JPS6340346A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS6340346A JPS6340346A JP18441886A JP18441886A JPS6340346A JP S6340346 A JPS6340346 A JP S6340346A JP 18441886 A JP18441886 A JP 18441886A JP 18441886 A JP18441886 A JP 18441886A JP S6340346 A JPS6340346 A JP S6340346A
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- JP
- Japan
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- wiring
- insulating film
- polycrystalline silicon
- recess
- recessed part
- Prior art date
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
この発明は半導体集積回路装置の配線構造に関するもの
である。
である。
［従来の技術〕
第３図は、従来の半導体集積回路装置を示す平面図であ
り、第４図は、第３図のＡ−Ａ ＝線断面図である。
り、第４図は、第３図のＡ−Ａ ＝線断面図である。
図において、半導体基板１表面にフィールド用絶縁膜２
が形成されており、このフィールド用絶縁１１２表面に
多結晶シリコン配置３が形成されている。フィールド用
絶縁膜２表面および多結晶シリコン配線３表面に眉間絶
縁１１４が形成されており、この層間絶縁［１４表面に
多結晶シリコン配線３と交差するようにアルミニウム配
［１５が形成されている。また、ＪＩ間絶縁ｒ！Ａ４表
面にアルミニウム配！Ｉ６が形成されており、このアル
ミニウム配線６は、多結晶シリコン配置１３とアルミニ
ウム配線５との交差部付近でコンタクトホール７により
多結晶シリコン配線３に接続されている。
が形成されており、このフィールド用絶縁１１２表面に
多結晶シリコン配置３が形成されている。フィールド用
絶縁膜２表面および多結晶シリコン配線３表面に眉間絶
縁１１４が形成されており、この層間絶縁［１４表面に
多結晶シリコン配線３と交差するようにアルミニウム配
［１５が形成されている。また、ＪＩ間絶縁ｒ！Ａ４表
面にアルミニウム配！Ｉ６が形成されており、このアル
ミニウム配線６は、多結晶シリコン配置１３とアルミニ
ウム配線５との交差部付近でコンタクトホール７により
多結晶シリコン配線３に接続されている。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の半導体集積回路装置における配線の交差部は以上
のように構成されているので、多結晶シリコン配＃２３
とアルミニウム配線５との交差部において多結晶シリコ
ン配線３と眉間絶縁膜４とアルミニウム配＃５とからキ
ャパシタ構造が形成される。この場合、多結晶シリコン
ｌ！ｉ！線３の上面部とフィールド用絶縁膜２表面との
高低差が大きく段差部が形成されているため、層間絶Ｒ
ｒｉ：４４を形成するときこの段差部近傍でｌｌ！ｌ閂
Ｆｌ！縁膜４の膜厚がマルＡ内に示したように減少して
多結晶シリコン配線３とアルミニウムｌ！ｉ！１５間の
結合容１が増加し、多結晶シリコン配η３とアルミニウ
ム配線５間で信号のクロストークが生じるという開閉点
があった。
のように構成されているので、多結晶シリコン配＃２３
とアルミニウム配線５との交差部において多結晶シリコ
ン配線３と眉間絶縁膜４とアルミニウム配＃５とからキ
ャパシタ構造が形成される。この場合、多結晶シリコン
ｌ！ｉ！線３の上面部とフィールド用絶縁膜２表面との
高低差が大きく段差部が形成されているため、層間絶Ｒ
ｒｉ：４４を形成するときこの段差部近傍でｌｌ！ｌ閂
Ｆｌ！縁膜４の膜厚がマルＡ内に示したように減少して
多結晶シリコン配線３とアルミニウムｌ！ｉ！１５間の
結合容１が増加し、多結晶シリコン配η３とアルミニウ
ム配線５間で信号のクロストークが生じるという開閉点
があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、配線の交差部において２１１間の信号のクロ
ストークが生じにくい半導体ＨＭ回路装置を得ることを
目的とする。
たもので、配線の交差部において２１１間の信号のクロ
ストークが生じにくい半導体ＨＭ回路装置を得ることを
目的とする。
［問題点を解決するための手段コ
この発明にかかる半導体集積回路装置は、半導体基板表
面に第１の絶縁膜を形成し、この第１の絶縁膜に凹部を
設け、この凹部に、その膜厚が凹部の深さとほぼ等しい
多結晶シリコン配線を形成し、第１の絶縁膜表面、残り
の凹部および多結晶シリコン配線表面に第２の絶縁膜を
形成し、この第２の絶縁膜表面に、凹部上で多結晶シリ
コン配線と交差するように金属配線を形成したものであ
る。
面に第１の絶縁膜を形成し、この第１の絶縁膜に凹部を
設け、この凹部に、その膜厚が凹部の深さとほぼ等しい
多結晶シリコン配線を形成し、第１の絶縁膜表面、残り
の凹部および多結晶シリコン配線表面に第２の絶縁膜を
形成し、この第２の絶縁膜表面に、凹部上で多結晶シリ
コン配線と交差するように金属配線を形成したものであ
る。
［作用］
この発明においては、第１の絶縁膜に凹部を設け、この
凹部に、そのｌ厚が凹部の深さとほぼ等しい多結晶シリ
コン配線を形成するので、この多結晶シリコン配線の上
面部と第１の絶縁膜の上面部との高低差が小さくなり、
第２の絶Ｉｔ膜を形成したとき、この第２の絶縁膜の膜
厚が多結晶シリコン配線と金属配線との交差部において
減少するのが防止される。このため、多結晶シリコン配
線と金属配線間の結合容量の増大が防止され、配線間の
信号のクロストークが生じにくくなる。
凹部に、そのｌ厚が凹部の深さとほぼ等しい多結晶シリ
コン配線を形成するので、この多結晶シリコン配線の上
面部と第１の絶縁膜の上面部との高低差が小さくなり、
第２の絶Ｉｔ膜を形成したとき、この第２の絶縁膜の膜
厚が多結晶シリコン配線と金属配線との交差部において
減少するのが防止される。このため、多結晶シリコン配
線と金属配線間の結合容量の増大が防止され、配線間の
信号のクロストークが生じにくくなる。
［実施例〕
以下、この発明の実施例を図について説明する。
なお、この実施例の説明において、従来の技術の説明と
重複する部分については適宜その説明を省略する。
重複する部分については適宜その説明を省略する。
第１図は、この発明の実施例である半導体集積回路装置
を示す平面図であり、第２図は、第１図のＡ−／Ｍ線断
面図である。
を示す平面図であり、第２図は、第１図のＡ−／Ｍ線断
面図である。
この実施例の構成が、第３図および第４図の半導体集積
回路装置の構成と異なる点は以下の点である。すなわち
、フィールド用絶縁［１２表面に層間絶縁！Ｉ１８が形
成されており、この層間絶縁膜８にエツチングによりフ
ィールド用絶縁１！２の一部が露出するように凹部９が
設けられている。凹部９および層間絶縁１１８表面にこ
の凹部９を横断するように多結晶シリコン配線３が形成
されており、この多結晶シリコン配線３の膜厚を凹部９
の深ざとほぼ等しくしている。層間絶縁１１８表面、残
りの凹部９および多結晶シリコン配［１３表面に層間絶
縁膜４ｏが形成されてあり、この眉間絶縁１１４０表面
に、凹部９上で多結晶シリコン配線３と交差するように
アルミニウム配ｗＡ５０が形成されている。
回路装置の構成と異なる点は以下の点である。すなわち
、フィールド用絶縁［１２表面に層間絶縁！Ｉ１８が形
成されており、この層間絶縁膜８にエツチングによりフ
ィールド用絶縁１！２の一部が露出するように凹部９が
設けられている。凹部９および層間絶縁１１８表面にこ
の凹部９を横断するように多結晶シリコン配線３が形成
されており、この多結晶シリコン配線３の膜厚を凹部９
の深ざとほぼ等しくしている。層間絶縁１１８表面、残
りの凹部９および多結晶シリコン配［１３表面に層間絶
縁膜４ｏが形成されてあり、この眉間絶縁１１４０表面
に、凹部９上で多結晶シリコン配線３と交差するように
アルミニウム配ｗＡ５０が形成されている。
このように、層間絶縁１８に凹部９を形成し、この凹部
９に多結晶シリコン配置！ｉ３を形成することによって
、多結晶シリコン配線３の上面部と眉間絶縁膜８の上面
部との高低差を小さくすることができる。このため、層
間絶縁１１４０を形成したとき、多結晶シリコン配線３
とアルミニウム配線５ｏとの交差部において層間絶縁１
１４０の膜厚が、従来の第４図のマルＡ内に示したよう
に減少するのを防ぐことができる。このため、多結晶シ
リコン配線３と層間絶縁１１１４０とアルミニウム配線
５０とで形成されるキャパシタ構造において、多結晶シ
リコン配１１３とアルミニウム配！！！５０間の結合容
量の増大を防ぎ、多結晶シリコン配１１３とアルミニウ
ム配線５０間の信号のクロストークを防止することがで
きる。
９に多結晶シリコン配置！ｉ３を形成することによって
、多結晶シリコン配線３の上面部と眉間絶縁膜８の上面
部との高低差を小さくすることができる。このため、層
間絶縁１１４０を形成したとき、多結晶シリコン配線３
とアルミニウム配線５ｏとの交差部において層間絶縁１
１４０の膜厚が、従来の第４図のマルＡ内に示したよう
に減少するのを防ぐことができる。このため、多結晶シ
リコン配線３と層間絶縁１１１４０とアルミニウム配線
５０とで形成されるキャパシタ構造において、多結晶シ
リコン配１１３とアルミニウム配！！！５０間の結合容
量の増大を防ぎ、多結晶シリコン配１１３とアルミニウ
ム配線５０間の信号のクロストークを防止することがで
きる。
なお、上記実施例では、１間絶縁膜８に凹部９を形成し
、この凹部９に多結晶シリコン配線３を形成する場合に
ついて示したが、フィールド用絶縁膜２に凹部を形成し
、この凹部に多結晶シリコン配線３を形成し、層間絶縁
膜８の形成を省略するようにしてもよい。
、この凹部９に多結晶シリコン配線３を形成する場合に
ついて示したが、フィールド用絶縁膜２に凹部を形成し
、この凹部に多結晶シリコン配線３を形成し、層間絶縁
膜８の形成を省略するようにしてもよい。
また、上記実施例では、上１の配線がアルミニウム配線
である場合について示したが、上層の配線として他の金
属配線を用いるようにしてもよい。
である場合について示したが、上層の配線として他の金
属配線を用いるようにしてもよい。
［発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、半導体基板表面に第１
の絶縁膜を形成し、この第１の絶？ｔｌｌｌに凹部を設
け、この凹部に、そのｍ厚が凹部の深さとほぼ等しい多
結晶シリコン！！ｉ！線を形成し、第１の絶縁膜表面、
残りの凹部および多結晶シリコン配線表面に第２の絶［
１を形成し、この第２の絶縁膜表面に、凹部上で多結晶
シリコン配線と交差するように金属配線を形成するので
、第２の絶縁膜の摸厚が多結晶シリコン配線と金属配線
との交差部において減少するのが防止され、多結晶シリ
コン配線と金属配線間の結合容量の増大が防止される。
の絶縁膜を形成し、この第１の絶？ｔｌｌｌに凹部を設
け、この凹部に、そのｍ厚が凹部の深さとほぼ等しい多
結晶シリコン！！ｉ！線を形成し、第１の絶縁膜表面、
残りの凹部および多結晶シリコン配線表面に第２の絶［
１を形成し、この第２の絶縁膜表面に、凹部上で多結晶
シリコン配線と交差するように金属配線を形成するので
、第２の絶縁膜の摸厚が多結晶シリコン配線と金属配線
との交差部において減少するのが防止され、多結晶シリ
コン配線と金属配線間の結合容量の増大が防止される。
このため、配線の交差部において配線間の信号のクロス
トークが生じにくい半導体集積回路装置を得ることがで
きる。
トークが生じにくい半導体集積回路装置を得ることがで
きる。
第１図は、この発明の実施例である半導体集積回路装置
を示す平面図であり、第２図は、第１図のＡ−Ａ”′ｌ
Ｂ断面図である。 第３図は、従来の半導体集積回路装置を示す平面図であ
り、第４図は、第３図のＡ−Ａ”轢断面図である。 図において、１は半導体基板、２はフィールド用絶縁膜
、３は多結晶シリコン配線、５．６．５０・はアルミニ
ウム配線、７はコンタクトホール、４．８．４０は層間
絶縁膜、９は凹部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
を示す平面図であり、第２図は、第１図のＡ−Ａ”′ｌ
Ｂ断面図である。 第３図は、従来の半導体集積回路装置を示す平面図であ
り、第４図は、第３図のＡ−Ａ”轢断面図である。 図において、１は半導体基板、２はフィールド用絶縁膜
、３は多結晶シリコン配線、５．６．５０・はアルミニ
ウム配線、７はコンタクトホール、４．８．４０は層間
絶縁膜、９は凹部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）半導体基板と、 前記半導体基板表面に形成される第１の絶縁膜とを備え
、 前記第１の絶縁膜には凹部が設けられており、前記凹部
に形成され、その膜厚が該凹部の深さとほぼ等しい多結
晶シリコン配線と、 前記第１の絶縁膜表面、残りの前記凹部および前記多結
晶シリコン配線表面に形成される第２の絶縁膜と、 前記第２の絶縁膜表面に、前記凹部上で前記多結晶シリ
コン配線と交差するように形成される金属配線とを備え
た半導体集積回路装置。 - （２）前記金属配線はアルミニウムからなる特許請求の
範囲第１項記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18441886A JPS6340346A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18441886A JPS6340346A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6340346A true JPS6340346A (ja) | 1988-02-20 |
Family
ID=16152816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18441886A Pending JPS6340346A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6340346A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03208218A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-11 | Fuji Electric Co Ltd | ヒューズ付き負荷開閉器 |
-
1986
- 1986-08-05 JP JP18441886A patent/JPS6340346A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03208218A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-11 | Fuji Electric Co Ltd | ヒューズ付き負荷開閉器 |
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