JPH02128463A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH02128463A JPH02128463A JP28184288A JP28184288A JPH02128463A JP H02128463 A JPH02128463 A JP H02128463A JP 28184288 A JP28184288 A JP 28184288A JP 28184288 A JP28184288 A JP 28184288A JP H02128463 A JPH02128463 A JP H02128463A
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- Japan
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- circuit
- pull
- terminal
- bid
- integrated circuit
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、製品検査を容易に行なえる半導体集積回路装
置に関する。
置に関する。
[従来の技術]
従来の半導体集積回路装置で用いられているプルアップ
抵抗付き双方向入出力(以下BIDと略す)回路は、第
3図(a)(b)の様な構造になっている。ここでBI
D制御端子31にローレベルの電位をあたえてトランジ
スタ34と36を同時にオフ状態にすることにより、こ
の回路は入力回路として動作する。逆に31にハイレベ
ルの電位をあたえるとトランジスタ34と36はともに
オン状態となり、出力回路として動作する。プルアップ
電源32とプルアップ抵抗33は、B10回路が入力回
路として動作しかつ外部BID端子37が外部に対し開
放状態であるときに、外部BID端子37をハイレベル
に保つ働きをするものである。
抵抗付き双方向入出力(以下BIDと略す)回路は、第
3図(a)(b)の様な構造になっている。ここでBI
D制御端子31にローレベルの電位をあたえてトランジ
スタ34と36を同時にオフ状態にすることにより、こ
の回路は入力回路として動作する。逆に31にハイレベ
ルの電位をあたえるとトランジスタ34と36はともに
オン状態となり、出力回路として動作する。プルアップ
電源32とプルアップ抵抗33は、B10回路が入力回
路として動作しかつ外部BID端子37が外部に対し開
放状態であるときに、外部BID端子37をハイレベル
に保つ働きをするものである。
[発明が解決しようとする課題]
しかし上記のプルアップ抵抗付きB10回路では、BI
D制御端子31にハイレベルの電位があたえられてB1
0回路が出力状態にあるときに、出力38にハイレベル
の電位があたえられると、トランジスタ35と36が同
時にオン状態となるため、プルアップ電源32からプル
アップ抵抗33、トランジスタ35.36を通って接地
へと電流が流れてしまう。C−MO3型半導体集積回路
装置においては、一般に信号の変化のない動作停止時に
は電源電流はほとんど流れないという特長があり、製造
後の製品検査ではこの動作停止時の電源電流を測定する
ことで、トランジスタが正しく作られているか否かの判
断材料の一つとしている。したがって、動作停止時にも
電流が流れるこのような状態においては製品検査は極め
て困難となり、製品の信頼性の保証が難しくなる。
D制御端子31にハイレベルの電位があたえられてB1
0回路が出力状態にあるときに、出力38にハイレベル
の電位があたえられると、トランジスタ35と36が同
時にオン状態となるため、プルアップ電源32からプル
アップ抵抗33、トランジスタ35.36を通って接地
へと電流が流れてしまう。C−MO3型半導体集積回路
装置においては、一般に信号の変化のない動作停止時に
は電源電流はほとんど流れないという特長があり、製造
後の製品検査ではこの動作停止時の電源電流を測定する
ことで、トランジスタが正しく作られているか否かの判
断材料の一つとしている。したがって、動作停止時にも
電流が流れるこのような状態においては製品検査は極め
て困難となり、製品の信頼性の保証が難しくなる。
また、プルダウン抵抗付きのBID回路でも、同様の問
題を有している。
題を有している。
そこで、本発明はこのような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、製品検査を容易に行なえ、信
頼性を容易に保証できる半導体集積回路装置を提供する
ところにある。
その目的とするところは、製品検査を容易に行なえ、信
頼性を容易に保証できる半導体集積回路装置を提供する
ところにある。
[課題を解決するための手段1
本発明の半導体集積回路装置は、プルアップ抵抗あるい
はプルダウン抵抗を具備した双方向入出力端子を有する
半導体集積回路装置において、プルアップ抵抗あるいは
プルダウン抵抗を遮断する回路と、モード切り換え機能
を有する外部入力端子を備えることを特徴とする。
はプルダウン抵抗を具備した双方向入出力端子を有する
半導体集積回路装置において、プルアップ抵抗あるいは
プルダウン抵抗を遮断する回路と、モード切り換え機能
を有する外部入力端子を備えることを特徴とする。
[イ乍 用]
本発明の上記の構成によれば、通常使用時にはプルアッ
プ抵抗はBID回路に接続され、従来のプルアップ抵抗
付きBID回路と同様の動作を行なう。一方、製品検査
のために動作停止時の電源電流を測定するときには、モ
ード切り換え端子からの制御によってプルアップ抵抗な
りID回路から電気的に遮断してしまうため、いかなる
状態においてもプルアップ抵抗に電流が流れることはな
い。つまり測定される電源電流は半導体集積回路装置を
構成しているトランジスタの電流遮断能力を正確に表わ
せるようになる。
プ抵抗はBID回路に接続され、従来のプルアップ抵抗
付きBID回路と同様の動作を行なう。一方、製品検査
のために動作停止時の電源電流を測定するときには、モ
ード切り換え端子からの制御によってプルアップ抵抗な
りID回路から電気的に遮断してしまうため、いかなる
状態においてもプルアップ抵抗に電流が流れることはな
い。つまり測定される電源電流は半導体集積回路装置を
構成しているトランジスタの電流遮断能力を正確に表わ
せるようになる。
〔実 施 例]
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第1
図は本発明の半導体集積回路装置のブロック図である。
図は本発明の半導体集積回路装置のブロック図である。
1は外部BID端子、2はBID回路、3はプルアップ
回路、4はプルアップ回路3とBID回路3の間を導通
および遮断する遮断回路、5は遮断回路4を制御するモ
ード切り換え端子、6は論理回路である。プルアップ回
路はプルダウン回路に置き換えることもできる。また、
モード切り換え端子は4の遮断回路に専用のむのを設け
てもよいが、他の目的のために設けられている複数の入
力端子の組み合わせで遮断回路が動作するような構成に
すれば、入力端子の数を節約することができる。
回路、4はプルアップ回路3とBID回路3の間を導通
および遮断する遮断回路、5は遮断回路4を制御するモ
ード切り換え端子、6は論理回路である。プルアップ回
路はプルダウン回路に置き換えることもできる。また、
モード切り換え端子は4の遮断回路に専用のむのを設け
てもよいが、他の目的のために設けられている複数の入
力端子の組み合わせで遮断回路が動作するような構成に
すれば、入力端子の数を節約することができる。
第2図(a)は第1図のブロック図の論理回路6以外の
部分をトランジスタで組んだ1例であり、これを論理記
号を用いて表わしたものが第2図(b)である。第2図
(a)において11は外部BID端子、12はBID回
路で、13および14のトランジスタで入力用インバー
タを、15.16.17および18のトランジスタで出
力用のクロックドインバータを構成している。
部分をトランジスタで組んだ1例であり、これを論理記
号を用いて表わしたものが第2図(b)である。第2図
(a)において11は外部BID端子、12はBID回
路で、13および14のトランジスタで入力用インバー
タを、15.16.17および18のトランジスタで出
力用のクロックドインバータを構成している。
19はプルアップ回路で、プルアップ電源20とプルア
ップ抵抗21からなっている。22は遮断回路で、Pチ
ャンネル型電界効果トランジスタを使用している。
ップ抵抗21からなっている。22は遮断回路で、Pチ
ャンネル型電界効果トランジスタを使用している。
ここで、モード切り換え端子23にローレベルの電位を
あたえると遮断回路22のトランジスタはオン状態とな
り、プルアップ回路19とBID回路12は電気的に接
続され、第3図(a)(b)の従来のプルアップ抵抗付
きBID回路と全く同等のものとなる。通常の使用時に
はこの状態で用いる。
あたえると遮断回路22のトランジスタはオン状態とな
り、プルアップ回路19とBID回路12は電気的に接
続され、第3図(a)(b)の従来のプルアップ抵抗付
きBID回路と全く同等のものとなる。通常の使用時に
はこの状態で用いる。
一方、製品検査時には、モード切り換え端子23にハイ
レベルの電位をあたえて遮断回路21のトランジスタを
オフ状態にして使用する。これによりプルアップ回路1
9はBID回路12と電気的に遮断された状態になるた
め、外部BID端子11にローレベルが出力される状態
になっても、従来のようにプルアップ電源20からトラ
ンジスタ17.18を通って接地へ電流が流れることは
ない。すなわちプルアップ回路19は電源電流に影響を
あたえることはなくなるのである。
レベルの電位をあたえて遮断回路21のトランジスタを
オフ状態にして使用する。これによりプルアップ回路1
9はBID回路12と電気的に遮断された状態になるた
め、外部BID端子11にローレベルが出力される状態
になっても、従来のようにプルアップ電源20からトラ
ンジスタ17.18を通って接地へ電流が流れることは
ない。すなわちプルアップ回路19は電源電流に影響を
あたえることはなくなるのである。
以上C−MO5型半導体集積回路層における実施例を述
べたが、バイポーラ型、NMO5型およびPMO5型半
導体集積回路装置においてもまた同様である。
べたが、バイポーラ型、NMO5型およびPMO5型半
導体集積回路装置においてもまた同様である。
[発明の効果]
以上述べたように、本発明の半導体集積回路装置は製品
検査用に動作停止時の電源電流を測定するときにはプル
アップ抵抗あるいはプルダウン抵抗をBID回路から電
気的に遮断できる構成となっているため、いかなる状態
においてもプルアップ抵抗あるいはプルダウン抵抗は電
源電流値に対して影響を及ぼすことがなくなる。このた
め測定電流値から半導体集積回路装置を構成しているト
ランジスタの電流遮断能力を容易に知ることができ、製
品検査の段階で良品と不良品との選別が容易になるため
、出荷される半導体集積回路装置の信頼性を容易に保証
できるようになる。
検査用に動作停止時の電源電流を測定するときにはプル
アップ抵抗あるいはプルダウン抵抗をBID回路から電
気的に遮断できる構成となっているため、いかなる状態
においてもプルアップ抵抗あるいはプルダウン抵抗は電
源電流値に対して影響を及ぼすことがなくなる。このた
め測定電流値から半導体集積回路装置を構成しているト
ランジスタの電流遮断能力を容易に知ることができ、製
品検査の段階で良品と不良品との選別が容易になるため
、出荷される半導体集積回路装置の信頼性を容易に保証
できるようになる。
第1図は、本発明の半導体集積回路装置のブロック図。
第2図(a)(b)は、本発明の半導体集積回路装置の
一部を示す回路図。 第3図(a)(b)は、従来のプルアップ抵抗付きBI
D回路の1例を示す図。 l ・ 2 ・ 3 ・ 4 ・ 5 ・ 6 ・ 11 ・ 12 ・ 13、 20 ・ 2 l ・ 22 ・ 23 ・ ・・外部BID端子 ・・BID回路 ・・プルアップ回路 ・・遮断回路 ・ モード切り換え端子 ・・論理回路 ・・外部BID端子 ・・BID回路 14.15.16.17、 ・・トランジスタ ・・プルアップ回路 ・・プルアップ電源 ・プルアップ抵抗 ・・遮断回路 ・モード切り換え端子 拓2図(久) 鮎1](り 躬21fl(1,) 結3図(1,)
一部を示す回路図。 第3図(a)(b)は、従来のプルアップ抵抗付きBI
D回路の1例を示す図。 l ・ 2 ・ 3 ・ 4 ・ 5 ・ 6 ・ 11 ・ 12 ・ 13、 20 ・ 2 l ・ 22 ・ 23 ・ ・・外部BID端子 ・・BID回路 ・・プルアップ回路 ・・遮断回路 ・ モード切り換え端子 ・・論理回路 ・・外部BID端子 ・・BID回路 14.15.16.17、 ・・トランジスタ ・・プルアップ回路 ・・プルアップ電源 ・プルアップ抵抗 ・・遮断回路 ・モード切り換え端子 拓2図(久) 鮎1](り 躬21fl(1,) 結3図(1,)
Claims (1)
- プルアップ抵抗あるいはプルダウン抵抗を具備した双方
向入出力端子を有する半導体集積回路装置において、プ
ルアップ抵抗あるいはプルダウン抵抗を遮断する回路と
、モード切り換え機能を有する外部入力端子を備えるこ
とを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28184288A JPH02128463A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28184288A JPH02128463A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02128463A true JPH02128463A (ja) | 1990-05-16 |
Family
ID=17644770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28184288A Pending JPH02128463A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02128463A (ja) |
-
1988
- 1988-11-08 JP JP28184288A patent/JPH02128463A/ja active Pending
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