JPS5875158A - 電子写真法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視゛
光線、赤外光−＊Ｘｌ１−ｒ＃等を示す）の様な電磁波
に感受性のある電子写真用像形成部材を利用した電子写
真ｍＫ閤すゐ・ 従来、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する光導
電材料としては、　８ｅ−１８，ｋＯ等の無機光導電材
料やボＩＪ−Ｎビニルカルバシー＋（ＰＶＫ）、）９＝
）ａ７Ｊ＆＃し／ｙ（ＴＮＦ）勢の有機光導電材料（ｏ
ｐｏ）が一般的Ｅｌ！用さている。

而乍ら、これ等の光導電材料ｋｔ用する電子写真用像形
成部材に於いては、未だ諸々の解決され得る可き点かめ
って、ある程度の条件緩和る。

例えは、Ｂｅを光導電層形成材料とする電子写真用像形
成部材は、８ｅ単独では、例えと、可視光領域の光を利
用する場合、その分光感度領域が狭いのでＴａ　＋Ａｓ
を添加して分光感度領域を拡けることが計られている。

両生ら、この様な、Ｔｅ　＋Ａｓ　ｔ−含むａＳ系光導
電層を有する電子写真用像形成部材は、確かに分光感度
領域は数置されるが、光疲労が大きくなる為に、同−原
ＩＶＩを連続的に繰返し、コピーすると複写画像の画像
一度の低下やパックグランドＯ汚れ（白地部分のカプリ
）を生じ九ｐ。

又、引続き他の鳳＠ｔコピーすると前ｏＨＨ。

画ｇ１が残像として複写される（ゴーストＩＡ６）等の
欠Ａを有している。

而も、８＠殊ＫＡｊｉｉ　、　Ｔｅ　１１人体に対して
極めて有、害な物質であるので、製造時に於いて、人体
への接触がない様な製造装置を使用する工夫が必要であ
って、装置への資本投下が著しく大きい。史には、製造
後に於いて賜、光導電層が胤呈していると、クリーニン
グ等の処ｍｔ−受ける際、光導電層表面は直に摺擦され
る為に、その一部がＰ／Ａり取られて、現像剤中に混入
したり、複写機内に飛散したシ、複写画像中に混入した
りして、人体に接触する原因を与える結果を生む・又、
８ｅ系先光導電は、その表面がコロナ放電に、連続的に
多数回繰返し晒されると、層の表面付近が結晶化又は酸
化を起して光導電層の電気的特性の劣化を招く場合が少
なくない。或いは、又、光導電層表面が篇呈していると
、静電Ｓ＊の可視化（現俸）に際し、液体現像剤を使用
する場合、その溶剤と接触する為に耐溶剤性（耐＊＊性
）に優れていることが要求されるが、この点に於いて、
Ｓ＠系先光導電層必ずしも満足しているとは断言し難い
・ これ等の点を改良する為に、８ｅ系光導電屑の＊ｍｔ、
所麟保護層や電気絶縁層等と称される！ｌ１ｉｋＮ被横
層で嫌うことが提案逼れている・丙午ら、これ郷の改良
に関しても、光導電層と表面被積層との接着性、電気的
接触性及び表面被積層に要求される電気的特性や表面性
の点又、別には、８ｅ系先光導電は、常連の場合真空蒸
着によって形成されるので、その為の装置への著しい資
本投下虻必畳とし、且つ、所期の光導電特性を有する光
導電層を再現性良く得るには、蒸着温度、蒸着基板温度
、真空度、冷却速ｆ等の各種の製造パラメーターを厳密
に＃Ｉ４整する必要がある・ 更に、表面被覆層は、光導電層表面に、フィルム状のも
のｔ接着剤を介して貼会するか、又は、表函被後層形成
材料ｔ−脆布して形成される為に、光導電層を形成する
装置とは別の装置を設置する必要があって、設備投資の
著しい増大があって、昨今の様な減速経済成長期に於い
ては甚だ芳しくない。

又、８ｅ系先導電層は、電子写真用像形成部材の光導電
層としての高暗抵抗を保有する為に、アモルファス状態
に形成されるが、８ｅの結晶化が約６５℃と極めて低い
ｉ！度で起る為に、製造後の取扱い中に、又Ｆ１使用中
に於ける周囲温度や画像形成プロセス中の他の部材との
摺擦゛による摩擦熱の影響を多分に受けて結晶化現象【
起し、暗抵抗の低下を招き易いという耐熱性上にも欠点
がある自 一方、ＺｎＯ、ＯｄＳ等を光導電層構成材料として使用
する電子写真用像形成部材は、その光導電層が、ムＯや
Ｏ４０等の光導電材料粒子【適轟な樹脂結合剤中に均一
に分散して形成されている。

この、所謂バインダー系光導電層を有する像形成部材は
、ａｅ系先光導電層有する像形成部材に較べて製造上に
於いて有利であって、比較的製造コストの低下【計るこ
とが出来る・即ち、バインダー系光導電層は、　ＺｎＯ
や〇ｄ８の粒子と適幽な＊ｍ＊着剤と會適尚な溶剤を用
いて混練して調合した塗布液を適蟲な基体上に、ドクタ
ーブレード法、ディッピング法等の塗布方法で塗布した
後−化させる曵けて形成することが出来るので、８ｅ系
先光導電を有する像形成部材に較べ製造装置にそれ程の
資本投下【する必要がないｄかりか、製造法自体も簡便
且づ容品である。

丙午ら、バインダー系光導電層は、基本的に構成材料が
光導電材料とａｍ緒着剤の二成分系であるし、且つ光導
電材料粒子か樹脂結着剤中に均一に分散されて形成され
なければならない特殊性の為に、光導電層の電気的□及
び光導電的特性や物理的化学的特性音決定するパラメー
ターが多く、従って、斯かるパラメーターを厳密に調整
しなければ所望の特性を有する光導電層を再現性良く形
成することが出来ずに歩留りの低下を招き量産性に欠妙
るという欠点がふる。

又、バインダー先天導電層は、分散系という特殊性故に
、層全体がポーラスになってシシ、その為Ｋ１１度依存
性が着しく、多湿雰囲気中で使用すると電気的特性の劣
化を来丸し、＾品質の１写画像が得られなくなる場合が
少なくない。

更には、光導電層のポーラス性は、現像の際のＩＡ像剤
の層中への侵入′ｋＩ８来し、離型性、クリーニング性
が低下するにか）か使用不能を招く原因ともなり、殊に
、筐体現像剤を使用すると毛管現象による促進を受妙て
その中ヤリアー溶剤と共Ｋ１１ｍ剤が層中に侵透するの
で上記の点は著しいものとなり、Ｓｅ系先導電層の場合
と同様に光導電層表面ｔ−聚内面被覆層覆うことが必要
となる。

両年ら；この表面被覆層を設ける改喪も、光導電層のポ
ーラス性に起因する光導電層表面の凹凸性故に、その界
面が均一にならず、光導電層と表面被覆層との接着性及
び電気的接触性の良好な状ｍｅ得る拳が仲々困難である
という欠点が存する・ 又、０ｄＳｔ−使用する場合には、ＯｄＳ自体の人体へ
の影４Ｉがめる為に、製造時及び使用時に於いて、人体
に接触したシ、或いは、周囲環境下に飛散し友りするこ
とのない様にする必要かある＠Ｚｎ０ｉ使用する場合に
は、人体に対する影響は殆んどないが、ｚｆｉＯバイン
ダー系光導電光導電層度が低く、分光感度領域が狭い、
光疲労が着しい、光応答性が悪い咎の欠点ｔｇしている
・ 又、最近注目されているＰＶＫ−？ＴＮＦ等の有機光導
電材料を使用する電子写真用像形成部材に於いては、表
面が導電処理場れ九ポリエチレンテレフタレート等の適
当な支持体上ＫＰＶＫやＴＮＦ勢の有機光導電材料の塗
膜を形成するだけで光導電層を形成出来るという製造上
に於ける利点及び可撓性に長は良電子写真用像形成部材
が製造出来るという利点を有するものであるが、他方に
於いて、耐湿性、耐コロナイオンざｎ瓦１１Ｉ凹てしか
便慮氏供ざｎていなｉ・然もこれ等の有機光導電材料の
中に＃ｉ発癌性物質の疑いがあるものもある等、人体に
対してその多く社全く無害であるという保証がなされて
いない。

この様に、電子写真用像形成部材の光導電層を形成する
材料として従来から指摘されている光導電材料を使用し
九電子軍真用健形ＩＲｓ材は、利点と欠点を併せ持つ為
に、ある程度、製造条件及び使用条件ｔｉｌｌ和して各
々の使途に合う適従って、上述の緒問題点の解゛決され
え優れた電子写真゛用像形成部材が得られる様な電子写
真用像形成部材の光導電層を形成する材料としての第３
の材料が所望されている。

その様な材料として最近有望視されている４のの中にア
モルファスシリコン（以後ａ−８４と略記する）がある
。

ａ　−８４ｊｉｉｉは、開発初期のころは、その製造法
や製造条件によって、その構造が左右される為に梅々の
電気的特性・光学的物性を示し、再現性の点に大難な問
題を抱えていた・例えに、初期に於いて、真空蒸着法や
スパッタリング法で。

形成され九ａ　−８，＋躾はボイドｅｔ−多量に含んで
−て、その為に電気的性質も光学的性質も大きく影１１
を受け、基礎物性の研究材料としてもそれ程注目されて
はおらず、又、応用の為の研究開発もなされなかった。

両年ら、アモルファスではｐｅｎｔ１１＋＃が不可能と
されて諭たのが、１−８盈に於いて、１９７６年初頭に
アモルファスとしては初めてｐ−ｎ接合が実現し得ると
いう報告（Ａｐｐｌムｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔ
ｅｒ　；　Ｖｏｌ　２８　、　Ａ　２　。

１５　Ｊａｎｕａｒｙ　１９７６　）が成されて以来、
大きな関心が集められ、以後上記ｐ−ｎ級合が得られる
ことに加えて結晶性シリコン（ｃ−８にと略記する）で
は非常に弱いルミネセンスがａ−８ｉでは＾効率で観＃
ｊされるという点から、主として太−電池への応用に研
究開発力が注がれて来ていゐＯ この様ンこ、これ迄に報告されているａ−８４ｍは、太
陽電池用として開発されたものであるので、その電振的
特性・光学的特性の点に於いて、電子写真用像形成部材
の光導電層としては使用状 し得えないのが爽快である・即ち、太陽電池は、太陽エ
ネルギー會電流の形に変換して取り出すので、効率良く
大きな電流を取り出すには、畠−８ｉｊｌｌの明抵抗（
電磁波照射時の抵抗）はある程度以下にしなければなら
ない、一方、余シ暗抵抗（電磁波非照射時の抵抗）が小
さ過ぎる１−８＆属では効率良く大きな電流’ｔａｐ出
すことが出来ない・この様な点から、太陽電池に応用す
るＫは、暑−８＆躾の暗抵抗は１Ｇ”〜１０”Ω・α程
度が要求されている・ 丙午ら、この程度の暗抵抗を有するａ−８１ｊｉｌｌで
は、そのｔまで電子写真用像形成部材の光導電層として
適用させようとしても、余りにも暗抵抗が低く過ぎて、
現在、知られている電子写真法には全く使用し得ない。

又、電子写真用像形成部材の光導電層の形成材料として
は明抵抗が暗抵抗に較べて２〜４桁程度小さいことが要
求されるが、従来、報公されているｍ−８ｉｊｌｌ［で
は精々２桁Ｓ度であるので、この点に於いても従来のａ
−８ｉ膜では、そのままで電子写真用像形成部材の光導
電層として、適用しようとしても充分満足し得る光導電
層とは成９得なかつ丸。

又、別には、ｍ−８ｉｊｌｌ［に関するある報告によれ
ば、例えば１１抵抗が＝１６１１０・傷であるａ−８ｉ
膜は光電利得（入射ｐｈｏｔｏｎ当りの光電流）が低下
しており、この点に於いても、従来の１−８４膜はその
ｔまでは完全な電子写真用像形成部材Ｏ光導電層とは成
り得なかった。

更に、電子写真用像形成部材の光導電層として要求され
る上記以外の他の豊作、例えば、静電的特性、耐コロナ
イオン性、耐浴剤性、耐光疲労性、耐湿性、耐熱性、耐
摩耗性、クリーニング性等の点に於いて蝶、従来全く未
知数であった。

本発明は、上記の諸点に鑑み成されたものでａ−８４に
就て電子写真用像形成部材の光導電層への適用という観
点から総括的に鋭意研究検討を続は九結果、ある特性を
有する特定の層構造Ｏ，ａ−８ｉ層とすれば、電子写真
用像形成部材の光導電層として極めて有効に適用さ五得
るにかりでなく、電子写真用像形成部材の従来の光導電
層と較べて殆んどの点に於いて凌駕していること虻見出
し要点に基らている・ 本発明は、製造時に於いては、装置のクローズドシステ
ム化が容易に出来るので、人体に対する悪影響を避は得
ることが出来、又一旦製造されたものは使用上に際し、
人体はか）かその他の生物、史には自然環境に対しての
影響がなく無公害゛であって、殊□に耐熱性、耐湿性に
優れ、電子写真特性か常時安定していて、殆んど使用環
境に限定を受けない全環境型であｐ、耐光疲労性、耐コ
ロナイオン性に普しく長け、繰返し使用に際して４劣化
現象を起さない電子写真用像形成部材を利用する電子写
真法【提案す６ことｔ主える目的とする。

本発明の他の目的は、一度が高く、Ｉ・−フトーンが鮮
明−に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る−が容
易に出来る電子写真法を提案することである・ 本発明のもう一つの目的は、光感度が高く、又、分光７
ＩＡｔ領域が略々全可視光域を覆ってお〉暗減衰速度が
小さくて光応答性か速く、且つ耐摩耗性、クリーニング
性、耐浴剤性に優れ良電子写真用像形成部材を利用した
電子写真法を提案することでもあるの 本発明の所期の目的社、□光導電−を以降に於いて詳述
する特性を有するａ−８ｉ系先光導電を有する電子写真
用像形成部材に、前記光導電層に於轄る空乏層の幅を拡
ける帯−地場と、電磁波の照射と、１行って靜−＊に形
成する事によって達成される。

本発明の電子写真法に於いて用いられる電子写真用像形
成部材の最も代表的な構成例が第１図及び第２図に早場
れる・第１図に示される電子写真用像形成部材ｌは、支
持体２　、　ａ−８４系先導電層３から構成され、元導
電１４１１３Ｆｉ管形地面となる自由表面４ｔ−有し、
数層３中には空乏層５が形成されている。

淳発明に於いて、ａ−８１系光導電層３中に空乏層５を
設けるには、光導電層３を、下記のタイプのａ−８１の
中の少なくとも二ＩＩｉ！Ｉｌを適訳し、異なるタイプ
のものが接合される状態として層形成する事によって成
される・ ■ａ　３１　ｍ−８４・−・・−・ドナー（ｄｏｎｏｒ
　）　　のみｔ含むもの、或ｈＦｉ、ドナーとアクセッ
タ−（ａｃｃｅｐｔｏｒ　）との両方を含み、ドナーの
濃度（Ｎｄ）が高いもの・ ■ｎ”１ｌａ−８し・・・−■０タイプの中で殊Ｋ　ｎ
　ｌ！特性゛の強い（Ｎｄがより高い）もの。

■ｐｍｌｌａ−引・・・・・・アクセプターのみを含む
もの。或いは、ドナーと７クセプターとの両方を含み、
アクセッターの纜ｆ（Ｎｌ）が高、・−もの・ ■ｐ”ｍ５−ｓｔ・・・・・・■のタイプの中で殊にｐ
ｈｉ特性の強い（Ｎａがより高い）もの。

■ｉ　＠　ａ　−Ｓｉ−・・・・Ｎａ″：Ｎｄ：Ｏのも
の又は、Ｎａ二Ｎｄのもの・ 即ち、空乏層５は、・・例えば、所望に従って表面特性
虻有する支持体２上に、先ず、！型の畠−８１層を所定
の層厚で形成し、次いで鋏ｉ　１１１１　ａ−８１層上
ＫｐＨの１−８上層を形成することによって１Ｉｌｌａ
−８ｉ層とｐＩＩｌｓ−８ｉ層との接合部として形成さ
れる（以後、空乏層５に関して支持体２憫のａ−８ｉ層
を内部層、自由表面４儒の１−８ｉ層を外部層と称する
）・ａｈ、空乏層５は、異な為タイプのａ−８ｉ層が接
合される様に、光導電層３を形成した場合に、内部ａ−
８ｉ層と外部ａ−８ｉ層との境界遷移領域に形成される
一本発明に於ける空乏層５Ｆｉ、電子写真用像形成部材
に静電像を形成するプロセス中の一工程である電磁波照
射工程の際に、照射される電磁波Ｉｌｋ収して移動可能
な中ヤリア−を生成する層としての機能を有する・又、
空乏層５は、定常状態では、フリーキャリアーの枯渇し
良状態となっているので所謂真性牛導体としての挙動を
示す・ 本発明に於いては、光導電層３を構成する層である内部
層６と外部層７とが同一材料アあるａ７組で構成され、
その接合部（空乏層５）はホモ（ｈｏｍｅ　）接合とな
っているので、内部層６と外部層７とは電気的・光学的
ＫＪＬ好な接合が成されておシ、又、内部層・外部層の
エネルギーバンドは滑らかに接合されている。更に空乏
層５には、電層の形成ＯＩＩに、形成され九固有の電界
（拡散電位）（エネルギーバンドの傾き）が存在してい
る・との為に、キャリアー生成効率が良くなるばかシか
、又、生成し九キャリアー〇再結合確率が減少し、即ち
、量子効率が増大し、光返答速度が遠くなシ、残留電荷
の発生を防ぐという効果が生ずる。

従って、本発ｆｌｉ４に於いては空乏層５内に於いて、
光の様な電磁波の照射によって生成され九キャリアーは
静電像の形成に有効に働くという利点が存する・ 又、本発明の像形成部材は、その特長をより効果的に利
用する為に、静電像を形成する際、豊導電層３中に形成
されている空乏層５に、逆バイアス（逆方向バイアス）
となる様な電圧が印加される様に帯電極性ｔ−選択して
、外部層函に帯電処理が施される・この逆バイアスが空
乏層ＳＫ印加されると、９上層５の層厚は、電層に印加
される電圧の略１／２乗の大きさで増加する拳例えば、
高電圧（１０’Ｖ／儂以上）下では、９上層５の厚さは
帯電処理を施さない時の厚さに較べて、数倍から数十倍
にもなる・又、空乏層５への逆バイアス印加紘接合によ
って形成され九固有の電界（拡散電位）１−頁に急峻な
ものとする。

この事は、先に述べた効果を一層顕著なものとする。

本発明に於いては、前述した如く、内部層６と外部層７
とが同一材料で形成され、空乏層５はＪＰ３ｓ層６と外
部層７の接合によって形成されるので、光導電層３全体
が連続し友製造工＠Ｏ下に形成する事が出来るという利
点も存する。

空乏層５の層厚としては、接合させる内部層６と外部層
７の誘電車中両層の接合前の７エルモｉ／　ベル０差、
ｍｂ、接合されｈｍ−８ｉＮｊ１ｔｔｌＪ記の■−■の
タイプに制御する為に層中にドーピングされる不純物の
！［Ｋよって決定され、殊に不純物のドーピング量を調
整することで数十五〜数μ迄変化させる事が出来る。

そして、前述した如く、逆バイアスによる空乏層５０層
厚の拡が〉のため逆バイアスをして使用する場合には、
数百五〜数十μまでＫもひろげて用いることができる。

従って、逆バイアスのｓｆＫよって空乏層５の層厚は、
適宜変化させられ゛る。

但し、高電界の逆バイアスを空乏層５上に印加させる場
合、トンネリング中なだれ破壊をおこさないＳ＊に、後
述する不純物の一度と印加電圧を決定する必要がある・
りまシ、不純物員度かあｇＫ高ｆＩｋ度の場合、比較的
低い逆バイアスでｔンネリングやなだれ破壊を生じて、
空乏１ｇｌｌ５の充分な拡がシ（電気容量の減少）と空
乏層Ｓへの充分な電界を得ることができなくなゐ・ 本発明に於いては、空乏層５は、電磁波を吸収してキャ
リアーを生成する役目ｔ＃うことがらすれば、空乏層５
に入射して米る電磁波を可能な＠９吸収する様にする為
に層を厚くするのが良い＠両年ら、他方に於いて、空乏
層５に於いて生成されたキャリアーの再結合確率を低下
させる重装因子である、空乏層５に形成される固有の電
界の単位厚さ当りの強嘔は、層の厚さく逆比例するので
、この点に限れば、空乏層５の厚さは薄い方が良いもの
とぢれる拳 従って本発明に於いては、その目的が充分達成される様
にする為に上記２点が考慮される必要がある・即ち本発
明に於いては電磁波照射によるキャリアーの生成を大部
分空乏層５中で行うので、像形成部材１に電磁波熱射す
る際の照射方向に従って、内部層６と外Ｓ層７の何れか
一方ｔ、コントラストの充分とれた静電ｆＩＩが形成さ
れるのに充分な中ヤリアーが空乏層５中に於いて発生さ
れ得る様に、即ち、照射される電磁波が空乏層５に充分
到達し得る様に形成される泌４！１がある・ところで、
通常の使用に供される電子写真用ｇＩＩ形成部材に於い
ては照射される電磁波として可視光が採用されている。

従って、ａ−引の光吸収係数が波長領域４００〜７００
ｎｒｎの範囲で５×１０−〜ｌＱ４ｍ−”であるから、
先の目的を達成する為には、少なくとも帯電処理が′成
され死際、光照射側の層表面から５ｏｏｏム以内に空乏
層５０少なくとも一部が存在する様に、光照射側の層と
して内部層６又は外部層７の倒れか一方を形成する必要
がある・又、該層厚の下限としてゝは、基本的には、内
部層６と外部層７の接合によって空乏層５が形成されさ
えすれば良いとする点から、薄い方が電磁波の照射量に
対する空乏層５中でのキャリアー発生効率を増大させる
事か出来るので、製造技術的に可能な限少厚さ＃ｉ薄く
される・ 他方、ｐ型（ｐ＋型型合十ｎ　ｉｌｌ　（ｎ＋履含）を
外部層として用いる場合、不純物１１［Ｋよってそ０＠
抵抗は大きく変化するが５そのｌよとんどか従来の電子
写真的観点からすれは、全く使用で自ないものである。

その理由は、余り抵抗の小さいものでは、静電像か形成
される際に層の横力向への電荷の逃けｔ防ぐだけの表面
抵抗性がないから使用出来ないとするものである・ 丙午ら、本発ＩｊＩに於いては、前述した空乏層５へＯ
逆バイアスによる空乏層ｓの層厚の鉱がシ゛があ〕、ζ
Ｏ事実は７リーキヤリアーの掃き出しを意味しておシ、
こＯことは外部層が比較的低抵抗であっても見掛は上高
抵抗の舞いをするととくなシ、又逆バイアス万両の帯電
は、外部層の７リーキヤリアーを表両方向へ掃き出させ
る効果を有するために外部層に同ｍｏｗ化を誘起する。

従って、外部層を構成する亀のとして、上記に説明した
空乏層Ｏ拡が）効果と７リーキヤリアーの掃き出し効果
が、本発明Ｏ目的が達成されゐｌｉＫ期待され得るので
あれば従来の電子写真的観点からすれば、使用出来ない
とされていえ比較的低ｍａ値を有するものでも使用され
得ることを可能としている。

内部層６と外部層７の中の何れか一方である、電磁ａｍ
射儒の層でない層、・換言すれば、空乏層ｉＫ関して電
磁波照射側との反対にある層状、空乏眉墨で発生しえ電
荷を効果的に輸送する機能を荷うと共に、光導電層３の
電気容量の太きさに大いに寄与する様に形成されること
も出来る。

この理由から、斯かる層状、製造される像形成部材の製
造コストや製造時間醇も含め丸紅済性も加味して通常の
場合０．５〜１００μ、好適には１〜５０μ、最適には
１−３０μの層厚の範囲で形成されることが望まれる。

又、更には、可撓性Ｏ要求される像形成部材の場合には
、他の層や支持体２Ｃ）！ｉＪ撓性の程度具合にも関係
するが、好適には上限として３０μ以下に形成されるの
が望ましいものである。

第１図に於いては、本発明の像形成部材の好適な実施態
様に就いて、内部層６と外部層７として■〜■のタイプ
の中の異をる三種鋼のタイプ０ａ−８１層を選択、例え
ば、ｐ型と１型ｔ　Ｐ”濃とｐａｌｔｍ”戯とａｌｌ、
ｐｕとｎ型等の組合せとして選択し、これ等を接合させ
□て、光導電層３を形成した鍔を挙げて、従来のに対す
るその優位性に就いて説明し九が、更に、支持体Ｓ＠か
も、Ｐ”ｌ”＋鳳・五・ｐと云う様に■〜■の中の三種
鋼の異なるメイプｅ＆−８１層を接合して光導電層を構
成した場合も本発明の良好亀実施態様とな夛得る。この
場合に社、光導電層中に空乏層が二つ存在するととにな
る。

この場合、二つの空乏層に分割して高電界を印加できる
丸め大きな電界の印加が可能とな９、高い表面電位を得
ることがよ）容易となる。

光導電層を支持体側から脆・１・ｐ、又はｐ−１・聰の
層構成とした場合には、以下に示す如きｏｌｌｒ長を有
する様になると共に種々の電子写真プロセスが適用され
得る様になる。

即ち、支持体側からの光導電層中への電荷の注入を防ぐ
効果がちシ、更には、表面側と支持体側の両方からの電
磁波照射が可能である為、両面同一画像照射や異なるｉ
ｉｉ＊照射による同時ａｄｄ　−ｏｎ方式の画像照射を
も可能にする。そして更には、静電曹消去Ｏ為の裏面照
射（支持体側からの照射）や後述するＮＰ方式による裏
面照射（支持体側からの電荷注入！促進する）鷺して耐
久性向上のためＯ裏面照射も可能とｅ　ｈ　＊本発明の
電子写真用像形成部材の光導電層を構成する層としての
■〜■のタイプ０ａ−８１層は、後に詳述する様にグロ
ー放電法や反応スパッタリング法等による層形成の際に
、ｉａｌ！ａｌｌ（形成されるａ−８１層を■又は■Ｏ
タイプにすゐ）又は、９ｍ不純物（形成されるａ−Ｓｔ
層を■又は■Ｏタイプにする）、或いは、□両不純物を
、形成されるａ−Ｓｔ層中にその量を制御してドーピン
グしてやる事によって形成される。

仁の場合、本発明−者等の実験結果からの知見によれば
、層中の不純物の濃度を１０″〜１Ｇ”ａｍの範囲内に
調整することによって、よシ強い１ｍ１（ヌはよシ強い
ｐＨ）のａ−８ｉ層からよ）弱いａｌｌ（又はよシ鋳い
Ｐａｌ　’）　Ｏａ−ｓｔ層を形成する事が出来る。

■〜■Ｏタイプのａ−Ｓｔ層は、グロー放電法、スパッ
ターリング法、イオンインプランテニ゛シ璽ン法、イオ
ンブレーティング法等によって形成される。これ等の製
造法は、製造条件、設備資本投下Ｏ負荷程度、製造規模
、製造されろ儂形成部材に所望される電子写真４Ｉ性等
の要因によって適宜選択されて脈用されるが、所望する
電子写真４ｉ性を有する像形成部材を製造する為の制御
が比較的容易である、■〜■Ｏメイプに制御する為にａ
−ｓｉ層中に不純物を導入するのに■族又はＶ族の不純
物を置換盤で導入することが出来る等Ｏ利点からグロー
放電法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用してａ−ｓｉ層を形成し
ても良い。ａ−Ｓｔ層は、本発明の目的とする電子写真
用像形成部材が得られる可く、その暗抵抗及び光電利得
が、例えば、Ｈｌ−含有させて制御される。とζに於い
て、ｒ　ａ−ｓｔ層中にＨが含有されている」というむ
とは、「Ｈが、８１と結合した状態Ｊ　、ｒ、Ｈがイオ
ン化して層中に取シ込まれている状態」又状「迅として
層中ＫＭＮ）込まれている状態」の何れかの又はとれ勢
の複合されている状態を意味する。＆−８ｔ層へのＨの
含有は、層を形成する際、製造偏置幕内Ｋ　ｉｌｓ＆　
、　Ｂｔｔ九等０化合物又はルの影で導入し先後、熱分
解、グロー放電分層等の方法によって、それ等の化合物
叉はルを分解して、ａ−Ｓｔ層中に１層の成長く併せて
含有させても良ＩＬ、又、イオンインプランテーシ欝ン
法で含有させてもＪＬ　ｖ”　。

本発明の知見によれば、ａ−ｓｔ層中へのＨの含有嚢状
、形成される像形成部材が実際ｉ［に於−て適用され得
るか否かを左右する大き＆ｌＥ因Ｏ一つであって、殊に
形成されるａ−Ｓｔ層をｐ麿又＃１ｎｆｉに制御する一
つの１！素として、極めて重要である仁とが判明してい
る。

本発明に於いて、形成される像形成部材を実ｌ１面に充
分適用させ得る為には、ａ−ｓｔ層中に含有されるＨＯ
量は通常の場合１〜４０　ａｔｏｍｉａＸ。

好適には５〜ＪＩ　Ｑ　ａｔｏｍｉａ　Ｘとされるのが
望まし一０ａ−Ｓｔ層中への■含有量が上記０数値範囲
に＠定される理由の通論的裏付は今の処、明確に′ｓれ
ておらず推論Ｏ域を出ない。丙午ら、数多くＯ実験結果
から、上記数値範囲外ＯＨの含有量で紘、飼えば本発明
の１１ｙＩ＃成部材Ｏ光導電層を構成する内部層又紘外
５ＪＩｌとしてＯ１２求に応じ九砦１１に制御するのが
極めて困難である、製造され九電子写真用像影威郁＃は
照射される電ｉ＆！ｍに対する感度が極めて低い、又は
場合によっては、鋏感度が殆んど認められない、電磁波
照射によるキャリアーの増加が小さい等が認められ、Ｈ
の含有量が上記の数値範囲内にあるのが必要条件である
ことが裏付けられている。

ａ−８層層中へＯＨの含有は、例えば、グロー放電法で
社、ａ−Ｓｔを形成する出発物質が５ｉｌｋ。

８１２ル等の水嵩化物を使用するので、ＳｉＨ４，８に
雪山等の水嵩化物が分解してａ−８１層が形成される際
１．■は自動的に層中に含有されろが、更にＨＯ層中へ
Ｏ含有を一層効率嵐〈行なうには、＆−８ｉ層を形成す
る際に、グ日−放電を行なう装置系内に迅ガスを導入し
てやれば良い。

スパッターりフグ法による場合にはムｒ勢の不活性ガス
又はこれ等のガスをベースとした混合ガス雰囲気中でＳ
ｔをターゲットとしてメパツ！−リングを行なうＷＩＡ
にルガスを導入してするか又はＳｔ層　、　Ｂｉｘル等
の水素化ａ素ガス、或いは、不純物のドーピングも兼ね
てＢ１ル、ＰＨ８等のガスを導入してやれば良い。

本発明の目的を達成する為にａ−Ｓｔ層中に含有される
Ｈの量を制御すゐには、蒸着基板温度又は／及び■を含
有させる為に使用される出発物質の製造装置系内へ導入
する量を制御してやれば良い。更には、ａ−８１層を形
成し先後に、該層を活性化した水素雰囲気中に晒しても
良い。

又、この時ａ−８１層を結晶温度以下で加熱するＯも一
つの方法である。殊にａ−Ｓｔ層の暗抵抗を向上させる
ためには、該加熱処理法は有効な手段である。又、高強
度の光の様な電磁波を照射して、＆−８ｉ層の暗抵抗を
向上させる方法も有効な方法である。

＆−８１層中にドーピングされる不純物としては、ａ−
Ｓｔ層をｐ聾にするには、周期律表ＩＩＩ族ムの元素、
岡えばＢ、ム’　＊　Ｇａ　ｅ　Ｉｎ　＠　Ｔｔ等が好
適なもＯとして挙げられ、ｎｆｆ１Ｋする場合には、周
期律表第Ｖ族ムの元素、筒えげ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ。

８ｂ、Ｂｉ＊が好適なものとして挙けられる。これ吟の
不舅物は、ａ−ｓｉ層中に含有される量がｐｐｍオーダ
ーであるＯで、光導電層を構成する主物質１そＯ公害性
に注意を払う必要はないが、出来る限）公害性のない一
層を使用するのが好ましい、との様な観点からすれば、
形成されるａ−８ｉ層Ｏ電気的・光学的特性を加味して
、例えば、Ｂ、ム５ｔＰｓ８ｂ等が最適である。この他
に、ガえば、熱拡散やインプランテーシｌンによってＬ
ｉ勢がインターステイシアルにドーピングされることで
ｍ　ＩＩ　Ｋ制御するととも可能である。

ａ−Ｓｔ層中にドーピングされる不純物の貴社、所望さ
れる電気的・光学的特性に応じて適宜決定されるが、周
期律表第曹族ムＯ不純物の場合には、通１１１０−’　
〜１　Ｇ−”ａｔｏｍｌｓ　％　、好適には１０　”〜
１　（ｒ’　ａｔｏｍｉ　ｅ％、ｗ期律表ｍｙ族ＡＯ不
純物の場合に社、通常１Ｇ　”　１　Ｇ−’ａｔｏｍｉ
ｃ　％　、好適にａｌＧ−―〜ｌ　□−’ａｔｏｍｉｃ
　％とされるＯが望まし−。

これ等不純物Ｏａ−ｇｔ層中へのドーピング方法は、ａ
−８ｉ層を形成する際に採用されゐ調造法によって缶々
異なるものであって、具体的には、以降の説明又は実施
例に於いて詳述される。

第１図に示される電子琴□真用像形成部材Ｏ如き、光導
電層３が自由表面４を有し、諌自由表面４に、静電像形
成の為Ｏ帯電処理が施される像形成部材に於いては、光
導電層３と支持体２とｏｒｘｎｃ、静電像形成の際の帝
電処通時に支持体２１１からのキャリアーの注入を阻止
する働きのある障壁層を設けるのが一層好ましｉもので
ある。この様な支持体２＠からのキャリアーの注入を阻
止する働きのある障壁層を形成する材料として杜、選択
される支持体の種類及び形成される光導電層の電気的特
性に応じて適宜選択されて適当なものが使用される。そ
の様な障壁層形成材料としては、例えば、Ａ４０ｍ　、
　８１０　。

５ｌｏｔ等の無機絶縁性化合物、ポリエチレン、ポリカ
ーポライド、ポリウレタン、パリレン勢Ｏ有機絶縁性化
合物Ａｕ、Ｉｒ５Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｍｅ等Ｏ金属であ
る。

支持体２としては、導電性でも電気絶縁性であっても良
い。導電性支持体としては、飼えば、ス・テンレス、紅
ｔｃｒ＊Ｍｅ、ＡｗｓＩｒｔＮ１ｅｔＴｓｅＶ＠Ｔｔ＃
Ｐ＊＃Ｐｄ等の金属又は辷れ等の合金が挙けられる。電
気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレン
、ポリカーボネート、セル−一ズトリアセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ、塩化ビリニデン、
ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又は
シート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。

これ等Ｏ電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理されるのが望ましい。

例えば、ダラスであれば、Ｉｂ０ｍ　ｅ　８ｎＯｍ　等
でそのａｍが導電処理され、或いはポリエステルフィル
ム勢の谷威樹脂フィルムであれば、Ａ４ムｇ、Ｐｂ、Ｚ
ｎ、Ｎｉ、ムｕ　ｇ　Ｃｒ　ｌ　Ｍｏ　＃　Ｉｒ　ｔ　
ｌｆｂ　＠　Ｔ＆　ｅＶ　ｅＴｉ　、　Ｐｔ等の金属で
真空蒸着、電子ビーム蒸着、スバツメリング畔で処理し
、又は前記金属で２建ネート処履して、そ０表面が導電
部層される。

支持体Ｏ形状としては、円筒状、ベルＦ状、板状等、任
意の形状とし得、所望によりて、その形状は決定される
が、連続高速複写の場合に紘、無端ベルト状又５円筒状
とするのが望ｔＬＭ。

支持体の厚さは、所望通）の像形成部材が形成される様
に適宜決定されるが、像形成部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮される範
囲内であれば、可能な限り薄くされる。画情ら、この様
な場合、支持体の製造上及び取扱い１１機械的強度等の
点から、通常は、１０μ以上とされる。

第１図に示す如き、光導電層表面が露呈している層構成
の像形成部材であって、外部層側から電磁波照射を行う
ものに於いて雌、亀−８１０屈折率ｎが約３．３５と比
較的大きいので、従来の光導電層と較べて、電磁波照射
の際、光導電。

層表面で反射が起り易く、従って、光導電層に吸収□さ
れる電磁波の量の割合が低下し、照射される電磁波の損
失率が大きくなる。ζ０＠失率を出来る限シ減少させ′
るＫｔｉ、光導電層上に反射防止層を設けるとｊｌＬ−
６ 反射防止層の形成材料として紘、光導電層に悪影響東都
えない也と及び反射防止４１ａＫ優れてｉるという条件
０６ｋ、更に電子写真的＊＊。

飼えば、静電偉を形成するＩＩの層の横方向への電荷Ｏ
ＷＬれが生じない様ＫＴｏる程度以上の表両抵抗を有す
ること、液体現像法を採用する揚台には、耐溶鋼性に優
れていること、更には反射防止層を形成する条件内で、
既に形成されてｉる光導電層の特性を低下させない事等
の条件が要求される。

本発明Ｏ目的を達成する為の必要条件の一つである＆−
８１層中に含有されるＨＯ量嚢状記し走数値範囲であっ
て、その含有貴社、誼範囲内において、そｏｐａｒ要求
される特性が満足し良状態で得られる可く適宜決定され
るが、重畳なことは含有されたＨＦｉ要求される特性が
付与されるのに有効に寄与する状態で含有されている必
要があることである。

又、本実ＷＡＯ目的を達成する為Ｏ必要条件の別な一つ
であみ＆−８ｉ層中にドーピングされる不純物Ｏ一度は
、前記した数値範囲であって、そのドーピング量は、諌
範囲内において、七〇層に要求される特性が満足される
状態で得られる可〈適宜決定されるが、特に有効に作用
する−８１”−なる値が次Ｏ 空乏層が形成されるには’Ｎａ＋Ｎｄ 範１１にあゐ様に１Ｎａ、Ｎ櫨Ｏ値を決めると一層好Ｎ
ボｄ ネダング現象が起らない様に１，１□なる値の上膳Ｆｉ
決められ、通常はｌ　Ｑ”　ｅｘａ　”七される。下職
としては、形成されるａ−ｓｉ層中０１単位体ＩＲ嶋Ｄ
ｏｓｓｏ自由ダングリングボンド０’ＩＮＮよ）も大Ｉ
Ｉｉな値とされ、好適にはＮよ〉も１！２桁以上、最適
には１格以上大きな値とされるＯが望ましｉものである
。

第１図に示される＊＊成部材ｌは、光導電層３が自ｔｈ
表面４を有する構成の−のであるが、光導電層８表面上
には従来のある種Ｏ電子写真用＊＊威−材Ｏ１１に％所
■保鰻層中電気的絶縁層５ｏｌＩ頁被覆層を設けてもよ
い、その様な表両被覆層を有する偉形成部材が菖２図に
示される゛。

第２図に示される偉形成部材畠紘、第１１１Ｋおける光
導電層３と同様に空乏層１１、内部層１２及び外部層１
３を有すゐ光導電層１０上に自由表面を有する表面被覆
層１４を有する点以外は、構成上に於いて、第１図に示
される＊＊成部＃１と本質的に異なる％Ｏで社ない。血
清ら表藺被複＃１１４に要求される時性状、適用する電
子写真プロセスによって各々異なる。即ち、例えば、特
公＠４２−２８１１１０号公報、同４ｍ−２４７４８号
会報−記、載されているＮＰ方式の様な電子写真プロセ
ス宝適用するのであれシ、表両被覆層１４は、電気的絶
縁性でＴｏ２て、帯電処理を受けた際の静電荷保持能が
充分あって、ある１！度以上Ｏ厚みがあることが要求さ
れるが、Ｎ、ｔば、カールソンプロセスＯ如龜電子写真
プｐセスを適用するのであれば、静電曹形威後Ｏ明部の
電位線非常に小さいことが望ましいＯで表面被覆層１４
０厚さとしては非常に薄−ことが要求される。表面被複
層１４は、その所望される電気的特性な満足するのに加
えて、光導電層１０に化学的・物理的に悪影響を与えな
いこと、光導電層１０との電気的接触性及び接着性、更
Ｋａ耐湿性、耐摩耗性、りＩＪ　−ニング性等をチシン
テレフタレート、ポリカーｌネート、ポリプルピレン、
ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリチン、ポリビニルアル
コール、ポリスチレン。

ポリアンｙ、ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エチ
レン、ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ビニリデン、六弗化プ
窒ピレンー四弗化エチレンコポリマー、三弗化エチレン
−弗化ビニリデンコポリマー、ポリプデン、ポリビニル
ブチフール。

ポリフレタン等の合成樹脂、シア竜チー）、トリア竜デ
ート等のセル日−ス鱒導体等が挙けられる。こｈ等の合
成樹脂又はセルｐ−ス霞導体は、フィルム状とされて先
導電層１０上に貼合されて４ＪＩＬ＜、又、それ等の塗
布液を形成して。

光導電層１０Ｊ：に塗布し、層形成しても喪い。

表面被覆層１４０層厚は、所望される特性に応じて、又
、使用される材質によって適宜決定されるが、通常の場
合、ａ５〜７０＃＠［とされる、殊Ｋｌｌ！ｍｌ覆層１
４が先述し九保饅層としての機能が要求される場合には
、通常の場合。

１０μ以下とされ、逆に電気的絶縁層としての機能が要
求される場合には１通常の場合ｌＯ声以上とされる。１
ｉ乍ら、この保一層と電気絶縁層とを差別する層厚値紘
、使用材料及び適用される電子写真プロセス、設計され
る惨形成部材Ｏ構造によって、変動するもので、先の１
０μという値線絶対的なものではない。

又、ζＯＩＩ面被覆面被覆上１４に述べた如き反射防止
層としての役目も荷わせれば、そ０機能が一層拡大され
て効果的となる。

次に本発ｌ！ｊｉＯ電子写真用像形成部材を、グー−放
電法及びスパッタリング法によって製造する場合に就て
の概要を説明する。

第３図は、インダクタンスタイプグ關−放電法によって
１本発明Ｏ電、子写真用偉形虞部材を製造する為Ｏグー
−放電蒸着装置の模式的説明図である。

１６はグロー放電蒸着槽であって、内部に紘ａ−１１系
光導電層を形成する為の基板、１７が固定部材ｔ＠に固
定されてＥｈ基板１７０下部儒には、基板１７を加熱す
ゐ為のヒーター１９が設置されている。Ｓ着槽１６の上
部には、高周波電源２０と接続されている誘導コイル２
１が巻かれており、前記高周波電源２０がＯＮされると
誘導コイル２１に高周波電力が投入されて、蒸着槽１６
内にグルー放電が生起される様になっている。

蒸着槽１６Ｃ）上端部ＩＬガス導入管が接続されてお〉
、ガスボンベ２２，２３．２４より各々のｌンべ内のガ
スが必要時に蒸着槽１６内に導入°される様Ｋｅつてい
る。２５，２６．２７は各々Ｏゝ７ａ−メー５−夕であ
ってガスの流量を検知する為のメータであ〉、又、２８
，２９，３０は流入パルプ、３１．３２．３３は流出パ
ルプ。

３４は補助パルプである。

又、蒸着槽１６の下端部はメインパルプ３ｓを介して排
気装置（図示されていない）に接続されている。１５は
、蒸着槽１Ｇ内Ｏ真空を破る為Ｏリータパルプである。

第３図のグロー放電装置を使用、して１基板１７上に所
望特性の光導電層を形成するには、先ず１所定の清浄化
処理を施した基板１７を清浄化面を上面にして固定部材
１８に固定する。

基板１７の表面を清浄化するＫは１通常、実、施されて
いる方法１例えば、アルカリ又は除勢によ、る・化学的
処理法が採用される。又、ある程度清浄化した後蒸着槽
１６内の所定位置に設置しｔその上に光導電層を形成す
る前にグー−放電法理を行っても良い、この場合、基１
［１７の清浄化処理から光導電層形成迄同−系内で真空
を破ることなく行うことが出来るので、清、浄化した基
板面に汚物や不純物が付着するＯを避けることが出来る
。基板１７を固定部材１８に固定したら、メインパルプ
３５を全開して蒸着槽１６内の空気を矢印ムで示す様に
排気して、真空度″：ｌ　Ｑ　　ｔｏｒｅ程度にする。

次に補助パルプ３４を全開し、続いて流出パルプ３１，
３２，３３．流入パルプ２８，２９゜３０を全開し、フ
ローメーター２５．２６．２７内も脱気する。その後蒸
着槽１６内が所定の真空度に達し九ら補助パルプ３４．
流入パルプ２８゜２９．３０．流出パルプ３１．３２，
３１３を閉じる。続いて、ヒーター１９を点火して基板
１７を加熱し所定温度に違したら、そ０１１１度に保つ
。

オスボンベ２２はａ−８１を形成する為の原料ｉス用で
あって１例えば、＆に、組＾、親４−又は。

それ等の混合物等が貯蔵されている。又、ボンベ２３及
びボンベ２４は形成するａ−１１１層を■〜■Ｏタイプ
に制御するＯＫ誼層中に不純物を導入する為の原料ガス
用であって、Ｐシ、ＰＩＨ４゜ｍａｌｌ−、ム−ｌｅａ
　＊が貯蔵されている。

基鈑ｌ）が所定Ｏ温度に達し九〇を確認した後、ボンベ
２２ｔ）パルプ３６を開け、出口圧ゲージ３會の圧を所
定圧に調整し、次いで流入バルブ２８を徐々に開叶て、
ツー−メーター２５内へ例え【１等□ｍ−１１形威用の
原料ガスを流入させる。引き続いて、補助パルプ３４を
所定位置型で開け１次いでビラニーゲージ４２の示す値
を注視し乍ら、流出パルプ３１を徐々に開けて、ボンベ
２２から蒸着＄１６内に供給されるオスの流量を調整す
る。形成されるａ　−８１層中に強いて前記した不純物
をドーピングしない場合には、蒸着槽１６内にボンベ２
２よシロ−８監形成用の原料ガスが導入された時点に於
いて、ビラニーゲージ４２を注視し乍らメインパルプ３
５を調節して、所定の真空度、通常の場合は、烏−粗層
を形成する際のガス圧で１０’〜３　ｔａｒｔに保り。

次いで、蒸着槽１６外に巻かれえ誘導；イル２１に高周
波電源２０によシ所定周波数、通常の場合は０．２〜３
０＆の高周波電力を供給してグロー放電を蒸着槽１６内
に起すと、ａ−８ｉ形成用Ｏ！１．料ガス、例えば、８
１Ｎ４ガスが分解して、基［１７上に８１が蒸着されて
内部層が形成される。

形成される畠−８１層中に不純物を導入する場合には、
ボンベ２３又は２４よシネ純物生成用のガスを、ａ−ｊ
Ｉｉ層形・成時に蒸着槽１６内に導入してやれげ良い、
この場合１例えば流出パルプ３２を適当に調節すること
により、ボンベ幻よりの蒸着槽１６へのガスの導入量を
適切に制御することが出来る。従って、形成されるａ−
８１層沖に導入される不純物の量を任意に制御すること
が出来る他、更に＠ａ　−Ｂｉ層の厚み方向に不純物の
量を変化させることも容品に成し得る。

上記の様にして、基板１７上に先ず内部層を所定厚で形
成″し九後１次のＳにして外部層を形成バ□光導電？１
１へ体を形成中中・ 先ず第１の例としては内部層をボンベ２２から供給畜れ
るａ　−８１形成用の原料ガスのみを蒸着槽１６内に導
入して形成した場合には、外部層を形成する際、ボンベ
２２からのａ　−８五形成用の原料バガスにボンベ２３
又はボンベ２４か・らの不純物用の原料ガスを混合して
蒸着槽１６内に導入して、既に形成されている内部層と
はタイプの異なる外部層を形成する。

第２の例としては、内部層を、例えば、ボンベ２′２か
らの諷−３４形成用の原料ガスにボンベ２３からの不純
物用の原料ガスを混合して蒸着槽１６に導入して形成し
九場合には、外部層として杜、ボンベ２２からＯａ　−
８１形成用の原料ガスＯみか又轄ポンベ２２からの１１
−８１形成用０１［１％ガスにボンベ２４からの不純物
用の原料ガスを混合して蒸着槽１６に導入して、既に形
成されて卿る内部層とはタイプの異なる外部層を形成す
る。

第３の例として祉、内部層をボンベ２２から（）　ａ　
−８ｉ形成用の原料ガスと、例えばボンベ２３からＯ不
純物用の原料オスとの混合ガスを蒸着槽１６内に導入し
て形成した後、内部層を形成し走時とはｌｍ＝８を形成
用の原料ガスと不純物用Ｏ原料ガスとの混合比を変えた
混合ガスを蒸着槽１６内゛に導入して外部層を形成する
。

以上ＯＩｌな方法によりて、内部層と外部層を形成する
ことによって、内部層と外部層との接舎部に空乏層が形
成され１本発明の目的とする電子写真用像形成部材Ｏ光
導電層が形成されたことになる。

光導電層をＰ−ｉ−虱、ｐ　　ｏｐ−論等Ｏ層構威Ｏ様
に空乏層を２つ有する様に形成するには上記の３つの方
法を所望に従って適宜選択して層形成すれ杖曳いもので
ある。

第３図に示されるグロー放電蒸着装置に於いては１　ｌ
　Ｆ　（ｒａｄｉｏ　ｆｒＢｗｓｍｃｙ）インダクタン
スタイプグー−放電法が採用されているが、この他、ｌ
ｒキャパシタンスタイプ、ＤＣ二極タイプ等のグ四−放
電法も採用される。

形成されるａ　−３１系党導電層０４＋１性は成長時Ｏ
基板温度に大きく依存するＯでそ０制御は厳ｖＲＫ行う
Ｏが好ましい０本発明に於いては基板温度を通常は５０
〜３５０Ｃｓ好遁には１００〜２００’Ｃ０ｍ１１ｍと
することによって、電子写真用として有効な特性を有す
るａ　−８ｉ系党導電層が形成される。更に基板温度状
ａ　−１１内層形成時に連続的又は断続的に変化させて
所望の特性を得る様にすること４出来る争又％ａ−［１
１１０成長速度も烏−粗層の物性を大きく左右する要因
であって、本発明の目的を達成するｋは通常の場合０．
５−１００λ／ｓｅｃ好適Ｋａｌ−５０ム／ｓｅｃとさ
れるＯが好ましい・ 第４図は、スパッタリング法によって１本発明０＠形成
部材を製造する為の装置−の一つを示す模式的説明図で
ある。

４３祉蒸着槽であって、内部には％ａ−８ｉ系光導電層
を形成する為の基板４４が蒸着槽４３とは電気的に絶縁
されている導電性の固定部材４５に固定されて所定位置
に設置されている。

基板４４の下方には、基板４４を加熱する為のヒーター
４６が配置され、上方には、所定間隔を設置て基板４４
と対向する位置には多結晶又は単結晶シリコンターゲッ
ト４７がスパッタ用電極４８に取り付けられて配置され
ている。

基板４４が設置されている固定部材４５とシリコンター
ゲット４７関には、高鴫波電源３６によって、高目波電
圧が印加される様になっている０又、蒸着槽４３には、
ｌンぺ４９．り０゜５１．５２が各々、流入パルプ５３
．５４．５５．５６．７四−メータ５７．５８．５９，
６０、流出パルプ６１，６２，６３．６４．補助パルプ
６Ｓを介して接続されておシ、ボンベ４９．５０％　５
１．５２よ）各々必要時に蒸着槽４３内に所望Ｏガスが
導入される様になっている。

今、第４図の装置を用いて、基板４４上に空乏層を有、
するａ−８ｉ系先光導電を形成するには先ず、メインパ
ルプ６６を全一して蒸着槽４３内の空気を矢印Ｂで示す
様に、適尚な排気装置を使用して排気し、次いで補助パ
ルプ６５、流入バルブ５３〜５６、流出パルプ６１〜６
４を全開して蒸着槽４３内を所定の真空ｌｌ！にする。

次に％ヒーター４６を点火して基板４４を所定の温度ま
で加熱する◇スパッターリング法によってａ−８１系光
導電層を形成する場合、ヒの基板４４の加熱温度は、通
常５０〜３５０℃、好適には１００〜２００℃とされる
。この基板温度は、ａ−８ｉ層の穂長速度、層の構造、
ｌイドの存否等を左右し：形成されたａ二８１層の物性
を決定する一要素であるので充分なる制御が必要である
。又、基板温度は、　ａ−８ｔ層の形成時に、一定に保
持しても良いし、又ａ−８１層の成長と共に上昇又は下
降又は゛上下させて本良い。

例えば、ａ−８ｔ層の形成初期に於いては、比較的低い
温度Ｔ、に基板−一を保ち、ａ−８１膚がある程度成長
したらＴＩよりも高い温度Ｔ、ｔで基板温度を上昇させ
なからａ−８ｔ層を形成し、ａ−８ｔ層形成終期には再
びＴ、よシ低い温ｍ賛、に基板温度を下けゐ等して、ａ
−８１層を形成することが出来る。この様にするととＫ
よって、ａ−８１層の電気的・光学的性簀を層厚方向に
二定若しくは連続的に変化させることが出来る。

又、ａ−８１は、その層成長速度が、他の、例えば、Ｓ
・等に較べて遅いので、形成する層厚が厚くなると層形
成初期に形成され九ａ−８１（基板側に近いａ−８ｔ）
は、層形成終了迄の間に１層形成初期の特性を変移させ
る恐れが充分考えられるＯで、層の厚み方向に一様な特
性を有するａ−８１層を形成する為には層形成開始から
層形成終了時に亘って基板温度を上昇させ乍ら層形成す
るのが望ましい。この基板温度制御操作はグロー放電法
を採用する場合にも適用される。

基板４４が所定の温度に加熱され九ことを検知し友後、
流入バルブ５３〜５６、流出パルプ６１〜６４、補助パ
ルプ６５を閉る。

次に１出ロ圧ゲージ７３を注視し乍ら、パルプ６８を、
徐々に開けて、ボンベ５０の出口圧を所定圧に調整する
。続いて、流入パルプ５４を全開してフローメーター５
８内に１例えばＡｒガス等の雰囲気ガスを流入させる。

その後、補助パルプ６５を全開し、次いでメインパルプ
６６及び流出バルブ６２を調整し乍ら雰囲気ガスを蒸着
槽４３内に導入し、所定の真空度に蒸着槽４３内を保つ
。

次に、出口圧ゲージ１２を注視し乍もパルプ６８を徐々
に開けて、ゼンぺ４９の出口圧を調整する。続いて、流
入パルプ５３を全開してフローメーター５７内に馬ガス
を流入させる。次いでメインパルプ６６及び流出バルブ
６１を調節しなから山ガスを蒸着槽４３内に導入し所定
の真空度に保つ。との馬ガスの蒸着槽４３への導入は、
基板４４上に内部層として形成されるａ−８ｉ層中にＨ
を含有させる必要がない場合には省略される。Ｈ，ガス
及びＡｒガス等の雰囲気ガスの蒸着槽４３内への流量は
所望する物性のａ−８ｉ層が形成される様に適宜決定さ
れる。例えば、雰囲気ガスとＨ，ガスとを混合する場合
には蒸着槽４３内の混合ガスの圧力としては真空度で。

通常ｔｉ　１０−３〜１０’　ｔｏｒｒ　％好適には５
Ｘ１０−”〜３　Ｘ　１０’　ｔｏｒｒとされる。Ａｒ
ガスはＨｅガス等の稀ガスに代えることも出来る。

形成されるａ−８ｉ層中に強いて前記し九不純物をドー
ピングしない場合には、蒸着槽４３内に所定の真空度に
なるまで、雰囲気ガス及び几ガス又は雰囲気ガスが導入
さ五た後、高周波電１１７６により、所定の鴫波数盈び
電圧で、基板４４が設置されている固定部材４５とスパ
ッタ用電極４８間に高同波電圧を印加して放電させ、生
じた１例えばＡｒイオン等ＯＷ囲気ガスのイオンでシリ
コンターゲットをスパッタリングし、基板４４上に内部
層としてのａ−８ｉ層を形成する。

形成されるａ−８ｉ層中に不純物を導入する場合には、
ボンベ５０又は５１よシネ鈍物形成用の原料ガスを、ａ
−８ｉ層形成時に蒸着槽４．３内に導入してやれば良い
。この場合の導入法は、第３図に、於いて説明したのと
同様である。

上記の様にして基板４４上に先ず内部層を所定厚で形成
した後、第３図に於いて説明したのと同様に内部層上に
外部層を形成する。

第４図の説明に於いては、高閤波電界放電によるスパッ
タリング法であるが、別に直流電界放電によるスパッタ
リング法を採用しても良い。

高周波電圧印加によるスパッタリング法に於いては、そ
の周波数は通常０．２〜３Ｇ＆好適Ｋａ５〜２０１１に
とされ、又、放電型流密ＩＩ杜通常０．１〜ｌ　ＯｍＡ
／ｃｄｓ好適Ｋ　ａ好適−５ｍＡ／ａｔとされる　　　
゛のが望ましい。又、充分なパワーを得る為には通常１
００〜５０００Ｖ、好適にＦＴ、、３ｏｏ　〜５ｏｏｏ
ｖの電圧に調節されるのが良い。

スパッタリング法によって、製造する際のａ−８ｉ層の
成長速度は、主に基板温度及び放電条件によって決定さ
れるものであって、形成された層の物性を左右する大き
な要因の一つである。

本発明の目的を達成する為のａ−８ｉ層の成長速度は、
通常の場合０．５〜１００λ／ｗ：、好適には１〜５０
λ〜とされるのが望ましい。スパッタリング法に於いて
もグロー放電法と同様に不純物のドーピングによって形
成されるａ−８１層をｎｌｌ或いはｐ型に調整すること
が出来る。不純物の導入法は、スパッタリング法に於い
てもグロー放電法と同様であって、例えば、ＰＨａ、Ｐ
ｔＨａ。

Ｂ＊Ｈａ等の如き物質をガス状態でａ−８１層層形時Ｋ
Ｍ着槽４３内に導入して、ａ−８ｉ層中ＫＰ又はＢを不
純物としてドーピングする。この他、又、形成され九ｍ
−８１層に不純物をイオンインプランテーション法によ
って導入しても良い。

〈実施例１〉 完全にシールドされ九クリーンルーム中に設置された第
３図に示す装置を用い、以下の如き繰作によって電子写
真用曹形成部材を作製し丸。

表面が清浄にされ九０．２１１１厚ｓ　ａｇ＋　５ｔの
モリブデン板（基板）１７を、グロー放電蒸着槽１６内
の所定位置にある固定部材１８にＩＩ固ＫＩＩｉＩ定し
九。基板１７は、固定部材ｌｓ内の加熱ヒーター９によ
って±０．５℃の精度で加温される。

温度は、熱電対（アルメル−カロメル）Ｋよって基板裏
面を直接測定されるようになされ友。

次いで幕内の全バルブが閉じられていることを確認して
からメインバルブ３５を全開して、槽１６内が排気され
、約５×ｌＯ″ｔｏｒｒの真空度にし丸。その後ヒータ
ー１９の入力電圧を上昇させ、モリブデン基板温度を検
知しながら入力電圧を変化させ、１５０℃の一定値にな
るまで安定させえ。

その後、補助バルブ３４、ついで流出バルブ３１．３２
．３３及び流入バルブ２ｇ、２９゜３０を全開し、フロ
ーメーター２５．２６．２７内も十分脱気真空状態にさ
れた。バルブ３１゜３２．３３を閉じた後、シランガス
（純度９９．９９９Ｌｓ）ボンベ２２のバルブ３６を開
け、出口圧ゲージ３９の圧を１晰憶に調整し、流入バル
ブ２Ｂを徐々に開けてフローメータ２５内ヘシランガス
を流入させた。引きつづいて、流出パルプ３１を徐々に
開け、ついで補助バルブ３４を徐々に開け、ビラニーゲ
ージ４２の読みを注視しながら補助バルブ３４の開口を
調整し、槽内が１×１０ｔｏｒｒＫなるまで補助バルブ
３４を開は九〇槽内圧が安定してから、メインパルプ３
５を徐々に閉じビラニーゲージ４２の指示がｏ、　ｓ　
ｔｏｎになるまで開口を絞り九。内圧が安定するのを確
認してから、高周波電ｌＩ２０のスイッチをｏｎ状態に
して、鍔導コイル２１に、５−の高同波電力を投入し、
槽内１６のコイル内部（槽上部）にグロー放電を発生さ
せ、３０ｗの入力電力とし九。上条性で基板上にシリコ
ン膜を生長させ、４時間開条件を保つ死後、その後、高
周波電源２０をｏｆｆ状態とし、グロー放電を中止させ
良状態で、ジ〆ラン（Ｂ晶）ガス（純［９９，９９９１
ボンベ２３のバルブを開き、出口圧ゲージ４゜の圧をＩ
Ｑ／ａｆＫ調整し、流入バルブ２９を徐々に開はフロー
メータ２６にジボランガスを流入させた後、流出パルプ
３２を徐々に開叶、フローメータ２６の読みが、シラン
ガスの流量の０、０８　ｖｏＪ−になる様に流出パルプ
３２の開口を定め、安定化させた。

引き続、き、再び高同波電源２ｏをＯｎ状ＬＩＩＫして
、グロー放電を再開させ喪。こうしてグロー放電を更に
１時間持続させ死後、加熱ヒーター９をｏｆｆ状１１Ｋ
Ｌ、高周波電源２ｏも・ｆｆ状態とし、基板温度が１０
０’Ｃになるのを待ってから流出パルプ３１　、３’２
を閉じメインパルプ３５を全開にして、槽内を１０４ｔ
ｏｒｒ以下にし丸後、メインパルプ３５を閉じ、槽１６
内をリークバルブ１５によって大気圧として基板を墳夛
出−し丸。こうして得られたナンプルを僧形成部材ムと
した。この場合、形成されたａ−８ｔ層の全厚は約６μ
であつ九。こうして得られた僧形成部材Ａを、帯電露光
実験装置に設置し、９５ｋＶで６、２　京間コロナ帯電
を行い、直ちに光書を照射した０光儂は、中上ノンラン
プ光源を用い、フィルター（Ｖ−０５８，東芝社製）を
用いて５５０！１ｍ以下の波長域の光を除いた光１５＆
ｔｒｓｃｃを透過型のテストチャートを通して照射され
た０その後直ちに％■荷電性の現像剤（トナーとキャリ
アーを含有）を部材ム表面にカスケードする仁とによっ
て１部材Ａ表面上に良好なトナー両会を得九〇部材Ａ上
のトナー画像を、−）５ｋＶのコロナ帯電で転写紙上に
転写し九処、解像力に優れ１階調再現性のよい鮮明な高
濃度の画像が得られた。

一方■６　ｋＶのコロナ帯電を行い上記と同様の条件で
の露光後、ｅ荷電性の現像剤で３ｊＩ像を試み九が、上
記の結果に較べてＩｌｉＩｉｇＩＩ濃度の低いボケ九画
儂が得られた。

更Ｋｅｌｋマの帯電を行％／％％ｅ荷電性現像剤を使用
して、上記のＶ−０５８のフィルターの代わｆｉＫ％三
色フィルターＢ、Ｇ、Ｈのそれぞれのフィルターを用い
た場合、いづれの場合にもほぼ同様に良好な画像が転写
紙上に得られた。

〈実施例２〉 第４図に示す装置を用いて、以下の如き操作によって電
子写真用像形成部社を作製した。

表面状清浄された０、２ｕ厚１０ＸＩＯＣＩ＋のステン
レス板上に１電子ビ一ム真空蒸着法によって、厚さ約８
００人の白金薄膜が蒸着された−のを基板５として、ス
パッタリング蒸着槽４３内の加熱ヒーター４６と電熱対
を内蔵した固定部材４５上に固定された。基板４４と対
向した電極上には、多結晶シリコン板（純度９９．９９
９１１　）ターゲット４フが基板４４と平行に約４．５
１離されて対向するようＫｌｌ定された。

槽４３内は、メインパルプ６６を全開して一旦５　Ｘ　
１０’ｔｏｒｒ程度まで真空にされ（このとき、系の全
パルプは閉じられている）、補助バルブ６５および流出
パルプ６１，６２，６３，６４が開らかれ十分に脱気さ
れた後、流出パルプ６１．６２゜６３．６４と補助パル
プ６５が閉じられｋ。

基板４４は、加熱ヒーター電源が入力さｔＬ％２００℃
に保たれた。そして水素（純度９９．９９９９５％　）
ボンベ４９のパルプ６８を開け、出口圧力計７２によっ
て１−に出口圧を調整した。続いて。

流入パルプ５３を徐々に開いて、フローメータ５７内に
水素ガスを流入させ、続いて、流出パルプ６１を徐々に
開き更に１補助パルプ６５を開いム槽４３の内圧を、圧
力計６７で検知しながら流出パルプ６１番調整して５　
Ｘ　１０（ｔｏｒｒまで流入させた。引き続きアルゴン
（純度９９．９９９９−）ガスボンベ５０のパルプ６９
を開け、出口圧力計７３の読みがｌ−になる様に調整さ
れ先後、流入パルプ５４が開けられ、続いて流出パルプ
６２が徐々に開けられ、アルゴンガスを槽内に流入させ
た。

槽内正射６７の指示が５Ｘ１０″ｔｏｒｒ　Ｋなるまで
、流出パルプ６２が徐々に開けられ、この状態で−流量
が安定してから、メインパルプ６６が徐々に閉じられ、
槽内圧がＩ　Ｘ　１０’ｔｏｒｒ　Ｋなるまで開口が絞
られた。続いて、ホスフィン（ＰｉｌＩａ）ガス（純度
９９．９９９５チ）ボンベ５２のパルプ７１を開き、出
口圧ゲージ７５を１−に調整し、流入パルプ５６を開き
、徐々に流出パルプ６４を開はフローメータ６０の読み
から、水素ガスの７０−メータ５７の示す流量の約ＬＧ
　ｖｏｊ　ＩＧの流量で流入されるように流出パルプ６
４を調整し九〇フローメータ５７，５８．６０が安定す
るのを確認してから、高−波電源７６をｏｎ状態Ｋ　Ｌ
、ターゲット４７オヨび固定部材４５間Ｋ　１１５６　
＆　、　５００　Ｖ　、　１．６　ｋＶの交流電力が入
力され九〇この条件で安定した放電を続ける様にマツチ
ングを取りながら層を形成した。仁の様にして４時間放
電を続は内部層を形成し九。その後高鴫波電濾７１ｔｏ
ｆｆ状態にし、放電を一旦中止させた。引き続いて流出
パルプ６１，６２．６４を閉じメインパルプ６６を全開
して槽内ガスを抜き、　５　Ｘ　１　Ｇ４ｔｏｒｒｔで
真空にし輻その後内部層形成の場合と同様に、水素ガス
、Ａｒガスを導入してメインパルプ６６の開口を調節し
て槽内圧を２　Ｘ　１０’ｔｏｒｒとし九。続いて、ジ
ゼランガス（純度９９．９９９５％）ボンベ５１のパル
プフ０を開は出口圧を出口圧力ゲージ７４０読みが１勢
−にな゛るよう調整し、流入パルプ５５を開け、流中パ
ルプ６３を徐、々に開けて、フローメータ５９によって
水素ガス流量の１．Ｏｖｏｊ　％の流量となるよう調整
された。水素、アルゴン、ジボランのガス流量が安定し
てから、再び高−波電源７６をＯＮ状１１Ｋして１．６
にマ印加し放電を再開し良。

この条件で、４０分間放電を続は九のち、高−波電源７
６をｏｆｆ状態とし、加熱ヒーター４６の電源もｏｆｆ
状態とし九〇基板温度が１００℃以下になるのを待って
、流出パルプ５７．５８．５９を閉じ、補助バルブ６５
を閉じた後、メインパルプ６６を全開して槽内のガスを
抜いた。その後メインパルプ６６を閉じてリークパルプ
７７を開いて大気圧にリークしてから基板を取シ出した
０このサンプルを像形成部材Ｂとした。

この場合、形成され九ａ−８ｉ層の厚さ杜、８μであつ
九◇ こうして得られえ像形成部材Ｂｔ、実論例１と同様に試
験した所、８６ｋＶのコロナ帯電ｅ荷電性構像剤の組み
合せの場合に、解偉力、階調性、画像員度ともにすぐれ
た画像が得られた◎〈実施例３〉 表面が清浄にされた、コーニング７ｏ５９ガラス（１ｍ
ｍ厚、４Ｘ４ｃｍ、両面研磨し九もの）表面の一方に、
電子ビーム蒸着法にＸって夏ＴＯ（ＩｎｔＯｓ　：　８
ｎＯｍ　２　Ｇ　：　１成濾、６００℃焼成）を１２０
０ム蒸着し先後５００℃酸素ふん囲気中で加熱処理され
たものを、実施例１と同様０装置（ｊｌ１８Ｅ）ノｌｉ
！定部材１８上にＩＴＯ菖着画を上面にし゛て設置した
。続いて、実施例１と同様の操作によってグロー放電槽
１６内を５Ｘ１０’ｔｏｒｒ　（）真空となし、基板温
度は１７０℃に保九れ先後、シラ／ガスが流され、槽内
は、０．８ｔｏｒｒ　　Ｋ調節された。この時、更にホ
スフィンガスが、シラ／ガスの０．１マｏｎ　ｊｊニー
となるように、ホスフィンガスのボ／べ２４かラハルプ
３８を通して、１ｋｇ／ａｌＦのガス圧（出口圧力ゲー
ジ４１の読み）で流入パルプ３０、流出パルプ３３の調
節によってフローメーター２７の読みかう楢１６内にシ
ランガスと温会流入された。ガス流入が安定し槽内圧が
一定となり、基板温度が１７０″ＯＫ安定してから、実
施例１と同様に高周波電源２０　ｔ　ｏｎ状態として、
グロー放電を開始させた。この条件て、３０分間グロー
Ｈを持続させた後、高周波電源２０　ｋ　ｏｆｆ状態と
してグロー放電を中止させ内部層の形成を終り九。その
後、流出バルブ３１．３３を閉じ、補助パルプ３・４、
メインパルプ３５を全開にして、槽中を５Ｘ１０ｔｏｒ
ｒまで真空にした。その後、補助パルプ３４、メインパ
ルプ３５は閉じられ、流出バルブ３１を徐々に開け、補
助パルプ３４、メインパルプ３５を上記した内部層形成
時と岡じシラ／ガスの流量状態になる様に復起された◎
続いて、再び高周波電源２０をｏｎ状態として、グルー
放電を再開させ、□この状態を８時間持続させた後、加
熱ヒーター９及び高周波電源２０をｏｆｆ状態としそ、
基板温度が１００℃になるのを持って、流出バルブ３１
を閉じ、メインパルプ３５と補助バルブ３４°【全１１
Ｋして、槽１６内、を一旦１０’　ｔｏｒｒ以下にして
から、メインパルプ３ｂを閉じ、槽１６内をリークパル
プ１５でリークし基板を塩９出した。こうして像形成部
材Ｃを作製した。形成され九ａ−８ｉ層Ｏ全厚紘、約１
１μであった０こうして得られた像形成部材Ｃに就て、
画像形成Ｏ試験鵞した０θ６ｋＶＯコロナ帯電裏面露光
ｅ荷電性現像剤Ｏ組み合せで画偉形成魁履した場合に実
用に供しうる＾質な画像を得ることが出来九〇 〈実施例４〉 実施例°３と同様の、Ｉ　Ｔｏｔ−ガラス基板（コーニ
ング７０５９）上に蒸着した基板を用いて実施例３と同
様の条件と手履で同様の層構成のものを形成し九後、引
き続いて基板加熱ヒーターをｏｎ状態にしたままで、高
周波電源２０をｏｆｆ状態とした。続いてジがランガス
のポンベ２３のパルプ３７ｔ−１１１け、出口圧ゲージ
４００圧ｔｌｋｌｆ／ａ＋Ｆに調整し、流入パルプ２９
を徐々に５ｌｉｔて、フローメーター２６内へジボラン
ガス管流入させた。更に流出バルブ３２を徐々に−け、
フローメーター２６の読みがシランガスＯ流量のｏ、０
８マｏｊｇＩＩになる様に流出パルプ３２０開口を定め
、槽内へのシランガスの流量とともに流量が安定化する
のを待った。続いて、高周波電源２０を再びｏｎ状態と
して、グロー放電を開始させ、この条件でグロー放電を
４５分間持続させた後、加熱ヒーター９及び高周波電源
２０　ｔｏｆｆ状態として、基板温度がｉｏｏ℃になる
のを待った。その後、流出バルブ３１゜３２を閉じ、メ
インパルプ３５を全開にして槽１６内を一旦１Ｇ４ｔｏ
ｒｒ以下にした後、メインパルプ３５を閉じて、槽１６
内をリークパルプ１５によって大気圧した後、基板を塩
９出した。こうして像形成部材りを得た。形成された全
ａ　−５１層Ｑ厚さは約１２μであった。

こうして得られたＩｌ形成部材りを、実施例１と同様に
帯電露光の実験装置に静置して画像形成Ｏ試験をした所
、−６にマのコロナ帯電、ｅ荷電性現像剤の組み合せの
揚台に、極めて良質ｏ１コントラス）Ｏ１４？）ナー画
像が転写紙上に得らｔＬえ。

〈実施例５〉 ！！Ｉｍがバブ研磨され傭画状にされた後洗浄され九〇
、　１閤厚のＵ板（４Ｘ４ｃｍ）上に、電子ビーム蒸着
法によって２０００ム厚・ＯＭｇ１％層が均一に蒸着さ
れ九◎これを基板として実施例１と同様に篇３図に、示
す装置の固定部材１８上Ｋ　ＭｇＦｔ蒸着両蒸着面にし
て静置した〇 続いて実施例１と同様の操作によりてグロー放電槽１６
内及び全ガス流入系、を５　Ｘ　１０’ｔｏｒｒの真空
とｈし、基板温度を２２０℃に保った◎続いて実施例１
と同様の各パルプの操作で楢１６内にシラ／ガスを導入
し槽内圧を、１．　Ｏｔｏｒｒ　Ｋした。シランガス流
量及び基板温度が安定した後、高周波電源２０をｏｎ状
態として、グロー放電を開始させた。仁の条件で、５時
間グロー放電を、持続させた後高周波電源２０をｏｆｆ
状態としてグロー放電を中止させた。引き続いて、パル
プ３８，３０，３３０開口ｆ：ｖ４節して、ホズフイン
ガスのボンベ２４からホスフィンガス流量がシランガス
流量の０．０５　ｖｏＪチとなるようにフローメータ２
７の読みを注視し乍ら安定させて槽１６内に導入した。

その後、再び高周波電１１２０をｏｎ状態として、グロ
ー放電を再開させ友。このグロー放電の間、流出パルプ
３３を約１０分間の間にシランとの混合比が初期値０、
０５　ｖｏＪ−から０−０１　ｖｏｊ　％増加するよう
に次篇に開けて、１時間グロー放電を持続させ喪後、高
周波電源２０及び加熱ヒーター９がｏｆｆ状態とされた
。基板温度が１００℃以下に自然冷却されるのを待って
、流出パルプ３１及ヒ３３が閉じ゛られ、引き続きメイ
ンパルプ３５が全開されて、槽１６内は、１０′ｔｏｒ
ｒ以下にされた。

その後、メインパルプ３５は閉じられ、リークパルプ１
５を開けることによって槽１６内は大気圧に戻され、層
゛形成された基板が取抄出され九。こうして像形成部材
Ｅを得喪。形成されたａ−’３１層の全厚社約７．５μ
であった。

得られた像形成部材Ｅを実施例１と同様に帯電−露光−
現像の試験を行った所、８６ｋＶのコロナ帯電、ｅ荷電
極の現倫剤の組み合せの場・合に、極めて゛良質な画Ｉ
ｌを得る仁とが出来た。

続いて、像形成部材Ｅは、市販の複写機（ＮＰ−Ｌ７キ
ヤノン株式会社製を一部改造した実験機）の感光体用ρ
ラム（感光層のないＵドラム）Ｋ接地される・ように固
定され、ｅ　６　ｋＶ帯電、―光、現＊（ｅ荷電性液体
現倫剤、市販品）−液絞りｅ帯電、転写ｅ帯電の工程に
よって普通紙上に良質の画像を得友。又この工程を、く
りかえし１０万枚連続コピーしても、全く画質の変化が
なかつ邂。

〈実施例６〉 表面が清浄にされた０、−１−厚のＵ基板（４ｘ４　ｃ
ｖａ　）が実施例１と同様に第３図に示す装置の固定部
材１８・上に静置された。続いて実施例１と同様の操作
によってグロー放電蒸着槽１６内及び全ガス流入系を５
　ｘ　１０　ｔｏｒｒの真空となし、基板温度は、２５
０℃に保たれた・実施例１と同様の各パルプ操作で槽１
６内に７２ンガスが流され、槽内圧は０．３　ｔｏｒｒ
にされた。

更にジボランガスのボンベ２３のパルプ３７を開け、出
口圧ゲージ４０の、圧を１ｋｇ／ａＩＦに調整し流入パ
ルプ２９を徐々に開け、フローメーター２６の読みが７
ランガス流量の０．　Ｌ　Ｓ　ｖａｊ−になる様に流出
パルプ３２も徐々に開けられてジボランガスが流入され
た。シランガス及びジボランガス共に流量が安定化し、
基板温度が２５０℃で安定化してから、高周波電源２０
をｏｎ状態として、槽１６内にグロー放電を開始させた
０この条件でグロー放電を３０分間行った後、グロー放
電を続けながら、ジボランの流出パルプ３２ｔ−７０−
メータ２６に注視しながら徐々に閉じ、シランガス流量
に対してジボランガス流量が０．０５マｏ４−になるま
で開口を絞った。この条件で更にグロー放電を６時間続
けた後、流出パルプ３１．３２共に閉じ、槽１６内を一
旦５　Ｘ　１　Ｇ’ｔｏｒｒまで真空状態にした０続い
て、シランガスが再び同様の条件讐流され、槽ｌ６内は
再び０．３　ｔｏｒｒにされ死後、ホスフィンガスのボ
ンベ２４からパルプ３８を通して１ψ−のガス圧で流入
パルプ３０、流出パルプ３３の調節によってフローメー
タ２７の銃みから、シランガスの０．０８ｖｏ＃＊とな
るように槽１６内に混合して流入させた。ガス流入が安
定してから、高岡挾電＃Ｉ２０をｏｎ状態として、グロ
ー放電を開始させ、４５分間持続させた後、高周波電源
２０、及び加熱ヒーター９をｏｆｆ状態として後、基板
温度が１００℃になるのを待って、流出パルプ３１．３
３共に閉じられ、メインパルプ３５が全開されて槽１６
が一旦１０’　ｔｏｒｒ以下にされそからメインパルプ
３５を閉じ、リークパルプ１５を開いて槽１６内を大気
圧に戻してから基板を取り出した。

形成されたａ−Ｓｉ層の全厚は約９μであった。

こうして得られたサンプルを、サンプル裏面のＵ面￥ｒ
ＩＩＩ！着テープで目は抄した後、更にポリカーボネー
ト樹脂の３０Ｌｓ）ルエン溶液に垂直方向にサンプルを
浸漬した後、１．５　ｃａ　／　ｓｓｃの速度で引き上
げてａ−５ｉ層上にポリカーボネート樹脂１５μ層を設
けた。その後接着テープは除去された。

こうして像形成部材Ｆを得た。

得られた像形成部材Ｆを、市販の複写機（ＮＰ−Ｌ７キ
ヤノン株式会社製）を改造した実験機の感光体用ドラム
（感光層のないＵドラム）に接地されるように固定し、
ｅ　７　ｋＶ　１次帯電、露光同時ＡＣ６ｈｖ帯電、現
像（ｅ荷電性液体現像剤）、液絞り（ローラー絞り）、
転写８５にマ帯電の連結工程によって普通紙上に鮮明な
画像コントラストの高い画像を得喪０又この工程をくり
かえしｒｏ万枚以上コピーしても、初期の良質表面像を
維持した。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、夫々本発明の電子写真用像形成部
材の構成の一例を示す模式的構成断面図、第３図、第４
図は夫々本発明の電子写真用像形成部材を製造する為の
装置の一例を示す模式的説明図である。 １．８−・・・・電子写真用像形成部材２　、９−・・
・・支持体　、　　３．１０−一光導電層４・・・・−
自由表面　　、１４−・表面被覆層１６．４３−一蒸着
槽 １７．４４・−・・・基板　　ｔ１８＊４５・・・−・
固定部材１９．４６−−−ヒーター、２０．７６一−高
周波電源２２．２３，２４，４９，５０，５１．５２−
−・ガスボンベ出願人　　キャノン株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 支持体と、アモルファスシリコンから成る光導電層とを
   有する電子写真用ｇ１１形成部材に、前記光導電層に於
   ける空乏層ＯＩＩを拡げる帯電地理と、電磁波の照射と
   、七行って静電像を形成する工１１を含む事を特徴とす
   る電子写真法・