JPH02130928A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置に関し、もう少し詳しくいうと
、下地となる金属と、この金属の周囲に選択的に成長さ
せた別の金属とからなる配線を有する半導体装ｆｔＫ関
するものである。

報に記載された従来の半導体装置、特にその配線構造を
示し、絶縁［［（１）の表面に形成されたＡｔ配線（２
）上に、Ｗｌ［（３）をＡｔ配線（２）表面全体に形成
してなるものである。

以上の構成により、Ａｔ配＃　（２１にＷ膜（３）を選
択成長させることＫより、Ａｔ配線（２）をＷ＠（３１
が補強し、Ａｔ配＠（２１の断線を防止する。

〔発明が解決しようとする課題〕

以上のような従来の半導体装置では、Ａｔが配線方向に
長く伸びているので、Ａ４のマイグレーションに対して
はＷ膜を被覆しない場合と同じであり、Ａｔの断線によ
る抵抗の増大が生じ、さらにマイグレーションで配線の
内部に空洞が生じ、Ｗ＠のけかれなどによる断線が生じ
易いという問題点があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、Ａｔのマイグレーションが起こりに＜＜、断
線に強い配線構造を有する半導体装＃ケ得ることを目的
とする。

〔味題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体装置は、その配線構造が、Ａｔの
ような下地忙なる金属を配線方向に対して配線を横切る
ように寸断し、その周囲をＷなどの選択成長が可能な金
属を成長させてなるものである。

〔作　用〕

この発明においては、下地になる金属を寸断しているの
でマイグレーションが生じに＜＜、配線内部に空洞が生
じることもない。

〔実施例〕

第１図はこの発明の一実施例を示し、絶縁膜（１）の表
面に形成するＡｔ配線（２）は、配線方向に対して垂直
に寸断してバターニングする。次に、Ａｔ配Ｍ（２）上
に、選択的に成長するＷ膜（３）を成長させることによ
り配線構造を作成する。

以上の構成により、Ａｔ配線（２）は寸断されているの
でマイグレーションが起こりに＜＜、シたがって配線内
部に空洞が生じない。

なお、上記実施例では、Ａｔとその周囲を覆うＷＫつい
て示したが、Ａｔ以外の配線材料と、その周囲に選択的
に成長する別の金属に対しても同様の効果が期待できる
。

また、配線金属を寸断するパターンは、配線方向を横切
ればよく、必ずしも垂直方向でなくともよい。

さらＫ、上記実施例の効果として断線に強いことをあげ
たが、その他１１ｃ、Ａｔの周囲をＷが覆っているので
Ａｔのヒロックが発生しにくいという効果も期待できる
。

〔発明の効果〕

以上のように、この発−によれば、下地になる配線金属
を寸断し、その上に選択的に別の金属を成長させたので
、断＆に強い配線を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示し、同図（ａ）は平面
図、同図（ｂ）　、　（ｃ）はそれぞれ同図−）のＢ−
Ｂ線およびＣ−Ｃ線に沿う平面での断面図である。第２
図は従来の半導体装！の横断斜視図である。 （１）・・絶縁膜、（２）・・Ａｔ配線（第１の金属）
、（３）・・Ｗｌｌ（第２の金属）。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示、す。 萬１図 （Ｇ） （ｂ） （Ｃ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 絶縁膜の表面に形成された下地となる第１の金属と、こ
   の第１の金属の周囲に選択的に成長させた第２の金属よ
   りなる配線を有する半導体装置において、前記第１の金
   属を前記配線を横切つて寸断したことを特徴とする半導
   体装置。