JPH02135761A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02135761A JPH02135761A JP63290715A JP29071588A JPH02135761A JP H02135761 A JPH02135761 A JP H02135761A JP 63290715 A JP63290715 A JP 63290715A JP 29071588 A JP29071588 A JP 29071588A JP H02135761 A JPH02135761 A JP H02135761A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- positioning
- insulating substrate
- base
- electrode member
- board
- Prior art date
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- Pending
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07351—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting
- H10W72/07353—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting changes in shapes
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/331—Shapes of die-attach connectors
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/753—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between laterally-adjacent chips
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電力用等の半導体装置に関するものである。
（従来の技術）
第３図は従来における電力用半導体装置を示す斜視図、
第４図はその要部断面図である。
第４図はその要部断面図である。
これらの図において、符号ｌは放熱機能を有するベース
であり、そのベースＩ上の所定位置に、絶縁性のセラミ
ック基板２が半田固定され、このセラミック基板２上に
金属板が折り曲げ加工された電極部材３、放熱用のヒー
トシンク４、半導体素子５のそれぞれが順次積層され半
田により固定されている。７は信号端子、８は信号端子
７と電極部材３とを結ぶリード線、９は半導体素子５と
電極部４／Ｉ３とを結ぶＡＩワイヤ、１０は信号端子７
を支持するラバー １【は外形を構成するケースである
。そして、この半導体装置は、ケースｌｌ内の下層にシ
リコンゲルが充填され、その上部にさらにエポキシ樹脂
が充填されることにより完成される。
であり、そのベースＩ上の所定位置に、絶縁性のセラミ
ック基板２が半田固定され、このセラミック基板２上に
金属板が折り曲げ加工された電極部材３、放熱用のヒー
トシンク４、半導体素子５のそれぞれが順次積層され半
田により固定されている。７は信号端子、８は信号端子
７と電極部材３とを結ぶリード線、９は半導体素子５と
電極部４／Ｉ３とを結ぶＡＩワイヤ、１０は信号端子７
を支持するラバー １【は外形を構成するケースである
。そして、この半導体装置は、ケースｌｌ内の下層にシ
リコンゲルが充填され、その上部にさらにエポキシ樹脂
が充填されることにより完成される。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記の従来品おいては、ベースｌへ絶縁
基板２を半田付けする際の位置決め、絶縁基板２に電極
部材３を半田付けする際の位置決めは作業者による目視
により行っているので、非常に手間がかかり、生産効率
が低く、位置決め精度も低いという問題点があった。上
記の位置決め固定が正確になされなかった場合には、半
田による固着後にその取り付け位置を修正する工程が必
要となった。また、位置決め精度が低い場合には、ワイ
ヤボンディングが行えなかったり、パターン踏み等の不
良が発生し、これは生産自動化の妨げとなった。
基板２を半田付けする際の位置決め、絶縁基板２に電極
部材３を半田付けする際の位置決めは作業者による目視
により行っているので、非常に手間がかかり、生産効率
が低く、位置決め精度も低いという問題点があった。上
記の位置決め固定が正確になされなかった場合には、半
田による固着後にその取り付け位置を修正する工程が必
要となった。また、位置決め精度が低い場合には、ワイ
ヤボンディングが行えなかったり、パターン踏み等の不
良が発生し、これは生産自動化の妨げとなった。
本発明は、このような事情に鑑みてなしたもので、ベー
スへの絶縁基板の位置決め、絶縁基板への電極部材の位
置決めが、簡単、かつ確実にできるようにし、半導体装
置の生産自動化を可能にすることを目的とする。
スへの絶縁基板の位置決め、絶縁基板への電極部材の位
置決めが、簡単、かつ確実にできるようにし、半導体装
置の生産自動化を可能にすることを目的とする。
（課題を解決するだめの手段）
本発明は、このような目的を達成するために、ベース上
に、絶縁基板と、電極部材と、半導体素子とが順次積層
状態に取り付けられて構成される半導体装置において、
前記ベースと前記絶縁基板との互いに相対する而に、前
記ベースに対し前記絶縁基板が所定の取り付け位置にあ
る状態において互いに係合する第１位置決め係合機構が
、前記絶縁基板と前記電極部材との互いに相対する面に
、前記絶縁基板に対し前記電極部材が所定の取り付け位
置にある状態において互いに係合する第２位置決め係合
機構がそれぞれ設けられてなる構成とした。
に、絶縁基板と、電極部材と、半導体素子とが順次積層
状態に取り付けられて構成される半導体装置において、
前記ベースと前記絶縁基板との互いに相対する而に、前
記ベースに対し前記絶縁基板が所定の取り付け位置にあ
る状態において互いに係合する第１位置決め係合機構が
、前記絶縁基板と前記電極部材との互いに相対する面に
、前記絶縁基板に対し前記電極部材が所定の取り付け位
置にある状態において互いに係合する第２位置決め係合
機構がそれぞれ設けられてなる構成とした。
（作用）
上記構成によって本発明の絶縁型半導体装置においては
、第１の位置決め係合機構による係合によりベースと絶
縁基板との位置決めが、第２の位置決め係合機構による
係合により絶縁基板とｆｌｕ極部材との位置決めが行わ
れる。
、第１の位置決め係合機構による係合によりベースと絶
縁基板との位置決めが、第２の位置決め係合機構による
係合により絶縁基板とｆｌｕ極部材との位置決めが行わ
れる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面に基いて詳細に説明する。
第１図は本発明の半導体装置の要部を示す断面図である
。本発明の全体外観構成は第３図に示ずムのと同様であ
るのでその説明は省略する。
。本発明の全体外観構成は第３図に示ずムのと同様であ
るのでその説明は省略する。
第１図において第３図及び第４図に対応する部分には、
同一の番号が付されている。
同一の番号が付されている。
本発明の半導体装置は、そのベースｌ上にセラミ’７り
基板２が半田固定され、このセラミック基板２上に電極
部材３、ヒートシンク４、半導体素子５のそれぞれが順
次積層され半田により固定されて構成され、その基本的
構成は従来例に示すものと同様である。
基板２が半田固定され、このセラミック基板２上に電極
部材３、ヒートシンク４、半導体素子５のそれぞれが順
次積層され半田により固定されて構成され、その基本的
構成は従来例に示すものと同様である。
次に、本発明の特徴的構成について説明する。
本発明においては、ベース１と絶縁基板２との互いに相
対する而に、ベースｌに対し絶縁基板２が所定の取り付
け位置にある状態において互いに係合する第１位置決め
係合機槽１３が、絶縁基板２と電極部材３との互いに相
対する面に、絶縁基板２に対【２ｆｆｌ極部材３が所定
の取り付け位置にある状態において互いに係合する第２
位置決め係合機＋１が１４が、さらに電極部材３とヒー
トシンク４との互いに相対する面に、電極部材３に対し
ヒートシンク４が所定の取り付け位置にある状態におい
て互いに係合する第３位置決め係合機構１５が設けられ
ている。
対する而に、ベースｌに対し絶縁基板２が所定の取り付
け位置にある状態において互いに係合する第１位置決め
係合機槽１３が、絶縁基板２と電極部材３との互いに相
対する面に、絶縁基板２に対【２ｆｆｌ極部材３が所定
の取り付け位置にある状態において互いに係合する第２
位置決め係合機＋１が１４が、さらに電極部材３とヒー
トシンク４との互いに相対する面に、電極部材３に対し
ヒートシンク４が所定の取り付け位置にある状態におい
て互いに係合する第３位置決め係合機構１５が設けられ
ている。
上記の第１位置決め係合機構１３は、ベース１の上面の
１〜２点に設けられる半球面状の凸部１３ａと、絶縁基
板２の下面の上記の凸部１３ａに対応する位置に設けら
れる生球面状の凹部１３ｂとからなり、上記の第２位置
決め係合機＋Ｍ ｌ ４は絶縁基板２の上面の１〜２点
に設けられる半球面状の凹部１４ｂと、ｆＴ！極部材３
の下面の上記の凹部１４ｂに対応する位置に設けられる
半球面状の凸部＋４ａとからなり、上記の第３位置決め
係合機構１５は電極部材３の上面の１〜２点に設けられ
る半球面状の凸部１５ａと、ヒートシンク４の下面の上
記の凸部１５ａに対応する位置に設けら第１る半球面状
の凹部１５ｂとからなっている。
１〜２点に設けられる半球面状の凸部１３ａと、絶縁基
板２の下面の上記の凸部１３ａに対応する位置に設けら
れる生球面状の凹部１３ｂとからなり、上記の第２位置
決め係合機＋Ｍ ｌ ４は絶縁基板２の上面の１〜２点
に設けられる半球面状の凹部１４ｂと、ｆＴ！極部材３
の下面の上記の凹部１４ｂに対応する位置に設けられる
半球面状の凸部＋４ａとからなり、上記の第３位置決め
係合機構１５は電極部材３の上面の１〜２点に設けられ
る半球面状の凸部１５ａと、ヒートシンク４の下面の上
記の凸部１５ａに対応する位置に設けら第１る半球面状
の凹部１５ｂとからなっている。
上記の凹部１３ｂ 、１４ｂ 、ｌ ５ｂのそれぞれは
、第２図に示すように、対応する凸部１３ａ 、１４ａ
、Ｉ ５ａのそれぞれより若干大きく構成されており
、その大きさの差に基づいて嵌合の際に形成される隙間
位置にクリーム半田１Ｇが介在されるようになっている
。
、第２図に示すように、対応する凸部１３ａ 、１４ａ
、Ｉ ５ａのそれぞれより若干大きく構成されており
、その大きさの差に基づいて嵌合の際に形成される隙間
位置にクリーム半田１Ｇが介在されるようになっている
。
上記のように、第１１第２、第３の位置決め係合機構１
３．１４，１５が設けられている故に、半田固定に際し
てのベースｌ上への絶縁基板２の位置決め、絶縁基板２
上への電極部材３の位置決め、１／桟部材３上へのヒー
トシンク４の位置決めが、それぞれの凸部１３ａ 、１
４ａ 、ｌ ５ａをそれぞれの凹部１３ｂ 、ｌ ４ｂ
、ｌ ５ｂに嵌合させることにより、簡単に、かつ正
確に行える。
３．１４，１５が設けられている故に、半田固定に際し
てのベースｌ上への絶縁基板２の位置決め、絶縁基板２
上への電極部材３の位置決め、１／桟部材３上へのヒー
トシンク４の位置決めが、それぞれの凸部１３ａ 、１
４ａ 、ｌ ５ａをそれぞれの凹部１３ｂ 、ｌ ４ｂ
、ｌ ５ｂに嵌合させることにより、簡単に、かつ正
確に行える。
そして、上記のようにして、ベースｌ上に絶縁基板２、
電極部材３、ヒートシンク４がそれぞれの間にクリーム
半田１６を介在して位置決め取り付けられ、さらにヒー
トシンク４上に半導体素子５がクリーム半田１６を介在
して取り付けられた状態において、この半導体装置はり
フロー炉内に納められ、クリーム半田１６が溶融されて
各要素の積層固定が行われる。
電極部材３、ヒートシンク４がそれぞれの間にクリーム
半田１６を介在して位置決め取り付けられ、さらにヒー
トシンク４上に半導体素子５がクリーム半田１６を介在
して取り付けられた状態において、この半導体装置はり
フロー炉内に納められ、クリーム半田１６が溶融されて
各要素の積層固定が行われる。
上記のそれぞれの位置決め係合機構を構成する凹部と凸
部の形状は、四角柱状や三角柱状等としてもよい。
部の形状は、四角柱状や三角柱状等としてもよい。
（発明の効果）
以上のように、本発明によれば、第１位置決め係合機構
によりベースへの絶縁基板の位置決めが、第２位置決め
係合機構により絶縁基板への電極部材の位置決めが、そ
れぞれ簡単、かつ確実にできるようになり、これにより
、生産効率が大幅に向上できるようになるとともに、半
導体装置の生産を自動化できるようになった。
によりベースへの絶縁基板の位置決めが、第２位置決め
係合機構により絶縁基板への電極部材の位置決めが、そ
れぞれ簡単、かつ確実にできるようになり、これにより
、生産効率が大幅に向上できるようになるとともに、半
導体装置の生産を自動化できるようになった。
第１図、第２図は本発明の実施例に係り、第１図は半導
体装置の要部断面図、第２図は第２位置決め係合機構を
示す断面図である。 第３図は半導体装置の従来例を示す外観斜視図、第４図
は同要部断面図である。 １・・・ベース、 ２・・・絶縁基板、 ３・・・電極部材、 ５・・・半導体素子、 Ｉ３・・・第１位置決め係合機構、 １４・・・第２位置決め係合機構。
体装置の要部断面図、第２図は第２位置決め係合機構を
示す断面図である。 第３図は半導体装置の従来例を示す外観斜視図、第４図
は同要部断面図である。 １・・・ベース、 ２・・・絶縁基板、 ３・・・電極部材、 ５・・・半導体素子、 Ｉ３・・・第１位置決め係合機構、 １４・・・第２位置決め係合機構。
Claims (1)
- （１）ベース上に、絶縁基板と、電極部材と、半導体素
子とが順次積層状態に取り付けられて構成される半導体
装置において、 前記ベースと前記絶縁基板との互いに相対する面に、前
記ベースに対し前記絶縁基板が所定の取り付け位置にあ
る状態において互いに係合する第１位置決め係合機構が
、 前記絶縁基板と前記電極部材との互いに相対する面に、
前記絶縁基板に対し前記電極部材が所定の取り付け位置
にある状態において互いに係合する第２位置決め係合機
構が それぞれ設けられてなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63290715A JPH02135761A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63290715A JPH02135761A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02135761A true JPH02135761A (ja) | 1990-05-24 |
Family
ID=17759584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63290715A Pending JPH02135761A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02135761A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012049194A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2016036048A (ja) * | 2015-11-05 | 2016-03-17 | 住友電気工業株式会社 | 半導体モジュール |
-
1988
- 1988-11-16 JP JP63290715A patent/JPH02135761A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012049194A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2016036048A (ja) * | 2015-11-05 | 2016-03-17 | 住友電気工業株式会社 | 半導体モジュール |
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