JPH021445B2 - - Google Patents

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JPH021445B2
JPH021445B2 JP58115027A JP11502783A JPH021445B2 JP H021445 B2 JPH021445 B2 JP H021445B2 JP 58115027 A JP58115027 A JP 58115027A JP 11502783 A JP11502783 A JP 11502783A JP H021445 B2 JPH021445 B2 JP H021445B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
transistor
current
bias
input
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP58115027A
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English (en)
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JPS609206A (ja
Inventor
Yoshiaki Sano
Yasuhide Katagase
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP58115027A priority Critical patent/JPS609206A/ja
Publication of JPS609206A publication Critical patent/JPS609206A/ja
Publication of JPH021445B2 publication Critical patent/JPH021445B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、バイアス回路に関し、特に2つ以上
の入力信号の内の1つを選択して増幅する回路に
用いられ、入力切換時のシヨツクノイズを除去す
ることを可能にしたバイアス回路に関する。
技術の背景 例えば、オートリバース機構を有するテープレ
コーダに於ては、2つのヘツドからの信号の一方
を選択して増幅する必要がある。このような2つ
のヘツドの切換は比較的信号レベルの低い回路段
で行なわれるため、切換時にシヨツクノイズを生
ずることが多く適切な手段によつてこのシヨツク
ノイズを除去することが必要とされる。
従来技術と問題点 第1図は、従来形の入力選択増幅回路の構成を
示す。同図の回路はトランジスタQ1,Q2,……,
Q11、定電流回路CS1,CS2,CS3、抵抗R1,R2
……,R12、トランジスタC1,C2,C3、ダイオー
ドD1,D2,D3、増幅器A1、切換スイツチSW1
によつて構成される。トランジスタQ1,Q2およ
びQ4,Q5はそれぞれエミツタが共通接続され差
動回路を構成する。トランジスタQ1,Q2および
Q4,Q5の共通エミツタはそれぞれトランジスタ
Q3およびQ6を介して定電流回路CS1に接続されて
いる。トランジスタQ1およびQ5のコレクタは共
通接続され負荷回路を構成する定電流回路CS2
介して電源Vccに接続されると共に、増幅器A1
の入力端子に接続されている。トランジスタ
Q11、ツエナーダイオードD3および抵抗R11,R12
はバイアス電圧作成回路を構成し、該回路によつ
て作成されたバイアス電圧が抵抗R1およびR2
介してそれぞれ各差動回路のトランジスタQ1
よびQ5のベースに印加されている。抵抗R3,R4
およびコンデンサC3は第1図の増幅回路のゲイ
ンおよび周波数特性等を規定するフイードバツク
回路を構成する。なお、抵抗R4はトランジスタ
Q2およびQ4のベースバイアス電圧を印加する作
用をも果たしている。トランジスタQ7,Q8,Q9
Q10等は入力切換のための切換信号を発生する回
路を構成している。
第1図の回路において、切換スイツチSW1がオ
フの場合には、定電流回路CS3からトランジスタ
Q10のベースに電流が供給され該トランジスタ
Q10がオンとなる。したがつて、トランジスタQ7
のベース電圧がトランジスタQ8のベース電圧よ
りも小さくなり、トランジスタQ7がオフ、トラ
ンジスタQ8がオンとなる。したがつて、トラン
ジスタQ7のコレクタ電圧が高レベル、トランジ
スタQ8のコレクタ電圧が低レベルとなり、トラ
ンジスタQ3がオン、トランジスタQ6がオフとな
る。これにより、トランジスタQ1およびQ2の共
通エミツタが定電流回路CS1に接続され、入力端
子IN1からの信号がトランジスタQ1およびQ2によ
つて構成される差動回路および増幅器A1によつ
て増幅されて出力端子OUTから出力される。こ
れに対して、切換スイツチSW1がオンの時には、
トランジスタQ10がオフとなり、トランジスタQ7
がオン、トランジスタQ8がオフとなる。したが
つて、トランジスタQ7のコレクタ電圧が低レベ
ル、トランジスタQ8のコレクタ電圧が高レベル
となり、トランジスタQ3がオフ、トランジスタ
Q6がオンとなる。したがつて、トランジスタQ4
およびQ5の共通エミツタが定電流回路CS1に接続
され、入力端子IN2から入力された信号がトラン
ジスタQ4およびQ5によつて構成される差動回路
および増幅器A1によつて増幅されて出力端子
OUTから出力される。このようにして、第1図
の回路においては、切換スイツチSW1をオンまた
はオフとすることにより2つの入力端子IN1およ
びIN2のうちいずれか一方に印加される信号を選
択的に増幅することが可能になる。
ところが、第1図の回路においては、各入力ト
ランジスタQ1およびQ5のベースバイアス電流IB
は、それぞれ高抵抗のバイアス抵抗R1およびR2
を介して供給されている。したがつて、切換スイ
ツチSW1によつて入力切換を行なう場合に各入力
トランジスタQ1およびQ5のベース電位がそれぞ
れR1×IBおよびR2×IBだけ変動する。このため、
第1図の従来形の回路においては、入力切換時に
各入力トランジスタQ1およびQ5のベースにパル
ス電圧が発生し、耳障りなシヨツクノイズを発生
するという不都合があつた。
発明の目的 本発明の目的は、前述の従来形における問題点
に鑑み、複数の入力信号のうちの1つを選択増幅
する入力選択増幅回路のバイアス回路において、
入力トランジスタのバイアス電流をカレントミラ
ー回路を用いて供給するという構想に基づき、入
力切換時にベース電位が変動することを防止し、
耳障りなシヨツクノイズの発生を防止することに
ある。
発明の構成 そしてこの目的は、本発明によれば、2組以上
の入力差動回路段、各入力差動回路段に共通の定
電流回路、および各入力差動回路段の共通エミツ
タ部と該定電流回路との間にそれぞれ接続された
スイツチングトランジスタを具備し、いずれかの
組のスイツチングトランジスタをオンとして該組
の入力差動回路段を動作させることにより入力切
換を行なう入力選択増幅回路のバイアス回路であ
つて、該バイアス回路は各入力差動回路段ごとに
対応スイツチングトランジスタのベース電流を供
給する第1のカレントミラー回路および該第1の
カレントミラー回路を流れる電流を基準とし、当
該入力差動回路段のトランジスタのベースバイア
ス電流を供給する第2のカレントミラー回路を具
備することを特徴とするバイアス回路を提供する
ことによつて達成される。
発明の実施例 以下、図面により本発明の実施例を説明する。
第2図は、本発明の1実施例に係わるバイアス
回路を備えた入力選択増幅回路の構成を示す。同
図の回路は、第1図の回路に、さらに、入力トラ
ンジスタQ1およびQ5のベースバイアス電流を供
給するためのカレントミラー回路を付加したもの
である。すなわち、トランジスタQ12およびQ13
で構成されるカレントミラー回路とトランジスタ
Q14およびQ15で構成されるカレントミラー回路
とによりトランジスタQ1のベースバイアス電流IB
を供給し、トランジスタQ16およびQ17で構成さ
れるカレントミラー回路とトランジスタQ18およ
びQ19によつて構成されるカレントミラー回路に
よつてトランジスタQ5のベース電流IBを供給して
いる。そして、トランジスタQ11、ツエナーダイ
オードD3および抵抗R11,R12によつて構成され
るバイアス電圧発生回路はそれぞれ抵抗R1およ
びR2を介して各トランジスタQ1およびQ5にベー
スバイアス電圧のみを供給するものであり、各バ
イアス抵抗R1およびR2には直流電流は流れない。
その他の部分は第1図の回路と同じであり、同一
部分には同一参照符号が付されている。
第2図の回路においては、切換スイツチSW1
オフの場合にはトランジスタQ10がオン、トラン
ジスタQ7がオフとなり、電源Vcc2から抵抗R6
よびトランジスタQ14を介してトランジスタQ3
ベースに電流が流れ込む。また、電源Vccからト
ランジスタQ13およびトランジスタQ15を介して
トランジスタQ3のベースに電流が流れ込む。こ
れによりトランジスタQ3が導通し、トランジス
タQ1およびQ2を含む差動回路が動作して入力端
子IN1からの信号が該差動回路および増幅器A1
よつて増幅され出力端子OUTから出力される。
この時、トランジスタQ8はオンとなつておりそ
のコレクタ電圧は低レベルであるから、トランジ
スタQ19、したがつてトランジスタQ18がカツト
オフし、トランジスタQ6がカツトオフ状態とな
つている。また、この場合トランジスタQ1のベ
ース電流IBは電源VccからトランジスタQ12を介
して供給されている。逆に、切換スイツチSW1
オンの場合にはトランジスタQ10がカツトオフす
るためトランジスタQ7がオン、トランジスタQ8
がオフとなる。そのため、トランジスタQ18およ
びQ19を介してトランジスタQ6にベース電流が供
給され、該トランジスタQ6がオンとなる。これ
により、トランジスタQ4およびQ5を含む差動回
路が動作し、入力端子IN2からの信号が選択増幅
されて出力端子OUTから出力される。
ところで、第2図の回路においてQ1ないしQ6
の電流増幅率をhFEとすると切換スイツチSW1
オフとしてトランジスタQ1およびQ2を含む差動
回路が能動状態となつている場合は、トランジス
タQ3のベース電流はほぼIo/hFEとなる。ここで
Ioは定電流回路CS1によつて定められる電流であ
り、定電流回路CS2によつて定められる電流I1
ほぼ2倍の値に設定される。そして、トランジス
タQ14およびQ15がカレントミラー回路を構成し
ているため、トランジスタQ15のコレクタには
Io/2hFEの電流が流れ、この電流がトランジスタ
Q13にも流れる。トランジスタQ12およびQ13もカ
レントミラー回路を構成しているため、トランジ
スタQ12のコレクタにも同じ電流Io/2hFEが流れ
る。また、トランジスタQ1のベース電流IBはIB
Io/2×(1/hFE)=Io/2hFEとなり、トランジ
スタQ12のコレクタ電流と等しくなる。したがつ
て、トランジスタQ1のベースバイアス電流はす
べてトランジスタQ12から供給され、バイアス抵
抗R1には直流電流には流れない。
切換スイツチSW1をオンとした場合には、上述
と同様の動作がトランジスタQ4,Q5,Q6および
トランジスタQ16ないしQ19について行なわれ、
トランジスタQ5のベースバイアス電流はすべて
トランジスタQ17から供給され、バイアス抵抗R2
には直流電流は流れない。
すなわち、第2図の回路においては、切換スイ
ツチSW1の状態如何に係わらずバイアス抵抗R1
およびR2に電流が流れないため各トランジスタ
Q1およびQ5のベース電位が切換スイツチSW1
切換前後で変動することがなく、切換時にパルス
電圧、したがつてシヨツクノイズが発生すること
はない。
なお、上述においては各カレントミラー回路の
電流比は1対1であるものとして説明を行なつた
が、各トランジスタQ1およびQ5のバイアス電流
を供給できさえすれば各カレントミラーの電流比
は他の値に設定することも可能である。
発明の効果 以上述べたように、本発明によれば、従来形の
回路にカレントミラー回路等を追加するのみでよ
く、簡単な回路構成により入力切換時におけるパ
ルス電圧の発生、したがつてシヨツクノイズの発
生を的確に防止することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来形のバイアス回路を含む入力選択
増幅回路の構成を示す電気回路図、そして第2図
は本発明の1実施例に係わるバイアス回路を含む
入力選択増幅回路の構成を示す電気回路図であ
る。 Q1,Q2,……,Q19:トランジスタ、CS1
CS2,CS3:定電流回路、D1,D2,D3:ダイオー
ド、A1:増幅器、C1,C2,C3:コンデンサ、
R1,R2,……,R:抵抗、SW1:切換スイツチ、
Vcc,Vcc2:電源。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 複数組の入力差動回路段、各入力差動回路段
    に共通の定電流回路、および各入力差動回路段の
    共通エミツタ部と該定電流回路との間にそれぞれ
    接続されたスイツチングトランジスタを具備し、
    いずれかの組のスイツチングトランジスタをオン
    として該組の入力差動回路段を動作させることに
    より入力切換を行なう入力選択増幅回路のバイア
    ス回路であつて、該バイアス回路は各入力差動回
    路段ごとに対応スイツチングトランジスタのベー
    ス電流を供給する第1のカレントミラー回路およ
    び該第1のカレントミラー回路を流れる電流を基
    準とし、当該入力差動回路段のトランジスタのベ
    ースバイアス電流を供給する第2のカレントミラ
    ー回路を具備することを特徴とするバイアス回
    路。
JP58115027A 1983-06-28 1983-06-28 バイアス回路 Granted JPS609206A (ja)

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JPS609206A JPS609206A (ja) 1985-01-18
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