JPH02124888A - シツフ系環状化合物、この化合物を含む組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、加熱することにより、耐熱性のすぐれた重合
体を形成するシップ系の環状化合物、及び、この化合物
より得られる重合体、その製造法、およびその化合物を
含む組成物に関する。

〔従来の技術〕

電子部品や電気機器分野では、高密度化、小型軽量化、
高性能化のすう勢にある。これを達成するために、これ
らに用いられる有機材料には、耐熱性にすぐれ、熱膨張
係数が小さい硬化物に転化し得る成形加工性（低温硬化
が可能で流動性が大きい）にすぐれた素材のニーズが高
まっている。

従来、これに対処する素材として、Ｎ−［換マレイミド
系材料が検討されてきた。

しかし、この化合物をベースとした材料は、硬化温度が
２００℃以上と高いこと、無機物や金属に対する接着性
に劣ること、溶媒に対する溶解性に劣るためワニス、塗
料などへの展開が限定されること、また、縮合型イミド
系に比べて耐熱性が劣ることなど解決すべき課題が多く
、必らずしもその展開が充分に進んでいるわけではない
。これに対して、近年、末端エチニル基をもつイミド系
素材の積層材、接着剤への用途検討がされている。

しかし、この素材についても、成形硬化時の材料の流動
性に問題がある。

また、特開昭６０−１０１１２２号、特開昭５５−９４
３５１号公報には、エチニル基末端シッフ系化合物に関
する記載がある。この化合物は芳香族化合物であり、し
かも、加熱することにより、アセチレン−アセチレン繰
返し、あるいはエン・イン結合を連鎖にもつ重合体に関
する、導電体、半導体に関するものである。このため、
電子部品や電気機器などの絶縁性を要求される分野への
適用には問題がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術は、耐熱性、成形加工性、電気絶縁性など
、電子部品分野、電気機器分野へ適用する場合に必要な
特性のバランス化が取り難い。

特に、付加型反応素材の主流をなしてきたＮ−置換マレ
イミド系材料は、特性間のバランス化を図ろうとすると
、耐熱性の低下をきたし、本来の目的である適用製品の
高性能化、高信頼度化等の達成がむずかしい。

本発明の目的は、この問題を解決することができる新規
な付加型反応素材、その重合体、及び。

その製造法を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、下記の項目により達成される。すなわち、 （１）一般式（１） で表わされるシッフ系環状化合物（Ａ）。

（２）一般式（ＩＩ） で表わされるシッフ系環状化合物（Ａ）。

（３）２．４−ジアミノ−６−ヒドロキシピリミジンと
、２，６−ジアルゾヒドピリジンとを、当モルの割合で
反応させることにより、式（ＩＩ）で表わされるシップ
系環状化合物（Ａ）を製造する方法。

（４）シック系環状化合物（Ａ）を含む組成物。

（５）シッフ系環状化合物（Ａ）と、ピロロピロール、
あるいはピロロピロール重合体（Ｂ）とを含む組成物。

（６）シッフ系環状化合物（Ａ）と、多官能イソシアネ
ート系化合物（Ｃ）とを含む組成物。

（７）シッフ系環状化合物（Ａ）と、少なくとも一個の
エチニル基を持つ化合物ＣＤ）とを含む組成物。

（８）シッフ系環状化合物（Ａ）と、式％式％ （式中、ｘｌは直接結合、−０−、−Ｎ−の中のいずれ
かである。）で表わされる末端基を少なくとも一個持つ
化合物（Ｅ）とを含む組成物。

（９）シッフ系環状化合物（Ａ）と、少なくとも一個の
Ｎ−置換不飽和イミド基を持つ化合物（Ｆ）とを含む組
成物。

（１０）シッフ系環状化合物（Ａ）と、金属粉および／
または、金属錯塩（Ｇ）とを含む組成物。

（１１）シッフ系環状化合物（Ａ）と、１，２：５゜６
：９，１０−トリベンゾシクロドデカ−１゜５．９−ト
リエン−３，７，１１−トリイソ（Ｈ）とを含む組成物
。

（１２）シッフ系環状化合物 （Ａ） と、 式 （式中、Ｒｏは、少なくとも一個の芳香核を持つ基であ
る。）で表わされるポリイミノイミダゾリジンジオソ（
ＰＩＰＡ）とを含む組成物。

（１３）シッフ系環状化合物（Ａ）と、ジシアンジアミ
ド、ベンゾグアナミン、シアノフエニルジシアンジアミ
ド、２，６−ピリシンジヒドラジジソ、ビスヒドラシソ
の中の少なくとも一種類の化合物（Ｉ）とを含む組成物
。

（１４）シッフ系環状化合物（Ａ）と、式（式中、Ｒ工
及び、Ｒ３はＣＨａ　−Ｒ２及びＲ４はＨである。）で
表わされるアセタルダジン系化合物（Ｊ）を含む組成物
。

（１５）シッフ系環状化合物（Ａ）と、スチリルピリジ
ン系オリゴマ（Ｋ）を含む組成物。

（１６）シッフ系環状化合物（Ａ）と、アクリロニトリ
ルオリゴマあるいはアクリロニトリルポリマ（Ｌ）とを
含む組成物。

（１７）シッフ系環状化合物（Ａ）を、架橋反応して得
られる重量体。

（■８）シップ系環状化合物（Ａ）を含む組成物を、架
橋反応して得られる重合体である。

〔作用〕

本発明に於いて、 一般式（１） （式中、Ｙは、ＣＨ，Ｎのいずれがである。）で表わさ
れるシップ系環状化合物（Ａ）、更に具体的に云えば、
−飲代（Ｉ）が、式（ＩＩ）で表わされるシッフ系環状
化合物（Ａ）とは、２゜４−ジアミノ−６−ヒドロキシ
ピリミジンと、２゜６−ジアルゾヒドピリジンとを、当
モルの割合で反応させることにより、得ることができる
。

−数的には、例えば、 シップ系環状化合物（Ａ）が得られる。

前記−飲代（１）で表わされる環状のシッフ系化合物は
、それ自身極めて平担で屈曲の小さい構造状態にあり、
それ単独でも重合反応が進み、例えば、 のように、結晶性の高い平担構造をもつ重合体が形成さ
れる。加熱温度については、−飲代ＣＩ）で表わされる
環状シッフ系化合物の融点付近の温度に於いて溶融させ
た状態で、保持するプロセス。

あるいは、溶融状態で、電場、磁場、機械的外力を付与
することなどにより、重合を進めた後、更に、高温（５
００℃以上）で加熱することにより、導電性のすぐれ九
重合体が得られる。

このような状態を進めることにより重合させる場合には
、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ、ＡＱ、Ｐｂ。

Ｃｏ、Ｎｉなどの金属粉末、あるいは、金属フタロシア
ニン錯塩や、金属ポルフィリン錯塩などを添加すること
により、平面重合体に対して垂直方向に対する導電層の
形成が可能となる。これらの特性は、強磁性体、メモリ
機能の形成、より高温に於ける導電特性の向上に利用の
可能性がある。

導電性付与の効果のある共重合可能なものには、ロロピ
ロール重合体（特開昭６２−２０９１３１号公報、Ｕ　
Ｓ　Ｐ４，６０３，２０６参照）イミダゾ（１，２−ａ
）ピリジン、及び、その誘導体、スチリルピリジン、及
び、そのオリゴマなどがある。

本発明に於いて、スチリルピリジン系オリゴマ（Ｋ）は
、例えば、 ○ などがある。また、２，５−ジスチリルピラゾンも有効
である。

ここで、例えば、２，５−ジスチリルピラゾンは、−飲
代〔■〕で表わされるシッフ系環状化合物（Ａ）と、以
下のように架橋反応するものと推察される。

また、アセタルダジン系化合物との併用もできる。この
ようなものとしては、 　３Ｃ ＼ 及び、ブタジェンとの共重合体である、１，２−ジアザ
−１，５，９−シクロドデカ１〜リエンも有効と思われ
る。

また、−飲代［１］で表わされる環状シッフ系化合物（
Ａ）と、少なくとも一個のエチニル基を持つシッフ系化
合物（Ｄ）との共重合体は、成形加工性にすぐれ、塗膜
も平滑で強靭な状態で得られ、耐熱性付与、導電性付与
効果も極めて大きい。

少なくとも一個のエチニル基を持つシッフ系化合物 （Ｄ） は。

例えば。

また、他の共重合可能な素材は、１，２；５゜６；９，
１０−トリベンゾシクロドデカ−１，５゜９−トリエン
３，７．１１−トリイン（ＴＢＣ）、あるいは、 ポリイミノイミダゾリジンジオン （ＰＩＰＡ） 例示すると、 あるいは、 ジシアンジアミド、 ベンゾグアナミン、 シアノフエニルジシアンジアミド、 ２゜ ６−ピリ ジンジヒドラジン、 ビスヒドラジン、 あるいは、 次式 で表わされる化合物などがある。

また、 次の一般式 〔式中、 及び。

は、 Ｃ− のいずれかである。

また、 Ｌ は直接結合。

−ＣＨ２−、−Ｃ（Ｒ６，Ｒｅは低級アルキル基、フル
オロアルキル基、アルキレンの中のいずれか○ である。）−０、Ｃ−、−５−、−５Ｏ２−の中のいず
れかである。〕で表わされるフタロニトリル系化合物の
添加も有効である。具体的には、−飲代（ＩＩＩ）が、
次式 Ｈａ で表わされるフタロニトリル系化合物であり、例えば、
以下の Ｈａ Ｆａ などがある。

また、 などを併用することも、本発明の効果を妨げるものでは
ない。

また、本発明で多官能のイソシアネート化合物としてメ
タンジイソシアネート、ブタン−１，１−ジイソシアネ
ート、エタン−１，２−ジイソシアネート、ブタン−１
，２−ジイソシアネート、トランスビニレンジイソシア
ネート、プロパン−１，３−ジイソシアネート、ブタン
１１，４−ジイソシアネート、２−ブチン−１，４−ジ
イソシアネート、２−メチルブタン−１，４−ジイソシ
アネート、ペンタン−１，５−ジイソシアネート、２．
２−ジメチルペンタン−１，５−ジイソシアネート、ヘ
キサン−１，６−ジイソシアネート、ヘプタン−１，７
−ジイソシアネート、オクタン−１，８−ジイソシアネ
ート、ノナン−１，９−ジイソシアネート、デカン−１
，１０−ジイソシアネートジメチルジランジイソシアネ
ート、ジフェニルシランジイソシアネート、ω、ω′−
１゜３−ジメチルベンゼンジイソシアネート、ω。

ω’−１，４−ジメチルベンゼンジイソシアネート、ω
、ω’−１．３−ジメチルシクロヘキサンジイソシアネ
ート、ω、ω　−１，４−ジメチルシクロヘキサンジイ
ソシアネート、ω、ω′−１゜４−ジメチルベンゼンジ
イソシアネート、ω。

ω’−１．４−ジメチルナフタリンジイソシアネートω
、ω’−１，５−ジメチルナフタリンジイソシアネート
、シクロヘキサン−１，３−ジイソシアネート、シクロ
ヘキサン−１，４−ジイソシアネート、ジシクロヘキシ
ルメタン−４，４′ジイソシアネート、１，３−フェニ
レンジイソシアネート、１，４−フェニレンジイソシア
ネート、１、−メチルベンゼン−２，４−ジイソシアネ
ート、１−メチルベンゼン−２，５−ジイソシアネート
、１−メチルベンゼン−２，６−ジイソシアネート、１
−メチルベンゼン−３，５−ジイソシアネート、ジフェ
ニルエーテル−４，４′−ジイソシアネート、ジフェニ
ルエーテル−２，４′ジイソシアネート、ナフタリン−
１，４−ジイソシアネート、ナフタリン−１，５−ジイ
ソシアネート、ビフェニル−４，４′−ジイソシアネー
ト、３．３′−ジメチルビフェニル−４，４′−ジイソ
シアネート、２，３′−ジメトキシビフェニル４．４′
−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４′−ジ
イソシアネート、３，３′−ヅメ１−キシジフェニルメ
タン−４，４′−ジイソシアネート、４，４′−ジメト
キシジフェニルメタン−３，３′−ジイソシアネート、
ジフェニルサルファイド−４，４′−ジイソシアネート
、ジフェニルスルホン−４，４′−ジイソシアネートな
どの三官能のイソシアネート化合物、ポリメチレンポリ
フェニルイソシアネート、トリフェニルメタントリイソ
シアネート、トリス（４−フェニルイソシアネートチオ
フォスフェート）、３．３’４．４′−ジフェニルメタ
ンテトライソシアネートなどの三官能以上のイソシアネ
ート化合物が用いられる。

本発明の、−飲代（１）で表わされる環状のシッフ系化
合物と、多官能イソシアネート系化合物とを含む樹脂組
成物の、貯蔵安定性を、保持するには、分子内にウレト
ジオン環をもつジイソシアネート化合物を用いるとよい
。

分子内にウレトジオン環をもつジイソシアネート化合物
とは、分子内に少なくとも一個のウレト一般式 ここで、Ｒ？　＋　Ｒａ　、Ｒｓは、芳香族基を示し、
互いに異なっていても、一部または全部が同じであって
もよく、Ｘは−ＮＧＯ基を示す。このような化合物は、
例えば、１，３−ビス（３−イソシアナート−〇−トリ
ル）−２，４−ウレチジンジオン、１，３−ビス（３−
イソシアナート−ｐ−トリル）−２，４−ウレチジンジ
オン、１，３−ビス（３−イソシアナート−４−メトキ
シフエニル）−２，４−ウレチジンジオン、１，３ビス
（４−（４−インシアナートフェニルメチル）フェニル
〕２．４−ウレチジンジオンや、２，４トリレンジイソ
シアネートとジフェニルメタン−４，４−ジイソシアネ
ートとから合成されたウレトジオン化合物等がある。こ
れらの化合物は単独、あるいは、混合して用いることも
出来る。また、ウレトジオン環をもつ化合物は加熱によ
って、０ＣＮ−Ｒａ−ＮＣ○＋○ＣＮ−Ｒｅ−ＮＣ０の
ように分解してウレトジオン環の数に応じたインシアネ
ート基を生成する。このようなウレトジオン環の開裂反
応は、例えば、トリレンジイソシアネートダイマの場合
には、約１４０〜１５０℃で進行する。本発明の塗膜の
特性は環状シッフ系化合物に配合するウレトジオン環を
もつ化合物の量によって著しく左右されるため配合量の
選択が極めて重要である０本発明では環状シッフ系化合
物のシッフ基１当量に対してウレトジオン環をもつ化合
物のウレトジオン環が開裂して成牛ずるイソシアネート
基を含めた総イソシアネート基の当量比が１．０〜４．
０　　の範囲内にあるように配合することを特徴とする
。当量比が１．０　より小さいと塗膜の耐熱性が低下し
、また、４．０　より大きくなると粉体の流動特性が低
下し塗膜の美観が著しく損なわれるためである。

塗膜の熱硬化に際しては、硬化を短時間で行えるように
するため、ウレトジオン環の開裂を促進し、かつ、エポ
キシ基とイソシアネート基、あるいは、イソシアネート
基同士の硬化反応をも促進する触媒の選択が重要である
。通常のアミン類やイミダゾール類はウレトジオン環の
開裂、ならびに、硬化反応を比較的低温で促進し、それ
によって前述のような水分との反応も起き易くなり粉体
の貯蔵安定性が得られない。

本発明では、多官能エポキシ化合物は、例えば、ビスフ
ェノールＡのジグリシジルエーテル、ブタジエンジエポ
キサイド、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−（
３，４−エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレート、
ビニルシクロヘキサンジオキシド、４，４′−ジ（１，
２−エポキシエチル）ジビフェニルエーテル、４．４’
　−（１゜２−エポキシエチル）ビフェニル、２，２−
ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロパン、レ
ゾルシンのジグリシジルエーテル、フロログルシンのジ
グリシジルエーテル、メチルフロログルシンのジグリシ
ジルエーテル、ビス＝（２，３−エポキシシクロペンチ
ル）エーテル、２−（３゜４−エポキシ）シクロヘキサ
ン−５，５−スピロ（３，４−エポキシ）−シクロヘキ
サン−ｍ−ジオキサン、ビス−（３，４−エポキシ−６
−メチルシクロヘキシル）アジペート、Ｎ、Ｎ’−ｍ−
フェニレンビス（４，５−エポキシ−１，２−シクロヘ
キサン）ジカルボキシイミドなどの三官能のエポキシ化
合物。

パラアミノフェノールのトリグリシジルエーテル、ポリ
アリルグリシジルエーテル、１，３．５−トリ（１，２
−エポキシエチル）ベンゼン、２゜２’　、４．４’−
テトラグリシドキシベンゾフェノン、テトラグリシドキ
シテトラフェニルエタン、フェノールホルムアルデヒド
ノボラックのポリグリシジルエーテル、グリセリンのト
リグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンのトリ
グリシジルエーテル、あるいは、次式 （Ｒｌｏ、　Ｒ１１はＨ１低級アルキル基、フルオロア
で表わされる三官能以上のエポキシ化合物などがある。

また、次に示すエポキシ化合物は、溶融状態で液晶配向
性をもつ。硬化物の耐熱性付与、機械強度、接着性向上
、電気特性の改良などに効果が大きい。

このような化合物には、例えば υ Ｎ三〇 などがある。

本発明の樹脂組成物には、エポキシ化合物の公知の硬化
剤、及び、硬化促進剤を添加することができる。硬化剤
としては、例えば、垣内弘著：エポキシ樹脂（昭和４５
年９月発行）１０９〜１４９ページ、Ｌｅｅ、ＮｅＶｉ
ｌｌｅ著；　Ｅｐｏｘｙ　Ｒｅ５ｉｎｓ　（Ｍｅ　Ｇｒ
ａｗ−ｔｌｉｌｌ　Ｂｏｏｋ　Ｃｏｍｐａｎｙ　Ｉｎｃ
、Ｎｅｗ　Ｙｏｒｋ、１９５７年発行）６３〜１４１ペ
ージなどに記載の化合物などがある。

例えば、脂肪族ポリアミン、芳香族ポリアミン、第二お
よび第三アミンを含むアミン類、カルボン酸類、カルボ
ン酸無水物類、脂肪族および芳香ポリアミドオリゴマお
よびポリマ類、三弗化硼素−アミンコンプレックス類、
フェノール樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ウレタン
樹脂などの合成樹脂初期縮合物類、その他、ポリ−パラ
−ヒドロキシスチレン、および、その共重合体、ジシア
ンジアミド、ベンゾグアナミン、カルボン酸ヒドラジド
、シアナート類、シアナミド類、ビスマレイミド、フェ
ニルマレイミド、シトラコンイミドなど不飽和イミド類
、および、不飽和イミドのアミンなど各種付加反応物な
どがある。

さらに、エポキシ樹脂組成物の硬化反応を促進する目的
で各種の触媒を添加することができる。

この触媒として、例えば、トリエタノールアミン。

テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペンタンジ
アミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレン
ジアミン、及び、ジメチルアニリン等の第三級アミン、
ジメチルアミノエタノール及び、ジメチルアミノペンタ
ノール等のオキシアルキルアミン、ならびに、トリス（
ジメチルアミノメチル）フェノール、及び、メチルモル
ホリン等のアミン類を適用することができる。

又、同じ目的で、触媒として、例えば、セチルトリメチ
ルアンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニ
ウムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムアイ
オダイド、トリメチルドデシルアンモニウムクロライド
、ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライ
ド、ペンジルメチルパルミチルアンモニウムクロライド
、アリルドデシルトリメチルアンモニウムプロマイド、
ベンジルジメチルステアリルアンモニウムブロマイド、
ステアリルトリメチルアンモニウムクロライド、及び、
ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムアセテート
等の第四級アンモニウム塩を適用することができ、更に
、２−ウンデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾー
ル、２−エチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダ
ゾール、２−メチル−４−エチルイミダゾール、１−ブ
チルイミダゾール、１−プロピル−２−メチルイミダゾ
ール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シ
アノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチ
ル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−
２−フェニルイミダゾール、１−アジン−２−メチルイ
ミダゾール、１−アジン−２−ウンデシルイミダゾール
などのイミダゾール類、トリフェニルホスフィンテトラ
フェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ
フェニルボレート、トリエチルアミンテトラフェニルボ
レート、Ｎ−メチルモルホリンテトラフニレルボレート
、２−エチル−４−メチルイミダゾールテトラフェニル
ボレート、２−エチル−１，４−ジメチルイミダゾール
テトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボレート
などがある。

また、１，５−ジアザ−ビシクロ（４，２，Ｏ）オクテ
ン−５，１−８−ジアザ−ビシクロ（７゜２、Ｏ）ウン
デセン−８，１，４−ジアザ−ビシクロ（３，３，Ｏ）
オクテン−４，３−メチル−１，４−ジアザビシクロ（
３，３，Ｏ）オクテン−４，３，６，７，７−テトラメ
チル−１，４−ジアザージシクロ（３，３，Ｏ）オクテ
ン−４，１，５−ジアザ−ビシクロ（３，４，Ｏ）ノネ
ン−５，１，８−ジアザ−ビシクロ（７，３，Ｏ）ドデ
セン−８，１，７−ジアザビシクロ（４，３゜０）ノネ
ン−６，１，５−ジアザビシクロ（４゜４、Ｏ）デセン
−５，１，８−ジアザビシクロ（７，４，Ｏ）　　トリ
デセン−８，１，８−ジアザビシクロ（５，３，Ｏ）デ
セン−７，９−メチル１．８−ジアザビシクロ（５，３
，Ｏ）デセン−７，１，８−ジアザビシクロ（５，４，
Ｏ）ウンデセン−７，１，６−ジアザビシクロ（５，５
゜Ｏ）ドデセン−６，１，７−ジアザビシクロ（６゜５
、Ｏ）　　トリデセン−７，１，８−ジアザビシクロ（
７，５，Ｏ）テトラデセン−８，１，１０−ジアザビシ
クロ（７，３，Ｏ）　　ドデセン−９，１゜１０−ジア
ザビシクロ（７，４，Ｏ）　　トリデセン−９，１，１
４−ジアザビシクロ（１１，３，Ｏ）へキサデセン−１
３，１，１４−ジアザビシクロ（１１，４，Ｏ）へブタ
デセン−１３などのジアザビシクロ−アルケン類なども
有用である′。これらの化合物は、目的と用途に応じて
一種類以上を併用することもできる。これらの化合物の
中でも、特に、１，８−ジアザビシクロ（５，４，Ｏ）
ウンデセン−７（ＤＢＵ）　、並びに、この化合物のカ
ルボン酸塩類は、本発明の効果を発揮する上で有効であ
る。

一般式（１）で表わされる環状シッフ系化合物には、エ
チレン性の重合性化合物を添加使用することもできる。

このような化合物には、スチレン、ビニルトルエン、α
−メチルスチレン、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレ
ート、ジアリルフタレートプレポリマ、クロルスチレン
、ジクロルスチレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレ
ン、ジアリルベンゼンホスホネート、ジアリルアリール
ホスホネート、ジアリルアリールホスフィン酸エステル
、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、トリア
リルシアヌレート、トリアリルシアヌレートプレポリマ
、トリブロモフェノールアリルエーテル、不飽和ポリエ
ステルレジン等を挙げることができる。又、これらの二
種以上も併用できる。

又、本発明のシッフ系化合物は、Ｎ、Ｎ’　−［換ビス
マレイミド化合物との併用が有効である。

すなわち、次式 〔式中、Ｄはエチレン性不飽和二重結合をもつ、ジカル
ボン酸残基である。また、Ｚｚはアルキレン基、アリレ
ン基、または、それらの置換された二価の有機基を示す
。〕で表わされるＮ、Ｎ’置換ビス不飽和イミド系化合
物とは１例えば、Ｎ。

Ｎ′−エチレンビスマレイミド、Ｎ、Ｎ’　−ヘキサメ
チレンビスマレイミド、Ｎ、Ｎ’　−ドデカメチレンビ
スマレイミド、Ｎ、Ｎ’　−ｍ−フェニレンビスマレイ
ミド、Ｎ、Ｎ’　−Ｐ−フェニレンビスマレイミド、Ｎ
、Ｎ’　−Ｐ−フェニレンビスシトラコンイミド、Ｎ、
Ｎ’　−Ｐ−フェニレンビスイタコンイミド、Ｎ、Ｎ’
　−Ｐ−フェニレンビスピロシコンイミド、Ｎ、Ｎ’　
−Ｐ−フェニレン−エンドメチレンテトラヒドロフタル
イミド、Ｎ。

Ｎ’−４，４’　−ジフェニルメタンビスマレイミド、
Ｎ、Ｎ’−４，４’　−ジシクロヘキシルメタンビスマ
レイミド、Ｎ、Ｎ’　−ｍ−キシレンビスマレイミド、
Ｎ、Ｎ’　−ジフェニルシクロヘキサンビスマレイミド
、４，４′−ビスマレイミドシンナムアニリド、６，６
′−ビスマレイミド−２゜２′−ビピリジン、あるいは
、 ＼／ リ Ｕ などがある。

また、 などを併用することもできる。

本発明の一般代ＣＩ）で表わされるシッフ系化合物、及
び、それを含む樹脂組成物には、短時間の加熱によりそ
の硬化を完了させるように、重合開始剤を添加すること
が望ましい。このような重合開始剤には、ベンゾイルパ
ーオキシド、ｐ−クロロベンゾイルパーオキシド、２，
４−ジクロロベンゾイルパーオキシド、カブリリルパー
オキシド、ラウロイルパーオキシド、アセチルパーオキ
シド、メチルエチルケトンパーオキシド、シクロヘキサ
ノンパーオキシド、ビス（１−ヒドロキシシクロヘキシ
ルパーオキシド）、ヒドロキシへブチルパーオキシド、
第三級ブチルハイドロパーオキシド、ｐ−メンタンハイ
ドロパーオキシド、第三級ブチルパーベンゾエート、第
三級ブチルパーアセテート、第三級ブチルパーオクトエ
ート、第三級ブチルパーオキシイソブチレート、及び、
ジー第三級ブチルシバ−フタレート等の有機過酸化物が
有用であり、その一種、又は、二種以上を用いることが
できる。

本発明では、上述の重合触媒に、例えば、メルカプタン
類、サルファイド類、β−ジケトン類、金属キレート類
、金属石鹸等の既知の促進剤を併用することもできる。

又、樹脂組成物の室温における貯蔵安定性を良好にする
ために、例えば、ｐ−ベンゾキノン、ナフトキノン、フ
エナントラキノン等のキノン類、ハイドロキノン、ｐ−
第三級−ブチルカテコール、及び、２，５−ジー第三級
ブチルハイドロキノン等のフェノール類、及び、ニトロ
化合物、及び、金属塩類等の既知の重合防止剤を、要望
に応じて使用できる。

更に、本発明の樹脂組成物には、その用途に応じて種々
の素材が配合される。

すなわち、例えば、成形材料としての用途には、酸化ジ
ルコン、シリカ、アルミナ、水酸化アルミニウム、チタ
ニア、亜塩華、炭酸カルシウム、マグネサイト、クレー
、カオリン、タルク、珪砂、ガラス、溶融石英ガラス、
アスベスト、マイカ、各種ウィスカ、カーボンブラック
、黒鉛、及び、二硫化モリブデン等のような無機質充填
剤、高級脂肪酸、及び、ワックス類等のような離型剤、
エポキシシラン、ビニルシラン、ボラン、及び、アルコ
キシチタネート系化合物等のようなカップリング剤が配
合される。又、必要に応じて、含ハロゲン化合物、酸化
アンチモン、及び、燐化合物などの難燃性付与剤等を用
いることができる。

又、各種のポリマ、例えば、ポリスチレン、ポリエチレ
ン、ポリブタジェン、ポリメチルメタクリレート、ポリ
アクリル酸エステル、アクリル酸エステル−メタクリル
酸エステル共重合体、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、
メラミン樹脂、あるいは、尿素樹脂フタロシアニン系化
合物、ポルフィリン系化合物等の既知の樹脂改質剤を用
いることができる。

又、ワニス等のように、溶液として使用することもでき
る。その際に用いられる溶剤は、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ
−メチルホルムアミド、ジメチルスルホオキシド、Ｎ、
Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルメトキシ
アセトアミド、ヘキサメチルフオスホルアミド、ピリジ
ン、ジメチルスルホン、テトラメチルスルホン、及び、
ジメチルテトラメチレンスルホン等があり、又、フェノ
ール系溶剤群は、フェノール、クレゾール、及び、キシ
レノール等がある。

以上のものについては、単独、又は、二種以上を混合し
て使用してもよい。

本発明の化合物、及び、この化合物を含む組成物は成形
材料、積層材料、塗料、被覆材、接着剤、各種用途のた
めのワニス、インキ材、トナー材、電荷移送材、液晶材
、導電材、原子炉材、ＦＲＰ用材、ペースト材などに適
用することが可能である。これらの中でも、特に、プリ
プレグ用樹脂。

あるいは、ＬＳＩの多層化に伴う層間絶縁膜や、ＬＳＩ
素子表面への保護被覆材、液晶配向膜、航空宇宙用接着
剤、成形材、積層材、銀ペーストに有用である。

本発明の化合物は、比較的低温で短時間の加熱により高
温強度の優れた硬化物に転化し、室温付近の温度では貯
蔵安定性に優れ、しかも、成形時の流動性が大きいため
低圧成形ができるので、半導体封止材、積層材等その適
用に際しては、成形加工性の自由度が増大する。

又、本発明の化合物を用いた組成物は、各種の用途、目
的に応じて、次の各種素材の一種以上を併用して用いる
ことができる。

すなわち５例えば、成形材料としての用途の場合には、
各種無機充填剤１例えば、ジルコン、シリカ、溶融石英
ガラス、クレー、水和アルミナ、炭酸カルシウム、石英
ガラス、ガラス、アスベスト、ボイス力、石膏、マグネ
サイト、マイカ、カオリン、タルク、黒鉛、セメント、
カーボニルアイアン、バリウム化合物、フェライト、鉛
化合物、二硫化モリフデン、亜鉛華、チタン白、カーボ
ンブラック、珪砂、ウオラストナイト等を使用すること
ができ、又、各種の離型剤、例えば、脂肪酸、ワックス
類等を、そして、各種カップリング剤、例えば、エポキ
シシラン、ビニルシラン、ボラン系化合物、アルコキシ
チタネート化合物等を使用することもでき、又、必要に
応じてアンチモン、燐等からなる既知の各種添加剤を併
用することができる。

本発明の化合物、あるいは、それを含む組成物は、熱、
あるいは、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線などの活性
光線により、架橋反応が進み、硬化成形物となる。

すなわち、活性光線による重合効果を高めることを目的
とする場合は、従来公知の増感剤や光重合開始剤を、本
発明の組成物に添加することができる。

増感剤、及び、光重合開始剤としては、ミヒラーズケト
ン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾイ
ンエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、
２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、１，２−ベンゾ
−９，１０−アントラキノン、４，４′−ビス（ジエチ
ルアミノ）ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾフ
ェノン、チオキサントン、１，５−アセナフテン、Ｎ−
アセチル−４−ニトロ−１−ナフチルアミンなどがある
。

その添加量は、本発明の組成物の環状のシッフ系化合物
１００重量部に対して、０．１〜１０重量部が好ましい
。

〈実施例１〉 ５００ｍｆｌの四フロフラスコ中に、３００ｍ１２のＮ
−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を探り、これに２
，６−ジアルデヒドピリジン１３．５重量部（０，１モ
ル）を加え、撹拌溶解した０次いで、２，４−ジアミノ
−６−ヒドロキシピリミジン１２．６重量部（０，１モ
ル）をＮＭＰｌｏｏｍＱに溶解した溶液を、滴下濾斗よ
り、２，６−ジアルゾヒドピリジン溶液中に、５℃以下
、窒素ガス雰囲気中で、撹拌しながら徐々に滴下した。

２．４−ジアミノ−６−ヒドロキシピリミジン溶液の滴
下が終了した後、フラスコ中の溶液温度を６０〜８０℃
に加温し、約二時間撹拌反応を行なった。

得られた反応物の赤外線吸収（ＩＲ）スペクトルを測定
した′結果、シッフ結合に基づく特性吸収、１６３５〜
ｌ　６５５ａ１−１．が認められた。また、−Ｎ　Ｈ２
の特性吸収３３００Ｌｌ！１″″１、−ＣＨｏの特性吸
収１７００〜１７２５Ｇ″″１が消滅し、確認されなか
った。

また、分子軌道計算による生成熱（安定化エネルギ）は
、次式、 で表わされる環状のシッフ系化合物（Ａ）が。

１９．２０８５にｃａｌ／ＭＯＬとなり、極めて生成し
易い。

以上のことから、本発明の実施例１の反応物は、上記の
構造であると推察される。

〈実施例２〉 実施例１の２，６−ジアルゾヒドピリジンの替りに、２
，６−ジアルデヒドベンゼン１３．４ｆｆｉ量部（０，
１モル）を用いた他は、実施例１と同じ方法で反応を行
ない、環状シップ系化合物（Ｂ）を得た。得られた反応
物（Ｂ）のＩＲスペクトルを測定した結果、シッフ結合
に基づく特性吸収、１６３５〜１６６０ａ＋＋−’が認
められた。反応物（Ｂ）は、次式、 で表わされる環状シッフ系化合物であると推串される。

〈実施例３〉　（比較例） 実施例１の２，６−シアミツピリジンの替りに、２．６
−ジアミツベンゼン１０．８重量部（０，１モル）を用
いた他は、実施例１と同じ方法で反応を行ない、環状シ
ッフ系化合物（Ｃ）を得た。

得られた反応物（Ｃ）のＩＲスペクトルを測定した結果
、シッフ結合に基づく特性吸収、１６３５〜１６６０ａ
１１−１が認められた。反応物（Ｃ）は、次式 で表わされる環状シッフ系化合物であると推定した。

〈実施例４〉　（比較例） 実施例１の２，６−ジアルゾヒドピリジンの替りに２，
６−ジアルゾヒドベンゼン、１３．４重量部（０，１モ
ル）を、また、２，６−シアミツピリジンの替りに、２
，６−シアミツベンゼン１０．８重量部（０，１モル）
を用いた他は、実施例１と同じ方法で反応を行ない、環
状シッフ系化合物（Ｄ）を得た。

得られた反応物ＣＤ）のＩＲズベクトルを測定した結果
、シッフ結合に基づく特性吸収、１６３５〜１６６０ａ
ｎ−’が認められた。反応物（Ｄ）は、で表わされる環
状シッフ系化合物であると推定した。

（実施例３〜１０） 環状のシップ系化合物として１次の の四種類を採り上げた。これらに更ｉこ、ビスフェノー
ルＡ型エポキシＤＥＲ３３２（ダウ・ケミカル社製）、
オルトジアリルビスフェノールＦ、２゜２−ビス（４−
（４−アレクミドフェノキシ）フェニル〕へキサフルオ
ロプロパン（略して、ＤＡＰＰ−ＦＭＩ）　、トリアリ
ルイソシアヌレート（ＴＡＩＣ）を、それぞれ別個に第
１表に示した所定量（重量部を配合して、へ種類の配合
物を作った。これらの配合物には、それぞれ硬化促進剤
として、ジシアンジアミド、ベンゾグアナミン、及び、
ジグミルパーオキサイド（ＤＣＰＯ）を、また、カップ
リング剤としてエポキシシランＫＢＭ４０３（信越化学
社製）を所定量添加した。

次いで、これらの配合組成物は、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン（ＮＭＰ）とメチルエチルケトン（ＭＥＫ）の等
景況合液に溶解して、４５〜４８重量％の固形分を含む
ワニスとした。

このワニス溶液を用いて、ガラス布（日東紡社製ＷＥ−
１１６Ｐ、ＢＹ−５４）に、樹脂含浸塗布し、１６０℃
、１５分間乾燥させ、樹脂含有量４５〜４８重量％の塗
工布を作成した。

次いで、塗工布へ枚を用い、その上・下に３５μｍ厚の
ＴＡＩ処理銅箔（古河型ニーＣＦＣ社製）を重ね、１７
０〜１８５℃、４０ｋｇ−ｆ／ｃｄの条件下で８０分積
層接着し、厚さ約１．６　ｍの両面銅張り積層板を作成
した。

この銅張り積層板を、更に２００　’Ｃ１四時間後硬化
を行なった。得られた銅張り積層板へ種類の諸特性を第
１表に示した。

なお、各特性の測定方法は次の通りである。

（ａ）銅箔引き剥し強度 銅張り積層板より２５ｍｍＸ１００ｎｗｎの大きさに試
験片を切り取った後、中央部に巾１０＋ａｍに銅箔を残
し、他の銅箔はエツチング除去した。次に、中央部の銅
箔を垂直方向に５　ｍ＋　／　ｍ　ｉ　ｎの速度で引き
剥し、その強度を測定した。

（ｂ）半田耐熱性 銅張り積層板より２５＋ａｍ角に切り取ったものを試験
片とした。この試験片を３００℃に加熱した半田浴に浮
かべ、ふくれなどの異常の発生する時間を測定した。

（ｃ）消炎性 ＵＬ−９４垂直法に従って測定した。上記の銅張り積層
板から幅１２ｍｍ、長さ１２５ｗａに切り取り銅箔をエ
ツチングしたものを試験片とした。試験片は各々十個ず
つ測定し、平均消炎時間で表わした。

なお、平均消炎時間五秒以内、最長消炎時間土砂以内が
ＵＬ−９４，Ｖ−０、平均消炎時間２５秒以内、最長消
炎時間３０秒以内がＵＬ−９４゜Ｖ−１である。

〈実施例１１〉 環状シッフ系化合物として、実施例１の（Ａ）を３０重
量部と、４，４′−ジイソシアネートジフェニルメタン
６０重量部を、Ｎ、Ｎ’　−ジメチルアセトアミドに溶
解して、８重量パーセントのフェス１０１００Ｏを調整
した。次いで、ガラス繊維布（日東紡社製ＷＦ−２３０
）に浸漬した。

含浸プリプレグシートを１００〜１２０℃で約二時間加
熱乾燥してプリプレグを得た。プリプレグの樹脂含有率
は４９重量パーセントであった。

次に、プリプレグ大枚を重さね１５０〜１６０℃、５０
　ｋｇ−ｆ／ｃＪ、二時間の条件で圧縮成形した。

成形品の引張り強度１７．２ｋｇ／ａｈａ　ｔ　　１０
０℃（ＡＳＴＭ、Ｄ−６３８）、曲げ強度は、１６．５
ｋｇ／ｃＡ　ａ　ｔ　　１００℃（ＡＳＴＭ、Ｄ−７９
０）、アイゾツト衝撃強度（ノツチ付）は、５．９　　
ｋｇ−■／ａｄａｔ２５℃（ＡＳＴＭ、Ｄ−２５６）で
あった。

〈実施例１１〜１９〉 環状シップ系化合物として、次の （Ａ）　　　　　　　　　　　　　　（Ｂ）二種類を採
り上げ、これに、３．５−トリレンジイソシアネート（
ＴＤＩ）　、４．４’　−ジイソシアネートジフェニル
メタン（ＭＤＩ）、２．２−ビス（４−（４−マレイミ
ドフェノキシ）フェニル〕プロパン、（ＤＡＰＰ−ＭＩ
）　、ジシアンジアミド、ベンゾグアナミン、ジクミル
パーオキサイド（Ｄ　ＣＰ　Ｏ）を、第２表に記載の所
定量ずつ配合して、人種類の配合組成物を作成した１次
いで、１５０℃／１５時間＋２００℃／十時間の条件で
硬化した硬化物について、２７０℃恒温槽中に放置した
場合の重量減少率（１０％に達する放置時間）と、硬化
物へのクラック発生の有無をチエツクした。

結果を第２表に示した。

〈実施例２０） 環状シッフ系化合物として、実施例２の（Ｂ）を、Ｎ、
Ｎ’　−ジメチルホルムアミドに溶解して２重量パーセ
ント溶液を調整した。次に、十分に洗浄した誘電導電膜
をもつポリエチレンテレフタレートフィルム上に、スピ
ンナを用いて、３５００ｒ、ｐ、ｍで均一に塗布後、１
２０℃で十五分間乾燥してＮ、Ｎ’　−ジメチルホルム
アミドを蒸発させ、膜厚６５０人の配向制御膜を形成し
た。この膜をフェルトで一定方向にラビングし、配向制
御膜をもつ基板フィルムを作成した。

このようにして作成した二枚のフィルムの配向制御膜を
対向させて配置し、これらのフィルムをポリエステル系
接着剤よりなる封着剤で接着して液晶表示素子を作成し
た。この素子の配向制御膜間に、フェニルシクロヘキサ
ン系の液晶（メルク社製、ＺＬＩ−１１３２）を配置し
、二枚の直交偏光板間で液晶の配向性を調べたところ、
良好な配向性を示した。

〈実施例２１〉 実施例１の化合物（Ａ）をトルエンに溶解して、１重量
％の樹脂溶液を調製した。この溶液を、多層（二層）配
線絶縁膜として用いた場合の素子構造を、第２図、第３
図に示した。

素子の構成は、Ｓｉ素子基板上に、ＳｉＯ２絶縁層、ポ
リシリコン層、更に、第一層目のアルミニウム配線（４
−［）を形成した後に、樹脂被膜材料を塗布（スピンナ
ー使用）、焼付け（２５０℃、６０分間）した（３−１
）のち、ポジレジストを塗布して、マルホールのパター
ニングを行なった。次いで、ＣＦａ　　０２を反応ガス
としてプラズマエッチした。次いで、０２を反応ガスと
するプラズマアッシャによってポジレジストを除去した
。

次いで、第二層目のアルミニウム配線（４−１１）を形
成した後、さらに、上記樹脂液を塗布、焼付け（前記条
件と同じ）した。（３−１１）層なお、第３図は、第二
層目の被覆樹脂として。

ポリイミド樹脂（日立化成製ＰＩＱ）を用いた場合（五
層）を示した。

本発明の半導体装置を、フェノールノボラック樹脂を硬
化剤としたエポキシ系樹脂成形材料を用いて樹脂パッケ
ージしたメモリ用ＬＳＩ製品（ＩＭビットＤ−ＲＡＭメ
モリ）は、８５℃、８５％相対湿度中でバイアス印加放
置で二千時間後も、ＡＱ配線の腐食による断線故障の発
生はなく、耐湿信頼性にすぐれたＬＳＩを得た。

〔発明の効果〕

本発明によれば、本発明の環状シッフ系化合物は、耐熱
性にすぐれた硬化成形物が可能な付加反応素材である。

このため、成形加工時に副生成物が生じ、ボイドレスで
、耐クラツク性にすぐれた成形品の形成ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例の半導体装置の断面図、第
２図、第３図は、本発明の半導体装置の素子の部分断面
図である。 １・・・リード線、２・・・半導体素子、３・・・保護
被覆樹脂、３−Ｉ・・・第−層保護被覆樹脂、３−ＩＩ
・・・第二層保護被覆樹脂、 ・・第−層配線、 ４−ｎ　・・・ 第二層配線、 ５・・・ポリイミド系樹脂、 ６　・・・モール 第 図 第 図 第 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、ＹはＣＨ、Ｎのいずれかである。）で表わされ
   るシッフ系環状化合物。 ２，２，４−ジアミノ−６−ヒドロキシピリミジンと、
   ２，６−ジアルデヒドピリジンとを、当モルの割合で反
   応させることにより、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、ＹはＣＨ、Ｎのいずれかである。）で表わされ
   るシッフ系環状化合物を製造する方法。 ３、シッフ系環状化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ＹはＣＨ、Ｎのいずれかである。）を含む組成
   物。 ４、シッフ系環状化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ＹはＣＨ、Ｎのいずれかである。）と、ピロロ
   ピロール、あるいは、ピロロピロール重合体とを含む組
   成物。 ５、シッフ系環状化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ＹはＣＨ、Ｎのいずれかである。）と、多官能
   イソシアネート系化合物とを含む組成物。 ６、シッフ系環状化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ＹはＣＨ、Ｎのいずれかである。）と、少なく
   とも一個のエチニル基を持つ化合物とを含む組成物。 ７、シッフ系環状化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ＹはＣＨ、Ｎのいずれかである。）と、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｘ＿１は直接結合、−Ｏ−、−Ｎ−の中のいず
   れかである。）で表わされる末端基を少なくとも一個持
   つ化合物とを含む組成物。 ８、シッフ系環状化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ＹはＣＨ、Ｎのいずれかである。）と、少なく
   とも一個のＮ−置換不飽和イミド基を持つ化合物とを含
   む組成物。 ９、シッフ系環状化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ＹはＣＨ、Ｎのいずれかである。）と、金属粉
   および／または金属錯塩を含む組成物。 １０、シッフ系環状化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ＹはＣＨ、Ｎのいずれかである。）と、１，２
   ：５，６：９，１０−トリベンゾシクロドデカ−１，５
   ，９−トリエン−３，７，１１−トリインとを含む組成
   物。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ＴＢＣ） １１、シッフ系環状化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ＹはＣＨ、Ｎのいずれかである。）と、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿０は、少なくとも一個の芳香核を持つ基で
   ある。）で表わされるポリイミノイミダゾリジンジオソ
   とを含む組成物。 １２、シッフ系環状化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ＹはＣＨ、Ｎのいずれかである。）と、ジシア
   ンジアミド、ベンゾグアナミン、シアノフェニルジシア
   ンジアミド、２，６−ピリジンジヒドラジジソ、ビスヒ
   ドラジソの中の少なくとも一種類の化合物とを含む組成
   物。 １３、シッフ系環状化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ＹはＣＨ、Ｎのいずれかである。）と、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１及びＲ＿３はＣＨ＿３、Ｒ＿２及びＲ＿
   ４はＨである。）で表わされるアセタルダジン系化合物
   とを含む組成物。 １４、シッフ系環状化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ＹはＣＨ、Ｎのいずれかである。）と、スチリ
   ルピリジン系オリゴマとを含む組成物。 １５、シッフ系環状化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ＹはＣＨ、Ｎのいずれかである。）と、アクリ
   ロニトリルオリゴマあるいはアクリロニトリルポリマを
   含む組成物。 １６、シッフ系環状化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ＹはＣＨ、Ｎのいずれかである。）を、架橋反
   応して得られる重合体。 １７、シッフ系環状化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ＹはＣＨ、Ｎのいずれかである。）を、少なく
   とも含む組成物を、架橋反応して得られる重合体。