JPH0212834A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0212834A JPH0212834A JP63164059A JP16405988A JPH0212834A JP H0212834 A JPH0212834 A JP H0212834A JP 63164059 A JP63164059 A JP 63164059A JP 16405988 A JP16405988 A JP 16405988A JP H0212834 A JPH0212834 A JP H0212834A
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- JP
- Japan
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- region
- conductivity type
- type
- epitaxial layer
- emitter
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 5
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- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
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- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置、
に関するものである。
特にトランジスタの構造
〔従来の技術〕
第２図に示すように従来半導体集積回路に用いられるこ
の種のトランジスタは、一導電型半導体基板の上に他の
導電型のエピタキシャル層を有し、前記エピタキシャル
層内に基板より電気的に、分離される様に、前記一導電
型のベース領域のみを有し、該ベース領域内に前記他の
導電型のエミッタ領域を有する構造となっていた。
の種のトランジスタは、一導電型半導体基板の上に他の
導電型のエピタキシャル層を有し、前記エピタキシャル
層内に基板より電気的に、分離される様に、前記一導電
型のベース領域のみを有し、該ベース領域内に前記他の
導電型のエミッタ領域を有する構造となっていた。
上述した従来の構造のトランジスタはベース領域の濃度
が均一であり、層抵抗が一定であるため大電流になると
ベースの横方向の電位の傾きにより、エミッタ中央と端
に電位差が生じ、電流がエミッタ端部に集中し、有効エ
ミッタ面積が低下するため電流増幅率（以下ｈｙｘ）が
低くなるという欠点がある。
が均一であり、層抵抗が一定であるため大電流になると
ベースの横方向の電位の傾きにより、エミッタ中央と端
に電位差が生じ、電流がエミッタ端部に集中し、有効エ
ミッタ面積が低下するため電流増幅率（以下ｈｙｘ）が
低くなるという欠点がある。
本発明は、大電流時のｈＰ２の減少を抑えるため、エピ
タキシャル層内のベース領域においてエミッタ中央直下
のベース濃度よりもベースコンタクト側のベース濃度を
高くしエミッタ直下に濃度勾配をつけることにより、ベ
ースコンタクト側の抵抗を小さくできエミッタ中央と端
の電位差を少なくするものである。
タキシャル層内のベース領域においてエミッタ中央直下
のベース濃度よりもベースコンタクト側のベース濃度を
高くしエミッタ直下に濃度勾配をつけることにより、ベ
ースコンタクト側の抵抗を小さくできエミッタ中央と端
の電位差を少なくするものである。
以下本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例の構造断面図である。第１
図に示すようにＰ型基板１表面よりＮ＋型不純物をイオ
ン注入してＮ＋型埋込層２を形成する。次にＰ型基板１
表面よりＰ＋型不純物を拡散し、Ｐ＋型埋込層３を形成
する。次にＮ型エピタキシャル層４を成長させた後、エ
ピタキシャル層４０表面より、Ｐ＋型不純物を拡散し、
Ｐ＋型絶縁分離領域５と第１ベース領域６（例えばρ８
＝２００Ω／口とする）を形成する。次にＰ＋型不純物
を拡散し、第２ベース領域１３を形成する。この時第２
ベース領域１３は、第１ベース領域６と連続し、第１ベ
ース領域６に比して高濃度（低抵抗例えばρ、＝１００
Ω／口）とする。次にＰ＋型第１ベース領域６と第２ベ
ース領域１３の表面で連続し、接した部分に、Ｎ”型不
純物を拡散し、エミッタ領域７を形成し同時にエピタキ
シャル層４の表面にコンタクト領域８を形成する。次に
エミッタ、ベースコレクタの各領域の所定コンタクト開
口領域を酸化膜９を、エツチングして各電極パターン１
０，１．１．１２を形成する。このようにしてＮＰＮ）
ランジスタを製造する。
図に示すようにＰ型基板１表面よりＮ＋型不純物をイオ
ン注入してＮ＋型埋込層２を形成する。次にＰ型基板１
表面よりＰ＋型不純物を拡散し、Ｐ＋型埋込層３を形成
する。次にＮ型エピタキシャル層４を成長させた後、エ
ピタキシャル層４０表面より、Ｐ＋型不純物を拡散し、
Ｐ＋型絶縁分離領域５と第１ベース領域６（例えばρ８
＝２００Ω／口とする）を形成する。次にＰ＋型不純物
を拡散し、第２ベース領域１３を形成する。この時第２
ベース領域１３は、第１ベース領域６と連続し、第１ベ
ース領域６に比して高濃度（低抵抗例えばρ、＝１００
Ω／口）とする。次にＰ＋型第１ベース領域６と第２ベ
ース領域１３の表面で連続し、接した部分に、Ｎ”型不
純物を拡散し、エミッタ領域７を形成し同時にエピタキ
シャル層４の表面にコンタクト領域８を形成する。次に
エミッタ、ベースコレクタの各領域の所定コンタクト開
口領域を酸化膜９を、エツチングして各電極パターン１
０，１．１．１２を形成する。このようにしてＮＰＮ）
ランジスタを製造する。
以上説明したように本発明は、ベース領域において、第
１ベース領域６と第２ベース領域１３を連続して形成し
、ベースコンタクト側の第２ベース領域１３の濃度を第
１ベース領域６に比して高くすることにより、ベースコ
ンタクト側の抵抗を小さくし、エミッタ中央と端の電位
差を小さくでき、エミッタ端部に電流が集中するのを防
いでいる。このことにより有効エミッタ面積が従来より
大きくなり、大電流時のｈｐｘの低下を抑制できるとい
う効果がある。
１ベース領域６と第２ベース領域１３を連続して形成し
、ベースコンタクト側の第２ベース領域１３の濃度を第
１ベース領域６に比して高くすることにより、ベースコ
ンタクト側の抵抗を小さくし、エミッタ中央と端の電位
差を小さくでき、エミッタ端部に電流が集中するのを防
いでいる。このことにより有効エミッタ面積が従来より
大きくなり、大電流時のｈｐｘの低下を抑制できるとい
う効果がある。
第１図は、本発明の一実施例の構造断面図であり、第２
図は従来例の構造断面図である。 １・・・・・・Ｐ型基板、２・・・・・・Ｎ＋型埋込層
、３・・・・・・Ｐ＋型埋込層、４・・・・・・Ｎ型エ
ピタキシャル層、５・・・・・・Ｐ″）型絶縁分離領域
、６・・・・・・Ｐ＋型第１ベース領域、６′・・・・
・・Ｐ＋型ベース領域、７・・・・・・Ｎ＋型エミッタ
領域、８・・・・・・Ｎ＋型コレクタコンタクト領域、
９・・・・・・酸化膜、１０・・・・・・コレクタ電極
パターン、１１・・・・・・エミッタ電極パターン、１
２・・・・・・ベース電極パターン、１３・・・・・・
Ｐ＋型第２ベース領域。 代理人 弁理士 内 原 晋
図は従来例の構造断面図である。 １・・・・・・Ｐ型基板、２・・・・・・Ｎ＋型埋込層
、３・・・・・・Ｐ＋型埋込層、４・・・・・・Ｎ型エ
ピタキシャル層、５・・・・・・Ｐ″）型絶縁分離領域
、６・・・・・・Ｐ＋型第１ベース領域、６′・・・・
・・Ｐ＋型ベース領域、７・・・・・・Ｎ＋型エミッタ
領域、８・・・・・・Ｎ＋型コレクタコンタクト領域、
９・・・・・・酸化膜、１０・・・・・・コレクタ電極
パターン、１１・・・・・・エミッタ電極パターン、１
２・・・・・・ベース電極パターン、１３・・・・・・
Ｐ＋型第２ベース領域。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 一導電型半導体基板上に形成された他の導電型エピタキ
シャル層を有し、前記エピタキシャル層内に、基板より
電気的に分離される様に、前記一導電型の第１の領域と
、該第１の領域に比して高濃度の前記一導電型の第２の
領域を連続して形成し、前記エピタキシャル層内に、前
記他の、導電型の第３領域を形成し、前記第１、第２領
域の重なった部分の上に前記他の導電型の第４領域を有
することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63164059A JPH0212834A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63164059A JPH0212834A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0212834A true JPH0212834A (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=15786003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63164059A Pending JPH0212834A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0212834A (ja) |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP63164059A patent/JPH0212834A/ja active Pending
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