JPH0213956B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0213956B2 JPH0213956B2 JP20891681A JP20891681A JPH0213956B2 JP H0213956 B2 JPH0213956 B2 JP H0213956B2 JP 20891681 A JP20891681 A JP 20891681A JP 20891681 A JP20891681 A JP 20891681A JP H0213956 B2 JPH0213956 B2 JP H0213956B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slurry
- ceramic
- film
- doctor blade
- ceramic slurry
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 64
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012611 container material Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920006215 polyvinyl ketone Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Producing Shaped Articles From Materials (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Insulating Bodies (AREA)
Description
(1) 発明の技術分野
本発明はセラミツク基板の製造方法に関し、特
に未焼成セラミツク基板いわゆるグリーンシート
を形成する手段の改良に関する。 (2) 発明の背景 アルミナ（Al2O3）を主体とするセラミツク材
は、電子機器の分野において、例えば電子部品搭
載用絶縁基板材料、混成集積回路用絶縁基板材料
あるいは半導体素子収容用容器材料等に適用され
ている。 かかる電子機器の分野においては、半導体集積
回路素子の高集積化とともに、前記絶縁基板ある
いは容器の表面に形成される導体層パターンの微
細化、高集積化が図られつつある。 このため、かかる絶縁基板あるいは容器を構成
するセラミツク基板にも、特にその表面の平滑性
を高めることが要求されている。 (3) 従来技術と問題点 前記セラミツク基板は、従来、いわゆるドクタ
ーブレード法によつて未焼成セラミツク基板（グ
リーンシート）を形成し、必要に応じてかかるグ
リーンシート表面に導体層パターンを形成し、更
に必要に応じてかかるグリーンシートを複数枚積
層し、しかる後かかるグリーンシートを加熱加圧
して焼成することによつて形成されている。 ここで前記ドクターブレード法は、従来、例え
ば第１図に示される構成がとられている。 同図において、１１はセラミツクスラリー１２
を収容するスラリー溜め、１３は該スラリー溜め
の一辺に設けられたドクターブレード、１４はス
ラリー供給管、１５はスラリー液面計である。前
記スラリー溜め１１に収容されたセラミツクスラ
リー１２は、該スラリー溜め１１の下に配置され
キヤリアベルト１６によつて移動されるキヤリア
フイルム１７の表面に、該キヤリアフイルム１７
の移動に従つてドクターブレード１３部分から流
出し、該キヤリアフイルム１７表面にスラリー膜
又は層１８が形成される。 このようなドクターブレード法にあつては、前
記スラリー溜め１１内のセラミツクスラリー１２
の表面には常にセラミツクスラリーに含まれる揮
発性の溶剤分が揮発して少なくなることにより乾
燥されて形成された薄皮が生じている。一方かか
るセラミツクスラリー１２内にはキヤリアフイル
ム１７の移動に従つて、図面上破線矢印で示され
る方向の回転流動力が生じる。このためかかるセ
ラミツクスラリー１２の流動によつて前記薄皮が
当該セラミツクスラリー１２内へ引き込まれ、ス
ラリー膜又は層１８あるいは該スラリー膜又は層
１８が乾燥されて形成されるグリーンシートに欠
陥、特に表面欠陥を生じてしまう。 かかるグリーンシートにおける表面欠陥は、セ
ラミツク基板の表面平滑性を低下させる一因とな
り、当該セラミツク基板表面への導体層パターン
の高密度、高信頼度の形成を困難とする。 かかるセラミツクスラリーの表面に生ずる薄皮
の、当該セラミツクスラリー内への混入を防止す
るために、キヤリアフイルムの移動速度を低下さ
せてセラミツクスラリー内に生ずる回転流動力を
低減することが試みられたが、かかる方法では高
い作業性が得られず、且つ形成されるグリーンシ
ートの厚さの均一性が低く実用的でなかつた。 (4) 発明の目的 このため、本発明は、スラリー溜めに収容され
たセラミツクスラリーをキヤリアフイルム上に流
出させて、セラミツクスラリー膜又は層を形成す
る際に、前記スラリー溜め内におけるセラミツク
スラリーの内部に生ずる回転流動力を抑制して、
該セラミツクスラリーの表面に生ずる薄皮の当該
セラミツクスラリー内への混入を防止することが
できる方法を提供しようとするものである。 (5) 発明の構成 このため、本発明によれば、スラリー溜めに収
容されたセラミツクスラリーをドクターブレード
法によりキヤリアフイルム上に膜又は層状に形成
し、次いで前記セラミツクスラリー膜又は層を乾
燥させて未焼成セラミツク基板を形成する工程を
有するセラミツク基板の製造方法において、前記
スラリー溜めに設けたドクターブレードに対向す
る壁面を該ドクターブレードの開口部の近傍に延
在させて、前記セラミツクスラリーと前記キヤリ
アフイルムとの接触触面積を小さくしたことを特
徴とするセラミツク基板の製造方法が提供され
る。 (6) 発明の実施例 以下本発明を実施例をもつて詳細に説明する。 第２図は、本発明の実施にかかるドクターブレ
ード法によるグリーンシートの形成手段を示す。 同図において、２１はセラミツクスラリー２２
を収容するスラリー溜め、２３は該スラリー溜め
の一辺に設けられたドクターブレード、２４はス
ラリー供給管、２５はスラリー液面計である。 本発明によれば前記スラリー溜め２１の内部
に、ドクターブレード２３に対向する壁２１Ａか
ら、ドクターブレード２３の開口部３２Ａの近傍
に延在して仕切り板２６が配設される。 かかる仕切り板２６の配設によつて、セラミツ
クスラリー２２とキヤリアフイルム２７との接触
面積が低下し、キヤリアベルト２８によつて該キ
ヤリアフイルム２７が移動される際にセラミツク
スラリー２２内部に生ずる回転移動力の強度が低
下される。この結果セラミツクスラリー２２の表
面に生ずる膜皮が該セラミツクスラリー２２内へ
引き込まれることがなくなり、キヤリアフイルム
２７上に流出形成されるスラリー膜又は層２９あ
るいは該スラリー膜又は層２９が乾燥されて形成
されるグリーンシートに表面欠陥を生ずることが
ない。 例えば前記第２図に示される構成において、ス
ラリー溜め２１の長さＡを100〔mm〕、該スラリー
溜め２１内におけるセラミツクスラリー２２内に
おけるセラミツクスラリー収容高さＢを約100
〔mm〕とし、ドクターブレード２３の先端と仕切
り板２６の先端との間隔Ｃを10〔mm〕として、ア
ルミナ（Al2O3）を主成分とし、ポリビニルブチ
ラール、アルコール、ケトン類を含有する粘度
1000〜20000〔pcs〕比重1.6〜1.9のセラミツクス
ラリーを用い、キヤリアフイルムの移動速度を
0.15ｍ／分〜２ｍ／分と変化させて、該キヤリア
フイルム上にスラリー膜又は層を形成した時、か
かるスラリー膜又は層を乾燥して形成したグリー
ンシートにはセラミツクスラリー表面の薄皮の引
き込みによる表面欠陥が生ぜず、またかかるグリ
ーンシートの膜厚の均一性も高いものであつた。 すなわち、例えば厚さが0.20〔mm〕と0.60〔mm〕
に形成した200〔mm〕角のグリーンシートの表面平
滑度を測定した結果は下表のとおりであつた。な
お、ばらつきは10〔mm〕間隔で測定した最大値と
最小値の差で表わし、製造歩留りとの関係を示し
たものである。
に未焼成セラミツク基板いわゆるグリーンシート
を形成する手段の改良に関する。 (2) 発明の背景 アルミナ（Al2O3）を主体とするセラミツク材
は、電子機器の分野において、例えば電子部品搭
載用絶縁基板材料、混成集積回路用絶縁基板材料
あるいは半導体素子収容用容器材料等に適用され
ている。 かかる電子機器の分野においては、半導体集積
回路素子の高集積化とともに、前記絶縁基板ある
いは容器の表面に形成される導体層パターンの微
細化、高集積化が図られつつある。 このため、かかる絶縁基板あるいは容器を構成
するセラミツク基板にも、特にその表面の平滑性
を高めることが要求されている。 (3) 従来技術と問題点 前記セラミツク基板は、従来、いわゆるドクタ
ーブレード法によつて未焼成セラミツク基板（グ
リーンシート）を形成し、必要に応じてかかるグ
リーンシート表面に導体層パターンを形成し、更
に必要に応じてかかるグリーンシートを複数枚積
層し、しかる後かかるグリーンシートを加熱加圧
して焼成することによつて形成されている。 ここで前記ドクターブレード法は、従来、例え
ば第１図に示される構成がとられている。 同図において、１１はセラミツクスラリー１２
を収容するスラリー溜め、１３は該スラリー溜め
の一辺に設けられたドクターブレード、１４はス
ラリー供給管、１５はスラリー液面計である。前
記スラリー溜め１１に収容されたセラミツクスラ
リー１２は、該スラリー溜め１１の下に配置され
キヤリアベルト１６によつて移動されるキヤリア
フイルム１７の表面に、該キヤリアフイルム１７
の移動に従つてドクターブレード１３部分から流
出し、該キヤリアフイルム１７表面にスラリー膜
又は層１８が形成される。 このようなドクターブレード法にあつては、前
記スラリー溜め１１内のセラミツクスラリー１２
の表面には常にセラミツクスラリーに含まれる揮
発性の溶剤分が揮発して少なくなることにより乾
燥されて形成された薄皮が生じている。一方かか
るセラミツクスラリー１２内にはキヤリアフイル
ム１７の移動に従つて、図面上破線矢印で示され
る方向の回転流動力が生じる。このためかかるセ
ラミツクスラリー１２の流動によつて前記薄皮が
当該セラミツクスラリー１２内へ引き込まれ、ス
ラリー膜又は層１８あるいは該スラリー膜又は層
１８が乾燥されて形成されるグリーンシートに欠
陥、特に表面欠陥を生じてしまう。 かかるグリーンシートにおける表面欠陥は、セ
ラミツク基板の表面平滑性を低下させる一因とな
り、当該セラミツク基板表面への導体層パターン
の高密度、高信頼度の形成を困難とする。 かかるセラミツクスラリーの表面に生ずる薄皮
の、当該セラミツクスラリー内への混入を防止す
るために、キヤリアフイルムの移動速度を低下さ
せてセラミツクスラリー内に生ずる回転流動力を
低減することが試みられたが、かかる方法では高
い作業性が得られず、且つ形成されるグリーンシ
ートの厚さの均一性が低く実用的でなかつた。 (4) 発明の目的 このため、本発明は、スラリー溜めに収容され
たセラミツクスラリーをキヤリアフイルム上に流
出させて、セラミツクスラリー膜又は層を形成す
る際に、前記スラリー溜め内におけるセラミツク
スラリーの内部に生ずる回転流動力を抑制して、
該セラミツクスラリーの表面に生ずる薄皮の当該
セラミツクスラリー内への混入を防止することが
できる方法を提供しようとするものである。 (5) 発明の構成 このため、本発明によれば、スラリー溜めに収
容されたセラミツクスラリーをドクターブレード
法によりキヤリアフイルム上に膜又は層状に形成
し、次いで前記セラミツクスラリー膜又は層を乾
燥させて未焼成セラミツク基板を形成する工程を
有するセラミツク基板の製造方法において、前記
スラリー溜めに設けたドクターブレードに対向す
る壁面を該ドクターブレードの開口部の近傍に延
在させて、前記セラミツクスラリーと前記キヤリ
アフイルムとの接触触面積を小さくしたことを特
徴とするセラミツク基板の製造方法が提供され
る。 (6) 発明の実施例 以下本発明を実施例をもつて詳細に説明する。 第２図は、本発明の実施にかかるドクターブレ
ード法によるグリーンシートの形成手段を示す。 同図において、２１はセラミツクスラリー２２
を収容するスラリー溜め、２３は該スラリー溜め
の一辺に設けられたドクターブレード、２４はス
ラリー供給管、２５はスラリー液面計である。 本発明によれば前記スラリー溜め２１の内部
に、ドクターブレード２３に対向する壁２１Ａか
ら、ドクターブレード２３の開口部３２Ａの近傍
に延在して仕切り板２６が配設される。 かかる仕切り板２６の配設によつて、セラミツ
クスラリー２２とキヤリアフイルム２７との接触
面積が低下し、キヤリアベルト２８によつて該キ
ヤリアフイルム２７が移動される際にセラミツク
スラリー２２内部に生ずる回転移動力の強度が低
下される。この結果セラミツクスラリー２２の表
面に生ずる膜皮が該セラミツクスラリー２２内へ
引き込まれることがなくなり、キヤリアフイルム
２７上に流出形成されるスラリー膜又は層２９あ
るいは該スラリー膜又は層２９が乾燥されて形成
されるグリーンシートに表面欠陥を生ずることが
ない。 例えば前記第２図に示される構成において、ス
ラリー溜め２１の長さＡを100〔mm〕、該スラリー
溜め２１内におけるセラミツクスラリー２２内に
おけるセラミツクスラリー収容高さＢを約100
〔mm〕とし、ドクターブレード２３の先端と仕切
り板２６の先端との間隔Ｃを10〔mm〕として、ア
ルミナ（Al2O3）を主成分とし、ポリビニルブチ
ラール、アルコール、ケトン類を含有する粘度
1000〜20000〔pcs〕比重1.6〜1.9のセラミツクス
ラリーを用い、キヤリアフイルムの移動速度を
0.15ｍ／分〜２ｍ／分と変化させて、該キヤリア
フイルム上にスラリー膜又は層を形成した時、か
かるスラリー膜又は層を乾燥して形成したグリー
ンシートにはセラミツクスラリー表面の薄皮の引
き込みによる表面欠陥が生ぜず、またかかるグリ
ーンシートの膜厚の均一性も高いものであつた。 すなわち、例えば厚さが0.20〔mm〕と0.60〔mm〕
に形成した200〔mm〕角のグリーンシートの表面平
滑度を測定した結果は下表のとおりであつた。な
お、ばらつきは10〔mm〕間隔で測定した最大値と
最小値の差で表わし、製造歩留りとの関係を示し
たものである。
【表】
なお、前記実施例において、ドクターブレード
２３の先端と仕切り板２６の先端との間隔Ｃは、
５〜15〔mm〕とされるのが好ましい。５〔mm〕より
狭いとセラミツクスラリーの供給が不十分とな
り、キヤリアフイルムの移動速度の低下すなわち
作業性の低下を招いてしまう。また15〔mm〕より
広くするとスラリー溜め内のセラミツクスラリー
に大きな回転流動力が与えられ本発明の効果が発
揮されない。 (7) 発明の効果 以上のように、本発明によれば、ドクターブレ
ード法によつてセラミツクグリーンシートを形成
する際に、スラリー溜め内のセラミツクスラリー
に内部回転流動が生ずるのを抑制することができ
る。従つてセラミツクスラリー内への薄皮の混入
が防止されて、かかる薄皮の混入に起因するグリ
ーンシートの表面欠陥の発生が防止される。この
ため、高い表面平滑度を有するセラミツク基板を
高い製造歩留りをもつて形成することができる。
２３の先端と仕切り板２６の先端との間隔Ｃは、
５〜15〔mm〕とされるのが好ましい。５〔mm〕より
狭いとセラミツクスラリーの供給が不十分とな
り、キヤリアフイルムの移動速度の低下すなわち
作業性の低下を招いてしまう。また15〔mm〕より
広くするとスラリー溜め内のセラミツクスラリー
に大きな回転流動力が与えられ本発明の効果が発
揮されない。 (7) 発明の効果 以上のように、本発明によれば、ドクターブレ
ード法によつてセラミツクグリーンシートを形成
する際に、スラリー溜め内のセラミツクスラリー
に内部回転流動が生ずるのを抑制することができ
る。従つてセラミツクスラリー内への薄皮の混入
が防止されて、かかる薄皮の混入に起因するグリ
ーンシートの表面欠陥の発生が防止される。この
ため、高い表面平滑度を有するセラミツク基板を
高い製造歩留りをもつて形成することができる。
第１図はグリーンシートの形成にかかる従来の
ドクターブレード法の構成を示す断面図、第２図
は本発明にかかるドクターブレード法の構成を示
す断面図である。 図において、１１，２１……スラリー溜め、１
２，２２……セラミツクスラリー、１３，２３…
…ドクターブレード、２６……仕切り板、１６，
２８……キヤリアベルト、１７，２７……キヤリ
アフイルム、１８，２９……スラリー膜又は層。
ドクターブレード法の構成を示す断面図、第２図
は本発明にかかるドクターブレード法の構成を示
す断面図である。 図において、１１，２１……スラリー溜め、１
２，２２……セラミツクスラリー、１３，２３…
…ドクターブレード、２６……仕切り板、１６，
２８……キヤリアベルト、１７，２７……キヤリ
アフイルム、１８，２９……スラリー膜又は層。
Claims (1)
- １ スラリー溜めに収容されたセラミツクスラリ
ーをドクターブレード法によりキヤリアフイルム
上に膜又は層状に形成し、次いで前記膜又は層を
乾燥させて未焼成セラミツク基板を形成する工程
を有するセラミツク基板の製造方法において、前
記スラリー溜めに設けたドクターブレードに対向
する壁面を該ドクターブレードの開口部の近傍に
延在させて、前記セラミツクスラリーと前記キヤ
リアフイルムとの接触面積を小さくしたことを特
徴とするセラミツク基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20891681A JPS58110095A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | セラミック基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20891681A JPS58110095A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | セラミック基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58110095A JPS58110095A (ja) | 1983-06-30 |
| JPH0213956B2 true JPH0213956B2 (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=16564235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20891681A Granted JPS58110095A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | セラミック基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58110095A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH074891Y2 (ja) * | 1988-05-07 | 1995-02-08 | 富士通株式会社 | グリーンシート成形機 |
-
1981
- 1981-12-23 JP JP20891681A patent/JPS58110095A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58110095A (ja) | 1983-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7265043B2 (en) | Methods for making microwave circuits | |
| US4786342A (en) | Method for producing cast tape finish on a dry-pressed substrate | |
| CA1165459A (en) | Ceramic substrate for fine-line electrical circuitry and method of manufacture | |
| KR20100005143A (ko) | 비아홀용 전기 전도성 조성물 | |
| JPH08274433A (ja) | 銀系導電性ペースト及びそれを用いた多層セラミック回路基板 | |
| JP2955442B2 (ja) | セラミックス回路基板の製造方法 | |
| JP2003261397A (ja) | セラミック基板とその製造方法、このセラミック基板を用いた電子部品の製造方法 | |
| US20030168150A1 (en) | Method and constrain layer for reducing shrinkage during sintering low-temperature ceramic | |
| JPS58110095A (ja) | セラミック基板の製造方法 | |
| JP3162539B2 (ja) | 導体ペーストによって導体を形成したセラミック配線基板の製造方法 | |
| JPS6250077B2 (ja) | ||
| JP2000200973A (ja) | 低温焼成セラミック回路基板 | |
| TWI259041B (en) | Wiring substrate, process for manufacturing the wiring substrate, and carrier sheet for green sheet used in the manufacturing process | |
| JP2007013029A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法、及び積層セラミック電子部品 | |
| US4631160A (en) | Method of manufacturing ceramic substrate for fine-line electrical circuitry | |
| JP4231316B2 (ja) | セラミック配線基板の製造方法 | |
| JPH0544840B2 (ja) | ||
| JPH0590753A (ja) | 貫通孔突出セラミツク配線基板 | |
| EP1378347A1 (en) | Method for reducing shrinkage during sintering low-temperature ceramic | |
| JP2976088B2 (ja) | 側面電極を有する表面実装用部品とその製造方法 | |
| JP2010027882A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
| JPH10190173A (ja) | 配線基板 | |
| JPH0832239A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JP4471577B2 (ja) | セラミックグリーンシートおよびその製造方法 | |
| JP2004165274A (ja) | 低温焼成セラミック回路基板の製造方法 |