図に示す如＜１４
０℃に保持された恒温器５内に入れ３０分間保持して加
熱し、接着されたターゲット１とバッキングプレート２
の反りが平坦に戻ったことをｍ認した後恒温器５内より
取り出した。次に第４図に示す如く矯正治具６上にセッ
トして前記反りと等しい２〜３ ｍｍの逆反り荷重をか
けた。即ち矯正治具６は図示の如く架台６ａ上の左右両
側に支持突条６ｂを設け、中央にシャコ万力６Ｃを備え
たもので、Ｉｎのボンディング材３にて接着されたター
ゲット１とバッキングプレート２は左右両側の支持突条
６ｂ上に載せ、中央部をシャコ万力６Ｃにて締付けて２
〜３鮒の逆反り荷重をかけた。然る後接着されたターゲ
ット１とバッキングプレート２を矯正治具６上にて荷重
をかけた状態で常温まで冷却し、矯正治具６より取り外
す。この逆反り工程中にボンディング材３のＩｎ層にタ
ーゲットｌとバッキングプレート２のずれが吸収されて
第５図に示す如く矯正されたスパッタリングターゲット
７が得られた。
例を図によって説明する。第１図に示す如く幅１２７
ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍの５１０２の
ターゲットｌと、幅１４７ｍｍ、長さ４０１１ＩＩ［１
１、厚さ１２ｍｍのＣｕのバッキングプレート２とを、
Ｉｎをボンディング材３として接着し、次に常温まで冷
却した後第２図に示す如く定盤４上で反りを測定した処
２〜３１Ｉ１ｍ発生した。次いで第３図に示す如＜１４
０℃に保持された恒温器５内に入れ３０分間保持して加
熱し、接着されたターゲット１とバッキングプレート２
の反りが平坦に戻ったことをｍ認した後恒温器５内より
取り出した。次に第４図に示す如く矯正治具６上にセッ
トして前記反りと等しい２〜３ ｍｍの逆反り荷重をか
けた。即ち矯正治具６は図示の如く架台６ａ上の左右両
側に支持突条６ｂを設け、中央にシャコ万力６Ｃを備え
たもので、Ｉｎのボンディング材３にて接着されたター
ゲット１とバッキングプレート２は左右両側の支持突条
６ｂ上に載せ、中央部をシャコ万力６Ｃにて締付けて２
〜３鮒の逆反り荷重をかけた。然る後接着されたターゲ
ット１とバッキングプレート２を矯正治具６上にて荷重
をかけた状態で常温まで冷却し、矯正治具６より取り外
す。この逆反り工程中にボンディング材３のＩｎ層にタ
ーゲットｌとバッキングプレート２のずれが吸収されて
第５図に示す如く矯正されたスパッタリングターゲット
７が得られた。
尚、上記実施例はターゲラ）１が５ｉＯ７の場合である
が、ガラス等の他の線膨張係数の小さい材料の場合でも
同様に反りは矯正されるものである。また上記実施例は
バッキングプレート２がＣｕの場合であるが、ＳＵＳの
場合でも同様に反りは矯正されるものである。
が、ガラス等の他の線膨張係数の小さい材料の場合でも
同様に反りは矯正されるものである。また上記実施例は
バッキングプレート２がＣｕの場合であるが、ＳＵＳの
場合でも同様に反りは矯正されるものである。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明のスパッタリングターゲ
ットの製造方法によれば、線膨張係数の小さいターゲッ
トを、ＣｕやＳＵＳのバッキングプレートに接着した時
に発生する反りが確実に矯正されたスパッタリングター
ゲットを得ることができ、これをスパッター装置にセッ
トした際、ターゲットが割れることが無いものである。
ットの製造方法によれば、線膨張係数の小さいターゲッ
トを、ＣｕやＳＵＳのバッキングプレートに接着した時
に発生する反りが確実に矯正されたスパッタリングター
ゲットを得ることができ、これをスパッター装置にセッ
トした際、ターゲットが割れることが無いものである。
第１図乃至第５図は本発明のスパッタリングターゲット
の製造方法の工程を示す図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 吊 図 第 図 竹 り・τ 図 弔 図 第 図
の製造方法の工程を示す図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 吊 図 第 図 竹 り・τ 図 弔 図 第 図
Claims (1)
- １、線膨張係数の小さいターゲットとＣｕ又はＳＵＳの
バッキングプレートとを、Ｉｎをボンディング材として
接着した後、これをＩｎの融点直下の温度にして矯正治
具上にセットし、逆反り荷重をかけた状態で常温まで冷
却することを特徴とするスパッタリングターゲットの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27238488A JPH02122071A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27238488A JPH02122071A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02122071A true JPH02122071A (ja) | 1990-05-09 |
Family
ID=17513132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27238488A Pending JPH02122071A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02122071A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1988
- 1988-10-28 JP JP27238488A patent/JPH02122071A/ja active Pending
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