JPH0214396B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0214396B2
JPH0214396B2 JP8435984A JP8435984A JPH0214396B2 JP H0214396 B2 JPH0214396 B2 JP H0214396B2 JP 8435984 A JP8435984 A JP 8435984A JP 8435984 A JP8435984 A JP 8435984A JP H0214396 B2 JPH0214396 B2 JP H0214396B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
radiation image
image conversion
phosphor
range
radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP8435984A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60229000A (ja
Inventor
Kenji Takahashi
Takashi Nakamura
Juichi Hosoi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP8435984A priority Critical patent/JPS60229000A/ja
Priority to EP85105156A priority patent/EP0159726B1/en
Priority to DE8585105156T priority patent/DE3580932D1/de
Publication of JPS60229000A publication Critical patent/JPS60229000A/ja
Priority to US07/240,457 priority patent/US4876161A/en
Publication of JPH0214396B2 publication Critical patent/JPH0214396B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の分野] 本発明は、放射線像変換方法およびその方法に
用いられる放射線像変換パネルに関するものであ
る。さらに詳しくは、本発明は、輝尽性の二価ユ
ーロピウム賦活アルカリ土類金属ハロゲン化物系
蛍光体を使用する放射線像変換方法、およびその
方法に用いられる放射線像変換パネルに関するも
のである。 [発明の背景] 従来より、放射線像を画像として得る方法とし
て、銀塩感光材料からなる乳剤層を有する放射線
写真フイルムと増感紙(増感スクリーン)との組
合わせを使用する、いわゆる放射線写真法が利用
されている。上記従来の放射線写真法にかわる方
法の一つとして、たとえば、特開昭55−12145号
公報等に記載されているような輝尽性蛍光体を利
用する放射線像変換方法が知られている。この方
法は、被写体を透過した放射線、あるいは被写体
から発せられた放射線を輝尽性蛍光体に吸収さ
せ、そののちにこの蛍光体を可視光線、赤外線な
どの電磁波(励起光)で時系列的に励起すること
により、蛍光体中に蓄積されている放射線エネル
ギーを蛍光(輝尽発光)として放出させ、この蛍
光を光電的に読取つて電気信号を得、この電気信
号を画像化するものである。 上記放射線像変換方法によれば、従来の放射線
写真法を利用した場合に比較して、はるかに少な
い被曝線量で情報量の豊富なX線画像を得ること
ができるという利点がある。従つて、この放射線
像変換方法は、特に医療診断を目的とするX線撮
影などの直接医療用放射線撮影において利用価値
が非常に高いものである。 上記放射線像変換方法に用いられる輝尽性蛍光
体として、従来より、二価ユーロピウム賦活アル
カリ土類金属弗化ハロゲン化物蛍光体(M〓FX:
Eu2+、ただしM〓はBa、SrおよびCaからなる群
より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属
であり、Xは弗素以外のハロゲンである)が提案
されている。この蛍光体は、X線などの放射線を
吸収したのち、可視光乃至赤外線領域の電磁波の
照射を受けると近紫外領域に発光(輝尽発光)を
示すものである。 上述のように放射線像変換方法は蛍光体の輝尽
性を利用するものであるが、輝尽性を示す蛍光体
自体、この二価ユーロピウム賦活アルカリ土類金
属ハロゲン化物蛍光体以外はあまり知られていな
い。 本出願人は、下記組成式で表わされる新規な二
価ユーロピウム賦活アルカリ土類金属ハロゲン化
物蛍光体を用いる放射線像変換方法および放射線
像変換パネルについて、既に特許出願している
(特願昭58−193162号)。 組成式:M〓X2・aM〓X′2:xEu2+ (ただし、M〓はBa、SrおよびCaからなる群よ
り選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属で
あり;XおよびX′はCl、BrおよびIからなる群
より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであつ
て、かつX≠X′であり;そしてaは0.1≦a≦
10.0の範囲の数値であり、xは0<x≦0.2の範
囲の数値である) この二価ユーロピウム賦活アルカリ土類金属ハ
ロゲン化物蛍光体は、上記明細書に記載されてい
るようにそのX線回折パターンから、前記M〓
FX:Eu2+蛍光体とは結晶構造を異にする別種の
蛍光体であることが判明しており、X線、紫外
線、電子線などの放射線を照射したのち450〜
1000nmの波長領域の電磁波で励起すると、405n
m付近に発光極大を有する近紫外乃至青色発光
(輝尽発光)示すものである。 上記輝尽性蛍光体からなる放射線像変換パネル
を用いる放射線像変換方法は、上述のように非常
に有利な画像形成方法であるが、この方法におい
てもその感度はできる限り高いものであることが
望ましい。放射線像変換パネルの放射線に対する
感度は一般に、それに用いられる蛍光体の輝尽発
光輝度が高いほど高くなる。従つて、パネルに用
いられる輝尽性蛍光体はその輝尽発光輝度ができ
る限り高いものであることが望まれる。 [発明の要旨] 本発明は、感度の向上した放射線像変換方法お
よびその方法に用いられる放射線像変換パネルを
提供することをその目的とするものである。 本発明者は、上記目的を達成するために、上記
の新規な二価ユーロピウム賦活アルカリ土類金属
ハロゲン化物蛍光体について種々の研究を行なつ
た。その結果、該蛍光体に特定量の二酸化ケイ素
を添加して得られる蛍光体は、高輝度の輝尽発光
を示すことを見出し、本発明に到達したものであ
る。 すなわち、本発明の放射線像変換方法は、被写
体を透過した、あるいは被検体から発せられた放
射線を、下記組成式()で表わされる二価ユー
ロピウム賦活アルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍
光体に吸収させた後、この蛍光体に450〜1000n
mの波長領域の電磁波を照射することにより、該
蛍光体に蓄積されている放射線エネルギーを蛍光
として放出させ、そしてこの蛍光を検出すること
を特徴とする。 組成式(): M〓X2・aM〓X′2・bSiO2:xEu2+ ……() (ただし、M〓はBa、SrおよびCaからなる群よ
り選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属で
あり;XおよびX′はいずれもCl、BrおよびIか
らなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲン
であつて、かつX≠X′であり;そしてaは0.1≦
a≦10.0の範囲の数値であり、bは10-4≦b≦2
×10-1の範囲の数値であり、xは0<x≦0.2の
範囲の数値である) また、本発明の放射線像変換パネルは、支持体
とこの支持体上に設けられた輝尽性蛍光体層とか
ら実質的に構成された放射線像変換パネルであつ
て、該輝尽性蛍光体層が、上記組成式()で表
わされる二価ユーロピウム賦活アルカリ土類金属
ハロゲン化物系蛍光体を含有することを特徴とす
る。 本発明は、上記の新規な二価ユーロピウム賦活
アルカリ土類金属ハロゲン化物蛍光体に特定量の
二酸化ケイ素を添加することにより、蛍光体にX
線などの放射線を照射したのち450〜1000nmの
波長領域の電磁波で励起したときの輝尽発光輝度
が顕著に向上するという新たな知見に基づいて完
成されたものである。 従つて、上記組成式()で表わされる二価ユ
ーロピウム賦活アルカリ土類金属ハロゲン化物系
蛍光体を用いることにより、放射線像変換方法の
感度を向上させることができる。また、上記蛍光
体からなる本発明の放射線像変換パネルは顕著に
向上した感度を示す。 [発明の構成] 本発明に用いられる二価ユーロピウム賦活アル
カリ土類金属ハロゲン化物系蛍光体は、組成式
() M〓X2・aM〓X′2・bSiO2:xEu2+ ……() (ただし、M〓はBa、SrおよびCaからなる群よ
り選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属で
あり;XおよびX′はいずれもCl、BrおよびIか
らなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲン
であつて、かつX≠X′であり;そしてaは0.1≦
a≦10.0の範囲の数値であり、bは10-4≦b≦2
×10-1の範囲の数値であり、xは0<x≦0.2の
範囲の数値である) で表わされる。 上記組成式()で表わされる蛍光体において
輝尽発光輝度の点から、二酸化ケイ素(SiO2
の量を表わすb値は6×10-4≦b≦10-1の範囲に
あるのが好ましい。また、組成式()における
M〓X2とM〓X′2との割合を表わすa値は0.3≦a≦
3.3の範囲にあるのが好ましく、さらに好ましく
は0.5≦a≦2.0の範囲であり、ユーロピウムの賦
活量を表わすx値は10-5≦x≦10-1の範囲にある
のが好ましい。 上記組成式()で表わされる蛍光体の一例で
あるBaCl2・BaBr2・bSiO2:0.001Eu2+蛍光体に
おいて、蛍光体中の二酸化ケイ素の量を表わすb
値と輝尽発光輝度は、第1図に示すような関係に
ある。 第1図は、BaCl2・BaBr2・bSiO2:0.001Eu2+
蛍光体におけるb値と輝尽発光輝度[80KVpの
X線を照射した後半導体レーザ光(780nm)で
励起した時の輝尽発光輝度]との関係を示すグラ
フである。第1図から明らかなように、b値が
10-4≦b≦2×10-1の範囲にあるBaCl2
BaBr2・bSiO2:0.001Eu2+蛍光体は、二酸化ケイ
素を添加しない蛍光体(b=0)よりも高輝度の
輝尽発光を示す。本発明の放射線像変換方法に用
いられる二酸化ケイ素が含有された二価ユーロピ
ウム賦活塩化臭化バリウム蛍光体におけるb値を
10-4≦b≦2×10-1の範囲に規定したのは、この
ような事実に基づいてである。また第1図から、
特にb値が6×10-4≦b≦10-1の範囲にある蛍光
体は、著しく高輝度の輝尽発光を示すことが明ら
かである。 なお、M〓、X、X′およびaが上記以外の本発
明に用いられる二価ユーロピウム賦活アルカリ土
類金属ハロゲン化物蛍系光体についても、b値と
輝尽発光輝度との関係は第1図と同じような傾向
にあることが確認されている。 また、上記二価ユーロピウム賦活アルカリ土類
金属ハロゲン化物系蛍光体には、SiO2を添加す
ることによる効果(輝尽発光輝度の向上)が失な
われない範囲内で種々の添加成分が添加されてい
てもよく、そのような添加成分としてはたとえば
五酸化リンを挙げることができる。 なお、上記組成式()で表わされる二価ユー
ロピウム付活アルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍
光体の輝尽励起スペクルは、前記特願昭58−
193162号明細書に記載されている二価ユーロピウ
ム付活アルカリ土類金属ハロゲン化物蛍光体の輝
尽励起スペクトルとほぼ同じである。そして、そ
の輝尽励起スペクトルの波長領域は450〜1000n
mと広く、そのためにこの蛍光体を使用する本発
明の放射線像変換方法においては励起光の波長を
適当に変えることができる。すなわち、その励起
光源を目的に応じて適宜選択することが可能にな
る。たとえば、上記蛍光体の輝尽励起スペクトル
は約1000nmにまで及んでいるために、輝尽光源
として小型で駆動電力の小さい半導体レーザー
(赤外領域に発光波長を有する)を利用すること
ができ、従つて、放射線像変換方法を実施するた
めの装置を小型化することが可能となる。また、
輝尽発光の輝度および発光光との波長分離の点か
らは、本発明の放射線像変換方法における励起光
は500〜850nmの波長領域の電磁波であるのが好
ましい。 上記組成式()で表わされる二価ユーロピウ
ム賦活アルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光体は
たとえば、以下に記載するような製造法により製
造することができる。 まず、蛍光体原料として、 (1) ハロゲン化バリウム、ハロゲン化カルシウ
ム、ハロゲン化ストロンチウムからなる群より
選ばれる少なくとも二種のアルカリ土類金属ハ
ロゲン化物、 (2) 二酸化ケイ素、 (3) ハロゲン化物、酸化物、硝酸塩、硫酸塩など
のユーロピウムの化合物からなる群より選ばれ
る少なくとも一種のユーロピウム化合物、 を用意する。場合によつては、さらにハロゲン化
アンモニウムなどをフラツクスとして使用しても
よい。 蛍光体の製造に際しては先ず、上記(1)のアルカ
リ土類金属ハロゲン化物、(2)の二酸化ケイ素およ
び(3)のユーロピウム化合物を用いて、化学量論的
に、組成式(): M〓X2・aM〓X′2・bSiO2:xEu ……() (ただし、M〓、X、X′、a、bおよびxの定義
は前述と同じである) に対応する相対比となるように秤量混合する。 上記の混合物操作は、たとえば懸濁液の状態で
行なわれる。そして、この蛍光体原料混合物の懸
濁液から水分を除去することにより固形状の乾燥
混合物が得られる。この水分の除去操作は、常温
もしくはあまり高くない温度(たとえば、200℃
以下)にて、減圧乾燥、真空乾燥、あるいはその
両方により行なわれるのが好ましい。もちろん混
合操作は上記の方法に限られるものではない。 なお、上記(2)の二酸化ケイ素は、蛍光体原料の
の秤量混合時に添加しないでこの乾燥混合物に添
加されてもよい。 次に、得られた乾燥混合物は微細に粉砕され、
その粉砕物は石英ボート、アルミナルツボなどの
耐熱性容器に充填されて、電気炉中で焼成が行な
われる。焼成温度は500〜1300℃の範囲が適当で
あり、焼成時間は蛍光体原料混合物の充填量およ
び焼成温度などによつても異なるが、一般には
0.5〜6時間が適当である。焼成雰囲気としては、
少量の水素ガスを含有する窒素ガス雰囲気、ある
いは、一酸化炭素を含有する二酸化炭素雰囲気な
どの弱還元性の雰囲気を利用する。使用されるユ
ーロピウム化合物が三価のユーロピウムを含む場
合には、その弱還元性の雰囲気によつて焼成過程
において三価のユーロピウムは二価のユーロピウ
ムに還元される。 なお、上記の焼成条件で蛍光体原料混合物を一
度焼成したのちにその焼成物を放冷後粉砕し、さ
らに再焼成(二次焼成)を行なう方法を利用して
もよい。再焼成は、上記の弱環元性雰囲気あるい
は窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気などの中
性雰囲気下で、500〜800℃の焼成温度にて0.5〜
12時間かけて行なわれる。 上記焼成によつて本発明に用いられる粉末状の
蛍光体が得られる。なお、得られた粉末状の蛍光
体については、必要に応じて、さらに、洗浄、乾
燥、ふるい分けなどの蛍光体の製造における各種
の一般的な操作を行なつてもよい。 なお、蛍光体がさらに前記のような添加成分を
含有するものである場合には、添加成分は蛍光体
原料を秤量混合する時に、あるいは焼成前に添加
される。 以上に説明した製造法を利用することによつて
前記の組成式()で表わされる二価ユーロピウ
ム賦活アルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光体が
得られる。 本発明の放射線像変換方法において、上記組成
式()で表わされる二価ユーロピウム賦活アル
カリ土類金属ハロゲン化物系蛍光体は、それを含
有する放射線像変換パネル(蓄積性蛍光体シート
ともいう)の形態で用いるのが好ましい。 放射線像変換パネルは、基本構造として、支持
体と、その片面に設けられた少なくとも一層の輝
尽性発光体層とからなるものである。輝尽性蛍光
体層は、輝尽性蛍光体とこの輝尽性蛍光体を分散
状態で含有支持する結合剤からなる。なお、この
蛍光体層の支持体とは反対側の表面(支持体に面
していない側の表面)には一般に、透明な保護膜
が設けられていて、蛍光体層を化学的な変質ある
いは物理的な衝撃から保護している。 すなわち、本発明の放射線像変換方法は、前記
の組成式()で表わされる二価ユーロピウム賦
活アルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光体からな
る蛍光体層を有する放射線像変換パネルを用いて
実施するのが望ましい。 組成式()で表わされる輝尽性蛍光体を放射
線像変換パネルの形態で用いる本発明の放射線像
変換方法においては、被写体を透過した、あるい
は被検体から発せられた放射線は、その放射線量
に比例して放射線像変換パネルの蛍光体層に吸収
され、放射線像変換パネル上には被写体あるいは
被検体の放射線像が放射線エネルギーの蓄積像と
して形成される。この蓄積像は、450〜1000nm
の波長領域の電磁波(励起光)で励起することに
より、輝尽発光(蛍光)として放射させることが
でき、この輝尽発光を光電的に読み取つて電気信
号に変換することにより、放射線エネルギーの蓄
積像を画像化することが可能となる。 本発明の放射線像変換方法を、組成式()で
表わされる輝尽性蛍光体を放射線像変換パネルの
形態で用いる態様を例にとり、第2図に示す概略
図を用いて具体的に説明する。 第2図において、11はX線などの放射線発生
装置、12は被写体、13は上記組成式()で
表わされる輝尽性蛍光体を含有する放射線像変換
パネル、14は放射線像変換パネル13上の放射
線エネルギーの蓄積像を蛍光として放射させるた
めの励起源としての光源、15は放射線像変換パ
ネル13より放射された蛍光を検出する光電変換
装置、16は光電変換装置15で検出された光電
変換信号を画像として再生する装置、17は再生
された画像を表示する装置、そして、18は光源
14からの反射光を透過させないで放射線像変換
パネル13より放射された蛍光のみを透過させる
ためのフイルターである。 なお、第2図は被写体の放射線透過像を得る場
合の例を示しているが、被写体12自体が放射線
を発するもの(本明細書においてはこれを被検体
という)である場合には、上記の放射線発生装置
11は特に設置する必要はない。また、光電変換
装置15〜画線表示装置17までは、放射線像変
換パネル13から蛍光として放射される情報を何
らかの形で画像として再生できる他の適当な装置
に変えることもできる。 第2図に示されるように、被写体12に放射線
発生装置11からX線などの放射線を照射する
と、その放射線は被写体12をその各部の放射線
透過率に比例して透過する。被写体12を透過し
た放射線は、次に放射線像変換パネル13に入射
し、その放射線の強弱に比例して放射線像変換パ
ネル13の蛍光体層に吸収される。すなわち、放
射線像変換パネル13上には放射線透過像に相当
する放射線エネルギーの蓄積像(一種の潜像)が
形成される。 次に、放射線像変換パネル13に光源14を用
いて450〜1000nmの波長領域の電磁波を照射す
ると、放射線像変換パネル13に形成された放射
線エネルギーの蓄積像は、蛍光として放射され
る。この放射される蛍光は、放射線像変換パネル
13の蛍光体層に吸収された放射線エネルギーの
強弱に比例している。この蛍光の強弱で構成され
る光信号を、たとえば、光電子増倍管などの光電
変換装置15で電気信号に変換し、画像再生装置
16によつて画像として再生し、画像表示装置1
7によつてこの画像を表示する。 たとえば、放射線像変換パネル13に蓄積され
た放射線像の読取りは、光源14より放射される
電磁波でパネル13を走査し、この走査によつて
パネル13から放射される蛍光を光電変換装置1
5により検出して、時系列電気信号を得ることに
よつて行なわれる。 本発明の放射線像変換方法において、被写体の
放射線透過像を得る場合に用いられる放射線は、
上記蛍光体がこの放射線の照射を受けた後、さら
に上記電磁波で励起された時に輝尽発光を示しう
るものであればいかなる放射線であつてもよく、
例えば、X線、電子線、紫外線など一般によく知
られている放射線を用いることができる。また、
被検体の放射線像を得る場合に直接に被検体から
発せられる放射線も、同様に上記蛍光体に吸収さ
れて輝尽発光のエネルギー源となるものであれば
いかなる放射線であつてもよく、その例としては
γ線、α線、β線などの放射線を挙げることがで
きる。 上記のようにして被写体もしくは被検体からの
放射線を吸収した蛍光体を励起する電磁波の光源
としては、450〜1000nmの波長領域にバンドス
ペクトル分布をもつ光を放射する光源のほかに
Arイオンレーザー、Krイオンレーザー、He−
Neレーザー、ルビー・レーザー、半導体レーザ
ー、ガラス・レーザー、YAGレーザー、色素レ
ーザー等のレーザーおよび発光ダイオードなどの
光源を使用することができる。これらのうちでレ
ーザー光は、単位面積当りのエネルギー密度の高
いレーザービームを放射線像変換パネルに照射す
ることができるため、本発明において用いる励起
用光源として好ましい。それらのうちでその安定
性および出力などの点から、好ましいレーザー光
はHe−Neレーザー、Arイオンレーザーおよび
Krイオンレーザーである。また、半導体レーザ
ーは、小型であること、駆動電力が小さいこと、
直接変調が可能なのでレーザー出力の安定化が簡
単にできること、などの理由により励起光源とし
て好ましい。 次に、本発明の放射線像変換方法に用いられる
放射線像変換パネルについて説明する。 この放射線像変換パネルは、前述のように、実
質的に支持体と、この支持体上に設けられた前記
組成式()で表わされる二価ユーロピウム賦活
アルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光体を分散状
態で含有支持する結合剤からなる輝尽性蛍光体層
とから構成される。輝尽性蛍光体層は、たとえば
次のような方法により支持体上に形成することが
できる。 蛍光体層の結合剤の例としては、ゼラチン等の
蛋白質、デキストラン等のポリサツカライド、ま
たはアラビアゴムのような天然高分子物質;およ
び、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ニ
トロセルロース、エチルセルロース、塩化ビニリ
デン・塩化ビニルコポリマー、ポリアルキル(メ
タ)アクリレート、塩化ビニル・酢酸ビニルコポ
リマー、ポリウレタン、セルロースアセテートブ
チレート、ポリビニルアルコール、線状ポリエス
テルなどような合成高分子物質などにより代表さ
れる結合剤を挙げることができる。このような結
合剤のなかで、特に好ましいものは、ニトロセル
ロース、線状ポリエステル、ポリアルキル(メ
タ)アクリレート、ニトロセルロースと線状ポリ
エステルとの混合物、およびニトロセルロースと
ポリアルキル(メタ)アクリレートとの混合物で
ある。 まず粒子状の上記輝尽性蛍光体と結合剤とを適
当な溶剤に加え、これを充分に混合して、結合剤
溶液中に輝尽性蛍光体が均一に分散した塗布液を
調製する。 塗布液調製用の溶剤の例としては、メタノー
ル、エタノール、n−プロパノール、n−ブタノ
ールなどの低級アルコール;メチレンクロライ
ド、エチレンクロライドなどの塩素原子含有炭化
水素;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイ
ソブチルケトンなどのケトン;酢酸メチル、酢酸
エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級アル
コールとのエステル;ジオキサン、エチレングリ
コールモノエチルエーテル、エチレングリコール
モノメチルエーテルなどのエーテル;そして、そ
れらの混合物を挙げることができる。 塗布液における結合剤と輝尽性蛍光体との混合
比は、目的とする放射線像変換パネルの特性、蛍
光体の種類などによつて異なるが、一般には結合
剤と蛍光体との混合比は、1:1乃至1:100(重
量比)の範囲から選ばれ、そして特に1:8乃至
1:40(重量比)の範囲から選ぶのが好ましい。 なお、塗布液には、該塗布液中における蛍光体
の分散性を向上させるための分散剤、また、形成
後の蛍光体層中における結合剤と蛍光体との間の
結合力を向上させるための可塑剤などの種々の添
加剤が混合されていてもよい。そのような目的に
用いられる分散剤の例としては、フタル酸、ステ
アリン酸、カプロン酸、親油性界面活性剤などを
挙げることができる。そして可塑剤の例として
は、燐酸トリフエニル、燐酸トリクレジル、燐酸
ジフエニルなどの燐酸エステル;フタル酸ジエチ
ル、フタル酸ジメトキシエチルなどのフタル酸エ
ステル;グリコール酸エチルフタリルエチル、グ
リコール酸ブチルフタリルブチルなどのグリコー
ル酸エステル;そして、トリエチレングリコール
とアジピン酸とのポリエステル、ジエチレングリ
コールとコハク酸とのポリエステルなどのポリエ
チレングリコールと脂肪族二塩基酸とのポリエス
テルなどを挙げることができる。 上記のようにして調製された蛍光体と結合剤と
を含有する塗布液を、次に、支持体の表面に均一
に塗布することにより塗布液の塗膜を形成する。
この塗布操作は、通常の塗布手段、たとえば、ド
クターブレード、ロールコーター、ナイフコータ
ーなどを用いることにより行なうことができる。 支持体としては、従来の放射線写真法における
増感紙(または増感スクリーン)の支持体として
用いられている各種の材料、あるいは放射線像変
換パネルの支持体として公知の材料から任意に選
ぶことができる。そのような材料の例としては、
セルロースアセテート、ポリエステル、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリアミド、ポリイミド、
トリアセテート、ポリカーボネートなどのプラス
チツク物質のフイルム、アルミニウム箔、アルミ
ニウム合金箔などの金属シート、通常の紙、バラ
イタ紙、レジンコート紙、二酸化チタンなどの顔
料を含有するピグメント紙、ポリビニルアルコー
ルなどをサイジングした紙などを挙げることがで
きる。 ただし、放射線像変換パネルの情報記録材料と
しての特性および取扱いなどを考慮した場合、本
発明において特に好ましい支持体の材料はプラス
チツクフイルムである。このプラスチツクフイル
ムにはカーボンブラツクなどの光吸収性物質が練
り込まれていてもよく、あるいは二酸化チタンな
どの光反射性物質が練り込まれていてもよい。前
者は高鮮鋭度タイプの放射線像変換パネルに適し
た支持体であり、後者は高感度タイプの放射線像
変換パネルに適した支持体である。 公知の放射線像変換パネルにおいて、支持体と
蛍光体層の結合を強化するため、あるいは放射線
像変換パネルとしての感度もしくは画質(鮮鋭
度、粒状性)を向上させるために、蛍光体層が設
けられる側の支持体表面にゼラチンなどの高分子
物質を塗布して接着性付与層としたり、あるいは
二酸化チタンなどの光反射性物質からなる光反射
層、もしくはカーボンブラツクなどの光吸収性物
質からなる光吸収層などを設けることが知られて
いる。本発明において用いられる支持体について
も、これらの各種の層を設けることができ、それ
らの構成は所望の放射線像変換パネルの目的、用
塗などに応じて任意に選択することができる。 さらに、特開昭58−200200号公報に開示されて
いるように、得られる画像の鮮鋭度を向上させる
目的で、支持体の蛍光体層側の表面(支持体の蛍
光体層側の表面に接着性付与層、光反射層あるい
は光吸収層などが設けられている場合には、その
表面を意味する)には微小の凹凸が形成されてい
てもよい。 上記のようにして支持体上に塗膜を形成したの
ち塗膜を乾燥して、支持体上への輝尽性蛍光体層
の形成を完了する。蛍光体層の層厚は、目的とす
る放射線像変換パネルの特性、蛍光体の種類、結
合剤と蛍光体との混合比などによつて異なるが、
通常は20μm乃至1mmとする。ただし、この層厚
は50乃至500μmとするのが好ましい。 また、輝尽性蛍光体層は、必ずしも上記のよう
に支持体上に塗布液を直接塗布して形成する必要
はなく、たとえば、別に、ガラス板、金属板、プ
ラスチツクシートなどのシート上に塗布液を塗布
し乾燥することにより蛍光体層を形成したのち、
これを、支持体上に押圧するか、あるいは接着剤
を用いるなどして支持体と蛍光体層とを結合して
もよい。 輝尽性蛍光体層は一層だけでもよいが、二層以
上を重層してもよい。重層する場合にはそのうち
の少なくとも一層が組成式()の二価ユーロピ
ウム賦活アルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光体
を含有する層であればよく、パネルの表面に近い
方に向つて順次放射線に対する発光効率が高くな
るように複数の蛍光体層を重層した構成にしても
よい。また、単層および重層のいずれの場合も、
上記蛍光体とともに公知の輝尽性蛍光体を併用す
ることができる。 そのような公知の輝尽性蛍光体の例としては、
前述の蛍光体ほかに、特開昭55−12142号公報に
記載されているZnS:Cu、Pb、BaO・xAl2O3
Eu(ただし、0.8≦x≦10)、および、M〓O・
xSiO2:A(ただし、M〓はMg、Ca、Sr、Zn、
Cd、またはBaであり、AはCe、Tb、Eu、Tm、
Pb、Tl、Bi、またはMnであり、xは0.5≦x≦
2.5である)、 特開昭55−12143号公報に記載されている
(Ba1-x-y、Mgx、Cay)FX:aEu2+(ただし、X
はClおよびBrのうちの少なくとも一つであり、
xおよびyは、0<x+y≦0.6、かつxy≠0で
あり、aは、10-6≦a≦5×10-2である)、およ
び、 特開昭55−12144号公報に記載されている
LnOX:xA(ただし、LnはLa、Y、Gd、および
Luのうちの少なくとも一つ、XはClおよびBrの
うちの少なくとも一つ、AはCeおよびTbのうち
の少なくとも一つ、そして、xは、0<x<0.1
である)、 などを挙げることができる。 通常の放射線像変換パネルにおいては、前述の
ように支持体に接する側とは反対側の蛍光体層の
表面に、蛍光体層を物理的および化学的に保護す
るための透明な保護膜が設けられている。このよ
うな透明保護膜は、本発明の放射線像変換パネル
についても設置することが好ましい。 透明保護膜は、たとえば、酢酸セルロース、ニ
トロセルロースなどのセルロース誘導体;あるい
はポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラ
ール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネー
ト、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル・酢酸ビニルコ
ポリマーなどの合成高分子物質のような透明な高
分子物質を適当な溶媒に溶解して調製した溶液を
蛍光体層の表面に塗布する方法により形成するこ
とができる。あるいは、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
アミドなどから別に形成した透明な薄膜を蛍光体
層の表面に適当な接着剤を用いて接着するなどの
方法によつても形成することができる。このよう
にして形成する透明保護膜の膜厚は、約0.1乃至
20μmとするのが望ましい。 以下に、本発明の実施例および比較例を記載す
る。ただし、これらの各例は本発明を制限するも
のではない。 実施例 1 臭化バリウム(BaBr2・2H2O)333.2g、塩化
バリウム(BaCl2・2H2O)244.3g、および臭化
ユーロピウム(EuBr3)0.783gを蒸留水(H2O)
800mlに添加し、混合して水溶液とした。この水
溶液を60℃で3時間減圧乾燥した後、さらに150
℃で3時間の真空乾燥を行なつた。 次に、得られた蛍光体原料混合物と二酸化ケイ
素(SiO2)0.12gを充分に混合した後アルミナル
ツボに充填し、これを高温電気炉に入れて焼成を
行なつた。焼成は、一酸化炭素を含む二酸化炭素
雰囲気中にて900℃の温度で1.5時間かけて行なつ
た。焼成が完了した後、焼成物を炉外に取り出し
て冷却した。このようにして粉末状の二酸化ケイ
素が含有された二価ユーロピウム賦活塩化臭化バ
リウム蛍光体(BaCl2・BaBr2・0.002SiO2
0.001Eu2+)を得た。 さらに、二酸化ケイ素の量をBaBl2・BaBr21
モルに対して0〜1.0モルの範囲で変化させるこ
とにより、二酸化ケイ素の含有量の異なる各種の
二価ユーロピウム賦活塩化臭化バリウム蛍光体
(BaCl2・BaBr2・bSiO2:0.001Eu2 +)を得た。 次に、実施例1で得られた各蛍光体に管電圧
80KVpのX線を照射した後半導体レーザー光
(780nm)で励起した時の輝尽発光の輝度を測定
した。その結果を第1図に示す。 第1図は、BaCl2・BaBr2・bSiO2:0.001Eu2+
における二酸化ケイ素の有量(b値)と輝尽発光
輝度との関係を示すグラフである。 第1図から明らかなように本発明に用いられる
BaCl2・BaBr2・bSiO2:0.001Eu2+蛍光体は、b
値が10-4≦b≦2×10-1の範囲にある場合に輝尽
発光の輝度が向上する。特に、b値が6×10-4
b≦10-1の範囲にある蛍光体は高輝度の輝尽発光
を示す。 実施例 2 実施例1で得られた粉末状の二酸化ケイ素が含
有された二価ユーロピウム賦活塩化臭化バリウム
蛍光体(BaCl2・BaBr2・0.002SiO2:0.001Eu2+
と線状ポリエステル樹脂との混合物にメチルエチ
ルケトンを添加し、さらに硝化度11.5%のニトロ
セルロースを添加して蛍光体を分散状態で含有す
る分散液を調製した。次に、この分散液に燐酸ト
リクレジル、n−ブタノールそしてメチルエチル
ケトンを添加したのち、プロペラミキサーを用い
て充分に撹拌混合して、蛍光体が均一に分散し、
かつ結合剤と蛍光体との混合比が1:10、粘度が
25〜35PS(25℃)の塗布液を調製した。 次に、ガラス板上に水平に置いた二酸化チタン
練り込みポリエチレンテレフタレートシート(支
持体、厚み:250μm)の上に塗布液をドクター
ブレードを用いて均一に塗布した。そして塗布後
に、塗膜が形成された支持体を乾燥器内に入れ、
この乾燥器の内部の温度を25℃から100℃に徐々
に上昇させて、塗膜の乾燥を行なつた。このよう
にして、支持体上に層厚が250μmの蛍光体層を
形成した。 そして、この蛍光体層の上にポリエチレンテレ
フタレートの透明フイルム(厚み:12μm、ポリ
エステル系接着剤が付与されているもの)を接着
剤層側を下に向けて置いて接着することにより、
透明保護膜を形成し、支持体、蛍光体層および透
明保護膜から構成された放射線像変換パネルを製
造した。 比較例 1 実施例1において、二酸化ケイ素を添加しない
こと以外は、実施例1の方法と同様の操作を行な
うことにより、二価ユーロピウム賦活塩化臭化バ
リウム蛍光体(BaCl2・BaBr2:0.001Eu2+)を得
た。 次に、この輝尽性蛍光体を用いること以外は実
施例2の方法と同様の処理を行なうことにより、
支持体、蛍光体層および透明保護膜から構成され
た放射線像変換パネルを製造した。 実施例2および比較例1で得られた各放射線像
変換パネルに、管電圧80KVpのX線を照射した
後、半導体レーザー光(780nm)で励起した時
のパネルの感度(輝尽発光輝度)を測定した。そ
の結果を第1表に示す。 【表】
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に用いられる蛍光体の具体例
であるBaCl2・BaBr2・bSiO2:0.001Eu2+蛍光体
におけるb値と輝尽発光輝度との関係を示すグラ
フである。第2図は、本発明の放射線像変換方法
を説明する概略図である。 11:放射線発生装置、12:被写体、13:
放射線像変換パネル、14:光源、15:光電変
換装置、16:画像再生装置、17:画像表示装
置、18:フイルター。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 被写体を透過した、あるいは被検体から発せ
    られた放射線を、下記組成式()で表わされる
    二価ユーロピウム賦活アルカリ土類金属ハロゲン
    化物系蛍光体に吸収させた後、この蛍光体に450
    〜1000nmの波長領域の電磁波を照射することに
    より、該蛍光体に蓄積されている放射線エネルギ
    ーを蛍光として放出させ、そしてこの蛍光を検出
    することを特徴とする放射線像変換方法。 組成式(): M〓X2・aM〓X′2・bSiO2:xEu2+ ……() (ただし、M〓はBa、SrおよびCaからなる群よ
    り選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属で
    あり;XおよびX′はいずれもCl、BrおよびIか
    らなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲン
    であつて、かつX≠X′であり;そしてaは0.1≦
    a≦10.0の範囲の数値であり、bは10-4≦b≦2
    ×10-1の範囲の数値であり、xは0<x≦0.2の
    範囲の数値である) 2 組成式()におけるaが0.3≦a≦3.3の範
    囲の数値であることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載の放射線像変換方法。 3 組成式()におけるbが6×10-4≦b≦
    10-1の範囲の数値であることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載の放射線像変換方法。 4 組成式()におけるM〓がBaであることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の放射線像
    変換方法。 5 組成式()におけるXおよびX′がそれぞ
    れ、ClおよびBrのいずれかであることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の放射線像変換方
    法。 6 組成式()におけるxが10-5≦x≦10-1
    範囲の数値であることを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載の放射線像変換方法。 7 上記電磁波が500〜850nmの波長領域の電磁
    波であることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載の放射線像変換方法。 8 上記電磁波がレーザー光であることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の放射線像変換方
    法。 9 支持体とこの支持体上に設けられた輝尽性蛍
    光体層とから実質的に構成された放射線像変換パ
    ネルにおいて、該輝尽性蛍光体層が、下記組成式
    ()で表わされる二価ユーロピウム賦活アルカ
    リ土類金属ハロゲン化物系蛍光体を含有すること
    を特徴とする放射線像変換パネル。 組成式(): M〓X2・aM〓X′2・bSiO2:xEu2+ ……() (ただし、M〓はBa、SrおよびCaからなる群よ
    り選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属で
    あり;XおよびX′はいずれもCl、BrおよびIか
    らなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲン
    であつて、かつX≠X′であり;そしてaは0.1≦
    a≦10.0の範囲の数値であり、bは10-4≦b≦2
    ×10-1の範囲の数値であり、xは0<x≦0.2の
    範囲の数値である) 10 組成式()におけるaが0.3≦a≦3.3の
    範囲の数値であることを特徴とする特許請求の範
    囲第9項記載の放射線像変換パネル。 11 組成式()におけるbが6×10-4≦b≦
    10-1の範囲の数値であることを特徴とする特許請
    求の範囲第9項記載の放射線像変換パネル。 12 組成式()におけるM〓がBaであること
    を特徴とする特許請求の範囲第9項記載の放射線
    像変換パネル。 13 組成式()におけるXおよびX′がそれ
    ぞれ、ClおよびBrのいずれかであることを特徴
    とする特許請求の範囲第9項記載の放射線像変換
    パネル。 14 組成式()におけるxが10-5≦x≦10-1
    の範囲の数値であることを特徴とする特許請求の
    範囲第9項記載の放射線像変換パネル。
JP8435984A 1984-04-26 1984-04-26 放射線像変換方法およびその方法に用いられる放射線像変換パネル Granted JPS60229000A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8435984A JPS60229000A (ja) 1984-04-26 1984-04-26 放射線像変換方法およびその方法に用いられる放射線像変換パネル
EP85105156A EP0159726B1 (en) 1984-04-26 1985-04-26 Phosphor, radiation image recording and reproducing method and radiation image storage panel
DE8585105156T DE3580932D1 (de) 1984-04-26 1985-04-26 Phosphore, verfahren zum speichern und zur wiedergabe eines strahlungsbildes und schirm zum speichern eines strahlungsbildes.
US07/240,457 US4876161A (en) 1984-04-26 1988-09-02 Phosphor and radiation image storage panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8435984A JPS60229000A (ja) 1984-04-26 1984-04-26 放射線像変換方法およびその方法に用いられる放射線像変換パネル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60229000A JPS60229000A (ja) 1985-11-14
JPH0214396B2 true JPH0214396B2 (ja) 1990-04-06

Family

ID=13828323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8435984A Granted JPS60229000A (ja) 1984-04-26 1984-04-26 放射線像変換方法およびその方法に用いられる放射線像変換パネル

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60229000A (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS60229000A (ja) 1985-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5198679A (en) Phosphor and image storage panel
JPS5975200A (ja) 放射線像変換方法およびその方法に用いられる放射線像変換パネル
JPH0214394B2 (ja)
US4780375A (en) Phosphor, and radiation image storage panel
US4999515A (en) Radiation image recording and reproducing method
JPH0475951B2 (ja)
JPH0475949B2 (ja)
US4876161A (en) Phosphor and radiation image storage panel
JPH0214393B2 (ja)
JPH0526838B2 (ja)
JPH0548276B2 (ja)
US4891277A (en) Phosphor, and radiation image storage panel
JPS6328955B2 (ja)
JPH0248596B2 (ja)
JPH0460515B2 (ja)
JPH0214395B2 (ja)
JPH0554639B2 (ja)
JPH0214396B2 (ja)
JPH0527675B2 (ja)
JPH0662948B2 (ja) 放射線像変換方法およびその方法に用いられる放射線像変換パネル
JPS6328953B2 (ja)
JPH0526836B2 (ja)
JPH0460151B2 (ja)
JPH0460513B2 (ja)
JPH0359950B2 (ja)