JPH02132865A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02132865A JPH02132865A JP28697888A JP28697888A JPH02132865A JP H02132865 A JPH02132865 A JP H02132865A JP 28697888 A JP28697888 A JP 28697888A JP 28697888 A JP28697888 A JP 28697888A JP H02132865 A JPH02132865 A JP H02132865A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- protective film
- semiconductor device
- mask film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置の製造方法に関し、半導体基板の表
面側、裏面側に夫々設けられた保護膜、マスク膜の材料
、及び前記基板の表面、裏面の加工工程に改良を加えた
ものである。
面側、裏面側に夫々設けられた保護膜、マスク膜の材料
、及び前記基板の表面、裏面の加工工程に改良を加えた
ものである。
［従来の技術と課題コ
従来、半導体基板の表面に拡散層を有し、裏面に凹部（
加工部）を有した半導体装置は、例えば次のように製造
されている（第２図参照）。
加工部）を有した半導体装置は、例えば次のように製造
されている（第２図参照）。
まず、例えばシリコン基板１上に、拡散層形成予定部に
対応する部分が選択的に開孔したＳｉ０２膜２を形成す
る。次に、全面にリンやボロンなどを含んだＣＶＤ−Ｓ
ｉ０２膜３を形成した後、熱処理を施して前記基板１の
表面に拡散層４を形成する。次いで、この拡散層４に対
応する前記ＣＶＤ−Ｓｉ０２膜３を選択的に除去し て
開孔部を形成する。つづいて、このＣＶＤ−Ｓｉ０２膜
３の開孔部を介して前記拡散層４に接続する電極パター
ン５を形成する。ひきつりぎ、全面にＳｉ０２膜（保護
膜）６を形成した後、前記基板１の裏面にＳｉ３Ｎ４膜
（マスク膜）７を形成する（第２゛図（Ａ）図示）。な
お、マスク膜はＳｉ３Ｎ４膜の代わりにＳ ｉ ０ ２
膜でもよい。更に、前記電極パターン５上に対応する保
護膜６を選択的にエッチング除去して開孔部８を形成し
、ボンディングパッド５ａを露出させる（第２図（Ｂ）
図示）。ひきつづき、前記基板１表面側（即ち保護膜６
、電極パターン５上）にプロテクトワックス９を形成し
た後、前記基板１の裏面をＨＮＡ，アルカリによるエッ
チングにより加工処理して基板１の裏面側に凹部１０を
形成する（第２図（Ｃ）図示）。なお、基板裏面のマス
ク膜がＳｉ０２膜の場合は、ＲＩＥ（リアクティブイオ
ンエッチング）により加工処理を行う。この後、図示し
ないが、前記プロテクトワックス９を除去した後、電極
パターン５のボンディングパッド５ａにボンディングワ
イヤを接続するなどのアツセンブリを行って半導体装置
を製造する。
対応する部分が選択的に開孔したＳｉ０２膜２を形成す
る。次に、全面にリンやボロンなどを含んだＣＶＤ−Ｓ
ｉ０２膜３を形成した後、熱処理を施して前記基板１の
表面に拡散層４を形成する。次いで、この拡散層４に対
応する前記ＣＶＤ−Ｓｉ０２膜３を選択的に除去し て
開孔部を形成する。つづいて、このＣＶＤ−Ｓｉ０２膜
３の開孔部を介して前記拡散層４に接続する電極パター
ン５を形成する。ひきつりぎ、全面にＳｉ０２膜（保護
膜）６を形成した後、前記基板１の裏面にＳｉ３Ｎ４膜
（マスク膜）７を形成する（第２゛図（Ａ）図示）。な
お、マスク膜はＳｉ３Ｎ４膜の代わりにＳ ｉ ０ ２
膜でもよい。更に、前記電極パターン５上に対応する保
護膜６を選択的にエッチング除去して開孔部８を形成し
、ボンディングパッド５ａを露出させる（第２図（Ｂ）
図示）。ひきつづき、前記基板１表面側（即ち保護膜６
、電極パターン５上）にプロテクトワックス９を形成し
た後、前記基板１の裏面をＨＮＡ，アルカリによるエッ
チングにより加工処理して基板１の裏面側に凹部１０を
形成する（第２図（Ｃ）図示）。なお、基板裏面のマス
ク膜がＳｉ０２膜の場合は、ＲＩＥ（リアクティブイオ
ンエッチング）により加工処理を行う。この後、図示し
ないが、前記プロテクトワックス９を除去した後、電極
パターン５のボンディングパッド５ａにボンディングワ
イヤを接続するなどのアツセンブリを行って半導体装置
を製造する。
しかしながら、従来技術によれば、以下に述べる問題点
を有する。
を有する。
■ 従来技術では、電極パターン５上に対応する保護膜
６を選択的にエッチング除去して開孔部８を形成し、ボ
ンディングバッド５ａを露出させ、更にプロテクトワッ
クス８を基板の表面側に形成した後、基板１の裏面をＨ
ＮＡ，アルカリによるエッチングにより加工処理する。
６を選択的にエッチング除去して開孔部８を形成し、ボ
ンディングバッド５ａを露出させ、更にプロテクトワッ
クス８を基板の表面側に形成した後、基板１の裏面をＨ
ＮＡ，アルカリによるエッチングにより加工処理する。
従って、エッチング液がプロテクトワックス９中にしみ
こんで電極パターン５の表面まで達し、電気特性の劣化
を招くとともに、ボンディングパッド５ａでのボンディ
ングワイヤの接続強度の低下の原因となる。
こんで電極パターン５の表面まで達し、電気特性の劣化
を招くとともに、ボンディングパッド５ａでのボンディ
ングワイヤの接続強度の低下の原因となる。
■ 保護膜６、マスク膜７の材料が異なる為、膜形成工
程を別々に行わなければならないとともに、基板１の裏
面加工後プロテクトワックスを除去しなければならない
ため、作業性が低下する。
程を別々に行わなければならないとともに、基板１の裏
面加工後プロテクトワックスを除去しなければならない
ため、作業性が低下する。
なお、基板裏面の加工処理時のコート材として基板の表
面に保護膜を用いる代わりに保護治具を用いることも考
えられるが、この場合も完全に保護しきれず、特性の劣
化等の原因となっていた。
面に保護膜を用いる代わりに保護治具を用いることも考
えられるが、この場合も完全に保護しきれず、特性の劣
化等の原因となっていた。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、従来と比べ
電気特性、ボンディングワイヤの接続強度が優れるとと
もに、作業性を向上しえる半導体装置の製造方法−を提
供することを目的とする。
電気特性、ボンディングワイヤの接続強度が優れるとと
もに、作業性を向上しえる半導体装置の製造方法−を提
供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、半導体基板の表面に拡散層、この拡散層に接
続する配線パターン及び該配線パターンを保護する保護
膜を有し、かつ前記基板の裏面の前記拡散層に対応する
部分に凹部を有しかつその他の基板裏面部分がマスク膜
で覆われた半導体装置を製造する方法において、前記保
護膜及びマスク膜を同一材料とするとともに、前記基板
の裏面側を選択加工して凹部を形成した後、前記配線パ
ターン上の保護膜を選択的に除去して開孔することを要
旨とする。
続する配線パターン及び該配線パターンを保護する保護
膜を有し、かつ前記基板の裏面の前記拡散層に対応する
部分に凹部を有しかつその他の基板裏面部分がマスク膜
で覆われた半導体装置を製造する方法において、前記保
護膜及びマスク膜を同一材料とするとともに、前記基板
の裏面側を選択加工して凹部を形成した後、前記配線パ
ターン上の保護膜を選択的に除去して開孔することを要
旨とする。
本発明によれば、基板表面に凹部を形成した後、基板表
面側のボンディングバッドを露出させるため、良好な電
気的特性、ボンディングワイヤの接続強度を得ることが
できる。また、基板表面側の保護膜及び裏面側のマスク
膜を同一材料とすることにより、工程の簡略化を図り、
作業性を向上できる。
面側のボンディングバッドを露出させるため、良好な電
気的特性、ボンディングワイヤの接続強度を得ることが
できる。また、基板表面側の保護膜及び裏面側のマスク
膜を同一材料とすることにより、工程の簡略化を図り、
作業性を向上できる。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を第１図（Ａ）〜（Ｃ）を参照
、して説明する。
、して説明する。
まず、例えばシリコン基板１１上に、拡散層形成予定部
に対応する部分が選択的に開孔したＳｉ０２膜１２を形
成する。次に、全面に例えばリンやボロンなどを含んだ
ＣＶＤ−Ｓｉ０２膜１３を形成した後、熱処理を施して
前記基板１１の表面に拡散層１４を形成する。ここで、
この拡散層１４は、後記する凹部に圧力が加わったとき
に励起状態が変化して抵抗を変化させ、電気信号として
取出される機能を有する。次いでこの拡散層１４に対応
する前記ＣＶＤ−Ｓｉ０２膜１３を選択的に除去して開
孔部を形成する。つづいて、このＣＶＤ−Ｓ ｉ ｏ２
膜１３の開孔部を介して前記拡散層１４に接続する電極
パターン１５を形成する。ひきつづき、基板１１の表面
側にＳ１３Ｎ４膜（保護膜）１６を形成すると同時に、
基板１１の裏面にＳｉ５Ｎ４膜（マスク膜）１７を形成
する（第７図（Ａ）図示）。なお、Ｓｉ３Ｎ４膜の代わ
りにＳｉ０２膜を用いてもよい。次に、前記基板１１の
裏面をマスク膜１７とともにＨＮＡ （ＨＦ，ＨＮＯ３
，ＣＨ３ＣＯＯＨの混合液）、アルカリによるエッチ
ングにより加工処理し、基板１の裏面側に凹部１８を形
成する？第／図（Ｂ）図示）。更に、前記電極パターン
１５上に対応する保護膜１６を選択的にエッチング除去
して開孔部１８を形成し、ポンディングパッド１５ａを
露出させた（第７図（Ｃ）図示）。なお、基板裏面のマ
スク膜がＳｉ０２膜の場合は、ＲＩＥ （リアクティブ
イオンエッチング）により加工処理を行う。この後、図
示しないが電極パターン１５のボンディングパッド５ａ
にボンディングワイヤを接続するなどのアツセンブリを
行って半導体装置を製造した。
に対応する部分が選択的に開孔したＳｉ０２膜１２を形
成する。次に、全面に例えばリンやボロンなどを含んだ
ＣＶＤ−Ｓｉ０２膜１３を形成した後、熱処理を施して
前記基板１１の表面に拡散層１４を形成する。ここで、
この拡散層１４は、後記する凹部に圧力が加わったとき
に励起状態が変化して抵抗を変化させ、電気信号として
取出される機能を有する。次いでこの拡散層１４に対応
する前記ＣＶＤ−Ｓｉ０２膜１３を選択的に除去して開
孔部を形成する。つづいて、このＣＶＤ−Ｓ ｉ ｏ２
膜１３の開孔部を介して前記拡散層１４に接続する電極
パターン１５を形成する。ひきつづき、基板１１の表面
側にＳ１３Ｎ４膜（保護膜）１６を形成すると同時に、
基板１１の裏面にＳｉ５Ｎ４膜（マスク膜）１７を形成
する（第７図（Ａ）図示）。なお、Ｓｉ３Ｎ４膜の代わ
りにＳｉ０２膜を用いてもよい。次に、前記基板１１の
裏面をマスク膜１７とともにＨＮＡ （ＨＦ，ＨＮＯ３
，ＣＨ３ＣＯＯＨの混合液）、アルカリによるエッチ
ングにより加工処理し、基板１の裏面側に凹部１８を形
成する？第／図（Ｂ）図示）。更に、前記電極パターン
１５上に対応する保護膜１６を選択的にエッチング除去
して開孔部１８を形成し、ポンディングパッド１５ａを
露出させた（第７図（Ｃ）図示）。なお、基板裏面のマ
スク膜がＳｉ０２膜の場合は、ＲＩＥ （リアクティブ
イオンエッチング）により加工処理を行う。この後、図
示しないが電極パターン１５のボンディングパッド５ａ
にボンディングワイヤを接続するなどのアツセンブリを
行って半導体装置を製造した。
しかして、上記実施例によれば、以下に述べる利点を有
する。
する。
■ マスク膜１７とともに基板１１の裏面をエッチング
して凹部１８を形成した後、基板表面側の保護膜１６を
選択的にエッチング除去して電極パターン１５のボンデ
ィングパッド１５ａを露出させるため、従来のようにボ
ンディングパッド１５ａがエッチング液に侵されること
なく良好な電気特性を保つことができる。
して凹部１８を形成した後、基板表面側の保護膜１６を
選択的にエッチング除去して電極パターン１５のボンデ
ィングパッド１５ａを露出させるため、従来のようにボ
ンディングパッド１５ａがエッチング液に侵されること
なく良好な電気特性を保つことができる。
■ 上記■と同様な理由によりボンディングパ■ッド１
５ａの厚がエッチング液により減小することがないため
、ボンディングワイヤをパッド１５ｇに接着したときの
接着強度の安定をはかることができる。
５ａの厚がエッチング液により減小することがないため
、ボンディングワイヤをパッド１５ｇに接着したときの
接着強度の安定をはかることができる。
■ 保護膜１６とマスク膜１７の材料をともに同一材料
（Ｓｉ３Ｎ４膜）とするため、保護膜１６とマスク膜１
７を同時に形成できる。また、従来のようにプロテクト
ワックスを使用する必要もないため、基板裏面に凹部を
形成した後このワックスを除去する工程も不要とする。
（Ｓｉ３Ｎ４膜）とするため、保護膜１６とマスク膜１
７を同時に形成できる。また、従来のようにプロテクト
ワックスを使用する必要もないため、基板裏面に凹部を
形成した後このワックスを除去する工程も不要とする。
こうしたことから、従来と比べ工程を簡略化でき、作業
性を向上できる。
性を向上できる。
なお、上記実施例では基板裏面に凹部が１つある場合に
ついて述べたが、これに限らず、複数の場合も適用され
る。但し、この場合少くとも１つの凹部は拡散層に対応
した位置に加工される。
ついて述べたが、これに限らず、複数の場合も適用され
る。但し、この場合少くとも１つの凹部は拡散層に対応
した位置に加工される。
［発明の効果］
以上詳述した如く本発明によれば、従来と比べ電気的特
性、ボンディングワイヤの接着強度が優れるとともに、
作業性を向上しえる半導体装置の製造方法を提供できる
。
性、ボンディングワイヤの接着強度が優れるとともに、
作業性を向上しえる半導体装置の製造方法を提供できる
。
第１図（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例に係る半導体
装置の製造方法の製造方法を工程順に示す断面図、第２
図（Ａ）〜（Ｃ）は従来の半導体装置の製造方法を製造
工程順に示す断面図である。 １１・・・シリコン基板、１２・・・Ｓｉ０２膜、１３
・・・Ｃ Ｖ Ｄ Ｓ ｉ Ｏ ２膜、１４・・・拡
散層、１５・・・電極パターン、１６・・・保護膜、１
７・・・マスク膜、１８・・・凹部。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
装置の製造方法の製造方法を工程順に示す断面図、第２
図（Ａ）〜（Ｃ）は従来の半導体装置の製造方法を製造
工程順に示す断面図である。 １１・・・シリコン基板、１２・・・Ｓｉ０２膜、１３
・・・Ｃ Ｖ Ｄ Ｓ ｉ Ｏ ２膜、１４・・・拡
散層、１５・・・電極パターン、１６・・・保護膜、１
７・・・マスク膜、１８・・・凹部。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
Claims (1)
- 半導体基板の表面に拡散層、この拡散層に接続する配線
パターン及び該配線パターンを保護する保護膜を有し、
かつ前記基板の裏面の前記拡散層に対応する部分に凹部
を有しかつその他の基板裏面部分がマスク膜で覆われた
半導体装置を製造する方法において、前記保護膜及びマ
スク膜を同一材料とするとともに、前記基板の裏面側を
選択加工して凹部を形成した後、前記配線パターン上の
保護膜を選択的に除去して開孔することを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63286978A JP2660024B2 (ja) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63286978A JP2660024B2 (ja) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02132865A true JPH02132865A (ja) | 1990-05-22 |
| JP2660024B2 JP2660024B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=17711429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63286978A Expired - Lifetime JP2660024B2 (ja) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2660024B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6399833B1 (en) | 1998-02-09 | 2002-06-04 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process for producing aryl vinyl sulfone solution and use thereof |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6281773A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体圧力センサ製造方法 |
-
1988
- 1988-11-14 JP JP63286978A patent/JP2660024B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6281773A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体圧力センサ製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6399833B1 (en) | 1998-02-09 | 2002-06-04 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process for producing aryl vinyl sulfone solution and use thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2660024B2 (ja) | 1997-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0881671A3 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
| JPH0344067A (ja) | 半導体基板の積層方法 | |
| JP2004158705A (ja) | 微細孔への金属充填方法及びその方法により形成された金属が充填した微細孔を備えたワーク | |
| JP2005502189A (ja) | 複数の磁気センサを大量生産する方法 | |
| JPH02132865A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0349231A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60206058A (ja) | 多層半導体装置の製造方法 | |
| JP2863980B2 (ja) | ウエハの製作方法 | |
| JP2005039078A (ja) | 薄板基板構造形成用ウエーハ基板、この製造方法およびｍｅｍｓ素子の製造方法 | |
| JP3399164B2 (ja) | 加速度センサ及びその製造方法 | |
| US4815208A (en) | Method of joining substrates for planar electrical interconnections of hybrid circuits | |
| JPH0469949A (ja) | ワークの分割方法 | |
| KR100327326B1 (ko) | 에스오아이웨이퍼의제조방법 | |
| JP3455618B2 (ja) | 半導体の製造方法 | |
| CA1229932A (en) | SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING .alpha. PARTICLE RESISTANT FILM AND METHOD OF MAKING SAME | |
| JP3178132B2 (ja) | Ｌｏｃ型半導体装置の製造方法 | |
| JPH02303128A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS6115131A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JPS5815238A (ja) | 半導体装置の製造法 | |
| JPS5891654A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59201425A (ja) | ウエハ−の裏面加工方法 | |
| JPS63202034A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05203519A (ja) | 圧力センサの製造方法 | |
| JPH03187245A (ja) | 半導体搭載装置の製造方法 | |
| JPH01201929A (ja) | ワイヤボンデイングパッドの組立体 |