JPH02128407A - フライバックトランス - Google Patents

フライバックトランス

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JPH02128407A
JPH02128407A JP63281829A JP28182988A JPH02128407A JP H02128407 A JPH02128407 A JP H02128407A JP 63281829 A JP63281829 A JP 63281829A JP 28182988 A JP28182988 A JP 28182988A JP H02128407 A JPH02128407 A JP H02128407A
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winding
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insulating sheet
primary winding
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Masusaku Okumura
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はフライバックトランスに関する。
〔従来技術〕
フライバックトランスlは、一般的には、第15図に示
すように、1次巻線PCに磁気結合された複数の2次巻
線SCIないしSC4を含み、2次巻線SCIないしS
Cd間にはそれぞれ整流ダイオードDIないしD4が接
続される。そして、1次巻線PCには、別の回路基板上
に配置されたトランジスタTr、ダンパダイオードDd
、共振コンデンサCpおよび直流電源Eなどで構成され
るパルス発生回路2が接続される。
このような従来のフライバックトランス1としては、一
般的に、第16A図および第16B図に示すように2次
巻線SCIないしSC4をつば付きボビン3に巻回した
、分割から巻きタイプのものや、第17A図および第1
7B図に示すようにそれぞれの2次巻線SCIないしS
C4を1次巻線PCの上から順に積層的に巻回した、分
割平巻きタイプのものがあった。
フライバックトランス1においては、電圧変動率が可及
的小さいことが望まれる。
この電圧変動率を改善する従来の方法として、可飽和リ
アクトル型、可変容量型または供給電圧制御型などがあ
った。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、いずれの方法においても別回路をさらに付加す
るというものであり、コストが高くなるとともに、スペ
ースをとってしまう。
可飽和リアクトル型および可変容量型においてはパルス
幅が変動し、また給電圧制御型においては3次電圧がそ
れぞれ変動してしまうので、フライバックトランスの出
力を他の電源として使用する場合、その電源としての機
能に影響を与えるという問題点があった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、より簡単に電圧
変動率が改善できる、フライバックトランスを提供する
ことである。
〔課題を解決するための手段〕
この発明は、簡単にいえば、長尺の第1の絶縁シート、
第1の絶縁シートの一方面にその長手方向に延びて形成
される第1の導体、第1の導体に取り付けられる2つの
第1の端子、第1の絶縁シート上に積層される第2の絶
縁シート、第2の絶縁シートの一方面に形成される第2
の導体、第2の導体の中央からずれた箇所に取り付けら
れる第2の端子を含み、第1および第2の絶縁シートを
積層した状態で巻回することによって形成される巻回体
を備え、第1の導体によって2つの第1の端子間に1次
巻線が形成され、かつ第1および第2の導体の間に1次
巻線に接続されたLC分布定数型の共振コンデンサが形
成され、さらに巻回体の上に配置される2次巻線を備え
る、フライバックトランスである。
〔作用〕
一般的に、フライバックトランスにおいては、その電圧
変動率は、それぞれ以下に示す整流ダイオードによる順
方向電圧降下Vf、1次巻線および2次巻線の巻線抵抗
による電圧降下Vrおよび漏れリアクタンスによる電圧
降下Vxのベクトル和によって決定される。
Vf−Vd+(Raxlp) Vr=IpXRc Vx=ωL6 X I p ただし、■d :定数 Rd :定数 Ip  :2次巻線のピーク電流 Rc :巻線抵抗 ωL、:漏れリアクタンス である。
そこで、この発明はVf、VrおよびVxのすべてに関
係するピーク電流Ipを減少させることによって、電圧
変動率を改善しようとするものである。
第2の端子を第2の導体の中央からずれた箇所に取り付
けると、第1および第2の導体の間には1次巻線に接続
されたLC分布定数型の共振コンデンサが形成される。
このように、共振コンデンサをLC分布定数型とするこ
とによって、合成1次パルス波形が矩形波に近位し、そ
れによって、2次巻線を流れるピーク電流IPが小さく
なる。
〔発明の効果〕
この発明によれば、ピーク電流を小さくしてダイオード
の順方向電圧降下Vr、巻線抵抗による電圧降下Vrお
よび漏れリアクタンスによる電圧降下Vxを小さ(する
ことによって電圧変動率を改善するようにしているので
、従来のいずれの方法に比べても、別回路を付加する必
要がなく、コストが高くなることがない。すなわち、第
2の端子の取り付は箇所をずらすだけでピーク電流を小
さくできるので、回路構成の変更を要しない。
さらに、ピーク電流が抑制されるので、それに起因する
ノイズが小さくなるとともに、整流ダイオードとして定
格の小さいダイオードを使用することができ、−層安価
になる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
〔実施例〕
第1図および第2A図ならびに第2B図を参照して、こ
の実施例のフライバックトランス10はフィルム巻回体
12を含む。
このフィルム巻回体12は、第3図に示すように、長尺
の第1および第2の絶縁シート14および16を含み、
これら第1および第2の絶縁シート14および16はそ
れぞれたとえばポリエステルフィルムなどからなる。第
1の絶縁シート14の上面には、その長手方向に連続的
に延びて、たとえばアルミニウムまたは銅などの良導電
性金属からなる導体箔18が貼り付けられる。第2の絶
縁シート16の上面にも、その長さ方向の接地端子側に
、同様の導体箔20が貼り付けられる。
第1の絶縁シート14上の導体箔18の両端部には、そ
れぞれ別の導体箔22をたとえばスポラト溶接で固着す
ることによって、第1の端子24aおよび24bが取り
付けられる。すなわち、第1の端子24aおよび24b
は、それぞれ略長方形の導体箔22の端部が折り返され
てスポット溶接が施されている部分に挟まれ、導体箔2
2と一体固定される。
また、第2の絶縁シート16上の第2の導体箔20の長
さ方向の中央からずれた箇所、この実施例では端部に、
同様に、別の導体箔26によって第2の端子28が取り
付けられる。すなわち、第2の端子28は、第2の導体
箔20と導体箔26との間に挟まれて、スポット溶接な
どによって一体固定される。
このように形成された第1および第2の絶縁シート14
および16を積層した後、第4図に示すように、第2の
絶縁シート16の上面の第2の導体箔20が内側になる
ように、第1および第2の絶縁シート14および16を
円筒状に巻きつけてフィルム巻回体12が形成される。
このフィルム巻回体12においては、第5A図および第
5B図に示すように、第1の端子24aおよび24bな
らびに第2の端子28がともにフィルム巻回体12の一
方端面に露出する。
なお、第3図、第4図、第5A図および第5B図に示す
フィルム巻回体12において、第1および第2の導体箔
18および20は、蒸着やめつき等によっても形成され
得る。
このようにして形成されるフィルム巻回体12は第1の
導体ff118によって、第1の端子24aおよび24
bの間に、第1図に示す1次巻線Pcが形成される。し
たがって、これら第1の端子24aおよび24bの間の
距離が1次巻線Pcのインダクタンスに影響を与える。
そのため、第1の端子24aおよび24bの取付位置を
変更するだけで、1次巻線Pcのインダクタンスの大き
さを適当に調整できる。
このような1次巻線Pcのインダクタンスは第1の導体
箔18をその幅方向に複数に分割して細長い平行導体と
し、それらを第1の端子24aおよび24b間に直列接
続すれば、より大きな僅にすることができる。このよう
にして、1次巻線の巻数(インダクタンス)と取付容量
をコントロールする。
また、フィルム巻回体12において、第1および第2の
導体9i1Bおよび200間には、誘電体である第2の
絶縁シート16が介在し、さらに、第2の端子28が第
2の導体箔20の長さ方向の端部に取り付けられている
ため、LC分布定数型の静電容量が形成される。このL
C分布定数型の静電容量が第1図に示す共振コンデンサ
CPとして作用する。すなわち、第1および第2の導体
箔18および20で形成される共振コンデンサCpは、
等価的に、その一方電極が第2の端子28に接続されか
つ他方電極が1次巻線Pcに接続される。したがって、
外部回路において(または内部においてでもよい)、第
1の端子24aと第2の端子28とを接続すれば、1次
巻線Pcに対して共振コンデンサCpが並列接続される
。この共振コンデンサcpの容量は、第1および第2の
導体箔18および20の対向面積や第2の絶縁シート1
6の誘電率等の他、第2の端子28の取付位置によって
適宜調整できる。
なお、この実施例のように、第2の導体20上の、中央
にではなく、端部に偏在させて第2の端子28を取り付
けることにより、共振コンデンサCpがLC分布定数と
して形成されるが、これは第2の導体20に残留インダ
クタンスが生じるからである。すなわち、もし、中央に
取りつ付けると、第2の導体20上にはその中央の第2
の端子28を挟んで逆方向の電流が流れ、それによって
残留インダクタンスが相殺され、結果的に共振コンデン
サは集中定数として形成される。これに対して、この実
施例では、共振コンデンサCpはLC分布定数として形
成される。したがって、第2の端子28の取り付は位置
を変更することによって、共振コンデンサcpおよび残
留インダクタンスの値を調整できる。
第2A図および第2B図に戻って、先に述べたフィルム
巻回体12上に、2次巻線SCIないしSC4が順次積
層的に配置される。
この2次巻線SCIないしSC4としては、好ましくは
、第6A図および第6B図に示すめっきコイル30が用
いられる。めっきコイル3oは、たとえばノリル、ポリ
カーボネイトまたはポリイミドなどの絶縁性樹脂によっ
て筒状に形成される中空のボビン32を含み、ボビン3
2の外表面上には螺旋状の導体34が形成される。この
導体34は、たとえば第7図に示すように、ニッケルの
無電解めっき層36.銅の電解めっき層38およびクロ
ムの電解めっき層40が積層された3層構造を有する。
このような螺旋状の導体34ば、ボビン32の外表面全
面に第7図のような3層構造からなる導体34を形成し
、その後たとえばレーザ等により螺旋状のスリット42
を形成することによって形成される。なお、導体34の
始端および終端部分は、接続端子44aおよび44bと
して用いられる。
それぞれボビン径の異なる4種類のめっきコイル30を
準備し、フィルム巻回体12に順次嵌め込むことによっ
て第1図および第2A図ならびに第2B図に示すような
、フライバックトランス10が得られる。
そして、第1図および第2A図ならびに第2B図に示す
ように、各2次巻線SCIないしSC4のそれぞれの間
に、上述の接続端子44aおよび44bを利用して整流
ダイオードDIないしD4が接続されている。
なお、上述の実施例では2次巻線SCIないしSC4と
してめっきコイル30を用いたが、めっきコイルではな
く第16A図および第1.6 B図や第17A図および
第17B図で示す従来と同様の2次巻線が巻かれてもよ
いことは勿論である。
このようにして得られたフライバックトランス10にお
いて、共振コンデンサCpがLC分布定数型として形成
されるので、合成1次パルス波形は、第12A図に示す
従来の正弦半波から、第12B図に示すような矩形波に
近い波形になる。これに伴って、2次巻線に流れる電流
は、第13A図に示す従来の導通角Tonlが狭くかつ
ピーク値1plが大きい波形ではなく、第13B図に示
すような導通角Ton2が比較的広くかつピーク値Ip
2が比較的小さい矩形波となる。
したがって、ピーク電流1pが従来に比べて、小さくな
り、そのピーク電流rpの大きさに依存するダイオード
の順方向電圧降下Vf、巻線祇抗による電圧降下Vrお
よび漏れリアクタンスによる電圧降下■!の全てを小さ
くすることができ、その結果、電圧変動率を第14図の
線りで示すように改善することができる。
ちなみに、第14図における線Aは従来のフライバック
トランスの電圧変動率を示す。
次に、第8図を参照して、この実施例の他のフライバッ
クトランス10は、2つのフィルム巻回体12aおよび
12bを含む。
フィルム巻回体12aおよび12bは、第3図に示すフ
ィルム巻回体12と同様にして構成できるので、ここで
はその詳細な説明は省略する。
この実施例では、第9A図および第9B図に示すように
、まず、フィルム巻回体12aを準備する。その上に、
2次巻線SC1ないしSC4を順次積層的に配置する。
2次巻線SCIないしSC4としては、第6A図および
第6B図図示のめっきコイル30が利用される。その後
、最上層の2次巻線SC4の上に絶縁シート46が巻か
れ、その上にフィルム巻回体12bが巻回される。 。
なお、第9A図および第9B図においても、先の第2A
図および第2B図あるいは後述の第1IA図および第1
1B図と同じように、各フィルム巻同体の第1および第
2の端子は図面の複雑化を避けるため、図示が省略され
ていることに留意されたい。
このようにして構成されたフライバックトランス10で
は、2つの1次巻線PCIおよびPC2が並列駆動され
る。
この実施例のフライバックトランス10において、2つ
の共振コンデンサCplおよびCp2のLC分布定数を
それぞれ異なる値に設定することによって、第12C図
に示すように、それぞれの合成パルス波形の中心時間を
それぞれTIおよびT2とずらせ、全体として、より矩
形波に近い波形にする。これに伴って、2次巻線に流れ
る電流は、第13C図に示すように、さらに広い導通角
Ton3を有しかつより小さいピーク値1p3を有する
波形となる。
なお、この実施例では、2次巻線SCIないしSC4が
2つのフィルム巻回体12aおよび12bで挟まれるの
で、1次巻線PCIおよびPC2と2次巻線SC1ない
しSC4の間の磁気結合が密になる。そのため、2次漏
れ磁束すなわち2次漏れインダクタンスを減少すること
ができる。
その結果、この実施例のフライバックトランス10の電
圧変動率は、第14図の線Eで示すように、さらに改善
される。
ちなみに、第14図の線Bは1次巻線が2分割されてい
るが、それぞれの共振コンデンサが集中定数型として形
成されかつ共振周波数が等しく設定されている場合を示
す。
第10図を参照して、この実施例のフライバックトラン
ス10は3つのフィルム巻回体12a。
12bおよび12cを含む。これらのフィルム巻同体1
2a、12bおよび12cは、第3図に示すフィルム巻
回体12と同様にして構成できるので、ここではその詳
細な説明は省略する。
この実施例では、第11A図および第11B図に示すよ
うに、まず、フィルム巻回体12aを準備する。その上
に、2次巻線SCIおよびSC2が順次積層的に配置さ
れる。2次巻線SCIおよびSC2としては、第6A図
および第6B図図示のめっきコイル30が利用される。
そして、2次巻線SCIおよびSC2の上には、絶縁シ
ート461を介して、フィルム巻回体12bが巻回され
る。そのフィルム巻回体12b上には、さらに、2次巻
線SC3およびSC4が積層的に配置される。2次巻線
SC3およびSC4の上には、絶縁シート462を介し
て、フィルム巻回体12cが巻回される。
この実施例では、2次巻線SCIないしSC4は、それ
ぞれ、2つのめっきコイルによって形成される。したが
って、2次巻線SCIないしSC4は、それぞれ、第1
0図に示すように、2つのコイルが並列接続された形に
なる。このように2つのコイルの並列接続を用いること
によって、2次巻線SCIないしSC4の直流抵抗を下
げ、電流容量を大きくすることができる。また、並列さ
れている各コイルの一方が故障しても続けて運転できる
この実施例のフライバックトランス10において、3つ
の1次巻線Pct、PC2およびPC3が並列駆動され
る。
この実施例においては、3つの共振コンデンサCpl、
Cp2およびcpaのLC分布定数をそれぞれ異なる値
に設定することによって、第12D図に示すように、合
成パルス波形の中心時間をそれぞれTI、T2およびT
3とずらせ、全体としてさらに矩形波に近い波形とする
。これに伴って、2次巻線に流れる電流は、第13D図
に示すように、−層広い導通角Ton4を有しかつ一層
小さいピーク電流Ip4を有する波形となる。
その結果、この実施例のフライバックトランス10の電
圧変動率は、第14図の線Fで示すようにさらに改善さ
れる。
ちなみに、第14図の線Cは1次巻線が3分割されてい
るが、それぞれの共振コンデンサが集中定数型として形
成されかつ共振周波数が等しく設定されている場合を示
す。
なお、第9A図および第9B図ならびに第1IA図およ
び第11B図に示す実施例においても、2次巻線は、第
16A図および第16B図ならびに第17A図および第
17B図に示す、従来のものが用いられてもよい。
また、分割された1次巻線PCI、PC2(およびPC
3)は、必ずしも並列駆動される必要はなく、直列駆動
されるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す結線図である。 第2A図および第2B図はこの実施例の構造を示す図解
図であり、第2A図は一部破断正面図、第2B図は一部
省略右側面図である。 第3図はこの実施例のフィルム巻同体の絶縁シ一トを展
開的に示す斜視図である。 第4図は第3図に示す第1および第2の絶縁シートを重
ね合わせて巻き込む状態を示す図解図である。 第5A図および第5B図は第1および第2の絶縁シート
を巻回したフィルム巻回体を示す図解図であり、第5A
図は一部破断正面図、第5B図は右側面図を示す。 第6A図および第6B図は2次巻線として用いられるめ
っきコイルを示す図解図であり、第6A図は正面図、第
6B図は側面図を示す。 第7図は第6図に示すめっきコイルの導体部分を示す拡
大断面図である。 第8図はこの発明の他の実施例を示す結線図である。 第9A図および第9B図はこの実施例の構造を示す図解
図であり、第9A図は一部破断正面図であり、第9B図
は一部省略右側面図である。 第10図はこの発明の他の実施例を示す結線図である。 第11A図および第11B図はこの実施例の構造を示す
実施例を示す図解図であり、第11A図は一部破断正面
図、第11B図は一部省略右側面図である。 第12A図ないし第12D図は合成1次パルス波形図で
あり、第12A図は従来技術の波形図、第12B図は第
1図実施例の波形図、第12C図は第8図実施例の波形
図、第12D図は第10図実施例の波形図である。 ゛ 第13A図ないし第13D図は2次電流の波形図であり
、第13A図は従来技術の波形図、第13B図は第1図
実施例の波形図、第13C図は第8図実施例の波形図、
第13D図は第10図実施例の波形図である。 第14図は各実施例の電圧変動率を比較例とともに示す
グラフである。 第15図は従来のフライバックトランスを示す結線図で
ある。 第16A図および第16B図は分割から巻きタイプの従
来のフライバックトランスの構造を示す図解図であり、
第16A図は一部破断圧面図、第16B図は一部省略右
側面図である。 第17A図および第17B図は分割平巻きタイプの従来
のフライバックトランスの構造を示す図解図であり、第
17A図は一部破断正面図、第17B図は一部省略右側
面図を示す。 図において、10はフライバックトランス、12.12
a、12b、12cはフィルム巻同体、14は第1の絶
縁シート、16は第2の絶縁シート、18は第1の導体
箔、20は第2の導体箔、24a、24b、24al、
24a2.24a324bl、24b2,24b3は第
1の端子、28.281,282,283は第2の端子
、30はめっきコイル、PC,Pct、PC2,PC3
は1次巻線、Cp、CPI、Cp2.Cp3は共振コン
デンサ、SCIないしSC4は2次巻線を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 山 1) 義 人 区 ト 転 区 αコ 法 法 第15 図 第16A図 第168図 第17A図 第17B図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 長尺の第1の絶縁シート、前記第1の絶縁シートの
    一方面にその長手方向に延びて形成される第1の導体、
    前記第1の導体に取り付けられる2つの第1の端子、前
    記第1の絶縁シート上に積層される第2の絶縁シート、
    前記第2の絶縁シートの一方面に形成される第2の導体
    、前記第2の導体の中央からずれた箇所に取り付けられ
    る第2の端子を含み、前記第1および第2の絶縁シート
    を積層した状態で巻回することによって形成される巻回
    体を備え、 前記第1の導体によって前記2つの第1の端子間に1次
    巻線が形成され、かつ前記第1および第2の導体の間に
    前記1次巻線に接続されたLC分布定数型の共振コンデ
    ンサが形成され、 前記巻回体の上に配置される2次巻線をさらに備える、
    フライバックトランス。 2 前記巻回体は、それぞれ複数組の、前記第1の絶縁
    シート、前記第1の導体、前記2つの第1の端子、前記
    第2の絶縁シート、前記第2の導体、および前記第2の
    端子を含む、請求項1記載のフライバックトランス。
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