JPS58201330A - 導電膜パタ−ンの形成方法 - Google Patents
導電膜パタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS58201330A JPS58201330A JP57085849A JP8584982A JPS58201330A JP S58201330 A JPS58201330 A JP S58201330A JP 57085849 A JP57085849 A JP 57085849A JP 8584982 A JP8584982 A JP 8584982A JP S58201330 A JPS58201330 A JP S58201330A
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- JP
- Japan
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- film
- resin
- deposited
- layer
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Weting (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は導電膜パターンの形成方法に関するものであり
、特にリフトオフ法に於ける金属被着前の処理に関する
ものである。
、特にリフトオフ法に於ける金属被着前の処理に関する
ものである。
リフトオフ法はエツチングによるパターン形成の困難な
金属に用いられる。例えば半導体基板として砒化ガリウ
ム（ＧａＡｓ）基板を用い、絶縁膜としての窒化シリコ
ン（Ｓｉ３Ｎ４）膜上に金（Ａｕ）の配線を施す場合次
の様にして実施されていた。
金属に用いられる。例えば半導体基板として砒化ガリウ
ム（ＧａＡｓ）基板を用い、絶縁膜としての窒化シリコ
ン（Ｓｉ３Ｎ４）膜上に金（Ａｕ）の配線を施す場合次
の様にして実施されていた。
第１図に示す如（ＧａＡｓ基板１表面−」二にＣ，Ｖ、
Ｄ法によって被着された厚さ３０００人のＳｉ３Ｎ４膜
２表面上にさらに金属配線を所望しない領域に選択的に
感光性樹脂３を被着する。ここで選択的に感光性樹脂を
被着するには感光性樹脂厚さ例えば１．４μｍを回転塗
布した後所望マスクを用いて露光後現像を行うことによ
り達成される。この現像の後は感光性樹脂によって有機
溶剤あるいは水によって洗浄される。その後Ａｕ層４を
真空蒸着法等によって厚さ例えば６０００八程度被着す
る。
Ｄ法によって被着された厚さ３０００人のＳｉ３Ｎ４膜
２表面上にさらに金属配線を所望しない領域に選択的に
感光性樹脂３を被着する。ここで選択的に感光性樹脂を
被着するには感光性樹脂厚さ例えば１．４μｍを回転塗
布した後所望マスクを用いて露光後現像を行うことによ
り達成される。この現像の後は感光性樹脂によって有機
溶剤あるいは水によって洗浄される。その後Ａｕ層４を
真空蒸着法等によって厚さ例えば６０００八程度被着す
る。
次に感光性樹脂３を溶剤によって除去することによって
感光性樹脂３表面上に被着されたＡｕ層４も同時に除去
する。そして第２図に示す如く所望Ａｕパターン４ａを
形成する。ここで感光性樹脂３のエツジ部は急峻な程リ
フトオフを容易にするものであり、逆に傾斜が緩やかな
場合は感光性樹脂３の斜面にＡｕ層４が破着する為溶剤
の入り込みを防げることによりリフトオフを困難とする
。
感光性樹脂３表面上に被着されたＡｕ層４も同時に除去
する。そして第２図に示す如く所望Ａｕパターン４ａを
形成する。ここで感光性樹脂３のエツジ部は急峻な程リ
フトオフを容易にするものであり、逆に傾斜が緩やかな
場合は感光性樹脂３の斜面にＡｕ層４が破着する為溶剤
の入り込みを防げることによりリフトオフを困難とする
。
この様な方法に於ては金属被着前には有機溶剤や水によ
る洗浄のみしか行われずＳｉ３Ｎ４膜２表面上には１０
００Å以下の薄い感光性樹脂が残留しており、リフトオ
フ時にＡｕ層４のはがれや界面劣化による信頼性の劣化
の原因となる。さらに平坦なＳｉ３Ｎ４膜２表面上にＡ
ｕ層４が６０Ｏｏ人突出しており、このためさらに絶縁
膜を被着し多層配線を施す場合Ａｕ層層側側面の絶縁膜
の被着を悪してショートの原因となったり、Ａｕ層４０
段差部で二層目金属配線の断線の原因となることがしば
しばであった。
る洗浄のみしか行われずＳｉ３Ｎ４膜２表面上には１０
００Å以下の薄い感光性樹脂が残留しており、リフトオ
フ時にＡｕ層４のはがれや界面劣化による信頼性の劣化
の原因となる。さらに平坦なＳｉ３Ｎ４膜２表面上にＡ
ｕ層４が６０Ｏｏ人突出しており、このためさらに絶縁
膜を被着し多層配線を施す場合Ａｕ層層側側面の絶縁膜
の被着を悪してショートの原因となったり、Ａｕ層４０
段差部で二層目金属配線の断線の原因となることがしば
しばであった。
本発明は上記欠点を解決する導電膜パターンの形成方法
を提供するものである。以下本発明の実施例を図面を参
照しながら説明する。
を提供するものである。以下本発明の実施例を図面を参
照しながら説明する。
第３図に示す如（Ｇ ａ Ａ ｓ基板１上に後の工程で
エツチングする厚さ分厚くしだＳｉ３Ｎ４膜２を厚さ６
６００八程度Ｃ，Ｖ、Ｄ法で被着する０８１３Ｎ４膜２
上にポジタイプの感光性樹脂３としてＡＺ１３５０（商
品名）３を１．４７１ｍ程度の厚さに回転塗布し、マス
クによる露光後現像液に浸漬して現像を行い、水洗する
ことによって洗浄を行う。これによって金属配線を所望
しない領域に選択的に感光性樹脂３を被着形成する。ｌ
〜かる後ＣＦ４プラズマ中に晒すことによって樹脂層３
が被着形成されずＳ Ｚ ３Ｎ４膜２が露出していた領
域のＳｉ３Ｎ４膜２を途中迄第４図に示す如く前記厚み
に被着した分だけすなわち２５ｏＯ人程度エツチングす
る。
エツチングする厚さ分厚くしだＳｉ３Ｎ４膜２を厚さ６
６００八程度Ｃ，Ｖ、Ｄ法で被着する０８１３Ｎ４膜２
上にポジタイプの感光性樹脂３としてＡＺ１３５０（商
品名）３を１．４７１ｍ程度の厚さに回転塗布し、マス
クによる露光後現像液に浸漬して現像を行い、水洗する
ことによって洗浄を行う。これによって金属配線を所望
しない領域に選択的に感光性樹脂３を被着形成する。ｌ
〜かる後ＣＦ４プラズマ中に晒すことによって樹脂層３
が被着形成されずＳ Ｚ ３Ｎ４膜２が露出していた領
域のＳｉ３Ｎ４膜２を途中迄第４図に示す如く前記厚み
に被着した分だけすなわち２５ｏＯ人程度エツチングす
る。
これによって露出したＳ ｉ３Ｎ４膜２の表面は前述し
た如き感光性樹脂３の残留膜も無く清浄な状態である。
た如き感光性樹脂３の残留膜も無く清浄な状態である。
さらにＳｉ３Ｎ４膜２は横方向にもエツチングされる為
樹脂３によりひさし６が形成される。
樹脂３によりひさし６が形成される。
次に第６図に示す如（Ａ ｕ層４を５０ｏｏ八程度真空
蒸着法によって被着する。このときひさし５の下部には
Ａｕ層４のまわり込みによって１５０゜へ程度被着され
るが空間が形成される。そしてこのひさし５は樹脂３の
エツジ部の傾斜が多少緩やかになっていても斜面にＡｕ
層４が被着することを防止あるいは極端に減少させるも
のである。
蒸着法によって被着する。このときひさし５の下部には
Ａｕ層４のまわり込みによって１５０゜へ程度被着され
るが空間が形成される。そしてこのひさし５は樹脂３の
エツジ部の傾斜が多少緩やかになっていても斜面にＡｕ
層４が被着することを防止あるいは極端に減少させるも
のである。
次にアセトンあるいは感光性樹脂剥離液■−１００（商
品名）に浸漬することによって樹脂３を除去しＡｕ配線
パターン４ａを第６図に示す如く形成する。ここで樹脂
３の斜面へのＡｕ層４の被着が少なく、ひさし６による
空間さらにはＳ Ｌ ３Ｎ４膜２のエツチングによる段
差により露出する樹脂３を厚くしたのと同様となる為、
アセトンあるいはｌ−１ｏｏによる樹脂層３の溶融を容
易にさせ、リフトオフが簡乍に出来る。
品名）に浸漬することによって樹脂３を除去しＡｕ配線
パターン４ａを第６図に示す如く形成する。ここで樹脂
３の斜面へのＡｕ層４の被着が少なく、ひさし６による
空間さらにはＳ Ｌ ３Ｎ４膜２のエツチングによる段
差により露出する樹脂３を厚くしたのと同様となる為、
アセトンあるいはｌ−１ｏｏによる樹脂層３の溶融を容
易にさせ、リフトオフが簡乍に出来る。
しかる後、第７図に示す如く多層配線の為の５１３Ｎ４
膜６を５０００人形成した後Ｓｉ３Ｎ４膜６表面に二層
目の配線としてＡｕ７を５０００人選択級着する。この
時、第１層目のＡ ｕ ４はエツチングされた凹部に形
成されており、Ａｕ層４の突出が小さい為Ｓｉ３Ｎ４膜
６の被着は良好でありかつ第２層目の配線としてのＡｕ
層７の断線も無くすることが出来る。
膜６を５０００人形成した後Ｓｉ３Ｎ４膜６表面に二層
目の配線としてＡｕ７を５０００人選択級着する。この
時、第１層目のＡ ｕ ４はエツチングされた凹部に形
成されており、Ａｕ層４の突出が小さい為Ｓｉ３Ｎ４膜
６の被着は良好でありかつ第２層目の配線としてのＡｕ
層７の断線も無くすることが出来る。
以上説明したように、本発明に於ては、金属等の導電膜
を被着する表面をエツチングすることによって清浄な表
面に金属被着する為密着性を良くし、界面劣化による信
頼性低下を防止するのみならず、リフトオフを容易にす
ることを可能とする。
を被着する表面をエツチングすることによって清浄な表
面に金属被着する為密着性を良くし、界面劣化による信
頼性低下を防止するのみならず、リフトオフを容易にす
ることを可能とする。
さらにエツチングした厚さ分だけ金属等の導電膜の突出
を減少し、平坦化を実現出来、多層配線とする場合の絶
縁物被着や二層目金属の断線を防止するものであり歩留
を向上させるものである。
を減少し、平坦化を実現出来、多層配線とする場合の絶
縁物被着や二層目金属の断線を防止するものであり歩留
を向上させるものである。
なお説明に於て用いた基板は他の半導体やセラミック等
でも良く絶縁物も酸化シリコンやアルミナ等でも良い。
でも良く絶縁物も酸化シリコンやアルミナ等でも良い。
また金属をＡｕの他にＡｌ、Ｍｏ。
Ｗ等でも良く特に限定するものではない、また本発明を
第二層、三層目の金属配線に於ても実施可能なことは言
うまでもない。
第二層、三層目の金属配線に於ても実施可能なことは言
うまでもない。
第１図り図は従来の配線パターン形成方法を説明する為
の工程断面図、第３図、第４図、第５図、第６図、第７
図は本発明の一実施例にかかる配線パターンの形成方法
を示す工程断面図である。 １・・・・・・Ｇ ａ Ａ ａ基板、２，６・・・・・
・Ｓｉ３Ｎ４膜、３・・・・・・感光性樹脂、４，７・
・・・・・Ａｕ、４ａ・・・・・・Ａｕパターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第５図 第６図 第７図 ４ζ
の工程断面図、第３図、第４図、第５図、第６図、第７
図は本発明の一実施例にかかる配線パターンの形成方法
を示す工程断面図である。 １・・・・・・Ｇ ａ Ａ ａ基板、２，６・・・・・
・Ｓｉ３Ｎ４膜、３・・・・・・感光性樹脂、４，７・
・・・・・Ａｕ、４ａ・・・・・・Ａｕパターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第５図 第６図 第７図 ４ζ
Claims (1)
- 基板上に被着された絶縁物上に選択的に感光性樹脂を被
着する工程と、前記感光性樹脂をマスクとして絶縁膜を
途中までエツチングする工程と、導電膜を被着する工程
と、前記感光性樹脂を除去して前記絶縁膜のエツチング
部に前記導電膜を残す工程とを有することを特徴とする
導電膜パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57085849A JPS58201330A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 導電膜パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57085849A JPS58201330A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 導電膜パタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58201330A true JPS58201330A (ja) | 1983-11-24 |
Family
ID=13870316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57085849A Pending JPS58201330A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 導電膜パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58201330A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02215014A (ja) * | 1989-02-14 | 1990-08-28 | Sekisui Chem Co Ltd | 異方導電性セラミックス複合体の製造方法 |
-
1982
- 1982-05-20 JP JP57085849A patent/JPS58201330A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02215014A (ja) * | 1989-02-14 | 1990-08-28 | Sekisui Chem Co Ltd | 異方導電性セラミックス複合体の製造方法 |
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