JPS618951A - 配線形成方法 - Google Patents
配線形成方法Info
- Publication number
- JPS618951A JPS618951A JP59130403A JP13040384A JPS618951A JP S618951 A JPS618951 A JP S618951A JP 59130403 A JP59130403 A JP 59130403A JP 13040384 A JP13040384 A JP 13040384A JP S618951 A JPS618951 A JP S618951A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- deposited
- resist pattern
- metal
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
- H10W20/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体装置が有する配線の形成方法に関する
。
。
（従来の技術）
従来の半導体装置の配線構造のうち二層配線構造のもの
がある。その場合、配線相互間で絶縁分離を行う必要が
ある。これがため、この二層配線構造を形成するに当り
、第一配線を形成した後、ＣＶＤ法によってウェハ全面
上に絶縁膜を被着させ、然る後、この絶縁膜上にレジス
トパターンを形成し、続いて、第二配線用の金属層を被
着させ、最後にリフトオフ法により、レジストパターン
を溶解除去して第二配線を形成していた。
がある。その場合、配線相互間で絶縁分離を行う必要が
ある。これがため、この二層配線構造を形成するに当り
、第一配線を形成した後、ＣＶＤ法によってウェハ全面
上に絶縁膜を被着させ、然る後、この絶縁膜上にレジス
トパターンを形成し、続いて、第二配線用の金属層を被
着させ、最後にリフトオフ法により、レジストパターン
を溶解除去して第二配線を形成していた。
（発明が解決しようとする問題点）
このように、従来方法では、先に形成した電極配線を絶
縁膜で保護する場合には、先に形成した金属配線、例え
ば第−配線又は第二配線、を有するウニ八全面上に、再
度、ＣＶＤ法で絶縁膜を被着させる工程が必要となり、
さらに、不必要な領域にも絶縁膜が被着してしまうため
、これを取り除くための新たなエツチング工程が必要で
あった。
縁膜で保護する場合には、先に形成した金属配線、例え
ば第−配線又は第二配線、を有するウニ八全面上に、再
度、ＣＶＤ法で絶縁膜を被着させる工程が必要となり、
さらに、不必要な領域にも絶縁膜が被着してしまうため
、これを取り除くための新たなエツチング工程が必要で
あった。
この発明の第一の目的は一回のリフトオフ工程によって
配線直下の必要とする部分にのみ絶縁膜を簡単に形成出
来る配線形成方法を提供することにある。
配線直下の必要とする部分にのみ絶縁膜を簡単に形成出
来る配線形成方法を提供することにある。
この発明の第二の目的は一回のリフトオフ工程によって
絶縁膜で保護された配線を簡単に得る配線形成方法を提
供することにある。
絶縁膜で保護された配線を簡単に得る配線形成方法を提
供することにある。
（問題点を解決するための手段）
この目的の達成を図るため、この発明においては、穴の
口部の幅が底部の幅より狭い断面形状を持った当該穴を
有するレジストパターンを下地層、 １°：＊＊
ｔ６Ｉ！１．！−，、：峠Ｈ°′加“パ′−ンの上側に
、指向性の少ない被着方法で、 ＠ −被着膜を被着す
る工程と、指向性の強い被着方法で第二被着膜を被着す
る工程と、前述のレジストパターンを溶解して除去して
配線を形成するリフトオフ工程とを含むことを特徴とす
る。
口部の幅が底部の幅より狭い断面形状を持った当該穴を
有するレジストパターンを下地層、 １°：＊＊
ｔ６Ｉ！１．！−，、：峠Ｈ°′加“パ′−ンの上側に
、指向性の少ない被着方法で、 ＠ −被着膜を被着す
る工程と、指向性の強い被着方法で第二被着膜を被着す
る工程と、前述のレジストパターンを溶解して除去して
配線を形成するリフトオフ工程とを含むことを特徴とす
る。
（作用）
このような方法によれば、共通のレジストパターンを用
い、第一被着膜の絶縁層と第二被着膜の配線金属を交互
に順次に被着した後に、−回のりフトオフを行うだけで
あるので、従来方法よりも非常に簡単に配線を形成する
ことが出来る。
い、第一被着膜の絶縁層と第二被着膜の配線金属を交互
に順次に被着した後に、−回のりフトオフを行うだけで
あるので、従来方法よりも非常に簡単に配線を形成する
ことが出来る。
レジストパターンの穴の寸法、指向性の弱い被着方法及
び指向性の強い被着方法によって規制された寸法の配線
及び絶縁層を形成出来るので、従来よりも配線の信頼性
を著しく高めることが出来る。
び指向性の強い被着方法によって規制された寸法の配線
及び絶縁層を形成出来るので、従来よりも配線の信頼性
を著しく高めることが出来る。
（実施例）
以下１図面を参照してこの発明の詳細な説明する。
１＝ＪＪＪ 。
第１図（１）〜（Ｉｔ）は。。発明。第一実施例を説
１ｆ明するための路線的断面図で、穴の部分
は横断面を示している。
１ｆ明するための路線的断面図で、穴の部分
は横断面を示している。
先ず、下地層ｌ上に通常の方法でレジストパターン２を
、例えばｔｐ■程度の厚さで、形成する。この場合、下
地層１を例えば基板とする。このレジストパターン２は
、配線が形成される予定領域にその配線パターンに対応
したパターンの穴３を有している。この穴３は、その口
部の幅Ｗ１が底部の輻Ｗ２より狭くなっていて、例えば
、逆テーパ状の断面形状となっている。
、例えばｔｐ■程度の厚さで、形成する。この場合、下
地層１を例えば基板とする。このレジストパターン２は
、配線が形成される予定領域にその配線パターンに対応
したパターンの穴３を有している。この穴３は、その口
部の幅Ｗ１が底部の輻Ｗ２より狭くなっていて、例えば
、逆テーパ状の断面形状となっている。
次に、第１図（Ｂ）に示すように、この穴３を含むレジ
ストパターン２の上側に、指向性の少ない被着方法で、
第一被着膜、例えば、絶縁膜４を被着する。この絶縁膜
４はレジストパターン４の表面上に付着する（この絶縁
層部分を４ａで示す）と共に、六３の底部である基板ｌ
の全面にもある程度一様に付着する（この絶縁層部分を
４ｂで示す）。この場合、絶縁膜４を、スパッタ法によ
って例えば１０００〜５０００Ａ程度の厚さのシリコン
酸化膜を堆積させることによって、形成する。
ストパターン２の上側に、指向性の少ない被着方法で、
第一被着膜、例えば、絶縁膜４を被着する。この絶縁膜
４はレジストパターン４の表面上に付着する（この絶縁
層部分を４ａで示す）と共に、六３の底部である基板ｌ
の全面にもある程度一様に付着する（この絶縁層部分を
４ｂで示す）。この場合、絶縁膜４を、スパッタ法によ
って例えば１０００〜５０００Ａ程度の厚さのシリコン
酸化膜を堆積させることによって、形成する。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、指向性の強い被着方
法で第二被着膜、例えば、配線金属を被着する。この場
合、電子ビーム蒸着法で基板面に垂直な方向から配線金
属５として、例えば、白金を蒸着することにより、絶縁
層部分４ａ及び４ｂ上にそれぞれ配線金属部分５ａ及び
５ｂで示すように堆積する。この白金は、電子ビームの
強い指向性のため、絶縁層４ａの、穴３の口部に対応す
る端縁によって制限されて、絶縁層４ｂ上に配線金属５
ｂとして堆積されるが、レジストパターン２の中央部、
従って、絶縁層４ｂ上にこの穴３のほぼ中央部において
堆積し、この穴の壁には付着することがない。
法で第二被着膜、例えば、配線金属を被着する。この場
合、電子ビーム蒸着法で基板面に垂直な方向から配線金
属５として、例えば、白金を蒸着することにより、絶縁
層部分４ａ及び４ｂ上にそれぞれ配線金属部分５ａ及び
５ｂで示すように堆積する。この白金は、電子ビームの
強い指向性のため、絶縁層４ａの、穴３の口部に対応す
る端縁によって制限されて、絶縁層４ｂ上に配線金属５
ｂとして堆積されるが、レジストパターン２の中央部、
従って、絶縁層４ｂ上にこの穴３のほぼ中央部において
堆積し、この穴の壁には付着することがない。
次に、第１図（Ｉｔ）に示すように、レジストパターン
２を溶解してリフトオフを行うと、絶縁膜４ｂ上の配線
金属部分５ｂが金属配線として形成されるので、絶４１
ｂ上にセルファライン的に位置した金属配線が得られる
。
２を溶解してリフトオフを行うと、絶縁膜４ｂ上の配線
金属部分５ｂが金属配線として形成されるので、絶４１
ｂ上にセルファライン的に位置した金属配線が得られる
。
１；１差１
次に、第２図（Ａ）〜（Ｉｌ）を参照してこの発明の第
二実施例につき説明する。尚、これら図において、第１
図に示した構成成分と同じ構成成分にっいては同一の番
号を付して示す、又、第一実施例と第二実施例と相違す
る点は、絶縁層と配線金属の形成順序が入れ替わってい
る点であり、その他の点は同一であるので、その詳細な
説明を省略する。
二実施例につき説明する。尚、これら図において、第１
図に示した構成成分と同じ構成成分にっいては同一の番
号を付して示す、又、第一実施例と第二実施例と相違す
る点は、絶縁層と配線金属の形成順序が入れ替わってい
る点であり、その他の点は同一であるので、その詳細な
説明を省略する。
第２図（Ａ）に示すように、下地層１としての基板上に
第一実施例の場合と同様な穴３を有するレジストパター
ン２を形成した後、先ず、指向性の強い被着方法、例え
ば電子ビーム蒸着法、によって配線金属５ （５ａ、
５ｂ）として白金を基板１の基板面に垂直な方向から蒸
着する。
第一実施例の場合と同様な穴３を有するレジストパター
ン２を形成した後、先ず、指向性の強い被着方法、例え
ば電子ビーム蒸着法、によって配線金属５ （５ａ、
５ｂ）として白金を基板１の基板面に垂直な方向から蒸
着する。
この時、電子ビーム蒸着法の強い指向性及びレジストパ
ターン２の逆テーパ状の形状のため、第２図（Ｂ）に示
すように、この配線金属５は六３の壁部分に付着するこ
となく、レジストパターン２の表面部分に配線金属部分
５ａとして堆積すると共に、穴３内の基板ｌの表面に配
線金属部分５ｂとしＩ て堆積する。
ターン２の逆テーパ状の形状のため、第２図（Ｂ）に示
すように、この配線金属５は六３の壁部分に付着するこ
となく、レジストパターン２の表面部分に配線金属部分
５ａとして堆積すると共に、穴３内の基板ｌの表面に配
線金属部分５ｂとしＩ て堆積する。
次に、第２図（Ｃ）に示すように、指向性の少ない被着
方法１例えばスパッタ法、により絶縁膜４としてシリコ
ン酸化膜を付着すると、指向性が弱いので、このシリコ
ン酸化膜はレジストパターン２の穴３内においても４ｂ
で示すような絶縁層部分として一様に堆積すると共に、
穴３外の配線金属部分５ａ上にも４ａで示すような絶縁
層部分として堆積する。
方法１例えばスパッタ法、により絶縁膜４としてシリコ
ン酸化膜を付着すると、指向性が弱いので、このシリコ
ン酸化膜はレジストパターン２の穴３内においても４ｂ
で示すような絶縁層部分として一様に堆積すると共に、
穴３外の配線金属部分５ａ上にも４ａで示すような絶縁
層部分として堆積する。
続いて、レジストパターン２の溶解によりリフトオフを
行うと、第２図（Ｄ）に示すような配線金属部分５ｂか
ら成る金属配線が形成されるので、セルファライン的に
絶縁膜で保護された金属配線が得られる。
行うと、第２図（Ｄ）に示すような配線金属部分５ｂか
ら成る金属配線が形成されるので、セルファライン的に
絶縁膜で保護された金属配線が得られる。
上述した各実施例では、穴３の断面構造を逆テーパ状と
したが、この穴の断面形状を、例えばシリコン酸化膜の
ような絶縁膜をその上側に被着したレジストパターンの
穴を介してアンダーエッチソゲして得られた二層構造に
よる逆台形の形状とすることもできる。その場合にも、
穴の口部の幅が穴の底部の幅よりも狭いので、前述した
実施例 ｔ：１ の場合と同様にセルファライン的に金属配線を形成する
ことが出来る。
したが、この穴の断面形状を、例えばシリコン酸化膜の
ような絶縁膜をその上側に被着したレジストパターンの
穴を介してアンダーエッチソゲして得られた二層構造に
よる逆台形の形状とすることもできる。その場合にも、
穴の口部の幅が穴の底部の幅よりも狭いので、前述した
実施例 ｔ：１ の場合と同様にセルファライン的に金属配線を形成する
ことが出来る。
さらに、同一のレジストパターンを使用して絶縁層と配
線金属とを交互に積層させることにより、多層配線構造
を一回のリフトオフ工程で形成することが出来る。
線金属とを交互に積層させることにより、多層配線構造
を一回のリフトオフ工程で形成することが出来る。
（発明の効果）
上述した説明からも明らかなように、この発明の方法に
おいて、レジストパターンの穴の口部が底部よりも幅狭
の当該穴を通じて指向性の少ない被着法を用いて第一被
着膜の絶縁層を堆積させた後に、指向性の強い被着法を
用いて第二被着膜の配線金属を堆積させる場合には、共
通のレジストパターンを用いた一回のリフトオフ工程で
、絶縁膜上に適度の余裕、すなわち、絶縁膜の幅よりも
少し狭い幅の金属配線を簡単に形成することが出来る。
おいて、レジストパターンの穴の口部が底部よりも幅狭
の当該穴を通じて指向性の少ない被着法を用いて第一被
着膜の絶縁層を堆積させた後に、指向性の強い被着法を
用いて第二被着膜の配線金属を堆積させる場合には、共
通のレジストパターンを用いた一回のリフトオフ工程で
、絶縁膜上に適度の余裕、すなわち、絶縁膜の幅よりも
少し狭い幅の金属配線を簡単に形成することが出来る。
従って、この発明によれば、他の配線との交差配線を著
しく簡単な工程で行うことが出来、例えば、多くの配線
の絶縁された交差を必要とするＩＣとかＬＳＩとかの製
造に利用することが出来る。
しく簡単な工程で行うことが出来、例えば、多くの配線
の絶縁された交差を必要とするＩＣとかＬＳＩとかの製
造に利用することが出来る。
又、この発明の方法において、指向性の強い被着法であ
る電子ビーム蒸着法による配線金属の蒸着後に指向性の
弱い被着法であるスパッタ法により絶縁層の付着を行っ
てリフトオフを行うと、配線金属がセルファライン的に
レジストパターンの穴の底部の幅で規定される幅を有す
る絶縁膜によって被覆された構造の配線を得ることが出
来るので、従来の方法よりも配線の信頼性が著しく向上
する。又、この発明の方法では、他の配線を絶縁して交
差させる時には、新たに絶縁膜の付着工程を必要としな
いので、交差配線工程を短縮出来るという利点がある。
る電子ビーム蒸着法による配線金属の蒸着後に指向性の
弱い被着法であるスパッタ法により絶縁層の付着を行っ
てリフトオフを行うと、配線金属がセルファライン的に
レジストパターンの穴の底部の幅で規定される幅を有す
る絶縁膜によって被覆された構造の配線を得ることが出
来るので、従来の方法よりも配線の信頼性が著しく向上
する。又、この発明の方法では、他の配線を絶縁して交
差させる時には、新たに絶縁膜の付着工程を必要としな
いので、交差配線工程を短縮出来るという利点がある。
第１図（Ａ）〜（Ｄ）及び第２図（Ａ）〜（Ｄ）はそれ
ぞれこの発明の詳細な説明するための工程図である。 ｌ・・・下地層、 ２・・・レジストパターン
３・・・穴、 ４・・・絶縁層４ａ、４ｂ
・・・絶縁層部分、 ５・・・配線金属５ａ、５ｂ・・
・配線金属部分。 ベコ （％、＋ Ｓ＋ １Ｆ 〜 １
Ｎハ へ 一）
＼ノ勺べｊ ％聾へ ＼ ＼〜＼ ｂ
へ＊ 、−へ、／１＼ 〈 ＝ づ へ
どへＱロ
ぞれこの発明の詳細な説明するための工程図である。 ｌ・・・下地層、 ２・・・レジストパターン
３・・・穴、 ４・・・絶縁層４ａ、４ｂ
・・・絶縁層部分、 ５・・・配線金属５ａ、５ｂ・・
・配線金属部分。 ベコ （％、＋ Ｓ＋ １Ｆ 〜 １
Ｎハ へ 一）
＼ノ勺べｊ ％聾へ ＼ ＼〜＼ ｂ
へ＊ 、−へ、／１＼ 〈 ＝ づ へ
どへＱロ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、穴の口部の幅が底部の幅より狭い断面形状を持った
当該穴を有するレジストパターンを下地層上に形成する
工程と、該穴を含むレジストパターンの上側に、指向性
の少ない被着方法で、第一被着膜を被着する工程と、指
向性の強い被着方法で第二被着膜を被着する工程と、前
記レジストパターンを溶解して除去して配線を形成する
リフトオフ工程とを含むことを特徴とする配線形成方法
。 ２、第一被着膜を絶縁膜とし、第二被着膜を配線金属と
し、該絶縁膜を被着する工程に続いて、該配線金属を被
着する工程を実施することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の配線形成方法。 ３、第一被着膜を絶縁膜とし、第二被着膜を配線金属と
し、該配線金属を被着する工程に続いて、該絶縁膜を被
着する工程を実施することを特徴とすると特許請求の範
囲第１項記載の配線形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59130403A JPS618951A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | 配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59130403A JPS618951A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | 配線形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS618951A true JPS618951A (ja) | 1986-01-16 |
Family
ID=15033448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59130403A Pending JPS618951A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | 配線形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS618951A (ja) |
-
1984
- 1984-06-23 JP JP59130403A patent/JPS618951A/ja active Pending
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