JPH02141120A - 走査可能レジスタ/ラッチ回路 - Google Patents
走査可能レジスタ/ラッチ回路Info
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- JPH02141120A JPH02141120A JP1184836A JP18483689A JPH02141120A JP H02141120 A JPH02141120 A JP H02141120A JP 1184836 A JP1184836 A JP 1184836A JP 18483689 A JP18483689 A JP 18483689A JP H02141120 A JPH02141120 A JP H02141120A
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- ITAKKORXEUJTBC-UHFFFAOYSA-L vanadium(ii) chloride Chemical compound Cl[V]Cl ITAKKORXEUJTBC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
- H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
- H03K3/286—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
- H03K3/288—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable using additional transistors in the input circuit
- H03K3/2885—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable using additional transistors in the input circuit the input circuit having a differential configuration
-
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- H03K—PULSE TECHNIQUE
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- H03K3/289—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable of the primary-secondary type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は電子回路に関するものであって、更に詳細には
、ユーザのオプションによって、供給される制御信号に
従って、レジスタとして、ラッチとして、又はスキャン
パス回路即ち走査経路回路として機能することの可能な
電子回路に関するものである。
、ユーザのオプションによって、供給される制御信号に
従って、レジスタとして、ラッチとして、又はスキャン
パス回路即ち走査経路回路として機能することの可能な
電子回路に関するものである。
従来技術
ラッチを提供する個別的な回路は公知である。
従来のラッチにおいては、入力端子に存在するデータが
、制御信号が状態を変化する時に、出力端子上に「ラッ
チ」される。出力端子上にラッチされたデータは、制御
信号がその状態を維持する限り出力端子上に存在し、そ
れは入力端子に新しいデータが存在するかどうかという
こととは無関係である。ラッチに対する典型的な適用例
としては、スイッチ信号の「跳ね返り防止」であり、そ
の場合出力信号は、検知ノードから過渡的状態が消失し
た後に出力端子上ヘラッチされ、る。
、制御信号が状態を変化する時に、出力端子上に「ラッ
チ」される。出力端子上にラッチされたデータは、制御
信号がその状態を維持する限り出力端子上に存在し、そ
れは入力端子に新しいデータが存在するかどうかという
こととは無関係である。ラッチに対する典型的な適用例
としては、スイッチ信号の「跳ね返り防止」であり、そ
の場合出力信号は、検知ノードから過渡的状態が消失し
た後に出力端子上ヘラッチされ、る。
フリップフロップ用の回路も公知である。フリップフロ
ップにおいては、その回路はそれぞれ0又は1を格納し
た状態を表わすために使用することが可能な二つの安定
な状態の一つを取ることが可能である。D型フリップフ
ロップにおいては、クロックパルス後の出力Qはそのパ
ルスの前の入力りと等しい。従って、D型フリップフロ
ップは、1ビツト遅延を与えるために使用される二進装
置である。フリップフロップは、デジタル回路において
レジスタとして広く使用されている。
ップにおいては、その回路はそれぞれ0又は1を格納し
た状態を表わすために使用することが可能な二つの安定
な状態の一つを取ることが可能である。D型フリップフ
ロップにおいては、クロックパルス後の出力Qはそのパ
ルスの前の入力りと等しい。従って、D型フリップフロ
ップは、1ビツト遅延を与えるために使用される二進装
置である。フリップフロップは、デジタル回路において
レジスタとして広く使用されている。
スキャンバス即ち走査経路用の要素を与える回路も公知
である。走査経路は、一連の格納要素をその他のデータ
処理要素へ個別的に結合させて個別的にアクセスし且つ
テストすることを可能とするものである。その他の処理
回路と共にスキャンバス即ち走査経路を使用することに
より、その回路のコードのテスト可能性を可能とする。
である。走査経路は、一連の格納要素をその他のデータ
処理要素へ個別的に結合させて個別的にアクセスし且つ
テストすることを可能とするものである。その他の処理
回路と共にスキャンバス即ち走査経路を使用することに
より、その回路のコードのテスト可能性を可能とする。
例えば、走査経路要素を有する回路においては、回路が
ディスエーブルされ且つ走査経路がイネーブルされると
、所望のデータを処理回路内の種々の位置へスキャン即
ち走査させることが可能である。従って、1サイクル以
上に対して走査経路がディスニブルされ且つ処理回路が
イネーブルされる。次いで、処理回路をディスエーブル
し且つ走査経路を再度イネーブルさせて、処理回路の動
作サイクルによって発生されたデータを走査出力して、
実施した処理動作の正確性を検証する。この手順を必要
なだけ繰返し行なって、走査経路要素が結合されている
全ての処理要素の完全なテストを行なうことが可能であ
る。
ディスエーブルされ且つ走査経路がイネーブルされると
、所望のデータを処理回路内の種々の位置へスキャン即
ち走査させることが可能である。従って、1サイクル以
上に対して走査経路がディスニブルされ且つ処理回路が
イネーブルされる。次いで、処理回路をディスエーブル
し且つ走査経路を再度イネーブルさせて、処理回路の動
作サイクルによって発生されたデータを走査出力して、
実施した処理動作の正確性を検証する。この手順を必要
なだけ繰返し行なって、走査経路要素が結合されている
全ての処理要素の完全なテストを行なうことが可能であ
る。
上述した回路の個々のものは集積回路ユーザへとって入
手可能なものではあるが、ユーザが所望とする特定の機
能性を選択するためにある一部を選び出すことを可能と
する装置は市販されていない。更に、この能力が欠如し
ているので、装置の製造者は異なったユーザに対して別
々の装置を製造することが必要であり、これらの機能を
実施することが可能な普遍的な装置を供給するものでは
ない。例えば、スーパーコンピュータの製造者は、ラッ
チを組込んだ特定の部分を必要とすることがあるかもし
れず、一方ミニコンピュータの製造者は同一の部分がレ
ジスタであることを必要とする場合があるかもしれない
。従って、集積回路の製造者は、これら両方の部分を製
造し在庫として取っておくことが必要となる。このこと
は、コストを上昇させ且つ問題とするパーツに対する入
手可能性を低いものとしていた。
手可能なものではあるが、ユーザが所望とする特定の機
能性を選択するためにある一部を選び出すことを可能と
する装置は市販されていない。更に、この能力が欠如し
ているので、装置の製造者は異なったユーザに対して別
々の装置を製造することが必要であり、これらの機能を
実施することが可能な普遍的な装置を供給するものでは
ない。例えば、スーパーコンピュータの製造者は、ラッ
チを組込んだ特定の部分を必要とすることがあるかもし
れず、一方ミニコンピュータの製造者は同一の部分がレ
ジスタであることを必要とする場合があるかもしれない
。従って、集積回路の製造者は、これら両方の部分を製
造し在庫として取っておくことが必要となる。このこと
は、コストを上昇させ且つ問題とするパーツに対する入
手可能性を低いものとしていた。
目 的
本発明は、以上の点に鑑みなされたものであって、上述
した如き従来技術の欠点を解消し、供給される制御信号
に従って、幾つかの異なったモードのうちの選択したモ
ードで動作することが可能な電子回路を提供することを
目的とする。
した如き従来技術の欠点を解消し、供給される制御信号
に従って、幾つかの異なったモードのうちの選択したモ
ードで動作することが可能な電子回路を提供することを
目的とする。
構成
本発明によればスキャナプル即ち走査可能なレジスタ/
ラッチ回路が提供され、それはそれに供給される制御信
号に従って、幾つかの異なった動作モードで動作するこ
とが可能であり、即ち出力がデータに追従する場合には
透過性ラッチとして機能し、制御信号が状態を変化する
時にデータをラッチする場合にはラッチとして機能し、
又り型フリップフロップとして機能し、且つ走査経路要
素回路として機能することが可能である。この回路は、
ユーザが、・制御信号を印加することによりユーザが所
望とする機能を実施するように特定のモードを選択する
ことが可能である。これと対照して、従来の回路におい
ては、上述した機能の各々を与えるために専用回路が必
要とされており、従ってユーザは異なった回路の在庫を
維持することが必要であり、且つ集積回路製造者は異な
った回路を製造することが必要であった。
ラッチ回路が提供され、それはそれに供給される制御信
号に従って、幾つかの異なった動作モードで動作するこ
とが可能であり、即ち出力がデータに追従する場合には
透過性ラッチとして機能し、制御信号が状態を変化する
時にデータをラッチする場合にはラッチとして機能し、
又り型フリップフロップとして機能し、且つ走査経路要
素回路として機能することが可能である。この回路は、
ユーザが、・制御信号を印加することによりユーザが所
望とする機能を実施するように特定のモードを選択する
ことが可能である。これと対照して、従来の回路におい
ては、上述した機能の各々を与えるために専用回路が必
要とされており、従ってユーザは異なった回路の在庫を
維持することが必要であり、且つ集積回路製造者は異な
った回路を製造することが必要であった。
好適実施例においては、出力端子へ入力信号を供給する
本発明回路は、その入力信号を受取るべく接続されてい
るマスタ回路と、出力端子へ接続されており且つ前記入
力信号を受取るべく接続されており更に前記マスタ回路
へ選択的に接続することが可能なスレーブ回路とを有し
ている。本発明回路においては、第一組の制御信号がマ
スタ回路をディスエーブルし且つスレーブ回路をして出
力端子へ直接的に入力信号を供給し、一方第二組の制御
信号がマスタ回路をディスエーブルし且つスレーブ回路
をして、第二組の制御信号の一つが状態を変化する時に
入力信号を出力端子ヘラッチさせる。更に、第三組の制
御信号がスレーブ回路をしてマスタ回路からのデータを
受取らせ且つそのデータを出力端子へ供給する。
本発明回路は、その入力信号を受取るべく接続されてい
るマスタ回路と、出力端子へ接続されており且つ前記入
力信号を受取るべく接続されており更に前記マスタ回路
へ選択的に接続することが可能なスレーブ回路とを有し
ている。本発明回路においては、第一組の制御信号がマ
スタ回路をディスエーブルし且つスレーブ回路をして出
力端子へ直接的に入力信号を供給し、一方第二組の制御
信号がマスタ回路をディスエーブルし且つスレーブ回路
をして、第二組の制御信号の一つが状態を変化する時に
入力信号を出力端子ヘラッチさせる。更に、第三組の制
御信号がスレーブ回路をしてマスタ回路からのデータを
受取らせ且つそのデータを出力端子へ供給する。
実施例
以下、添付の図面を参考に、本発明の具体的実施の態様
について詳細に説明する。
について詳細に説明する。
第1A図は、本発明の走査可能なレジスタ/ラッチ回路
の好適実施例を示した概略図である。以下、その回路に
ついて説明し、走査可能なレジスタ/ラッチとしてのそ
の動作について説明する。
の好適実施例を示した概略図である。以下、その回路に
ついて説明し、走査可能なレジスタ/ラッチとしてのそ
の動作について説明する。
第1A図に示した回路は、マスタラッチ及びスレーブラ
ッチを有しており、マスタ/スレーブ型フリップフロッ
プを有している。マスタ部分は、第一マスタラッチモー
ド(MSL)対のトランジスタQ5及びQ6を有してお
り、それらのエミッタはMLMセレクト!・ランジスタ
QIOのコレクタへ共通的に結合されている。第二レジ
スタモード(RM)対のエミッタ結合装置Q4及びQ7
はRMセレクトトランジスタQ11のコレクタへ接続さ
れており、一方第三走査モード(SM)対のエミッタ結
合装置Q3及びQ8はSMセレクトトランジスタQ12
のコレクタへ接続されている。トランジスタQ3.Q4
.Q5のコレクタは、マスタ左側(LHS)端子N1へ
結合されており、且つトランジスタQ6.Q7.Q8の
コレクタはマスタ右側(RHS)端子N2へ結合されて
いる。
ッチを有しており、マスタ/スレーブ型フリップフロッ
プを有している。マスタ部分は、第一マスタラッチモー
ド(MSL)対のトランジスタQ5及びQ6を有してお
り、それらのエミッタはMLMセレクト!・ランジスタ
QIOのコレクタへ共通的に結合されている。第二レジ
スタモード(RM)対のエミッタ結合装置Q4及びQ7
はRMセレクトトランジスタQ11のコレクタへ接続さ
れており、一方第三走査モード(SM)対のエミッタ結
合装置Q3及びQ8はSMセレクトトランジスタQ12
のコレクタへ接続されている。トランジスタQ3.Q4
.Q5のコレクタは、マスタ左側(LHS)端子N1へ
結合されており、且つトランジスタQ6.Q7.Q8の
コレクタはマスタ右側(RHS)端子N2へ結合されて
いる。
図示した回路のこの部分は、双安定態様で動作し、トラ
ンジスタQIO,Qll、Q12のコレクタ電流はそれ
ぞれの対のエミッタ結合装置の各々の一方のトランジス
タ又は他方のトランジスタによって供給される。
ンジスタQIO,Qll、Q12のコレクタ電流はそれ
ぞれの対のエミッタ結合装置の各々の一方のトランジス
タ又は他方のトランジスタによって供給される。
トランジスタQ1及び抵抗R5から構成されるエミッタ
ホロワは、トランジスタQ6のベースへ接続されており
、一方トランジスタQ2及び抵抗R4から(1カ成され
る同様のエミッタホロワはトランジスタQ5のベースへ
接続されている。これらのエミッタホロワは、トランジ
スタQ1及びQ2のベースへ印加される信号によって制
御される。
ホロワは、トランジスタQ6のベースへ接続されており
、一方トランジスタQ2及び抵抗R4から(1カ成され
る同様のエミッタホロワはトランジスタQ5のベースへ
接続されている。これらのエミッタホロワは、トランジ
スタQ1及びQ2のベースへ印加される信号によって制
御される。
抵抗R3と関連して、トランジスタ013へ印加される
基準電圧vRは、トランジスタQIO,Q11、Q12
のエミッタに対するマスタ電流源を与えている。トラン
ジスタQ41及び抵抗R40を有する同様の電流源が、
トランジスタQ40及びQ42のエミッタへ結合されて
いる。抵抗28は、以下に説明する如く、あるクロック
信号に対して見掛けのスレッシュホールドシフトを与え
ている。
基準電圧vRは、トランジスタQIO,Q11、Q12
のエミッタに対するマスタ電流源を与えている。トラン
ジスタQ41及び抵抗R40を有する同様の電流源が、
トランジスタQ40及びQ42のエミッタへ結合されて
いる。抵抗28は、以下に説明する如く、あるクロック
信号に対して見掛けのスレッシュホールドシフトを与え
ている。
OVの基準電源V。Cが、抵抗R1を介して、トランジ
スタQ3.Q4.Q5の共通接続したコレクタへ結合さ
れている。同様の構成が、電位V。。
スタQ3.Q4.Q5の共通接続したコレクタへ結合さ
れている。同様の構成が、電位V。。
を、抵抗R2を介して、トランジスタQ6.Q7゜Q8
のコレクタへ接続している。同様の電位VCAが、トラ
ンジスタQ1及びQ2のコレクタへ接続されている。電
位vcA及びvT7は、他の基準電源の安定性に関し装
置のスイッチングの影響を最小とするために該電流源に
対して使用される基準電源である。基準電源vEEは約
−4,5Vであり、一方VTt4;!−2,OVである
。VC及びVBは、各々、VCCよりも多少負である。
のコレクタへ接続している。同様の電位VCAが、トラ
ンジスタQ1及びQ2のコレクタへ接続されている。電
位vcA及びvT7は、他の基準電源の安定性に関し装
置のスイッチングの影響を最小とするために該電流源に
対して使用される基準電源である。基準電源vEEは約
−4,5Vであり、一方VTt4;!−2,OVである
。VC及びVBは、各々、VCCよりも多少負である。
入力データ信号りがトランジスタQ7のベースへ印加さ
れ、基準電位V。と比較される。真及び相補的走査デー
タ入力信号、SD及び丁■、がそれぞれ、トランジスタ
Q8及びQ3のベースへ印加される。走査クロック信号
SCLKがトランジスタQ12のベースへ印加され、一
方クロック信号CLKがトランジスタQ40のベースへ
印加される。走査イネーブル信号SEがトランジスタQ
42のベースへ印加される。トランジスタQ40及びQ
42は、MLMセレクトトランジスタQ10及びSTM
セレクトトランジスタQ24のベースへ結合される出力
信号MCLKを持ったORゲートとして機能する。信号
LEは、LEMセレクトトランジスタQ22のベースへ
結合されるLCLK信号を発生するトランジスタ043
のベースへ結合される。
れ、基準電位V。と比較される。真及び相補的走査デー
タ入力信号、SD及び丁■、がそれぞれ、トランジスタ
Q8及びQ3のベースへ印加される。走査クロック信号
SCLKがトランジスタQ12のベースへ印加され、一
方クロック信号CLKがトランジスタQ40のベースへ
印加される。走査イネーブル信号SEがトランジスタQ
42のベースへ印加される。トランジスタQ40及びQ
42は、MLMセレクトトランジスタQ10及びSTM
セレクトトランジスタQ24のベースへ結合される出力
信号MCLKを持ったORゲートとして機能する。信号
LEは、LEMセレクトトランジスタQ22のベースへ
結合されるLCLK信号を発生するトランジスタ043
のベースへ結合される。
第1A図に示した如く、スレーブラッチの回路は、第四
スレーブラッチモード(SLM)対のトランジスタ01
8及びQ19を有しており、それらのトランジスタのエ
ミッタは、第一及び第二SLMセレクトトランジスタQ
25及びQ26のコレクタへ共通結合されている。第五
スレーブ透過性モード(STM)対のエミッタ結合装置
QL7及びQ20は、STMセレクトトランジスタQ2
4のコレクタへ接続されており、一方第六ラッチイネー
ブルモード(LEM)対のエミッタ結合トランジスタQ
16及びQ21はLEMセレクトトランジスタQ22の
コレクタへ結合されている。
スレーブラッチモード(SLM)対のトランジスタ01
8及びQ19を有しており、それらのトランジスタのエ
ミッタは、第一及び第二SLMセレクトトランジスタQ
25及びQ26のコレクタへ共通結合されている。第五
スレーブ透過性モード(STM)対のエミッタ結合装置
QL7及びQ20は、STMセレクトトランジスタQ2
4のコレクタへ接続されており、一方第六ラッチイネー
ブルモード(LEM)対のエミッタ結合トランジスタQ
16及びQ21はLEMセレクトトランジスタQ22の
コレクタへ結合されている。
データ信号りは、再度、トランジスタQ21のベース上
の電位V8と比較するためにトランジスタQ16のベー
スを駆動する。走査クロック信号SCLKは、トランジ
スタQ26のベースへ結合され、且つラッチイネーブル
信号LEはトランジスタ043を制御する。真出力信号
Qは、トランジスタQ19.Q20.Q21の共通コレ
クタへ結合されているRHS出力端子N3において発生
され、一方相補的出力信号互は、トランジスタQ16、
Q17.Q18の共通コレクタへ結合されているL I
I S出力端子N4において発生される。
の電位V8と比較するためにトランジスタQ16のベー
スを駆動する。走査クロック信号SCLKは、トランジ
スタQ26のベースへ結合され、且つラッチイネーブル
信号LEはトランジスタ043を制御する。真出力信号
Qは、トランジスタQ19.Q20.Q21の共通コレ
クタへ結合されているRHS出力端子N3において発生
され、一方相補的出力信号互は、トランジスタQ16、
Q17.Q18の共通コレクタへ結合されているL I
I S出力端子N4において発生される。
第1A図に示した回路は、四つの異なったモードで動作
することが可能である。第一モードにおいては、それは
透過性ラッチとして動作し、その場合、出力Q、 ?)
はデータDに追従する。第二モードにおいては、本回路
はラッチとして動作し、その場合、出力は、ラッチイネ
ーブル信号LEがターンオフされた時に存在するデータ
ヘラッチされる。第三モードの動作は従来のD型フリッ
プフロップとしての動作であり、その場合、クロックラ
イン上の上昇エツジがデータを捕獲する。
することが可能である。第一モードにおいては、それは
透過性ラッチとして動作し、その場合、出力Q、 ?)
はデータDに追従する。第二モードにおいては、本回路
はラッチとして動作し、その場合、出力は、ラッチイネ
ーブル信号LEがターンオフされた時に存在するデータ
ヘラッチされる。第三モードの動作は従来のD型フリッ
プフロップとしての動作であり、その場合、クロックラ
イン上の上昇エツジがデータを捕獲する。
最後の動作モードは、走査経路としての動作モードであ
り、その場合、走査データ入力SD及び’1は、一連の
デイジ−チェーン回路を介して、転送され、尚該デイジ
−チェーン回路の各々は第1図に示したタイプのもので
ある。このモードは、所望のデータを一組のデイジ−チ
ェーン回路へ走査入力又はそれから走査出力させること
が可能であり、その際に関連する回路を完全にテストす
ることを可能としている。各モードの特定の動作につい
ては以下に更に詳細に説明する。
り、その場合、走査データ入力SD及び’1は、一連の
デイジ−チェーン回路を介して、転送され、尚該デイジ
−チェーン回路の各々は第1図に示したタイプのもので
ある。このモードは、所望のデータを一組のデイジ−チ
ェーン回路へ走査入力又はそれから走査出力させること
が可能であり、その際に関連する回路を完全にテストす
ることを可能としている。各モードの特定の動作につい
ては以下に更に詳細に説明する。
第1B図はMCLK、LCLK、SCLK信号の信号レ
ベルを示している。二つのレベルにおいて直列ゲート動
作機能性の基本的に三つのレベルを得るために使用され
る技術は、SCLKを拡張したスイング(振れ)で動作
させることである。
ベルを示している。二つのレベルにおいて直列ゲート動
作機能性の基本的に三つのレベルを得るために使用され
る技術は、SCLKを拡張したスイング(振れ)で動作
させることである。
従って、SCLKが高であると、MCLK高をオーバー
ライド即ち取って代わり、従ってSCLKはMCLKの
周りをスイングし、一方MCLKは基準電位vcの周り
をスイングする。制御信号発生器20は、信号電圧レベ
ル” CL+ VC+ V CH+vscLKnを発生
し且つ以下に説明するタイミング条件に従って制御信号
LE、CLK、SE、SCLKをクロック動作させるた
めのECL回路を有している。この様な機能性を実現す
るための回路は従来公知であり本発明そのものを構成す
るものではない。
ライド即ち取って代わり、従ってSCLKはMCLKの
周りをスイングし、一方MCLKは基準電位vcの周り
をスイングする。制御信号発生器20は、信号電圧レベ
ル” CL+ VC+ V CH+vscLKnを発生
し且つ以下に説明するタイミング条件に従って制御信号
LE、CLK、SE、SCLKをクロック動作させるた
めのECL回路を有している。この様な機能性を実現す
るための回路は従来公知であり本発明そのものを構成す
るものではない。
第一動作モードにおいて、本回路は透過性ラッチとして
作用し、その場合、Q及び回出力信号はデータに追従す
る。この動作モードにおいては、トランジスタQ40の
ベース上のクロック信号CLKはオフであり、従ってM
CLK信号はVCLのレベルにあり且つトランジスタ0
43のベース上のラッチイネーブル信号LEはオンであ
り、従ってLCLKはVCHのレベルにある。走査イネ
ーブル信号SE及び走査クロック信号SCLKもオフで
あって、出力ラインQ及び回の状態が本回路のマスタ側
によって影響されることを防止する。エミッタホロワ形
態におけるl・ランジスタQ43上の信号は、LEMセ
レクトトランジスタQ22を制御し且つそれをターンオ
ンさせる。トランジスタQ22は、トランジスタQ16
のベースへ結合されるデータ信号の状態に依存して、ト
ランジスタQ16か又はトランジスタQ21の何れかを
介してそのコレクタ電流を引出す。データ信号りがオン
であると、トランジスタQ22のコレクタにおける電流
がトランジスタQ16を介して流れ、その際に相補的出
力頁を低ヘブルする。同時に、トランジスタQ21がタ
ーンオフし、その際に出力Qを高とさせる。一方、デー
タビットDが低であると、トランジスタQ22は、トラ
ンジスタQ21を介して、そのコレクタ電流を引出し、
一方トランジスタQ16はオフとなる。この形態におい
て、Q出力は低であり且つ回出力は高である。
作用し、その場合、Q及び回出力信号はデータに追従す
る。この動作モードにおいては、トランジスタQ40の
ベース上のクロック信号CLKはオフであり、従ってM
CLK信号はVCLのレベルにあり且つトランジスタ0
43のベース上のラッチイネーブル信号LEはオンであ
り、従ってLCLKはVCHのレベルにある。走査イネ
ーブル信号SE及び走査クロック信号SCLKもオフで
あって、出力ラインQ及び回の状態が本回路のマスタ側
によって影響されることを防止する。エミッタホロワ形
態におけるl・ランジスタQ43上の信号は、LEMセ
レクトトランジスタQ22を制御し且つそれをターンオ
ンさせる。トランジスタQ22は、トランジスタQ16
のベースへ結合されるデータ信号の状態に依存して、ト
ランジスタQ16か又はトランジスタQ21の何れかを
介してそのコレクタ電流を引出す。データ信号りがオン
であると、トランジスタQ22のコレクタにおける電流
がトランジスタQ16を介して流れ、その際に相補的出
力頁を低ヘブルする。同時に、トランジスタQ21がタ
ーンオフし、その際に出力Qを高とさせる。一方、デー
タビットDが低であると、トランジスタQ22は、トラ
ンジスタQ21を介して、そのコレクタ電流を引出し、
一方トランジスタQ16はオフとなる。この形態におい
て、Q出力は低であり且つ回出力は高である。
注意すべきことであるが、走査イネーブル信号SE及び
クロック信号CLKが低であるので、STMセレクトト
ランジスタはオフであり、且つマスタ側からスレーブ回
路のトランジスタ対Q17及びQ20への入力信号は、
出力信号Q及び回に何ら影響を与えることはない。
クロック信号CLKが低であるので、STMセレクトト
ランジスタはオフであり、且つマスタ側からスレーブ回
路のトランジスタ対Q17及びQ20への入力信号は、
出力信号Q及び回に何ら影響を与えることはない。
第二動作モードにおいては、第1A図の本回路は、ラッ
チとして機能し、即ち、Q及び回出力士ヘラッチされる
データは、ラッチイネーブル信号LEがターンオフされ
る時にデータ信号の状態によって決定される。この動作
モードにおいては、前に説明したモードにおける如く、
クロック信号CLKと走査イネーブル信号SEとの両方
が低であって、本フリップフロップのマスタ側がQ及び
回出カラインに影響を与えることを防止している。
チとして機能し、即ち、Q及び回出力士ヘラッチされる
データは、ラッチイネーブル信号LEがターンオフされ
る時にデータ信号の状態によって決定される。この動作
モードにおいては、前に説明したモードにおける如く、
クロック信号CLKと走査イネーブル信号SEとの両方
が低であって、本フリップフロップのマスタ側がQ及び
回出カラインに影響を与えることを防止している。
このラッチ動作モードの前に、トランジスタQ22に対
するコレクタ電流は、データDの状態に従って、トラン
ジスタQ16又はトランジスタQ21の何れかによって
供給される。ラッチイネーブル信号が低へ移行する時刻
に、その時にトランジスタQ22を介して流れている電
流は、トランジスタQ25を介して流れねばならない。
するコレクタ電流は、データDの状態に従って、トラン
ジスタQ16又はトランジスタQ21の何れかによって
供給される。ラッチイネーブル信号が低へ移行する時刻
に、その時にトランジスタQ22を介して流れている電
流は、トランジスタQ25を介して流れねばならない。
なぜならば、トランジスタQ24及びQ26がオフして
いるからである。トラン・ジスタQ25を介しての電流
は、トランジスタQ18又はトランジスタQ19の何れ
かから流れてこなければならない。ラッチイネーブル信
号LEがターンオフされた時刻において、真出力Qは高
であると、トランジスタ01gはターンオンし且つ回出
力を低ヘプルし、一方Q出力は高状態のままとなる。一
方、制御信号LEがオフした時にQ出力が低であると、
トランジスタQ19はターンオンして出力Qを低ヘブル
し、−力出力qは高となる。何れの場合においても、そ
の結果得られる出力信号Q及び回はラッチされた状態に
あり、それは、現在、データ入力りとは独立的である。
いるからである。トラン・ジスタQ25を介しての電流
は、トランジスタQ18又はトランジスタQ19の何れ
かから流れてこなければならない。ラッチイネーブル信
号LEがターンオフされた時刻において、真出力Qは高
であると、トランジスタ01gはターンオンし且つ回出
力を低ヘプルし、一方Q出力は高状態のままとなる。一
方、制御信号LEがオフした時にQ出力が低であると、
トランジスタQ19はターンオンして出力Qを低ヘブル
し、−力出力qは高となる。何れの場合においても、そ
の結果得られる出力信号Q及び回はラッチされた状態に
あり、それは、現在、データ入力りとは独立的である。
第三動作モードにおいては、上述した回路は従来のD型
フリップフロップとして動作する。このモードにおいて
は、クロックパルス後の出力Qは、クロックパルス前の
入力りと同一である。本回路は、ラッチイネーブルLE
及び走査イネーブルSE制御信号をターンオフさせるこ
とによってD型フリップフロップ形態とされる。走査ク
ロック信号SCLKもオフ状態を維持する。この動作モ
ードにおいては、マスタ又はスレーブ回路の一方がラッ
チの如く機能し、一方他方が透過性モードで動作する。
フリップフロップとして動作する。このモードにおいて
は、クロックパルス後の出力Qは、クロックパルス前の
入力りと同一である。本回路は、ラッチイネーブルLE
及び走査イネーブルSE制御信号をターンオフさせるこ
とによってD型フリップフロップ形態とされる。走査ク
ロック信号SCLKもオフ状態を維持する。この動作モ
ードにおいては、マスタ又はスレーブ回路の一方がラッ
チの如く機能し、一方他方が透過性モードで動作する。
この点に関するラッチ回路の条件はクロック信号CLK
によって制御される。クロック信号CLKがオンである
と、MCLKはVCIIのレベルヘセットされる。第1
B図から理解される如く、トランジスタQ24は、トラ
ンジスタQ22゜Q25.又はQ26よりも一層強くタ
ーンオンされ、従ってトランジスタQ17及びQ20は
導通状態となる。従って、スレーブは、ラッチモードに
あるマスタからデータを獲得する。クロック信号が低と
なると、MCLKはV。+4のレベルヘセットされる。
によって制御される。クロック信号CLKがオンである
と、MCLKはVCIIのレベルヘセットされる。第1
B図から理解される如く、トランジスタQ24は、トラ
ンジスタQ22゜Q25.又はQ26よりも一層強くタ
ーンオンされ、従ってトランジスタQ17及びQ20は
導通状態となる。従って、スレーブは、ラッチモードに
あるマスタからデータを獲得する。クロック信号が低と
なると、MCLKはV。+4のレベルヘセットされる。
第1B図から理解される如く、トランジスタQ11はト
ランジスタQ10又はQ12よりも一層強くターンオン
され、従ってトランジスタQ4及びQ7は導通状態とな
り、且つマスタラッチはレジスタデータDに応答する。
ランジスタQ10又はQ12よりも一層強くターンオン
され、従ってトランジスタQ4及びQ7は導通状態とな
り、且つマスタラッチはレジスタデータDに応答する。
トランジスタQ25もトランジスタQ22又はQ24よ
りも一層強くターンオンされ、従ってトランジスタQ1
8及びQ19は導通状態となり、スレーブラッチはラッ
チモードとなる。クロック信号の上昇エツジにおいて、
マスタはそのデータをラッチし、且つスレーブはそのデ
ータを出力ラインQ及びqへ転送する。
りも一層強くターンオンされ、従ってトランジスタQ1
8及びQ19は導通状態となり、スレーブラッチはラッ
チモードとなる。クロック信号の上昇エツジにおいて、
マスタはそのデータをラッチし、且つスレーブはそのデ
ータを出力ラインQ及びqへ転送する。
更に詳細に説明すると、クロック信号CLKが高である
と、STMセレクトトランジスタQ24がオンであり、
且つスレーブは透過性モードで機能し、STMセレクト
トランジスタQ24のコレクタは、マスタの状態に依存
して、トランジスタQ17又はトランジスタQ20の何
れかを介して電流を引出す。この期間中、マスタ側はデ
ータビットの状態によって影響されることはなく、従っ
てデータは変化することが可能である。クロック信号C
LKが低となると、マスタは透過性モードとされる。な
ぜならば、MLMセレクトトランジスタQ10がターン
オフされるからである。この状態において、RMセレク
トトランジスタQllのコレクタを介しての電流は、ト
ランジスタQ7のベースに対する信号り及び電位VRの
比較によって制御される。スレーブフリップフロップは
ラッチモードとされる(LEがオフであるモードに対し
て上述した如く)。
と、STMセレクトトランジスタQ24がオンであり、
且つスレーブは透過性モードで機能し、STMセレクト
トランジスタQ24のコレクタは、マスタの状態に依存
して、トランジスタQ17又はトランジスタQ20の何
れかを介して電流を引出す。この期間中、マスタ側はデ
ータビットの状態によって影響されることはなく、従っ
てデータは変化することが可能である。クロック信号C
LKが低となると、マスタは透過性モードとされる。な
ぜならば、MLMセレクトトランジスタQ10がターン
オフされるからである。この状態において、RMセレク
トトランジスタQllのコレクタを介しての電流は、ト
ランジスタQ7のベースに対する信号り及び電位VRの
比較によって制御される。スレーブフリップフロップは
ラッチモードとされる(LEがオフであるモードに対し
て上述した如く)。
第四動作モードは走査モードであり、その場合、ノード
SD及びn、トランジスタQ8及びQ3のベースへそれ
ぞれ入力されるデータは出力ラインQ及び回へ転送され
る。このモードは、MCLKをVCl2のレベルへセッ
トする走査イネーブルトランジスタQ42をターンオン
させることによって達成される。次いで、SMセレクト
トランジスタQ12のベースへ印加される走査クロック
信号SCLKはそれをターンオンさせ、そのコレクタ電
流はトランジスタQ3及びQ8の何れかオンしているも
のによって供給される。第1B図から理解される如く、
S CL KがSCLKHのレベルであると、SMセレ
クトトランジスタQ12はトランジスタQIO又はQl
lよりも一層強くターンオンされ、従ってトランジスタ
Q3及びQ8が導通状態となり且つマスタラッチが走査
入力S及び3に応答する。又、第二SLMセレクトトラ
ンジスタQ26は、トランジスタQ22.Q24又はQ
25よりも一層強くターンオンされ、従ってトランジス
タQ18及びQ19は導通状態となり且つスレーブラッ
チはラッチされた状態となる。高走査クロック信号SC
LKは、トランジスタQ26をターン、オンさせること
によって、スレーブ回路をラッチモードとさせる。実際
に、本回路は、現在、データ信号りの代わりに走査デー
タ信号SD及びTT5”によって制御される負のエツジ
によってトリガされるD型フリップフロップとなる。走
査イネーブル信号SEはマスタ回路をラッチ状態に維持
し、且つS CL K信号が低である場合、スレーブ回
路を透過性乃至は透明性の状態に維持する。抵抗R2g
は、スレーブクロック(CLK。
SD及びn、トランジスタQ8及びQ3のベースへそれ
ぞれ入力されるデータは出力ラインQ及び回へ転送され
る。このモードは、MCLKをVCl2のレベルへセッ
トする走査イネーブルトランジスタQ42をターンオン
させることによって達成される。次いで、SMセレクト
トランジスタQ12のベースへ印加される走査クロック
信号SCLKはそれをターンオンさせ、そのコレクタ電
流はトランジスタQ3及びQ8の何れかオンしているも
のによって供給される。第1B図から理解される如く、
S CL KがSCLKHのレベルであると、SMセレ
クトトランジスタQ12はトランジスタQIO又はQl
lよりも一層強くターンオンされ、従ってトランジスタ
Q3及びQ8が導通状態となり且つマスタラッチが走査
入力S及び3に応答する。又、第二SLMセレクトトラ
ンジスタQ26は、トランジスタQ22.Q24又はQ
25よりも一層強くターンオンされ、従ってトランジス
タQ18及びQ19は導通状態となり且つスレーブラッ
チはラッチされた状態となる。高走査クロック信号SC
LKは、トランジスタQ26をターン、オンさせること
によって、スレーブ回路をラッチモードとさせる。実際
に、本回路は、現在、データ信号りの代わりに走査デー
タ信号SD及びTT5”によって制御される負のエツジ
によってトリガされるD型フリップフロップとなる。走
査イネーブル信号SEはマスタ回路をラッチ状態に維持
し、且つS CL K信号が低である場合、スレーブ回
路を透過性乃至は透明性の状態に維持する。抵抗R2g
は、スレーブクロック(CLK。
SE、SCLK)に対しマスタクロック(CLK。
SE、SCLK)に対する見掛けのスレッシュホールド
シフトを与えている。このことは、同一のクロック信号
がマスタ及びスレーブの両方へ印加されることを可能と
するが、マスタ/スレーブフリップフロップにおいて本
来的なレース条件を無効とする。正のエツジによってト
リガされるD型フリップフロップモードにおける場合、
マスタはスレーブのものよりも低いクロックスレッシュ
ホールドを有している。したがって、クロック信号の下
降エツジにおいて、マスタからのデータは、マスタが透
過性モードヘスイッチする前に、スレーブ内にラッチさ
れる。逆に、負のエツジによってトリガされる走査フリ
ップフロップモードにおいては、マスタはスレーブより
も一層高い走査クロックスレッシュホールドを有してい
る。従って、走査クロック信号の上昇するエツジにおい
て、マスタからのデータが、マスタが透過性状態ヘスイ
ッチする前に、スレーブ内にラッチされる。
シフトを与えている。このことは、同一のクロック信号
がマスタ及びスレーブの両方へ印加されることを可能と
するが、マスタ/スレーブフリップフロップにおいて本
来的なレース条件を無効とする。正のエツジによってト
リガされるD型フリップフロップモードにおける場合、
マスタはスレーブのものよりも低いクロックスレッシュ
ホールドを有している。したがって、クロック信号の下
降エツジにおいて、マスタからのデータは、マスタが透
過性モードヘスイッチする前に、スレーブ内にラッチさ
れる。逆に、負のエツジによってトリガされる走査フリ
ップフロップモードにおいては、マスタはスレーブより
も一層高い走査クロックスレッシュホールドを有してい
る。従って、走査クロック信号の上昇するエツジにおい
て、マスタからのデータが、マスタが透過性状態ヘスイ
ッチする前に、スレーブ内にラッチされる。
適切な動作のために、第1図の回路は、スキャン即ち走
査能力に関連しであるクロックタイミング規則を遵守す
ることを必要とする。走査クロックSCLK及び走査イ
ネーブルSE信号は、あるタイミング規則に従わねばな
らない。第一に、第2図に示した如く、走査クロックS
CLKは、走査イネーブルSEが高となる前に高へ移行
せねばならない。このことは、レジスタのスレーブ部分
におけるデータが、本回路が走査モードに入る時に保存
されることを確保する。走査イネーブルが高へ移行する
ことと走査クロックが高へ移行することとの間の遅延は
、第2図においてtlによって示されている。第二に、
低へスイッチングする前に、走査クロックSCLKは、
走査イネーブル信号SEが高へ移行する後になるまで待
機せねばならない。このセットアツプ時間は、第2図に
おいてt2で示されている。
査能力に関連しであるクロックタイミング規則を遵守す
ることを必要とする。走査クロックSCLK及び走査イ
ネーブルSE信号は、あるタイミング規則に従わねばな
らない。第一に、第2図に示した如く、走査クロックS
CLKは、走査イネーブルSEが高となる前に高へ移行
せねばならない。このことは、レジスタのスレーブ部分
におけるデータが、本回路が走査モードに入る時に保存
されることを確保する。走査イネーブルが高へ移行する
ことと走査クロックが高へ移行することとの間の遅延は
、第2図においてtlによって示されている。第二に、
低へスイッチングする前に、走査クロックSCLKは、
走査イネーブル信号SEが高へ移行する後になるまで待
機せねばならない。このセットアツプ時間は、第2図に
おいてt2で示されている。
3番目のタイミング条件は、走査イネーブル信号SEは
、走査クロックSCLKが低へ移行する後になるまで低
へスイッチしてはならないということである。この条件
は、走査モードを終了する際に入力ノード上の走査デー
タSDを保存することを確保する。必要な時間遅延は第
2図においてtBで示されている。更に注意すべきこと
であるが、クロックCLK及びラッチイネーブルLE信
号は、走査モードへ入る前に低へ強制的に移行され且つ
走査モードが完了するまで低状態に止どまる。クロック
CLK又はラッチイネーブルLE信号が低へ移行するこ
とに続いて走査クロックが高へ移行する前の間の遅延は
第2図においてtAで示してあり、一方走査イネーブル
SEが低へ移行した後クロックCLK又はラッチイネー
ブルLEが高へスイッチすることが可能となる前の時間
遅れは第2図においてtBで示されている。
、走査クロックSCLKが低へ移行する後になるまで低
へスイッチしてはならないということである。この条件
は、走査モードを終了する際に入力ノード上の走査デー
タSDを保存することを確保する。必要な時間遅延は第
2図においてtBで示されている。更に注意すべきこと
であるが、クロックCLK及びラッチイネーブルLE信
号は、走査モードへ入る前に低へ強制的に移行され且つ
走査モードが完了するまで低状態に止どまる。クロック
CLK又はラッチイネーブルLE信号が低へ移行するこ
とに続いて走査クロックが高へ移行する前の間の遅延は
第2図においてtAで示してあり、一方走査イネーブル
SEが低へ移行した後クロックCLK又はラッチイネー
ブルLEが高へスイッチすることが可能となる前の時間
遅れは第2図においてtBで示されている。
再度第1B図を参照して説明すると、図示した種々の電
圧レベルの間の差は、典型的に、300mVの程度であ
る。従って、Vo、、とV SCLK□との間の電圧の
完全なスイング即ち振れは900mVの程度である。標
準のECL電圧ドライバは600mVのスイング即ち振
れを与えるに過ぎず、従って■5cLKllを発生する
ためにエキストラな30Om Vを与えるために特別の
ドライバが必要とされる。更に、走査モードは負のエツ
ジによるトリガ動作を使用す゛るので、正のエツジによ
ってトリガされるレジスタモードと負のエツジによって
トリガされる走査モードとの間の遷移期間中第2図で示
したタイミング制限を実現するためにエキストラなりロ
ック回路が必要とされる。
圧レベルの間の差は、典型的に、300mVの程度であ
る。従って、Vo、、とV SCLK□との間の電圧の
完全なスイング即ち振れは900mVの程度である。標
準のECL電圧ドライバは600mVのスイング即ち振
れを与えるに過ぎず、従って■5cLKllを発生する
ためにエキストラな30Om Vを与えるために特別の
ドライバが必要とされる。更に、走査モードは負のエツ
ジによるトリガ動作を使用す゛るので、正のエツジによ
ってトリガされるレジスタモードと負のエツジによって
トリガされる走査モードとの間の遷移期間中第2図で示
したタイミング制限を実現するためにエキストラなりロ
ック回路が必要とされる。
第4図に別の実施例を示しである。第4図を参照すると
、第1図のトランジスタと同一の機能を有するトランジ
スタには同一の参照番号を付しである。主要な構造的な
差異は、第二SLMセレクトトランジスタQ26を欠如
しており且つMCLK及びLCLK発生トランジスタQ
40.Q41Q42.Q43.Q44を欠如しているこ
とである。第4図の回路において、制御信号は、適宜の
ECL電圧レベルを有する種々のセレクトトランジスタ
のベースへ直接的に印加される。特に、CLK/SCL
K信号がMLM及びSTMトランジスタ(Q10及びQ
24)へ印加され、■信号がRMセレクトトランジスタ
(Qll)へ印加され、SE倍信号SMセレクトトラン
ジスタ(Q12)へ印加され、且つLE倍信号LEMセ
レクトトランジスタ(Q 22)へ印加される。
、第1図のトランジスタと同一の機能を有するトランジ
スタには同一の参照番号を付しである。主要な構造的な
差異は、第二SLMセレクトトランジスタQ26を欠如
しており且つMCLK及びLCLK発生トランジスタQ
40.Q41Q42.Q43.Q44を欠如しているこ
とである。第4図の回路において、制御信号は、適宜の
ECL電圧レベルを有する種々のセレクトトランジスタ
のベースへ直接的に印加される。特に、CLK/SCL
K信号がMLM及びSTMトランジスタ(Q10及びQ
24)へ印加され、■信号がRMセレクトトランジスタ
(Qll)へ印加され、SE倍信号SMセレクトトラン
ジスタ(Q12)へ印加され、且つLE倍信号LEMセ
レクトトランジスタ(Q 22)へ印加される。
第5図において、制御信号の電圧レベルが示されている
。これらの信号の全体的なスイング即ち振れは標準的な
600mVであり、SE/S丁旧号の振れはCLK/S
CLK信号の半分である。
。これらの信号の全体的なスイング即ち振れは標準的な
600mVであり、SE/S丁旧号の振れはCLK/S
CLK信号の半分である。
従って、何ら特別なドライバ回路が必要とされることは
ない。
ない。
種々のモードで動作し且つモード間の遷移を行なうため
の信号CLK/SCLK、LE、SEのタイミング条件
は第6図及び第7図に示しである。
の信号CLK/SCLK、LE、SEのタイミング条件
は第6図及び第7図に示しである。
第6図においては、透過性ラッチモードにおける動作を
示しである。
示しである。
ラッチモードに入る前に、1.SE、CLK/S CL
Kが低ヘスイッチされ、スレーブラッチをマスタラッチ
のMQ、 ■頁からスレーブラッチを分離させる。特に
、CLK/SCLKが低であると、STMトランジスタ
Q24がオフとなり、従ってトランジスタQ17又はQ
20へ電流が供給されることはない。LEが低であると
、出力は前に確立されたレベルにラッチされたままとな
る。
Kが低ヘスイッチされ、スレーブラッチをマスタラッチ
のMQ、 ■頁からスレーブラッチを分離させる。特に
、CLK/SCLKが低であると、STMトランジスタ
Q24がオフとなり、従ってトランジスタQ17又はQ
20へ電流が供給されることはない。LEが低であると
、出力は前に確立されたレベルにラッチされたままとな
る。
しかしながら、tEが高ヘスイッチされると、LEMト
ランジスタ(Q 22)が導通状態となり、且つスレー
ブラッチの出力はスレーブD信号のレベルに追従し且つ
透過性となる。
ランジスタ(Q 22)が導通状態となり、且つスレー
ブラッチの出力はスレーブD信号のレベルに追従し且つ
透過性となる。
次に、第7図を参照すると、レジスタモード及び走査モ
ードの動作が示されている。SE/’ffの状態は、R
Mセレクトトランジスタ(Qll)が導通状態となるか
否かを制御し、且つマスタラッチはデータ入力信号に応
答するか又はSMセレクトトランジスタ(Q 12)が
導通状態となり、且つマスタラッチが走査データ入力信
号に応答する。
ードの動作が示されている。SE/’ffの状態は、R
Mセレクトトランジスタ(Qll)が導通状態となるか
否かを制御し、且つマスタラッチはデータ入力信号に応
答するか又はSMセレクトトランジスタ(Q 12)が
導通状態となり、且つマスタラッチが走査データ入力信
号に応答する。
CLK/SCLKが低であると、MLMトランジスタ(
QIO)がオフ状態となり、従ってマスタラッチは透過
性となり、且つマスタラッチ出力MQ及びV■は選択し
た入力に追従する。更に、STMセレクトトランジスタ
(Q24)がオフ状態となり、従ってスレーブラッチ出
力は前に確立した値にラッチされる。
QIO)がオフ状態となり、従ってマスタラッチは透過
性となり、且つマスタラッチ出力MQ及びV■は選択し
た入力に追従する。更に、STMセレクトトランジスタ
(Q24)がオフ状態となり、従ってスレーブラッチ出
力は前に確立した値にラッチされる。
CLK/SCLKが高であると、MLMトランジスタ(
QIO)がオン状態となり、従ってマスタラッチ出力は
ラッチされ且つSTMセレクトトランジスタ(Q24)
がオン状態となり、従ってスレーブラッチは透過性とな
り、且つスレーブラッチ出力はマスタラッチ出力に追従
する。
QIO)がオン状態となり、従ってマスタラッチ出力は
ラッチされ且つSTMセレクトトランジスタ(Q24)
がオン状態となり、従ってスレーブラッチは透過性とな
り、且つスレーブラッチ出力はマスタラッチ出力に追従
する。
更に、レジスタモードと走査モードとの間の遷移期間中
、SE/丁■信号は、CLK/SCLK信号が低状態ヘ
スイッチされた後所定時間までスイッチされることはな
い。このタイミングは、データ入力レベル及び走査入力
レベルの間でマスタラッチ出力をスイッチングする前に
スレーブラッチがラッチされることを確保する。従って
、これらのレベルの間の遷移は、CLK/SCLKがス
イッチされるまで、スレーブラッチ出力において反映さ
れることはない。
、SE/丁■信号は、CLK/SCLK信号が低状態ヘ
スイッチされた後所定時間までスイッチされることはな
い。このタイミングは、データ入力レベル及び走査入力
レベルの間でマスタラッチ出力をスイッチングする前に
スレーブラッチがラッチされることを確保する。従って
、これらのレベルの間の遷移は、CLK/SCLKがス
イッチされるまで、スレーブラッチ出力において反映さ
れることはない。
従って、この実施例は、これら三つのモードで動作する
ために単に三つの独立的な制御信号を必要とするに過ぎ
ない。更に、これら制御信号のレベルはスタンダードな
ECLレベルであり、且つ何ら特別のドライバ回路を必
要とすることはない。
ために単に三つの独立的な制御信号を必要とするに過ぎ
ない。更に、これら制御信号のレベルはスタンダードな
ECLレベルであり、且つ何ら特別のドライバ回路を必
要とすることはない。
単一クロック信号CLK/SCLKがレジスタモード及
び走査モードの両方において使用され、且つ全てのモー
ドは正のエツジによってトリガされるものである。
び走査モードの両方において使用され、且つ全てのモー
ドは正のエツジによってトリガされるものである。
以上、本発明の具体的実施の態様について詳細に説明し
たが、本発明はこれら具体例にのみ限定されるべきもの
ではなく、本発明の技術的範囲を逸脱することなしに種
々の変形が可能であることは勿論である。
たが、本発明はこれら具体例にのみ限定されるべきもの
ではなく、本発明の技術的範囲を逸脱することなしに種
々の変形が可能であることは勿論である。
第1A図は走査可能レジスタ/ラッチ回路の概略図、第
1B図は第1A図の実施例において使用される制御信号
の電圧レベルを示した概略図、第2図はある所要のタイ
ミング関係を示したタイミング線図、第3図は第1図の
回路の幾つかの「デイジ−チェーン構成」を示したブロ
ック図、第4図は走査可能レジスタ/ラッチ回路の別の
実施例を示した回路図、第5図は第4図の実施例におい
て使用される制御信号の電圧レベルを示した概略図、第
6図は第4図の回路をレジスタモード、走(符号の説明
) Q5,06 :第一マスタラッチモード(MSL)
対トランジスタ Q4.Q7 :第二レジスタモード(RM)対トラ
ンジスタ Q3.Q8 :第三走査モード(SM)対トランジ
スタ N1 :マスタ左側(LHS)端子N2
:マスタ右側CRHS)端子Q18.Q19:第四
スレーブラッチモード(SLM)対トランジスタ Q17.Q20:第五スレーブ透過性モード(STM)
対トランジスタ Q16.Q21:第六ラッチイネーブルモード(LEM
)対トランジスタ FIG、 2゜ FIG=3゜ FIG、JB。 FIG、 5゜ 口G、J。 牟続補正書(j5カ 平成元年11月17日
1B図は第1A図の実施例において使用される制御信号
の電圧レベルを示した概略図、第2図はある所要のタイ
ミング関係を示したタイミング線図、第3図は第1図の
回路の幾つかの「デイジ−チェーン構成」を示したブロ
ック図、第4図は走査可能レジスタ/ラッチ回路の別の
実施例を示した回路図、第5図は第4図の実施例におい
て使用される制御信号の電圧レベルを示した概略図、第
6図は第4図の回路をレジスタモード、走(符号の説明
) Q5,06 :第一マスタラッチモード(MSL)
対トランジスタ Q4.Q7 :第二レジスタモード(RM)対トラ
ンジスタ Q3.Q8 :第三走査モード(SM)対トランジ
スタ N1 :マスタ左側(LHS)端子N2
:マスタ右側CRHS)端子Q18.Q19:第四
スレーブラッチモード(SLM)対トランジスタ Q17.Q20:第五スレーブ透過性モード(STM)
対トランジスタ Q16.Q21:第六ラッチイネーブルモード(LEM
)対トランジスタ FIG、 2゜ FIG=3゜ FIG、JB。 FIG、 5゜ 口G、J。 牟続補正書(j5カ 平成元年11月17日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、出力端子を供給するための多機能回路において、入
力信号を受取るべく接続されているマスタ回路が設けら
れており、前記出力端子へ接続されており且つ前記入力
信号を受取るべく接続されており且つ選択的に前記マス
タ回路へ接続させることが可能なスレーブ回路が設けら
れており、第一組の制御信号が前記マスタ回路をディス
エーブルさせ且つ前記スレーブ回路をして前記出力端子
へ直接的に前記入力信号を供給させ、第二組の制御信号
が前記マスタ回路をディスエーブルさせると共に前記ス
レーブ回路をして前記第二組の制御信号の一つが状態を
変化させる時に前記入力信号を前記出力端子上へラッチ
させ、且つ第三組の制御信号が前記スレーブ回路をして
前記マスタ回路からデータを受取らせ且つそのデータを
前記出力端子へ供給させることを特徴とする多機能回路
。 2、特許請求の範囲第1項において、前記マスタ回路は
、更に、第四組の制御信号に応答して前記入力信号を受
取るべく接続されている走査入力端子を有することを特
徴とする多機能回路。 3、特許請求の範囲第1項において、前記マスタ回路が
、第一端子と第二端子との間の電位差を維持し第一トラ
ンジスタを介して第一ノードへ共通接続されているエミ
ッタを有する第一対の交差結合したトランジスタ、前記
第一ノードへ結合されている第二ノードへ第二トランジ
スタを介して共通接続されたエミッタを有しており各々
が前記第一対の別個の一つへ接続されており且つ一方が
前記入力信号を受取るべく接続されると共に他方が基準
電位を受取るべく接続されている第二対のトランジスタ
、及び前記第一ノードへ接続されている第一電流源、を
有することを特徴とする多機能回路。 4、特許請求の範囲第3項において、前記第一ノード及
び第二ノードが抵抗的に結合されていることを特徴とす
る多機能回路。 5、特許請求の範囲第3項において、前記第二対の一方
のコレクタが前記第一対の対応する一つのコレクタへ接
続されており且つ前記第一端子へも接続されており、且
つ前記第二対の他方のコレクタが前記第一対の他方のコ
レクタへ接続されると共に前記第二端子へも接続されて
いることを特徴とする多機能回路。 6、特許請求の範囲第3項において、更に、前記第二ノ
ードへ第三トランジスタを介して共通接続されており且
つその一つが走査データ信号を受取るべく接続されてい
る第三対のトランジスタを有することを特徴とする多機
能回路。 7、特許請求の範囲第6項において、前記第三対の一方
のコレクタが前記第一端子へ接続されており、且つ前記
第三対の他方のコレクタが前記第二端子へ接続されてい
ることを特徴とする多機能回路。 8、特許請求の範囲第3項において、前記スレーブ回路
が、前記出力端子と付加した端子との間の電位差を維持
し第四トランジスタを介して第三ノードへ共通接続され
ているエミッタを有する第四対の交差結合したトランジ
スタ、第五トランジスタを介して前記第三ノードへ共通
接続されているエミッタを有しており各々が前記第四対
の別個の一つへ接続されており一方が前記基準電位を受
取るべく接続されると共に他方が前記入力信号を受取る
べく接続されている第五対のトランジスタ、前記第三ノ
ードへ接続されている第二電流源、を有することを特徴
とする多機能回路。 9、特許請求の範囲第7項において、更に、第六トラン
ジスタを介して前記第三ノードへ共通接続されているエ
ミッタを有する第六対のトランジスタを有することを特
徴とする多機能回路。 10、特許請求の範囲第9項において、前記第六対の一
方のコレクタが前記第四対及び第五対の各々の一方のコ
レクタへ接続されると共に前記出力端子へ接続されてい
ることを特徴とする多機能回路。 11、特許請求の範囲第10項において、前記第四対、
第五対、第六対の全ての他方のコレクタが前記付加した
端子へ接続されていることを特徴とする多機能回路。 12、特許請求の範囲第8項において、更に、前記第一
トランジスタ及び第六トランジスタの両方へクロック信
号を供給する手段、及び前記第五トランジスタへラッチ
イネーブル信号を供給する手段、を有することを特徴と
する多機能回路。 13、特許請求の範囲第10項において、前記第一対の
トランジスタも前記第六対のトランジスタへ接続されて
いることを特徴とする多機能回路。 14、出力端子へ入力データを供給するための多機能回
路において、前記入力データを受取るべく接続されてい
るマスタ回路、前記出力端子へ接続されており且つ前記
入力データを受取るべく接続されており且つ前記マスタ
回路へ選択的に接続させることが可能なスレーブ回路、
一組の制御信号に応答して前記マスタ回路及び前記スレ
ーブ回路の各々へ接続されるイネーブル手段、を有して
おり、前記制御信号は前記マスタ回路及び前記スレーブ
回路をイネーブルさせて以下のモードのうちの少なくと
も二つのモードとさせることが可能であり、 (1)前記マスタ回路をディスエーブルし且つ前記スレ
ーブ回路をイネーブルして前記入力データを前記出力端
子上へ供給させ、 (2)前記マスタ回路をディスエーブルし且つ前記スレ
ーブ回路をイネーブルして前記スレーブ回路をして前記
一組の制御信号の一つによって決定される時間において
前記入力データを前記出力端子上へラッチさせ、 (3)前記マスタ回路及び前記スレーブ回路をイネーブ
ルして前記マスタ回路から前記入力データを前記スレー
ブ回路へ転送し次いで前記出力端子へ転送する、 ことを特徴とする多機能回路。 15、特許請求の範囲第14項において、前記マスタ回
路が、更に、走査入力端子を有しており、前記モードが
、更に、(4)前記マスタ回路及び前記スレーブ回路を
イネーブルして前記走査入力端子へ供給されたデータを
前記出力端子へ転送することを包含していることを特徴
とする多機能回路。 16、バイポーラ回路において、エミッタを共通接続す
ると共に第一トランジスタを介して第一ノードへ接続し
た第一対のトランジスタが設けられており、前記第一対
の第一トランジスタのベースが第一端子を介して前記第
一対の第二トランジスタのコレクタへ結合されており且
つ前記第一対の第二トランジスタのベースが第二端子を
介して前記第一対の第一トランジスタのコレクタへ接続
されており、エミッタが共通接続されており且つ第二ト
ランジスタを介して第二ノードへ接続されている第二対
のトランジスタが設けられており、前記第二対の第一ト
ランジスタのコレクタは前記第二端子へ接続されており
且つベースは基準電位へ接続されており、前記第一対の
第二トランジスタのコレクタは前記第一端子へ接続され
ており且つベースは入力信号を受取るべく接続されてお
り、エミッタを共通接続すると共に第三トランジスタを
介して前記第二ノードへ接続されている第三対のトラン
ジスタが設けられており、前記第三対の第一トランジス
タのコレクタは前記第二端子へ接続されており且つベー
スは走査データを受取るべく接続されており、前記第三
対の第二トランジスタのコレクタは前記第一端子へ接続
されており且つベースは走査データを受取るべく接続さ
れていることを特徴とするバイポーラ回路。 17、特許請求の範囲第16項において、エミッタを共
通接続すると共に第四トランジスタを介して第三ノード
へ接続されている第四対のトランジスタが設けられてお
り、前記第四対の第一トランジスタのベースは第三端子
を介して第四対の第二トランジスタのコレクタへ接続さ
れており且つ前記第四対の第二トランジスタのベースは
第四端子を介して前記第四対の第一トランジスタのコレ
クタへ接続されており、エミッタを共通接続すると共に
第五トランジスタを介して前記第三ノードへ接続されて
いる第五対のトランジスタが設けられており、前記第二
対の第一トランジスタのコレクタは前記第四端子へ接続
されており且つベースは前記入力信号を受取るべく接続
されており、前記第五対の第二トランジスタのコレクタ
は前記第三端子へ接続すると共にベースは前記基準電位
へ接続されており、エミッタを共通接続すると共に第六
トランジスタを介して前記第三ノードへ接続されている
第六対のトランジスタが設けられており、前記第三対の
第一トランジスタのコレクタは前記第四端子へ接続する
と共にベースは前記第一対の第二トランジスタのベース
へ接続されており、前記第六対の第二トランジスタのコ
レクタは前記第三端子へ接続すると共にベースは前記第
一対の第一トランジスタのベースへ接続していることを
特徴とするバイポーラ回路。 18、特許請求の範囲第17項において、クロック信号
が前記第一トランジスタ及び第六トランジスタの両方の
ベースへ供給され、基準信号が前記第二トランジスタ及
び第四トランジスタの両方のベースへ供給され、ラッチ
イネーブル信号が前記第五トランジスタのベースへ供給
されることを特徴とするバイポーラ回路。 19、特許請求の範囲第18項において、エミッタとコ
レクタとを前記第四トランジスタと並列に接続した第七
トランジスタが設けられており、走査イネーブル信号が
前記第一トランジスタ及び第六トランジスタのベースへ
供給され且つ走査クロック信号が前記第七トランジスタ
のベースへ供給されることを特徴とするバイポーラ回路
。 20、結合したマスタラッチ及びスレーブラッチを具備
しており、受取ったレジスタ入力データを一組の出力端
子へ転送するためのレジスタとして(レジスタモード)
、受取った走査レジスタデータを出力端子へ転送するた
めの走査レジスタとして(走査モード)、又は受取った
レジスタデータに対するラッチ要素として(ラッチモー
ド)選択的に機能しレジスタ入力データ及びレジスタ走
査入力データを受取るためのエミッタ結合論理(ECL
)回路構成体において、レジスタモード(RM)対のエ
ミッタ結合トランジスタが前記マスタラッチ内に設けら
れており、前記RM対内の右側トランジスタ(RHS)
はそのコレクタをマスタRHS端子へ接続しており且つ
前記RM対内の左側(LHS)トランジスタはそのコレ
クタをマスタLHS端子へ結合しており、且つ前記RM
対内のトランジスタのベースは前記レジスタ入力データ
を受取るべく適合されており、RMセレクトトランジス
タがそのコレクタを前記RMトランジスタ対の結合エミ
ッタへ結合しておりそのエミッタをマスタ定電流源へ結
合しており且つそのベースをRMセレクト信号を受取る
べく適合されており、走査モード(SM)対のエミッタ
結合トランジスタが前記マスタラッチ内に設けられてお
り、前記SM対内のRHSトランジスタはそのコレクタ
を前記マスタRHS端子へ結合すると共に前記RM対内
のLHSトランジスタはそのコレクタを前記マスタLH
S端子へ結合しており、前記SM対内のトランジスタの
ベースは前記走査レジスタ入力データを受取るべく適合
されており、SMセレクトトランジスタはそのコレクタ
を前記SMトランジスタ対の結合エミッタへ結合させて
おりそのエミッタを前記マスタ定電流源へ結合しており
且つそのベースをSCLKセレクト信号を受取るべく適
合しており、マスタラッチモード(MLM)対のエミッ
タ結合トランジスタが前記マスタラッチ内に設けられて
おり、前記MLM対内のRHSトランジスタはそのコレ
クタを前記マスタRHS端子へ結合しており且つ前記M
LM対内のLHSトランジスタはそのコレクタを前記マ
スタLHS端子へ結合しており、前記MLM対内のRH
Sトランジスタのベースは前記マスタLHS端子へ結合
しており且つ前記MLM対内のLHSトランジスタのベ
ースは前記マスタRHS端子へ結合されており、MLM
セレクトトランジスタはそのコレクタを前記MLMトラ
ンジスタ対の結合エミッタへ結合しておりそのエミッタ
を前記マスタ定電流源へ結合しており且つそのベースを
MCLKセレクト信号を受取るべく適合しており、V_
C_L<V_C<V_C_H<VS_C_L_K_Hの
ように選択された電圧レベルの大きさで一組の電圧レベ
ルV_C_L、V_C、V_C_H、V_S_C_L_
K_Hを発生する手段が設けられており、前記RM対の
エミッタを前記マスタ電流源へ結合して前記レジスタ入
力データに対応して前記マスタRHS端子及びLHS端
子に電圧レベルを確立するため、又は前記SM対のエミ
ッタを前記マスタ電流源へ結合して前記走査レジスタ入
力データに対応して前記マスタRHS端子及びLHS端
子に電圧レベルを確立するために、又は前記LM対のエ
ミッタを前記マスタ電流源へ結合して前に確立したRM
又はSM電圧レベルを前記マスタRHS端子及びLHS
端子上にラッチしてMCLKがV_Cの周りでスイング
し且つSCLKがMCLKの周りでスイングし従ってS
CLKが拡張したスイングを行なってMCLKにとって
代わるために前記RM、SCLK、MCLKセレクト信
号の大きさを前記電圧レベルの選択したものへ制御可能
に設定する手段が設けられていることを特徴とするエミ
ッタ結合論理回路構成体。 21、特許請求の範囲第20項において、更に、スレー
ブ透過モード(STM)対のエミッタ結合トランジスタ
が前記スレーブラッチ内に設けられており、前記STM
対内のRHSトランジスタはそのコレクタを出力RHS
端子へ結合しており且つ前記STM対内のLHSトラン
ジスタはそのコレクタを出力LHS端子へ結合しており
、前記STM対内のRHSトランジスタのベースは前記
マスタRHS端子上の電圧レベルに応答すべく適合され
ており且つ前記STM対内の前記LHSトランジスタの
ベースは前記マスタLHS端子上の電圧レベルに応答す
べく適合されており、STMセレクトトランジスタはそ
のコレクタを前記STMトランジスタ対の結合エミッタ
へ結合しておりそのエミッタをスレーブ定電流源へ結合
しており且つそのベースを前記MCLKセレクト信号を
受取るべく適合されており、ラッチ要素モード(LEM
)対のエミッタ結合トランジスタが前記スレーブラッチ
内に設けられており、前記LEM対内のRHSトランジ
スタはそのコレクタを前記出力RHS端子へ結合してお
り且つ前記RM対内のLHSトランジスタはそのコレク
タを前記出力LHS端子へ結合しており、前記LEM対
内のトランジスタのベースは前記レジスタ入力データを
受取るべく適合されており、LEMセレクトトランジス
タはそのコレクタを前記LEMトランジスタ対の結合エ
ミッタへ結合しておりそのエミッタを前記スレーブ定電
流源へ結合しており且つそのベースをLEMセレクト信
号を受取るべく適合しており、スレーブラッチモード(
SLM)対のエミッタ結合トランジスタが前記スレーブ
ラッチ内に設けられており、前記SLM対内のRHSト
ランジスタはそのコレクタを前記出力RHS端子へ結合
しており且つ前記SLM対内のLHSトランジスタはそ
のコレクタを前記出力LHS端子へ結合しており、前記
SLM対内のRHSトランジスタのベースは前記出力L
HS端子へ結合しており且つ前記MLM対内のLHSト
ランジスタのベースは前記出力RHS端子へ結合してお
り、第一SLMセレクトトランジスタはそのコレクタを
前記SLMトランジスタ対の結合エミッタへ結合してお
りそのエミッタを前記マスタ定電流源へ結合しており且
つそのベースをSLMセレクト信号を受取るべく適合し
ており、第二SLMセレクトトランジスタはそのコレク
タを前記SLMトランジスタ対の話合エミッタへ結合し
ておりそのエミッタを前記マスタ定電流源へ結合してお
り且つそのベースを前記SCLKセレクト信号を受取る
べく適合しており、前記STM対のエミッタを前記スレ
ーブ電流源へ結合して前記マスタRHS端子及びLHS
端子上の電圧レベルに対応して前記出力RHS端子及び
LHS端子において電圧レベルを確立するため又は前記
LEM対のエミッタを前記マスタ電流源へ結合して前記
LEM対内のトランジスタのベースにおいて受取られた
レジスタ入力データに対応して前記出力RHS端子及び
LHS端子において電圧レベルを確立するための何れか
のために前記LEM、SLMセレクト信号の大きさを前
記電圧レベルの選択したものに制御可能に設定する手段
が設けられていることを特徴とするエミッタ結合論理回
路構成体。 22、特許請求の範囲第21項において、前記RM、S
M、MCLK、LEM、SLMセレクト信号の大きさを
設定する手段が、前記RM及びSLMセレクト信号の大
きさをV_Cへ設定する手段と、前記レジスタ入力デー
タに対応して前記マスタ端子上に第一組の電圧レベルを
確立するため及び前記マスタ端子上に以前に確立された
一組の電圧レベルを前記出力端子上にラッチするために
前記MCLKセレクト信号の大きさをV_C_Lへ設定
し前記SCLKセレクト信号の大きさをV_C_Lへ設
定し且つ前記LEMセレクト信号の大きさをV_C_L
へ設定する手段と、前記第一組の電圧レベルを前記マス
タ端子上にラッチし且つ前記第一組の電圧レベルを前記
出力端子上に確立するために前記MCLKセレクト信号
の大きさをV_C_Hへ設定し前記SCLKセレクト信
号の大きさをV_C_Lへ設定し且つ前記LEMセレク
ト信号の大きさをV_C_Lへ設定する手段と、前記第
一組の電圧レベルが前記出力端子上にラッチされている
間に前記走査入力データに対応して前記マスタ端子上に
第二組の電圧レベルを確立するために前記MCLKセレ
クト信号の大きさをV_C_Lへ設定し前記SCLKセ
レクト信号の大きさをV_S_C_L_K_Hへ設定し
且つ前記LEMセレクト信号の大きさをV_C_Lへ設
定する手段と、前記第二組の電圧レベルを前記マスタ端
子上にラッチさせ且つ前記第二組の電圧レベルを前記出
力端子上に確立するために前記MCLKセレクト信号の
大きさをV_C_Hへ設定し前記SCLKセレクト信号
の大きさをV_C_Lへ設定し且つ前記LEMセレクト
信号の大きさをV_C_Lへ設定する手段と、前記第二
組の電圧レベルが前記出力端子にラッチされている間に
前記走査入力データに対応して前記マスタ端子上に第三
組の電圧レベルを確立するために前記MCLKセレクト
信号の大きさをV_C_Hへ設定し前記SCLKセレク
ト信号の大きさをV_S_C_L_K_Hへ設定し且つ
前記LEMセレクト信号の大きさをV_C_Lへ設定す
る手段と、前記第三組の電圧レベルが前記出力端子にラ
ッチされている間に前記レジスタ入力データに対応して
前記マスタ端子上に第四組の電圧レベルを確立するため
に前記MCLKセレクト信号の大きさをV_C_Lへ設
定し前記SCLKセレクト信号の大きさをV_C_Lへ
設定し且つ前記LEMセレクト信号の大きさをV_C_
Lへ設定する手段と、を有することを特徴とするエミッ
タ結合論理回路構成体。 23、特許請求の範囲第22項において、前記RM、S
M、MCLK、LEM、SLMセレクト信号の大きさを
設定する手段が、更に、前記ラッチモードで動作するた
めに前記MCLKセレクト信号の大きさをV_C_Lへ
設定し且つ前記SCLKセレクト信号の大きさをV_C
_Lへ設定し且つ前記レジスタ入力データに対応して前
記出力端子上に第五組の電圧レベルを確立するために前
記LEMセレクト信号の大きさをV_C_Hへ設定し且
つ前記第五組の電圧レベルを前記出力端子上にラッチす
るために前記LEMセレクト信号の大きさをV_C_L
へ設定するための手段を有することを特徴とするエミッ
タ結合論理回路構成体。 24、結合したマスタラッチ及びスレーブラッチを具備
しており、受取ったレジスタ入力データを一組の出力端
子へ転送するためのレジスタとして(レジスタモード)
、受取った走査レジスタデータを出力端子へ転送するた
めの走査レジスタとして(走査モード)、又は受取った
レジスタデータに対するラッチ要素として(ラッチモー
ド)選択的に機能しレジスタ入力データ及びレジスタ走
査入力データを受取るためのエミッタ結合論理(ECL
)回路構成体において、レジスタモード(RM)対のエ
ミッタ結合トランジスタが前記マスタラッチ内に設けら
れており、前記RM対内の右側トランジスタ(RHS)
はそのコレクタをマスタRHS端子へ結合しており且つ
前記RM対内の左側(LHS)トランジスタはそのコレ
クタをマスタLHS端子へ結合しており、前記RM対内
のトランジスタのベースは前記レジスタ入力データを受
取るべく適合されており、RMセレクトトランジスタは
そのコレクタを前記RMトランジスタ対の結合エミッタ
へ結合しておりそのエミッタをマスタ定電流源へ結合し
ており且つそのベースをRMセレクト信号を受取るべく
適合しており、走査モード(SM)対のエミッタ結合ト
ランジスタが前記マスタラッチ内に設けられており、前
記SM対内のRHSトランジスタはそのコレクタを前記
マスタRHS端子へ結合しており且つ前記RM対内のL
HSトランジスタはそのコレクタを前記マスタLHS端
子へ結合しており、前記SM対内のトランジスタのベー
スは前記走査レジスタ入力データを受取るべく適合され
ており、SMセレクトトランジスタはそのコレクタを前
記SMトランジスタ対の結合エミッタへ結合しておりそ
のエミッタを前記マスタ定電流源へ結合しており且つそ
のベースを前記反転したRMセレクト信号であるSMセ
レクト信号を受取るべく適合されており、マスタラッチ
モード(MLM)対のエミッタ結合トランジスタが前記
マスタラッチ内に設けられており、前記MLM対内のR
HSトランジスタはそのコレクタを前記マスタRHS端
子へ結合しており且つ前記MLM対内のLHSトランジ
スタはそのコレクタを前記マスタLHS端子へ結合して
おり、前記MLM対内のRHSトランジスタのベースは
前記マスタLHS端子へ結合しており且つ前記MLM対
内のLHSトランジスタのベースは前記マスタRHS端
子へ結合しており、MLMセレクトトランジスタはその
コレクタを前記MLMトランジスタ対の結合エミッタへ
結合しておりそのエミッタを前記マスタ定電流源へ結合
しており且つそのベースをMCLKセレクト信号を受取
るべく適合されており、V_C_L<V_C<V_C_
Hのように選択された電圧レベルの大きさで一組の電圧
レベルV_C_L、V_C、V_C_Hを発生する手段
が設けられており、前記RM対のエミッタを前記マスタ
電流源へ結合して前記レジスタ入力データに対応して前
記マスタRHS端子及びLHS端子において電圧レベル
を確立するため、又は前記SM対のエミッタを前記マス
タ電流源へ結合して前記走査レジスタ入力データに対応
して前記マスタRHS端子及びLHS端子において電圧
レベルを確立するため、又は前記LM対のエミッタを前
記マスタ電流源へ結合して前記前に確立したRM又はS
M電圧レベルを前記マスタRHS端子及びLHS端子上
にラッチさせるための何れかのために前記RM及びMC
LKセレクト信号の大きさを前記電圧レベルの選択した
ものに制御可能に設定する手段が設けられていることを
特徴とするエミッタ結合論理回路構成体。 25、特許請求の範囲第20項において、更に、スレー
ブ透過モード(STM)対のエミッタ結合トランジスタ
が前記スレーブラッチ内に設けられており、前記STM
対内のRHSトランジスタはそのコレクタを出力RHS
端子へ結合しており且つ前記STM対内のLHS端子は
そのコレクタを出力LHS端子へ結合しており、前記S
TM対内のRHSトランジスタのベースは前記マスタR
HS端子上の電圧レベルに応答すべく適合されており且
つ前記STM対内の前記LHSトランジスタのベースは
前記マスタLHS端子上の電圧レベルに応答すべく適合
されており、STMセレクトトランジスタはそのコレク
タを前記STMトランジスタ対の結合エミッタへ結合し
ておりそのエミッタをスレーブ定電流源へ結合しており
且つそのベースを前記MCLKセレクト信号を受取るべ
く適合しており、ラッチ要素モード(LEM)対のエミ
ッタ結合トランジスタが前記スレーブラッチ内に設けら
れており、前記LEM対内のRHSトランジスタはその
コレクタを前記出力RHS端子へ結合しており且つ前記
RM対内のLHSトランジスタはそのコレクタを前記出
力LHS端子へ結合しており、前記LEM対内のトラン
ジスタのベースは前記レジスタ入力データを受取るべく
適合されており、LEMセレクトトランジスタはそのコ
レクタを前記LEMトランジスタ対の結合エミッタへ結
合しておりそのエミッタを前記スレーブ定電流源へ結合
しており且つそのベースをLEMセレクト信号を受取る
べく適合しており、スレーブラッチモード(SLM)対
のエミッタ結合トランジスタが前記スレーブラッチ内に
設けられており、前記SLM対内のRHSトランジスタ
はそのコレクタを前記出力RHS端子へ結合しており且
つ前記SLM対内のLHSトランジスタはそのコレクタ
を前記出力LHS端子へ結合しており、前記SLM対内
のRHSトランジスタのベースは前記出力LHS端子へ
結合しており且つ前記MLM対内のLHSトランジスタ
のベースは前記出力RHS端子へ結合しており、SLM
セレクトトランジスタはそのコレクタを前記SLMトラ
ンジスタ対の結合エミッタへ結合しておりそのエミッタ
を前記マスタ定電流源へ結合しており且つそのベースを
SLMセレクト信号を受取るべく適合しており、前記S
TM対のエミッタを前記スレーブ電流源へ結合して前記
マスタRHS端子及びLHS端子上の電圧レベルに対応
して前記出力RHS端子及びLHS端子において電圧レ
ベルを確立するため又は前記LEM対のエミッタを前記
マスタ電流源へ結合して前記LEM対内のトランジスタ
のベースにおいて受取られたレジスタ入力データに対応
して前記出力RHS端子及びLHS端子において電圧レ
ベルを確立するための何れかのために前記LEM及びS
LMセレクト信号の大きさを前記電圧レベルの選択した
ものに制御可能に設定する手段が設けられていることを
特徴とするエミッタ結合論理回路構成体。 26、特許請求の範囲第21項において、前記RM、M
CLK、LEM、SLMセレクト信号の大きさを設定す
る手段が、前記SLMセレクト信号の大きさをV_Cへ
設定する手段と、前記レジスタモードで動作すると共に
前記MCLKセレクト信号の大きさをV_C_Lへ設定
して前記レジスタ入力データに対応して前記マスタ端子
上に第一組の電圧レベルを確立し且つ前記マスタ端子上
に前に確立された一組の電圧レベルをラッチするために
前記RMセレクト信号の大きさをV_Cへ設定し且つ前
記LEMセレクト信号の大きさをV_C_Lへ設定し且
つ前記マスタ端子上の前記第一組の電圧レベルをラッチ
すると共に前記第一組の電圧レベルを前記出力端子上に
確立するために前記MCLKセレクト信号の大きさをV
_C_Hへ設定する手段と、前記走査モードで動作する
と共に前記MCLKセレクト信号の大きさをV_C_L
へ設定して前記走査レジスタ入力データに対応して前記
マスタ端子上に第二組の電圧レベルを確立し且つ前記第
一組の電圧レベルを前記出力端子上にラッチするために
前記RMセレクト信号の大きさをV_C_Lへ設定し且
つ前記LEMセレクト信号の大きさをV_C_Lへ設定
し且つ前記マスタ端子上の前記第二組の電圧レベルをラ
ッチすると共に前記第二組の電圧レベルを前記出力端子
上に確立するために前記MCLKセレクト信号の大きさ
をV_C_Hへ設定する手段とを有することを特徴とす
るエミッタ結合論理回路構成体。 27、特許請求の範囲第26項において、前記RM、M
CLK、LEM、SLMセレクト信号の大きさを設定す
る手段が、前記ラッチモードで動作するために前記MC
LK信号の大きさをV_C_Lへ設定すると共に前記R
M信号の大きさをV_Cへ設定し前記レジスタ入力デー
タに対応して前記出力端子上に第三組の電圧レベルを確
立するために前記LEMセレクト信号の大きさをV_C
_Lへ設定し且つ前記マスタ端子上の前記第三組の電圧
レベルをラッチし且つ前記第三組の電圧レベルを前記出
力端子上に確立するために前記LEMセレクト信号の大
きさをV_C_Hへ設定する手段を有することを特徴と
するエミッタ結合論理回路構成体。
Applications Claiming Priority (2)
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