JPH021300B2 - - Google Patents
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- JPH021300B2 JPH021300B2 JP15119783A JP15119783A JPH021300B2 JP H021300 B2 JPH021300 B2 JP H021300B2 JP 15119783 A JP15119783 A JP 15119783A JP 15119783 A JP15119783 A JP 15119783A JP H021300 B2 JPH021300 B2 JP H021300B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- cgl
- ctl
- layer
- bonding layer
- Prior art date
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- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はキヤリア伝搬層（以下CTLと記す）
およびキヤリア発生層（以下CGLと記す）を有
する機能分離型電子写真用セレン感光体に関す
る。
およびキヤリア発生層（以下CGLと記す）を有
する機能分離型電子写真用セレン感光体に関す
る。
機能分離型感光体において、CTLとCGLの界
面においてはテルルなどの成分元素の濃度に差が
あるため、CTLとCGLの間のキヤリアの移動が
困難である。そのためにCTLとCGLの間に接合
層を介在させ、キヤリアの移動を容易にすること
が知られている。この種の機能分離型感光体の接
合層としては、例えば日本応用物理学会英文誌
（Japanese Journal of Applied Physics）第20
巻、第１号（1981年）、pp119〜124に記載されて
いるように実験室レベルでは純セレンを用いたも
のが知られているが、まだ十分なものとは言えな
い。特に低電界に於ては（１〜5V／μm以下）、
光照射に依り発生したキヤリアが接合部に於てシ
ヨツトキバリアー型の注入を示す事から、感度が
この注入性能に依つて左右されると言う現像が起
こり、結局限られた露光時間では、光減衰しきれ
ない極めて残留電位の高い感光体となる事が知ら
れている。この例の様な感光体では、繰返し複写
時の残留電位が更らに増加する傾向にある事は言
うまでもない。
面においてはテルルなどの成分元素の濃度に差が
あるため、CTLとCGLの間のキヤリアの移動が
困難である。そのためにCTLとCGLの間に接合
層を介在させ、キヤリアの移動を容易にすること
が知られている。この種の機能分離型感光体の接
合層としては、例えば日本応用物理学会英文誌
（Japanese Journal of Applied Physics）第20
巻、第１号（1981年）、pp119〜124に記載されて
いるように実験室レベルでは純セレンを用いたも
のが知られているが、まだ十分なものとは言えな
い。特に低電界に於ては（１〜5V／μm以下）、
光照射に依り発生したキヤリアが接合部に於てシ
ヨツトキバリアー型の注入を示す事から、感度が
この注入性能に依つて左右されると言う現像が起
こり、結局限られた露光時間では、光減衰しきれ
ない極めて残留電位の高い感光体となる事が知ら
れている。この例の様な感光体では、繰返し複写
時の残留電位が更らに増加する傾向にある事は言
うまでもない。
他の接合層の例としては塩素を添加したセレン
からなるものが知られている。この場合は、低い
残留電位を実現するという点では所期の目的を達
しているが、次のような欠点を有し、実用性が十
分でない。
からなるものが知られている。この場合は、低い
残留電位を実現するという点では所期の目的を達
しているが、次のような欠点を有し、実用性が十
分でない。
(1) Clは昇華性の強い物質であり、これをSeに
所定量だけ且つ均一に混合させて、所望のCl添
加Seを作成する事は極めて困難である。
所定量だけ且つ均一に混合させて、所望のCl添
加Seを作成する事は極めて困難である。
(2) 蒸着時、SeやSe−Teと共に真空装置内に付
着したCl添加Seあるいは感光体からSeやSe−
Teと共に回収したCl添加Seを精製、再使用す
る事は極めて困難である。特にSe中にClが微
量でも混入すると、温度特性が著しく劣化する
ことから、回収原料を使用することができず、
混在するSeやSe−Teを含めて廃棄することに
なるので原料コストの増大につながる。
着したCl添加Seあるいは感光体からSeやSe−
Teと共に回収したCl添加Seを精製、再使用す
る事は極めて困難である。特にSe中にClが微
量でも混入すると、温度特性が著しく劣化する
ことから、回収原料を使用することができず、
混在するSeやSe−Teを含めて廃棄することに
なるので原料コストの増大につながる。
CTLとCGLの接合性を改良する他の方法とし
ては、例えばSe−Te系でそれを実現する場合に、
CTLに低濃度Te−Se、CGLに高濃度Te−Seを
用いると共に、CTLのTe濃度に勾配を付け、そ
のCGL側の部分のTe濃度が、CGLのCTL側Te
濃度に対し、その差が15wt％以下になる様に
（望ましくは10wt％以下）制御すると言うもので
ある。あるいは、CTLにTe濃度勾配をつけずに、
CGLに於てTe濃度勾配をつけて上記条件で接合
させても、同様の良好な接合性能は得られる。あ
るいはまたCTL・CGL共Te濃度勾配をつけ、上
記条件で接合させても同様の良好な接合性能が得
られるのは無論である。しかしこれらの場合には
次の挙げる欠点が存在する。
ては、例えばSe−Te系でそれを実現する場合に、
CTLに低濃度Te−Se、CGLに高濃度Te−Seを
用いると共に、CTLのTe濃度に勾配を付け、そ
のCGL側の部分のTe濃度が、CGLのCTL側Te
濃度に対し、その差が15wt％以下になる様に
（望ましくは10wt％以下）制御すると言うもので
ある。あるいは、CTLにTe濃度勾配をつけずに、
CGLに於てTe濃度勾配をつけて上記条件で接合
させても、同様の良好な接合性能は得られる。あ
るいはまたCTL・CGL共Te濃度勾配をつけ、上
記条件で接合させても同様の良好な接合性能が得
られるのは無論である。しかしこれらの場合には
次の挙げる欠点が存在する。
(1) SeとTeとは蒸気圧が異なる為、望ましいTe
濃度勾配を、再現性良く、安定して作製する事
は非常に困難な技術である。従つて、CTLあ
るいはCGL、またはその両者のTe濃度勾配を
適正に制御する事により、CTLのCGL側Te濃
度をCGLのCTL側Te濃度差を10wt％以下にす
るのは困難で生産性に乏しい。
濃度勾配を、再現性良く、安定して作製する事
は非常に困難な技術である。従つて、CTLあ
るいはCGL、またはその両者のTe濃度勾配を
適正に制御する事により、CTLのCGL側Te濃
度をCGLのCTL側Te濃度差を10wt％以下にす
るのは困難で生産性に乏しい。
(2) CTLとCGLの良好な接合性を得るために、
CTLに大きな濃度勾配をつける事を再現性良
く制御するのは極めて困難である。なぜなら、
CTLはCGLに比して厚く通常数十μm程度の厚
みを有しているので、これだけの膜厚における
Te濃度の再現性良い制御は困難である。また、
CTLのTe濃度を出来るだけ低く抑えて温度特
性等に配慮し（例えば０％）、CGLのTe濃度に
大きな勾配をつける事で接合性を保証しようと
言う感光体に於ては、表面Te濃度とその直下
のTe濃度との差が大きい事に依る、繰返し複
写時やリフアイニング時の表面層の削れから来
る感度減小、或いは高温放置下で進行するTe
拡散に起因する感度減小が発生し、実用上重大
な支障をきたすことがある。
CTLに大きな濃度勾配をつける事を再現性良
く制御するのは極めて困難である。なぜなら、
CTLはCGLに比して厚く通常数十μm程度の厚
みを有しているので、これだけの膜厚における
Te濃度の再現性良い制御は困難である。また、
CTLのTe濃度を出来るだけ低く抑えて温度特
性等に配慮し（例えば０％）、CGLのTe濃度に
大きな勾配をつける事で接合性を保証しようと
言う感光体に於ては、表面Te濃度とその直下
のTe濃度との差が大きい事に依る、繰返し複
写時やリフアイニング時の表面層の削れから来
る感度減小、或いは高温放置下で進行するTe
拡散に起因する感度減小が発生し、実用上重大
な支障をきたすことがある。
本発明は上述の欠点を除去し、CTLとCGLの
間のバリヤの影響を緩和するための接合層を温度
特性その他の特性を低下させることなく生産上容
易な手段で設けた機能分離型電子写真用感光体を
提供することを目的とする。
間のバリヤの影響を緩和するための接合層を温度
特性その他の特性を低下させることなく生産上容
易な手段で設けた機能分離型電子写真用感光体を
提供することを目的とする。
本発明は酸素を添加していないCTLとCGLの
間に２〜10μmの厚さの酸素を添加したSe層を介
在させることによつて円滑な接合性能を実現しよ
うとするものである。
間に２〜10μmの厚さの酸素を添加したSe層を介
在させることによつて円滑な接合性能を実現しよ
うとするものである。
Seに酸素を添加した場合、直流電気伝導度が
オーダ的に増加すると共に、活性化エネルギの著
しい減少が起こる事が知られている。CTLと
CGLとの間に酸素添加Se層を設ける事は、両者
の合金元素の濃度差に基づくエネルギーギヤツプ
の相違を、中間的なエネルギーギヤツプを有する
層を設ける事で緩和する事に相当すると考えら
れ、これに依り、円滑な接合性能を有するに至る
ものと推定される。
オーダ的に増加すると共に、活性化エネルギの著
しい減少が起こる事が知られている。CTLと
CGLとの間に酸素添加Se層を設ける事は、両者
の合金元素の濃度差に基づくエネルギーギヤツプ
の相違を、中間的なエネルギーギヤツプを有する
層を設ける事で緩和する事に相当すると考えら
れ、これに依り、円滑な接合性能を有するに至る
ものと推定される。
本発明はCTL、CGLのみを有する機能分離型
感光体に限らず表面に表面保護層（OCL）を有
するものに対しても有効に実施できる。
感光体に限らず表面に表面保護層（OCL）を有
するものに対しても有効に実施できる。
本発明による感光体は、例えば第１図に示すよ
うにアルミニウム基体１の上に純Seからなる
CTL２、酸素添加Seからなる接合層３、Se−Te
からなるCGL４が積層されている。
うにアルミニウム基体１の上に純Seからなる
CTL２、酸素添加Seからなる接合層３、Se−Te
からなるCGL４が積層されている。
実施例 １
第１図に示す構造の感光体を形成するために、
真空蒸着装置内の回転支持軸にアルミニウム素管
を取りつけ、Seを収容した蒸発源を抵抗加熱方
式で加熱して、素管１上に純Se層２を63μmの厚
さに蒸着した。基体温度は61℃、蒸着中の真空度
は５×10-5Torr以上であつた。純Se層２の蒸着
が終了した時点で真空を破り、蒸発源に酸素添加
Se原料を投入し、再び真空引きを行つて純Seと
同一条件で純Se層２の上に酸素添加Se層３を
5μmの厚さに積層した。
真空蒸着装置内の回転支持軸にアルミニウム素管
を取りつけ、Seを収容した蒸発源を抵抗加熱方
式で加熱して、素管１上に純Se層２を63μmの厚
さに蒸着した。基体温度は61℃、蒸着中の真空度
は５×10-5Torr以上であつた。純Se層２の蒸着
が終了した時点で真空を破り、蒸発源に酸素添加
Se原料を投入し、再び真空引きを行つて純Seと
同一条件で純Se層２の上に酸素添加Se層３を
5μmの厚さに積層した。
第２図は酸素添加Se原料の製法を示し、セレ
ン１１は、硝酸・過酸化水素水等に対して耐性を
有する容器１２に収納されており、この容器１２
は同じ耐性を有する蓋１３にて密閉されている。
同じ耐性を有する容器１４中には、硝酸或いは過
酸化水素水等、セレン１１に対して酸化性の性質
を持つ溶液１５が満たされている。この状態で暫
く放置するとセレン１１は酸化され、表面は白濁
化して来る。放置時間を短縮するには、放置時、
溶液１５に光をあてるか、加熱するか、或いはそ
の両者を同時に行えば良い。この様にして得られ
た酸素添加Seを粉砕し、湿式分析を行つた所、
3.28×103O2重量ppmであつた。酸素添加Se蒸着
後再度真空を破り、40メツシユ980メツシユの大
きさに調製された13.5wt％のSe−Te合金を、蒸
発源の原料供給系に42ｇ並べた後、再度真空引き
を行つた。蒸発源の炭素ボートに通電し、ボート
温度が450℃に上昇した時点で原料を滑らかにボ
ートに供給し、酸素添加Se層３の上にSeTe合金
のフラツシユ蒸着を行い、厚さ2μmのCGL４を
作製した。
ン１１は、硝酸・過酸化水素水等に対して耐性を
有する容器１２に収納されており、この容器１２
は同じ耐性を有する蓋１３にて密閉されている。
同じ耐性を有する容器１４中には、硝酸或いは過
酸化水素水等、セレン１１に対して酸化性の性質
を持つ溶液１５が満たされている。この状態で暫
く放置するとセレン１１は酸化され、表面は白濁
化して来る。放置時間を短縮するには、放置時、
溶液１５に光をあてるか、加熱するか、或いはそ
の両者を同時に行えば良い。この様にして得られ
た酸素添加Seを粉砕し、湿式分析を行つた所、
3.28×103O2重量ppmであつた。酸素添加Se蒸着
後再度真空を破り、40メツシユ980メツシユの大
きさに調製された13.5wt％のSe−Te合金を、蒸
発源の原料供給系に42ｇ並べた後、再度真空引き
を行つた。蒸発源の炭素ボートに通電し、ボート
温度が450℃に上昇した時点で原料を滑らかにボ
ートに供給し、酸素添加Se層３の上にSeTe合金
のフラツシユ蒸着を行い、厚さ2μmのCGL４を
作製した。
第４図は本発明の実施例１の第１図の構造をも
つ感光体のゼログラフイツク特性（Xerographic
Gain）を示す。Xerographic Gainの電界依存の
データ(a)により、この感光体は低電界（約0.2v／
μm、従つて約14V）迄十分に感度のある。従つ
てCTLとCGLとの間にバリヤのない、良好な接
合性能を有する感光体である事がわかる。
つ感光体のゼログラフイツク特性（Xerographic
Gain）を示す。Xerographic Gainの電界依存の
データ(a)により、この感光体は低電界（約0.2v／
μm、従つて約14V）迄十分に感度のある。従つ
てCTLとCGLとの間にバリヤのない、良好な接
合性能を有する感光体である事がわかる。
第５図は、第３図構造を持つ比較例の感光体の
Xerographic Gainのデータである。
Xerographic Gainの電界依存のデータ(a)依り、
この感光体は、約1V／μm程度の電界でしきい値
を持つており、従つて、約70V程度依り下には電
位が下がらない、残留電位の高い感光体である事
がわかる。
Xerographic Gainのデータである。
Xerographic Gainの電界依存のデータ(a)依り、
この感光体は、約1V／μm程度の電界でしきい値
を持つており、従つて、約70V程度依り下には電
位が下がらない、残留電位の高い感光体である事
がわかる。
第６図は、この感光体の繰返し電位挙動の評価
装置を示す。感光体２１は図中の矢印の方向に周
速100mm／secの条件で回転する。帯電器２２で帯
電を行い、この電位をプローブ２３及びプローブ
２５で測定している。露光光源２４は点滅され、
露光条件は半減衰露光量の５倍に設定されてい
る。除電光２６は半減衰露光量の10倍に設定され
ており、除電後の電位は、プローブ２７で測定し
ている。測定結果によれば実施例１の接合層を有
する感光体の露光後の電位の最終値は60V、除電
後電位の最終値は5Vであり、一方接合層を有し
ない第３図に示す構造の比較例感光体では露光後
電位の最終値が80V、除電後電位の最終値が40V
で、本発明による感光体が極めて疲労特性の良い
ことが判つた。
装置を示す。感光体２１は図中の矢印の方向に周
速100mm／secの条件で回転する。帯電器２２で帯
電を行い、この電位をプローブ２３及びプローブ
２５で測定している。露光光源２４は点滅され、
露光条件は半減衰露光量の５倍に設定されてい
る。除電光２６は半減衰露光量の10倍に設定され
ており、除電後の電位は、プローブ２７で測定し
ている。測定結果によれば実施例１の接合層を有
する感光体の露光後の電位の最終値は60V、除電
後電位の最終値は5Vであり、一方接合層を有し
ない第３図に示す構造の比較例感光体では露光後
電位の最終値が80V、除電後電位の最終値が40V
で、本発明による感光体が極めて疲労特性の良い
ことが判つた。
次に実施例１と同じ製作条件で接合層の厚さを
０（比較例と同じ）0.5μm、1μm、2μm、5μm、
10μmと変化させて積層したあと、CGLとして25
重量％のSe−Te合金を形成した感光体について
ゼログラフイ特性および繰返し疲労特性を調べ
た。
０（比較例と同じ）0.5μm、1μm、2μm、5μm、
10μmと変化させて積層したあと、CGLとして25
重量％のSe−Te合金を形成した感光体について
ゼログラフイ特性および繰返し疲労特性を調べ
た。
第７図は、実施例１で示したXerographic
Gainの電界依存データに於ける電界しきい値に
関し、一つの線図に纒めたものである。CGLが
25重量％とTe濃度が高い場合においても酸素添
加Seの接合層の効果は顕著である。この場合、
接合層の膜厚は2μm以上、望ましくは5μm以上が
適正と言える。第８図は第６図の装置で測定した
露光後電位（プローブ２５の電位）の最終値を整
理したものである。酸素添加Seの接合層の効果
は顕著であると言える。ただし、接合層の膜厚を
必要以上に厚くした場合、温度特性の劣化、帯電
低下の増加が引き起こされるので10μm以下が望
ましい。
Gainの電界依存データに於ける電界しきい値に
関し、一つの線図に纒めたものである。CGLが
25重量％とTe濃度が高い場合においても酸素添
加Seの接合層の効果は顕著である。この場合、
接合層の膜厚は2μm以上、望ましくは5μm以上が
適正と言える。第８図は第６図の装置で測定した
露光後電位（プローブ２５の電位）の最終値を整
理したものである。酸素添加Seの接合層の効果
は顕著であると言える。ただし、接合層の膜厚を
必要以上に厚くした場合、温度特性の劣化、帯電
低下の増加が引き起こされるので10μm以下が望
ましい。
実施例 ２
あらかじめ蒸着装置内に蒸発源ボートを二つ用
意しておき、真空を破ることなくCTLと接合層
を実施例１と同一条件で作製した後、矢張り実施
例１と同じ条件でCGLを蒸着して作製した感光
体に関して評価した所、実施例１の感光体と同様
な結果が得られた。
意しておき、真空を破ることなくCTLと接合層
を実施例１と同一条件で作製した後、矢張り実施
例１と同じ条件でCGLを蒸着して作製した感光
体に関して評価した所、実施例１の感光体と同様
な結果が得られた。
実施例 ３
酸素添加Seの作製の方法として、SeO2を
1000ppmの量を純Seに直接添加した以外はすべ
て実施例１と同一条件で感光体を製作したところ
実施例１と同様な結果が得られた。
1000ppmの量を純Seに直接添加した以外はすべ
て実施例１と同一条件で感光体を製作したところ
実施例１と同様な結果が得られた。
実施例 ４
第９図に示すように第１図と同一の条件でアル
ミニウム基体１の上に純SeからなるCTL２を形
成した後接合層としての酸素添加Se３を0.5μm、
1μm、2μm、5μm、10μmの厚さに蒸着し、比較
のための酸素添加Se層を設けないものと共にそ
の上に40重量％のSe−Te合金を蒸発源の原料供
給系に21ｇ並べた後、実施例１と同様なやり方で
Se−Te合金のフラツシユ蒸着を行つて1μmの厚
さのCGL４を作成した。この後再度真空を破り、
40メツシユ〜80メツシユの粒径に調製された純
Seを原料供給系に２Kg並べた後、再度真空引き
を行つた。次いで蒸発源の炭素ボートが380℃に
上昇した時点で原料を滑らかにボートに供給し、
CGLの上に純Seのフラツシユ蒸着を行つて厚さ
1μmのOCL５を形成した。このうち接合層３の
膜厚0.5μmおよび10μmのもののゼログラフイ特
性を第１０図、第１１図にそれぞれ示す。
Xerographic Gainの電界依存に注目すると、第
１０図の感光体と第１１図の感光体は、明らかに
低電界での挙動が違つたものとなつている。第１
０図の感光体では、１〜2V／μmの電界で
Xerographic Gainの収束が見られ、電界のしき
い値が高い事から、この感光体の残留電位が高い
ものである事がわかる。第４図の感光体では、電
界のしきい値は1V／μm以下であり、低電界まで
感度があつて残留電位の低い、従つて接合性能の
良い感光体である事がわかつた。
ミニウム基体１の上に純SeからなるCTL２を形
成した後接合層としての酸素添加Se３を0.5μm、
1μm、2μm、5μm、10μmの厚さに蒸着し、比較
のための酸素添加Se層を設けないものと共にそ
の上に40重量％のSe−Te合金を蒸発源の原料供
給系に21ｇ並べた後、実施例１と同様なやり方で
Se−Te合金のフラツシユ蒸着を行つて1μmの厚
さのCGL４を作成した。この後再度真空を破り、
40メツシユ〜80メツシユの粒径に調製された純
Seを原料供給系に２Kg並べた後、再度真空引き
を行つた。次いで蒸発源の炭素ボートが380℃に
上昇した時点で原料を滑らかにボートに供給し、
CGLの上に純Seのフラツシユ蒸着を行つて厚さ
1μmのOCL５を形成した。このうち接合層３の
膜厚0.5μmおよび10μmのもののゼログラフイ特
性を第１０図、第１１図にそれぞれ示す。
Xerographic Gainの電界依存に注目すると、第
１０図の感光体と第１１図の感光体は、明らかに
低電界での挙動が違つたものとなつている。第１
０図の感光体では、１〜2V／μmの電界で
Xerographic Gainの収束が見られ、電界のしき
い値が高い事から、この感光体の残留電位が高い
ものである事がわかる。第４図の感光体では、電
界のしきい値は1V／μm以下であり、低電界まで
感度があつて残留電位の低い、従つて接合性能の
良い感光体である事がわかつた。
このXerographic Gainのデータの内、500mm
光での測定データを基に、Xerographic Gainが
10-2の時の電界を、電界のしきい値に相当する量
として代表させた時の、接合層３の厚さと電界し
きい値との関係を比較例の値とともに第１２図に
示す。接合層の存在に依り、電界しきい値が下が
り、従つて残留電位の低下につながる事は第７図
の場合と同様である。特に5μm以上の接合層を入
れた場合は、極めて良好な接合性能を示す事がわ
かつた。
光での測定データを基に、Xerographic Gainが
10-2の時の電界を、電界のしきい値に相当する量
として代表させた時の、接合層３の厚さと電界し
きい値との関係を比較例の値とともに第１２図に
示す。接合層の存在に依り、電界しきい値が下が
り、従つて残留電位の低下につながる事は第７図
の場合と同様である。特に5μm以上の接合層を入
れた場合は、極めて良好な接合性能を示す事がわ
かつた。
接合層厚さ0.5μmおよび10μmの感光体につい
て第６図に示す装置を用いて繰返し電位挙動を測
定した結果、0.5μmの接合層を有する感光体の露
光後電位の最終値は130V、除電後電位の最終値
は110Vであり、この感光体が、必ずしも満足の
いく疲労特性を示す感光体ではない事がわかる。
一方、10μmの接合層を有する感光体の露光後電
位の最終値は40V、除電後電位の最終値は25Vで
あり、この感光体は良好な疲労特性を示す感光体
である事がわかる。
て第６図に示す装置を用いて繰返し電位挙動を測
定した結果、0.5μmの接合層を有する感光体の露
光後電位の最終値は130V、除電後電位の最終値
は110Vであり、この感光体が、必ずしも満足の
いく疲労特性を示す感光体ではない事がわかる。
一方、10μmの接合層を有する感光体の露光後電
位の最終値は40V、除電後電位の最終値は25Vで
あり、この感光体は良好な疲労特性を示す感光体
である事がわかる。
第１３図は、繰返し電位挙動のデータの内、露
光後電位（プローブ２５電位）の最終値を整理し
たもので、第８図と同様に酸素添加Se接合層の
効果は顕著であると共に、膜厚を増す事に依り、
一層の接合性能の改善を実現し得る事がわかる。
ただし10μmをこえる厚さの接合層をCTLとCGL
の間にはさむことは第１図の構造の感光体と同様
に避けなければならない。
光後電位（プローブ２５電位）の最終値を整理し
たもので、第８図と同様に酸素添加Se接合層の
効果は顕著であると共に、膜厚を増す事に依り、
一層の接合性能の改善を実現し得る事がわかる。
ただし10μmをこえる厚さの接合層をCTLとCGL
の間にはさむことは第１図の構造の感光体と同様
に避けなければならない。
本発明によればCTLとCGL、あるいはさらに
CGLの上にOCLを有する機能分離型感光体にお
いて、CTLとCGLの間に接合層として酸素添加
Se層を入れる構成とする事により、CTLとCGL
の間の合金元素、例えばTeの濃度差の大小にか
かわらず、良好な接合性能、すなわち残留電位の
低い、従つて繰返し残留電位の低い感光体を他の
特性を損なうことなく、容易にかつ再現性の良く
作製し得る効果が得られる。またSe−Te合金の
CGLのTe含有量が高い場合でも、接合層の厚さ
を制御する事で良好な接合性能を実現し得る。接
合層の膜厚の制御は、単に原料投入量を変化させ
るだけで容易に行うことができる。
CGLの上にOCLを有する機能分離型感光体にお
いて、CTLとCGLの間に接合層として酸素添加
Se層を入れる構成とする事により、CTLとCGL
の間の合金元素、例えばTeの濃度差の大小にか
かわらず、良好な接合性能、すなわち残留電位の
低い、従つて繰返し残留電位の低い感光体を他の
特性を損なうことなく、容易にかつ再現性の良く
作製し得る効果が得られる。またSe−Te合金の
CGLのTe含有量が高い場合でも、接合層の厚さ
を制御する事で良好な接合性能を実現し得る。接
合層の膜厚の制御は、単に原料投入量を変化させ
るだけで容易に行うことができる。
第１図は本発明の一実施例の構造を示す断面
図、第２図は本発明の実施に用いられる酸素添加
Se原料の製造装置の断面図、第３図は比較のた
めの従来の機能分離型感光体の断面図、第４図は
本発明の一実施例のXerographic Gainを示し、
ａは波長をパラメータとした電界強度との関係線
図、ｂは10V／μmの電界における波長との関係
線図、第５図は比較例のXerographic Gainを示
し、第５図ａ，ｂはそれぞれ第４図と同様な電界
強度との関係線図、波長との関係線図、第６図は
繰返し電位挙動の評価装置の配置図、第７図は電
界しきい値と接合層の厚さとの関係線図、第８図
は繰返し残留電位と接合層の厚さとの関係線図、
第９図は本発明の別の実施例の構造を示す断面
図、第１０図は第９図に示した構造で0.5μmの厚
さの接合層を有する感光体のXerographic Gain
を示し、第１０図ａ，ｂはそれぞれ第４図と同様
な電界強度との関係線図、波長との関係線図、第
１１図は同じ構造で10μmの厚さの接合層を有す
る感光体のXerographic Gainを示し、第１１図
ａ，ｂは同様にそれぞれ電界強度との関係線図、
波長との関係線図、第１２図は第９図に示した構
造の感光体の電界しきい値と接合層の膜厚との関
係線図、第１３図同様に繰返し残留電位と接合層
の膜厚との関係線図である。 １…アルミニウム基体、２…CTL、３…酸素
添加Se層、４…CGL、５…OCL。
図、第２図は本発明の実施に用いられる酸素添加
Se原料の製造装置の断面図、第３図は比較のた
めの従来の機能分離型感光体の断面図、第４図は
本発明の一実施例のXerographic Gainを示し、
ａは波長をパラメータとした電界強度との関係線
図、ｂは10V／μmの電界における波長との関係
線図、第５図は比較例のXerographic Gainを示
し、第５図ａ，ｂはそれぞれ第４図と同様な電界
強度との関係線図、波長との関係線図、第６図は
繰返し電位挙動の評価装置の配置図、第７図は電
界しきい値と接合層の厚さとの関係線図、第８図
は繰返し残留電位と接合層の厚さとの関係線図、
第９図は本発明の別の実施例の構造を示す断面
図、第１０図は第９図に示した構造で0.5μmの厚
さの接合層を有する感光体のXerographic Gain
を示し、第１０図ａ，ｂはそれぞれ第４図と同様
な電界強度との関係線図、波長との関係線図、第
１１図は同じ構造で10μmの厚さの接合層を有す
る感光体のXerographic Gainを示し、第１１図
ａ，ｂは同様にそれぞれ電界強度との関係線図、
波長との関係線図、第１２図は第９図に示した構
造の感光体の電界しきい値と接合層の膜厚との関
係線図、第１３図同様に繰返し残留電位と接合層
の膜厚との関係線図である。 １…アルミニウム基体、２…CTL、３…酸素
添加Se層、４…CGL、５…OCL。
Claims (1)
- １ 酸素を添加していないキヤリヤ伝搬層および
キヤリヤ発生層を有する電子写真用セレン感光体
において、キヤリヤ伝搬層とキヤリヤ発生層の間
に２〜10μmの厚さの酸素を添加したセレン層が
介在することを特徴とする電子写真用セレン感光
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15119783A JPS6043663A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 電子写真用セレン感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15119783A JPS6043663A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 電子写真用セレン感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6043663A JPS6043663A (ja) | 1985-03-08 |
| JPH021300B2 true JPH021300B2 (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15513373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15119783A Granted JPS6043663A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 電子写真用セレン感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043663A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0465197U (ja) * | 1990-10-19 | 1992-06-05 |
-
1983
- 1983-08-19 JP JP15119783A patent/JPS6043663A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0465197U (ja) * | 1990-10-19 | 1992-06-05 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6043663A (ja) | 1985-03-08 |
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