JPH02128131A - 圧力センサ - Google Patents

圧力センサ

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Publication number
JPH02128131A
JPH02128131A JP63280791A JP28079188A JPH02128131A JP H02128131 A JPH02128131 A JP H02128131A JP 63280791 A JP63280791 A JP 63280791A JP 28079188 A JP28079188 A JP 28079188A JP H02128131 A JPH02128131 A JP H02128131A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure
pressure sensor
differential circuit
circuit
change
Prior art date
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Pending
Application number
JP63280791A
Other languages
English (en)
Inventor
Masato Shoji
理人 東海林
Hiroyuki Hase
裕之 長谷
Masayuki Wakamiya
若宮 正行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP63280791A priority Critical patent/JPH02128131A/ja
Publication of JPH02128131A publication Critical patent/JPH02128131A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は非晶質磁性合金の磁歪効果を用いた圧力センサ
に関するものである。
従来の技術 従来、圧力変化を電気的変化に変える手段としてひずみ
ゲージを用いた圧力センサが提案されている(例えば特
開昭62−235536号公報)。第5図はこのような
圧力センサの一例の概略を示す断面図である。21は円
柱状の本体、22は圧力導入口、23は圧力を伝える圧
力室である。
24はダイアフラムで、本体21内に固定される。25
はダイアフラム24の上部に接着されたひずみゲージ、
26はひずみゲージ25と検出回路27をつなぐ中継板
である。
圧力は圧力導入口22から圧力室23に伝わり、ダイア
フラム24を押し上げる方向に応力をかける。その結果
、ダイアフラム24が歪み、ダイアフラム24の上面に
接着されたひずみゲージ25の抵抗が変化する。この抵
抗変化を検出回路27にて圧力の変化として出力する。
検出回路27の構成図を第6図に示す。第6図より、各
種検波、打消回路を用いることによって出力を得ている
ことがわかる。
上述の構成による圧力センサの出力特性を第7図に示す
。圧力に対して直線的に出力電圧が変化していることが
わかる。
発明が解決しようとする課題 上述のひずみゲージを用いて圧力の変化を得る圧力セン
サにおいては、ひずみゲージの圧力による抵抗変化が非
常に小さく、ひずみ量が数千×10−6の時の出力電圧
が数m V / V Lが得られない。このため、第7
図のごとく精度よ(圧力変化の特性を得るためには検出
回路において第6図に示すように複雑かつ高精度の回路
構成を用いる必要があり、圧力センサの小型化、低価格
化が困難であるという課題があった。
課題を解決するための手段 圧力導入口と、前記圧力導入口がら導入される圧力によ
って歪みが生じる変形部分と、圧力によって歪みが生じ
ない非変形部分とを有し、前記変形部分及び非変形部分
に磁歪を有する非晶質磁性合金を固着し、前記非晶質磁
性合金と磁気回路をなすよう前記変形部分と非変形部分
に各々透磁・率を検出する素子を設け、圧力印加にとも
なう透磁率の変化を前記2個の素子におけるインダクタ
ンスの変化として検出する圧力センサにおいて、前記2
個の素子のインダクタンスの差を、交流差動回路または
直流差動回路を含む検出回路を用いて、圧力値として出
力する構成とする。
作用 上述の構成によれば、圧力による透磁率変化がひずみゲ
ージの抵抗変化に比べ数百倍大きいため単純な回路構成
とすることができ、高精度で小型化、低価格化が可能と
なる。
実施例 実施例1 第1図は、本発明の一実施例における圧力センサの概略
を示す断面図である。1はチタン製の直径1cIl、高
さ7 cyaの円柱状の本体、2は直径0゜6cmの圧
力導入ロア3は圧力を伝える圧力室である。4は圧力に
よる変形部分で、本体1の一部分を肉厚0.2c+aに
加工しである。5は非変形部分で圧力による歪みが生じ
ないようにしである。6は本体1の変形部分4及び非変
形部分5をおおうようにエポキシ系樹脂で250℃、2
時間で接着したF e−8i −B−Cr系の正の磁歪
を有する非晶質磁性合金である。この際本体1の熱膨張
率9X10−’に比べ、非晶質磁性合金6の熱膨張率は
7.8X10−6と小さくしであるので、250℃の接
着温度から冷却する際に非晶質磁性合金6に圧縮応力が
加わり、非晶質磁性合金6の自発磁化の方向を厚み方向
に揃えることができ、感度が増加する。7はテフロン製
ボビン9のまわりに63回コイルを巻いて形成した圧力
検出コイル、8は圧力検出コイルと同構成の差動用コイ
ルである。
両者のコイルは、第2図に示す検出回路12の詳細なブ
ロック図における、発振回路13、フィルター回路14
.増幅回路15によって約10eの磁界に励磁される。
これらのコイル7.8を持つボビン9は、非晶質磁性合
金6の外周に装着される。10は45%Ni−Fe合金
よりなるヨークで、ボビン9の外周に装着される。11
は本体固定用のネジ部分で、PF3/8のピッチに加工
しである。12は検出回路である。
以下に上述の圧力センサの動作を説明する。
圧力は圧力導入口2から圧力室3に伝わり、圧力室3を
膨らませる方向に応力をかける。その結果、変形部分4
が変動し、その表面に接着された非晶質磁性合金6が変
形する。この変形により逆磁歪効果で非晶質磁性合金6
の透磁率が変化する。この変化をインダクタンスの変化
として圧力検出コイル7で検出する。この出力は、第2
図における交流差動回路に入力される。一方、差動用コ
イル8の出力も同時に交流差動回路に人力される。この
両者の差を交流差動回路16内でとり、整流回路17で
整流して出力とする。
本構成による圧力センサの出力特性図を第3図に示す。
第3図において、圧力の増加にともない出力電圧が直線
的に変化していることがわかる。
また、従来例の出力特性図である第7図と比較しても、
はぼ同等の高精度特性が得られた。一方、本構成の圧力
センサは従来例のひずみゲージ式圧力センサに比べ数百
倍以上の感度を有するため、検出回路12は第2図に示
したごと(、第6図の従来例の圧力センサの検出回路の
ように複雑かつ精密な回路構成を必要とせず大幅に単純
化でき、これに伴い圧力センサの大きさを体積比で約3
0%小型化でき、また、コストを約10分の1に抑える
ことができた。
以上の構成、動作により従来例に比べ、高精度を保った
まま小型化、低価格化が可能となる圧力センサが得られ
た。
実施例2 第4図は、本発明の第2の実施例による圧力センサの検
出回路のブロック図を示す。なお、本実施例の圧力セン
サは、第1図に示した第1の実施例の圧力センサと同じ
構成であるので、本実施例の図面及びその詳細な説明は
省略する。
以下に上述の圧力センサの動作を説明する。
圧力は圧力導入口2から圧力室3に伝わり、圧力室3を
膨らませる方向に応力をかける。その結果、変形部分4
が変動し、その表面に接着された非晶質磁性合金6が変
形する。この変形により逆磁歪効果で非晶質磁性合金6
の透磁率が変化する。この変化をインダクタンスの変化
として圧力検出コイル7で検出する。この出力は第4図
における整流回路18aに入力され、ここで直流化した
あと直流差動回路19に入力される。一方、差動用コイ
ル8の出力も第4図における整流回路、18bに入力さ
れ、直流化したあと直流差動回路19に入力される。こ
の両者の差を直流差動回路19内でとり出力とする。
本構成による圧力センサの出力特性は第3図に示した第
1の実施例における特性と同様であった。また、検出回
路自体も第1の実施例とほぼ同じ構成のため、小型化、
低価格化が第1の実施例と同様に可能となった。なお、
第4図に示すごとく、差動回路として直流差動を用いる
ことにより、2つのコイルの位相差による出力誤差を低
減することができた。
以上の構成、動作により従来例に比べ、高精度を保った
まま小型化、低価格化が可能となる圧力センサが得られ
た。
発明の効果 本発明によれば、圧力の検出手段として非晶質磁性合金
の透磁率の変化を用いることにより検出回路を単純化す
ることができ、圧力センサの小型化、低価格化が可能で
あるという効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の圧力センサの断面図、第2
図は同圧力センサの検出回路ブロック図、第3図は同圧
力センサの出力特性図、第4図は同圧力センサの検出回
路ブロック図、第5図は従来例の圧力センサの断面図、
第6図は同圧力センサの検出回路ブロック図、第7図は
同圧力センサの出力特性図である。 1.21・・・本体、2.22・・・圧力導入口、3.
23・・・圧力室、4・・・変形部分、5・・・非変形
部分、6・・・非晶質磁性合金、7・・・圧力検出コイ
ル、8・・・差動用コイル、9・・・ボビン、10・・
・ヨーク、11・・・固定用ネジ、12.27・・・検
出回路、24・・・ダイアプラム、25・・・ひずみゲ
ージ、26・・・中継板。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名第 図 第 図 第 図 涯 カ (槁62) 第 図 第 図 第 図 B汐

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 圧力導入口と、前記圧力導入口から導入される圧力によ
    って歪みが生じる変形部分と、圧力によって歪みが生じ
    ない非変形部分とを有し、前記変形部分及び非変形部分
    に磁歪を有する非晶質磁性合金を固着し、前記非晶質磁
    性合金と磁気回路をなすよう前記変形部分と非変形部分
    に各々透磁率を検出する素子を設け、圧力印加にともな
    う透磁率の変化を前記2個の素子におけるインダクタン
    スの変化として検出する圧力センサにおいて、前記2個
    の素子のインダクタンスの差を、交流差動回路または直
    流差動回路を含む検出回路を用いて、圧力値として出力
    することを特徴とする圧力センサ。
JP63280791A 1988-11-07 1988-11-07 圧力センサ Pending JPH02128131A (ja)

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JP63280791A JPH02128131A (ja) 1988-11-07 1988-11-07 圧力センサ

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6230736A (ja) * 1985-04-08 1987-02-09 Takeda Chem Ind Ltd ベンゾキノン誘導体
JPS62228927A (ja) * 1986-03-31 1987-10-07 Nippon Kuatsu Syst Kk 圧力センサ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6230736A (ja) * 1985-04-08 1987-02-09 Takeda Chem Ind Ltd ベンゾキノン誘導体
JPS62228927A (ja) * 1986-03-31 1987-10-07 Nippon Kuatsu Syst Kk 圧力センサ

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