JPH02147664A - ナフタロシアニン誘導体及びその製造法並びにそれを用いた光学記録媒体及びその光学記録媒体の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規なナフタロシアニン誘導体及びその製造
法並びにそれを用いた光学的情報記録媒体及びその光学
的情報記録媒体の製造方法に関する。 〔従来の技術〕 近年、コンパクトディスク、ビデオディスク。 液晶表示装置、光学文字読取機等における書込みあるい
は、読取りのためかつ電子写真用光源として半導体レー
ザ光を利用することが提案されている。半導体レーザ光
による書込み又は、読取りのためには、半導体レーザ光
すなわち近赤外光を吸収できる物質が不可欠である。 近赤外光を吸収する有機色素としては、従来、シアニン
色素がよく知られており、またオキシムやチオールの金
属錯体、アミノ化されたキノン誘導体も近赤外光を吸収
する色素として知られている〔有機合成化学協会誌、４
３巻、３３４頁（Ｉ９８５年）２色材協会誌、５３巻、
１９７頁（Ｉ９８０年）２色材協会誌、５８巻、２２０
頁（Ｉ９８５年）〕。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、シアニン色素は射光堅牢性が極めて低い
ので、これを使用する場合には、多（の制約を受けざる
を得ない。また、オキシムやチオールの金属錯体も、あ
る種の媒体中では、錯体から金属が脱離して、近赤外光
の吸収能力が消失する欠点がある。アミノ化されたキノ
ン誘導体は、近赤外光を吸収する能力が極めて低い問題
がある。 一方、これらの問題点を克服できる材料として、最近ナ
フタロシアニン誘導体が知られているが、従来の無置換
金属ナフタロシアニン（ラニーナル・オブシェ・キミ（
Ｚｈｕｒｎａｌ　０ｂｓｈｃｈｅｉ　Ｋｈｉｍｉｉ）　
。 第３９巻第２５５４頁、１９６９年９モル・クリスト・
リフ・クリスト（Ｍｏ　Ｑ　、Ｃｒｙｓｔ、Ｌｉｑ、　
Ｃｒｙｓｔ、）第１１２巻第３４５頁、１９８４年〕は
、有機溶媒に不溶であるために、精製が極めて困償であ
る。 また、最近、有機溶媒に可溶なナフタロシアニン誘導体
の合成が報告されている（特開昭６０＝２３４５１号公
報、特開昭６０−１８４５６５号公報、特開昭６１−２
１５６６２号公報、特開昭６１−２１５６６３号公報）
が、これらのナフタロシアニン誘導体は、その吸収が溶
媒の種類、ａ度、温度等により大きく変化し、高濃度の
溶液中あるいは固体膜とした場合には、吸収スペクトル
がブロードニングするため特定波長の半導体レーザ光を
吸収する能力が極めて低下してしまうだけでなく、光デ
ィスクにおいて記録された情報の読み出しに反射光を用
いる場合に重要な反射率が、半導体レーザ領域（７８０
−８３０ｎｍ）で非常に低いという問題点があった。 〔課題を解決するための手段〕 〔式中、　ｋ、ｌ、ｍ及びｎは０〜４の整数を示し。 同一でも相違してもよくかつに＋Ｑ＋ｍ＋ｎ１Ｊｉ１以
上の整数であり、Ｒ１はアルキル基、置換基を有するア
ルキル基又はアリール基を示し、（ｋ＋１１＋ｍ＋ｎ）
個のＲ１は同一でも相違してもよく。 ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎを示し、Ｙはノ１０ゲン原子、
ヒドロキシル基、アリールオキシル基、アルコキシル基
、トリアルキルシロキシル基、ト！ノアノールシロキシ
ル基、トリアルコキシシロキシル基、トリアリールオキ
シシロキシル基、トＩＪチルオキシル基又はアシロキシ
ル基を示し、２個のＹは同一でも相違してもよい〕で表
わされるナフタロシアニン誘導体に関する。 一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体は、
芳香族系、ハロゲン系、エーテル系、ケトン系及び飽和
炭化水素系溶媒に可溶であり、容易に精製し純度を向上
できる。また、７８０〜８３０ｎｍの半導体レーザ領域
において、溶液中は勿論、固体膜やポリママトリックス
中におし１でも半値幅の狭い吸収スペクトルを示すため
、特定波長の半導体レーザ光を吸収する能力に著しく優
れている。さらに、光ディスクにおいて記録された情報
の読出しに重要な反射率が高い値を示す。 上記芳香族系溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリメチル
ベンゼン、１−クロロナフタレン。 キノリン等があり、上記ハロゲン系溶媒としてＩ；１１
．、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、トリク
ロロエタン等があり、上記エーテル系溶媒としては、ジ
エチルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモ
ノメチルエーテル。 ジエチレングリコールジメチルエーテル等があり、ケト
ン系溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メ
チルプロピルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサ
ノン、アセトンアルコール等があり、飽和炭化水素系溶
媒としては、ヘキサン。 ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ド
デカン等がある。 前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１のアルキル基の例とし
ては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、　５ｅｃ
−プロピル基、ｎ−ブチル基、　５ｅｅ−ブチル基、ｔ
−ブチル基、ｎ−アミル基、ｔ−アミ）し ≠基、２−７ミル基、３−アミル基、ヘキシル基。 ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基。 テトラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、エ
イコシル基、トコシル基、シクロプロピル基、シクロブ
チル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロ
へブチル基、シクロオクチル基、３−メチルシクロヘキ
シル基、４−メチルシル等があげられ、置換基を有する
アルキル基の例としては、エステル基を有するアルキル
基、アミド基を有するアルキル基、ヒドロキシル基を有
するアルキル基、アラルキル基、アルコキシアルキル基
、ハロアルキル基等があり、アリール基としては、フェ
ニル基、トリル基、アニシル基、ハロフェニル基等があ
る。 前記一般式（Ｉ）において１Ｍとしては、Ｓｉ。 Ｇｅ及びＳｎがあげられ、Ｙとしては、ヒドロキシル基
、ハロゲン原子として塩素原子、臭素原子。 ヨウ素原子があり、アリールオキシル基としてフェノキ
ジル基、トリチルオキシル基、アシロキシル基等があり
、アルコキシル基としては、アミロキシル基、ヘキシロ
キシル基、オクチロキシル基、デシロキシル基、ドデシ
ロキシル基、テトラゾシロキシル基、ヘキサデシロキシ
ル基、オクタデシロキシル基、エイコシロキシル基、ト
コシロキシル基等があり、トリアルキルシロキシル基と
しては、トリメチルシロキシル基、トリエチルキシル基
としては、トリフェニルシロキシル基。 ドリアニシルシロキシル基、トリトリルシロキシル基等
があり、トリアルコキシシロキシル基としては、トリメ
トキシシロキシル基、トリエトキシシロキシル基、トリ
プロポキシシロキシル基、トリへブトキシシロキシル基
等があり、トリアリールオキシシロキシル基としては、
トリフエノキシシロキシル基、トリアニシロキシシロキ
シル基。 トリトリルオキシシロキシル基等があり、アシロキシル
基としては、アセトキシル基、プロピオニルオキシル基
、ブチリルオキシル基、バレリルオキシル基、ピバロイ
ルオキ〉Ｋ、ヘキサノイルオキシル基、オクタノイルオ
キシル基等がある。 これらのアルキル基の形状及び長さは、前記−般式（Ｉ
）で表わされるナフタロシアニン誘導体の有機溶媒に対
する溶解度だけでなく、化合物の融点、ポリマとの相溶
性さらにはこの化合物を東独又はポリマと共に有機溶媒
に溶かし、その溶液を適当な基板上にスピンコードして
形成した非晶質膜の吸収スペクトル、透過スペクトル及
び反射スペク１〜ルに大きな影響を及ぼす。 特に中心金属Ｍに結合した置換基Ｙのアルキル基の長さ
及び形状は、スピンコード膜のスペクトルに大きな影響
を与える。したがって、使用するレーザーの発振波長に
合わせてＹのアルキル基の長さ及び形状を変化させるこ
とができる。 一方、Ｒ１のアルキル基の長さ及び形状は、）〕「述の
Ｙのアルキル基の長さ及び形状を変化させたときのこの
化合物の有機溶媒に対する溶解度及び融点を調節するた
めの機能を有する。 たとえば、Ｙがトリアルキルシロキシル基の場合、その
アルキル基の長さは、スピンコード膜のスペクトルに大
きく影響を与え、アルキル鎖長が短いほど、極大吸収、
極小透過率及び極大反射率は、それぞれ大きく長波長シ
フトする。したがって、使用半導体レーザーに対して極
大反射率の点で特に好ましいものを、トリアルキルシロ
キシル基のアルキル基の長さを変化させることで得られ
、Ｒ１はナフタロシアニン誘導体の溶解度及び融点が最
適となるように適当に選択することができる。 前記一般式（Ｉ）においてＭがＳｉ又は、Ｇｅであるナ
フタロシアニン誘導体が好ましい。 前記一般式（Ｉ）においてｋ、ｌ、ｍ及びｎが全て１で
あるナフタロシアニン誘導体が好ましい。 前記一般式（Ｉ）において２個のＹがトリアルキルシロ
キシル基であるナフタロシアニン誘導体が好ましい。 前記一般式（Ｉ）においてＲ１が全て炭素数１〜２２個
のアルキル基であるナフタロシアニン誘導体が好ましい
。 前記一般式（Ｉ）においてＲ１が全て置換店を有するア
ルキル基であるナフタロシアニン誘導体が好ましい。 本発明に係るナフタロシアニン誘導体の具体例を次に示
す。 （Ｃ，Ｈ，）Ｏ□Ｓ （Ｃ，ｏ１１□、）Ｏ２Ｓ ＳＯｘ（Ｃ＋Ｈ＊Ｊ ＳＯ２（Ｃ工。Ｈ２□） （Ｃｔ。１１□□）Ｏ□Ｓ ＳＯ□（Ｃ４ｏ　Ｈ２□） （Ｃ４Ｈ９）Ｏ□５ Ｓ０２（Ｃ４Ｈ９） （Ｃ工。Ｈ２□）Ｏ□Ｓ ”：５（Ｊｚ　（シｘ。＋１２□〕 本願筒２の発明は、一般式（ＩＩ） （ＳＯ□Ｒ’）ｍ 〔式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎはＯ〜４の整数を示し。 基又はアリールオキシル基である〕で表わされるシラノ
ール、一般式（Ｖ） Ｒ’ＯＨ（Ｖ） 〔ただし、式中Ｒ４は、アルキル基又はアリール基であ
る〕で表わされるアルコール又は一般式％式％（） 〔ただし、式中Ｒ５は、アルキル基、又はハロゲン原子
、ヒドロキシル基又はアシロキシル基である〕で表わさ
れる化合物と反応させることを特徴とする一般式（＋） す。〕で表わされるナフタロシアニン誘導体を一般式（
ＩＩＩ） （Ｒ２）３Ｓ　ｉ　ＣＱ　　　　　　　　　　　（ＩＩ
Ｉ）で表わされるクロロシラン、一般式（ＩＶ）（Ｒ３
）、　Ｓ　ｉ　ＯＨ（ＩＶ） 〔ただし１式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）中、Ｒ２及びＲ３
は。 それぞれアルキル基、アリール基、アルコキシル（ＳＯ
□Ｒ１）ｍ 〔式中、ｋ、Ｒ，ｍ及びｎは０〜４の整数を示し。 同一でも相違してもよくかつに＋ｆｌ＋ｍ＋ｎが１以上
の整数であり、■？、１　はアルキル基、置換基を有す
るアルキル基又はアリール基を示し、（ｋ＋Ｑ十ｍ＋ｎ
）個の１り１　は同−一でも相違してもよく。 ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎを示し、Ｙはアリールオキシル
基、アルコキシル基、トリアルキルシロキシル基、トリ
アリールシロキシル基、１へリアルコキシシロキシル基
、トリアリールオキシシロキシル基、トリチルオキシル
基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一でも相違
してもよい〕で表わされるナフタロシアニン誘導体の製
造法に関する。 一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体は、
一般式（ｎ）で表わされる化合物と過剰の一般式（■）
、一般式（■）、一般式（Ｖ）又は一般式（ＶＩ）で表
わされる化合物とを加熱反応させることにより得ること
ができる。この場合。 反応温度は８０〜２５０℃が好ましく、反応時間は３０
分〜１０時間が好ましい。この反応は、溶媒なしで反応
させるか、あるいは溶媒として、ベンゼン、トルエン、
キシレン、トリメチルベンゼン、クロロベンゼン、ジク
ロロベンゼン、トリクロロベンゼン、１−クロロナフタ
レン、テトラリン、ピリジン、β−ピコリン、キノリン
等を使用し、必要に応じてトリエチルアミン、トリプロ
ピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、
トリヘキシルアミン等の脂肪族アミン存在下行うのが好
ましい。 一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体の反
応混合物からの単離・精製は、反応混合物をクロマトグ
ラフィー法により分離した後、再結晶法により精製する
などの方法によって行うことができる。 一般式（ＩＩ）で表わされるナフタロシアニン誘めには
、ピリジン／水、ピリジン／アンモニア水。 メタノール／アンモニア水、エタノール／アンモニア水
、プロパツール／アンモニア水などの混合溶媒中で反応
させるのが好ましい。 一般式（ＶＩＩ）で表わされるナフタロシアニン誘導体
は、一般式（ＩＸ） （Ｓｏ２Ｒ’）ｍ 〔式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎはＯ〜４の整数を示し、同一
でも相違してもよくかつに−）Ｑ＋ｍ＋ｎが１以上の整
数であり、Ｒ１はアルキル基、＠換基を有するアルキル
基又はアリール基を示し、（ｋ＋１２＋ｍ＋ｎ）個のＲ
′は同一でも相違してもよく、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎ
を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、２個のＸは同一でも
相違してもよい〕で表わされるナフタロシアニン誘導体
を加熱上加水分解反応をさせることにより得ることがで
きる。 この場合、反応温度は５０〜１５０℃が好ましく、反応
時間は３０分〜ｌＯ時間が好ましい。このた〔ただし、
式中Ｒ１は、同一でも相違してもよいアルキル基、置換
基を有するアルキル基又はアリール基であり、ｎは１〜
４の整数である〕で表わされる１、３−ジイミノベンゾ
（ｆ）イソインドリン誘導体又は一般式＜Ｘ＞ （ただし、式中Ｒ１は、同一でも相違してもよいアルキ
ル基、置換基を有するアルキル基又はアリール基であり
、ｎは１〜４の整数である〕で表わされる２、３−ジシ
アノナフタレン誘導体１モルに対して一般式（Ｘ［） ＭＸ、　　　　　　　　　　　　　　　　（ＸＩ）〔た
だし、式中Ｘはハロゲン原子及びｐは金属ＭへのＸの結
合数を示す正の整数であり、ＭはＳｉ。 Ｇｅ又はＳｎを示す〕で表わされる金属ハロゲン化物を
０．１〜１　モルの比で共存させ加熱反応させることに
より得ることができる。この場合、反応温度はせ＝±＃
鴫℃が好ましく、反応時間は３０分〜１０時間が好まし
い、この反応は、溶媒なしで反応させてもよいし、また
溶媒として尿素。 テトラリン、キノリン、１−クロロナフタレン。 １−ブロモナフタレン、トリメチルベンゼン、ジクロロ
ベンゼン、トリクロロベンゼン等を使用してもよい、ま
た、この反応は、アミン類の存在下行うのが好ましく、
使用するアミンとしては、トリエチルアミン、トリプロ
ピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、
トリへキシルアミン等がある。上記金属ハロゲン化物と
しては、５ｉＣＱ４．ＳｉＢｒ４．Ｓｉ　Ｔ４．ＧｅＣ
Ｑ４゜ＧｅＢｒ４，５ｎＣＱ２．Ｓｎｌ、等がある。 一般式（ＩＸ）で表わされる１、３−ジイミノベンゾ（
ｆ）イソインドリンは、一般式（Ｘ）で表わされる２、
３−ジシアノナフタレン誘導体をメタノール中、触媒と
してナトリウムメトキシド存在下アンモニアガスを吹き
込みながら１〜１０時間加熱還流することによって得る
ことができる。 一般式（Ｘ）で表わされる２、３−ジシアノナフタレン
誘導体は、一般式（Ｘｌｌ） 〔ただし、式中Ｒ１は、同一でも相違してもよいアルキ
ル基、置換基を有するアルキル基又はアリールであり、
　ｆｌは　　　　　　　　　　　１〜４の整数である〕
で表わされる化合物を酸化剤により酸化することにより
得ることができる。酸化剤としては、過酸化水素が最も
適当であるが、これ過酸化オクタノイル、過酸化シクロ
ヘキサノン。 過酸化イソブチル、過酸化２，４−ジクロロベンゾイル
、過酸化メチルエチルケトン、オゾン、過マンガン酸カ
リウム、クロ１１酸、メタ過ヨウ′Ａｖ（ただし式中Ｒ
１は、同一でも相違してもよいアルキル基、置換基を有
するアルキル基又はアリール基を示し、ｎは１〜４の整
数を表わす）で表わされる０−キシレン誘導体と式（Ｘ
ＩＶ）の反応の溶媒としては酢酸などの有機酸、アルコ
ール、芳香族系溶媒、ハロゲン系溶媒を単一または混合
溶媒として使用することができる。反応温度は、０〜１
５０℃が好ましく、反応時間は０．５〜１０時間が好ま
しい。 一般式（刈）で表わされる２、３−ジシアノナフタレン
誘導体は、主に次の２つの方法により製造することがで
きる。 すなわち、その一つは、一般式（ｘｍ）り で表わされるＮ−ブロモこはく酸イミドとを、加熱丁光
照射させて得られる一般式（ＸＶ）（ただし式中Ｒ１は
、同一でも相違してもよいアルキル基２首換基を有する
アルキル基又はアリール基であり、ｎは１〜４の整数を
表わす）で表わされる化合物を、式　（ＸＶＩ） で表わされるフマロニトリルと加熱上反応させて一般式
（Ｘｌりで表わされる２、３−ジシアノナフタレン誘導
体を合成する方法である。 一般に、一般式（Ｘｌｌｌ）で表わされる。０−キシレ
ン誘導体と式（ＸＩＶ）で表わされるＮ−ブロモこはく
酸イミドとの反応は、０−キシレン誘導体０．２ｍｏＱ
　　とＮ−ブロモこはく酸イミド０　、８　＋ａｏ　Ｑ
を高圧水銀灯照射下、光照射に対し２て不活性な溶媒中
で、４〜１２時間加熱還流することにより行うことがで
きる。反応は、光反応開始剤として、ラジカル発生剤で
ある過酸化物を添加する必要がある。 過酸化物としては、過酸化ベンゾイル、過酸化オクタノ
イル、過酸化シクロヘキサノン、過酸化イソブチリル、
過酸化２，４−ジクロロベンゾイル。 過酸化メチルエチルケトンなどが挙げられ、通常、溶媒
５００　ｒｎ　Ｑに対して５００■〜２ｇの範囲で使用
される。また光照射に対して不活性な溶媒としては、ク
ロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン系溶媒、または
、ベンゼン、クロロベンゼンなどの芳香族系溶媒から適
宜選択される。 また、次の一般式（ＸＶ）で表わされる化合物と式（Ｘ
ＶＩ）で表わされるフマロニトリルとの反応は、般式（
ＸＶ）で表わされる化合物１　ｍｏ　Ｑに対して、式（
ＸＶＩＸ’表わされるフマロニトリルを１〜２ＩＩｌＯ
Ｑ　　の比で共存させ、反応温度は、７０℃〜１００℃
が好ましく、反応時間は、５〜］、０時間が好ましい。 溶媒としては、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド。 Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド
、Ｎ、Ｎ−ジエチルホルムアミド、　Ｎ、　Ｎ−ジエチ
ルアセトアミド等の極性有機溶媒が好ましい。 他の一つは、一般式０■） （ただし、式中ｎは１〜４の整数を表わす）で表Ｃｕ５
Ｒ’　　　　　　　　　　　　　（Ｘ■）〔ただし、式
中Ｒ１はアルキル基、置換基を有するアルキル基又はア
リール基である〕で表わされる銅（Ｉ）チオレートと加
熱上置換反応させることにより得ることができる。この
場合、反応温度は８０〜２５０℃が好ましく、反応時間
は、１〜３０時間が好ましい。また、この反応の溶媒と
しては、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベ
ンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン。 １−リクロロベンゼン、１−タロロナフタレン、テトラ
リン、ピリジン、β−ピコリン、キノリン等を単一また
は、混合溶媒として用いることができる。 一般式（ｘｙＩＩ）で表わされるブロモ−２，３−ジシ
アノナフタレンは、例えばラニーナル・オルガニヘスコ
・キミ（Ｚｈｕｒｎａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃｈｅｓｋｏｉ
　Ｋｈｉｍｉｉ）。 第７巻３６９頁、１９７１年に記載された方法を参考に
して合成することができる。 （ＳＲ”）ｍ 〔式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは０〜４の整数を示し、同一
でも相違してもよくかっに＋Ｒ＋ｍ＋ｎが１以上の整数
であり、Ｒ１はアルキル基、置換基を有するアルキル基
又はアリール基を示し、（ｋ＋Ｑ　＋　ｍ　＋　ｎ　）
個のＲ１は同一でも相違してもよく、ＭはＳｉ、Ｇｅ又
はＳｎを示し、Ｙはハロゲン原子、ヒドロキシル基、ア
リールオキシル基、アルコキシル基、トリアルキルシロ
キシル基、トリアリールシロキシル基、トリアルコキシ
シロキシル基、トリアリールオキシシロキシル基、トリ
チルオキシル基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは
同一でも相違してもよい〕で表わされるナフタロシアニ
ン誘導体を酸化剤で酸化することを特徴とする一般式（
Ｉ） ％式％） 〔式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは０〜４の整数を示し、同一
でも相違してもよくかつに十Ｑ＋ｍ＋ｎが１以上の整数
であり、Ｒ１はアルキル基、置換基を有するアルキル基
又はアリール基を示し、（ｋ＋Ｑ　＋　ｍ　＋　ｎ　）
個のＲ”　は同一でも相違してもよく。 ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎを示し、Ｙはハロゲン原子、ヒ
ドロキシル基、アリールオキシル基、アルコキシル基、
トリアルキルシロキシル基、ドリアリールシロキシル基
、トリアルコキシシロキシル基、１−リアリールオキシ
シロキシル基、トリチルオキシル基又はアシロキシル基
を示し、２個のＹは同一でも相違してもよい〕で表わさ
れるナフタロシアニン誘導体の製造法に関する。 一般式（Ｉ）で表わされる金属テトラ（アルキルスルホ
ニル）ナフタロシアニン誘導体は、一般式（ＶＵ　）で
表わされる化合物を酸化剤により酸化することにより得
ることができる。酸化剤としては、過酸化水素が最も適
当であるが、これに限定されるものではなく、過酸化ベ
ンゾイル、過酸化オクタノイル、過酸化シクロヘキサノ
ン、過酸化イソブチル、過酸化２，４−ジクロロベンゾ
イル。 過酸化メチルエチルケトン、オゾン、過マンガンどの酸
化剤も使用可能である。また、この反応の溶媒としては
酢酸などの有機酸、アルコール、芳香族系溶媒、ハロゲ
ン系溶媒を単一または混合溶媒として使用することがで
きる。反応温度は、０〜】５０℃が好ましく１反応時間
はＱ　、　５〜］、　０時間が好ましい。 一般式（ＶＩＩ）で表わされるナフタロシアニン誘導体
は、主に次に記述するＡとＢの２つの方法により製造す
ることができる。 （ＳＲ１）ｍ 〔式中、ｋ、ｆｌ、ｍ及びｎはＯ〜４の整数を示し、同
一でも相違してもよくかつに＋ｆｆ＋ｍ＋ｎが１以上の
整数であり、Ｒ１はアルキル基、置換基を有するアルキ
ル基又はアリール基を示し、（ｋ＋ｎ　＋　ｍ　＋　ｎ
　）個のＲ１は同一でも相違してもよく、ＭはＳｉ、Ｇ
ｅ又はＳｎを示す〕で表わされるナフタロシアニン誘導
体を過剰の一般式（ＩＩＩ）（Ｒ”）、　Ｓ　ｉ　ＣＱ
　　　　　　　　（ＩＩＩ）で表わされるクロロシラン
、一般式（ＩＶ）（Ｒ’）、　Ｓ　ｉ　ＯＨ（ＩＶ） 〔ただし、式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）中、Ｒ２及びＲ３
はそれぞれアルキル基、アリール基、アルコキシル基又
はアリールオキシル基である〕で表わされるシラノール
、一般式（Ｖ） Ｒ’ＯＨ（Ｖ） 〔ただし、式中Ｒ“は、アルキル基又はアリール基であ
る〕で表わされるアルコール又は一般式％式％（） 〔ただし、式中Ｒ５はアルキル基、Ｘはハロゲン原子、
ヒドロキシル基又はアシロキシル基である〕で表わされ
る化合物と加熱反応させることにより得ることができる
。この場合、反応温度は８０〜２５０℃が好ましく１反
応時間は３０分〜１０時間が好ましい９この反応は、溶
媒なしで反応させるか、あるいは溶媒として、ベンゼン
、トルエン。 キシレン、トリメチルベンゼン、クロロベンゼン。 ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、１−クロロナ
フタレン、テトラリン、ピリジン、β−ピコリン、キノ
リン等を使用し、必要に応じてトリエチルアミン、トリ
プロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミ
ン、トリヘキシルアミン等の脂肪族アミン存在下行うの
が好ましい。 一般式α■）で表わされるナフタロシアニン誘導体は、
一般式　（ＸＸ） 同一でも相違してもよくかつに＋Ｑ＋ｍ＋ｎが１以上の
整数であり、Ｒ１はアルキル基、置換基を有するアルキ
ル基又はアリール基を示し、（ｋ＋Ｑ十ｍ＋ｎ）個のＲ
１は同一でも相違してもよく、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎ
を示し、又はハロゲン原子を示し、２個の又は同一でも
相違してもよい〕で表わされるナフタロシアニン誘導体
を加熱上加水分解反応をさせることにより得ることがで
きる。 この場合、反応温度は５０〜１５０℃が好ましく、反応
時間は３０分〜１０時間が好ましい。このためには、ピ
リジン／水、ピリジン／アンモニア水。 メタノール／アンモニア水、エタノール／アンモニア水
、プロパツール／アンモニア水などの混合溶媒中で反応
させるのが好ましい。 一般式（ＸＸ）で表わされるナフタロシアニン誘導体は
、一般式（ＸＸＩ） （ＳＲ１）ｒｎ 〔式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは０〜４の整数を示し、〔た
だし１式中Ｒ１は、同一でも相違してもよいアルキル基
、置換基を有するアルキル基又はアリール基であり、ｎ
は１−４の整数である〕で表わされる１、３−ジイミノ
ベンゾ（ｆ）イソインドリン誘導体又は一般式（Ｘｌｌ
） 〔ただし１式中Ｒ１は、同一でも相違してもよいアルキ
ル基、置換基を有するアルキル基又はアリール基であり
、ｎは１４４の整数である〕で表わされる２、３−ジシ
アノナフタレン誘導体１モルに対して一般式（夏） ＭＸ、　　　　　　　　　　　　　　　（ＸＩ）〔ただ
し、式中Ｘはハロゲン原子及びｐは金属ＭへのＸの結合
数を示す正の整数であり、ＭはＳｉ。 Ｇｅ又はＳｎを示す〕で表わされる金属ハロゲン化物を
０．１〜１モルの比で共存させ加熱反応させることによ
り得ることができる。この場合、反応温度は１５０〜３
００℃が好ましく、反応時間は３０分〜１０時間が好ま
しい。この反応は、溶媒なしで反応させてもよいし、ま
た溶媒として尿素、テトラリン、キノリン、１−クロロ
ナフタレン、１−ブロモナフタレン、［・リメチルベン
ゼン。 ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等を使用しても
よい。また、この反応は、アミン類の存在下行うのが好
ましく、使用するアミンとしては、ト・リエチルアミン
、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチ
ルアミン、トリヘキシルアミン等がある。上記金属ハロ
ゲン化物としては、Ｓ　ｉｃｌ、、Ｓ　ｉ　Ｂ　ｒ、、
Ｓ　ｉ　Ｉ４．ＧｅＣＱ４゜ＧｅＢｒ４，５ｎＣＱ２．
ＳｎＩ２等がある。 一般式（ｘｘｒ）で表わされる１、３−ジイミノベンゾ
［ｆ）イソインドリンは、一般式（Ｘｌｌ）で表わされ
る２、３−ジシアノナフタレン誘導体をメタノール中、
触媒としてナトリウムメトキシド存在下アンモニアガス
を吹き込みながら１〜１０時間加熱還流することによっ
て得ることができる。 Ｂの合成方法は、一般式（ＸＸＩり 〔式中、ｋ、Ｒ，ｍ及びｎはＯ〜４の整数を示し。 同一でも相違してもよくかつｋ　＋　Ｑ　＋　ｍ　＋　
ｎが１以上の整数であり、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎを示
し、Ｙはアリールオキシル基、アルコキシル基。 トリアルキルシロキシル基、トリアリールシロキシル基
、トリアルコキシシロキシル基、トリアリールオキシシ
ロキシル基、トリチルオキシル基又はアシロキシル括を
示し、２個のＹは同一でも相違していてもよい。〕で表
わされるナフタロシアニン誘導体を、過剰の一般式（′
ＡｒｙＪ）ＣｕＳＲ”　　　　　　　　　　　　（罵）
〔ただし５式中Ｒ１はアルキル基、置換法を有するアル
キル基又はアリール基である。〕で表わされる銅（Ｉ）
チオレートと加熱上置換反応させることにより得る方法
である。この場合、反応温度は８０〜２５０′Ｃが好ま
しく、反応時間は、１〜３０時間が好ましい。また、こ
の反応の溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン
、トリメチルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベン
ゼン。 １ヘリクロロベンゼン、１−クロロナフタレン、テトラ
リン、ピリジン、β−ピコリン、キノリン等を単一また
は、混合溶媒として用いることができる。 一般式（Ｉ）においてＲ１が相違する置換基であるナフ
タロシアニン誘導体を得る場合は、相違する置換基に対
応する置換基を有する数種の一般式（ｘｘ狙）で表オ）
される銅（Ｉ）チオレートと反応させることが必要であ
る。 一般式（ＸＸＤ）で表わされるナフタロシアニン誘導体
は、一般式（ＸＸＩＩＩ） 〔式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎはＯ〜４の整数を示し。 同一でも相違してもよくかつｋ　＋　Ｑ　十ｍ　＋　ｎ
が１以上の整数であり、ＭｌｉＳ　ｉ　、　Ｇ　ｅ又は
Ｓｎを示す〕で表わされるナフタロシアニン誘導体を過
剰の一般式（ＩＩＩ） （Ｒ”　）３　Ｓ　ｉＣＱ　　　　　　　　　　　（Ｉ
ＩＩ　）で表わされるクロロシラン、一般式（ＩＶ）（
Ｒ３）、　Ｓ　ｉ　ＯＨ（ＩＶ） 〔ただし、式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）中、Ｒ２及びＲ’
　はそれぞれアルキル基、アリール基、アルコキシル躯
又はアリールオキシル基である〕で表わされるシラノー
ル、一般式（Ｖ） Ｒ’ＯＨ（Ｖ） 〔ただし、式中Ｒ４は、アルキル基又はアリール基であ
る〕で表わされるアルコール又は一般式％式％（） 〔ただし１式中Ｒ５はアルキル基、Ｘはハロゲン原子、
ヒドロキシル基又はアシロキシル基である〕で表わされ
る化合物と加熱反応させることにより得ることができる
。この場合、反応温度は８０〜２５０℃が好ましく、反
応時間は３０分〜１０時間が好ましい。この反応は、溶
媒なしで反応させるか、あるいは溶媒として、ベンゼン
、トルエン。 キシレン、トリメチルベンゼン、クロロベンゼン。 ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、１−グロ口ナ
フタレン、テトラリン、ピリジン、β−ピコリン、キノ
リン等を使用し、必要に応じてトリエチルアミン、トリ
プロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミ
ン、トリヘキシルアミン等の脂肪族アミン存在下行うの
が好ましい。 導体の反応混合物からの単離・精製は、反応混合物をク
ロマトグラフィー法により分離した後、再結晶法により
精製するなどの方法によって行うことができる。 一般式（ＸＸＩＩＩ）で表わされるナフタロシアニン誘
導体は、一般式（ＶＩＩ） し、Ｘはハロゲン原子を示し、２個のＸは同一でも相違
してもよい〕で表わされるナフタロシアニン誘導体を室
温下１〜１０時間濃硫酸中で処理した後、濃アンモニア
水中で３０分〜１０時間還流するか、または、ピリジン
／水、ピリジン／アンモニア水、メタノール／アンモニ
ア水、エタノール／アンモニア水、プロパツール／アン
モニア水中で３０分〜１０時間加熱還流することによっ
て得ることができる。 一般式（ＸＸＩＶ）で表わされるナフタロシアニン誘導
体は、一般式（ＸＸＶ） （Ｂｒ）ｍ 〔式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎはＯ〜４の整数を示し、同一
でも相違してもよくかつに−ＩＱ＋ｍ＋ｎが１以上の整
数であり１ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎを示〔ただし、式中
ｎは、１〜４の整数を表わす〕で表わされるブロモ−１
，３−ジイミノベンゾ（ｆ）イソインドリン１モルに対
して一般式（ＸＩ）Ｍ　Ｘ、　　　　　　　　　　　　
　　　　（Ｘ［）〔ただし１式中Ｘはハロゲン原子を表
わし、ｐは、金属ＭへのＸの結合数を表わす正の整数で
あり、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳ　ｎを示す〕で表わされる
金属ハロゲン化物を０．１〜１　モルの比で共存させて
加熱反応させて得ることができる。この場合、反応温度
は１５０〜３００℃が好ましく、反応時間は３０分−１
０時間が好ましい。この反応は、溶媒なしで反応させて
もよいし、また溶媒として尿素、テトラリン、キノリン
、１−タロロナフタレン、１−ブロモナフタレン、トリ
メチルベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼ
ン等を使用してもよい。また、この反応は、アミン類の
存在下行うのが好ましく、使用するアミンとしては、ト
リエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミ
ン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン等がある
。上記金属ハロゲン化物としては、　Ｓ　Ｉ　ＣＱ４１
　Ｓ　Ｉ　Ｂ　ｒ　４　ｒ　Ｓ　Ｉ　Ｉ　４１　Ｇ　ｅ
　ＣＱ４　＊ＧｅＢｒ、、、５ｎＣＱ２．Ｓｎ　Ｉ２等
がある。 一般式（ＸＸＶ）で表わされるブロモ−１，３−ジイミ
ノベンゾ（ｆ）イソインドリンは、一般式〔ただし、式
中ｎは、１〜４の整数を表わす〕で表わされるブロモ−
２，３−ジシアノナフタレンをメタノール中触媒として
ナトリウムメトキシド存在下アンモニアガスを吹き込み
ながら１〜１０時間加熱還流することによって得ること
ができる。 本願筒４の発明は、一般式（Ｉ） （５０２Ｒ”　）　ｍ 〔式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは０〜４の整数を示し。 同一でも相違してもよくかつに十α十ｍ＋ｎが１以上の
整数であり、Ｒ１はアルキル基、置換基を有するアルキ
ル基又はアリール基を示し、（ｋ＋１ｉ！十ｍ＋ｎ）個
のＲ１は同一でも相違してもよく。 ＭはＳｉ、Ｏｅ又はＳｎを示し、Ｙはハロゲン原子、ヒ
ドロキン兵、アリールオキシル基、アルコキシル基、ト
リアルキルシロキシル基、トリアリールシロキシル基、
トリアルコキシシロキシル基。 トリアリールオキシシロキシル基、トリチルオキシル基
又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一でも相違し
てもよい〕で表わされるナフタロシアニン誘導体を主成
分とする記録膜層が形成されていることを特徴とする光
学記録媒体に関する。 本発明に係る光学記録媒体は、基板上に本発明の一般式
（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体を主成分と
する記録層を設けたものであるが必要に応じて下地層や
保護層などの他の層を設けることができる。 使用される基板材料は、当業者には既知のものであり、
使用されるレーザー光に対して透明または不透明のいず
れでもよい。しかし、基板側からレーザー光で書き込み
、読出しを行う場合は、そのレーザー光に対して透明で
なければならない。 一方、基板と反対側すなわち記録層側から書き込み、読
み出しを行う場合は、使用するレーザー光に対して透明
である必要はない。基板材料としては、ガラス、石英、
マイカ、セラミック、板状または箔状の金属などの無機
材料のほか１紙、ポリカーボネート、ボサエステル、酢
酸セルロース。 ニトロセルロース、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リ塩化ビニル、塩化ビニリデン共重合体。 ポリアミド、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート
及びメチルメタクリレート共重合体等の有機高分子材料
の板が挙げられるが、これらに限定されない。記録時に
熱損失が少なく、感度をあげるという意味で低熱伝導率
の有機高分子からなる支持体が望ましく、基板には必要
に応じて凹凸で形成される案内溝を設けても良い。 また、基板には必要に応じて下地膜を設けてもよい。 前記一般式（Ｉ）においてＭが、Ｓｊ又はＧｅであるナ
フタロシアニン誘導体を主成分とする記録膜層が形成さ
れている光学記録媒体体が好ましい。 前記一般式（Ｉ）においてｋ、ｌ、ｍ及びｎが全て１で
あるナフタロシアニン誘導体を主成分とする記録膜層が
形成されている光学記録媒体が好ましい。 前記一般式（Ｉ）において２個のＹがトリアルキルシロ
キシル基であるナフタロシアニン誘導体を主成分とする
記録膜層が形成されている光学記録媒体が好ましい。 前記一般式（Ｉ）においてＲ１が全て炭素数１〜２２個
のアルキル基であるナフタロシアニン誘導体を主成分と
する記録膜層が形成されている光学記録媒体が好ましい
。 前記一般式（Ｉ）においてＲ１が全て置換基を有するア
ルキル基であるナフタロシアニン誘導体を主成分とする
記録膜層が形成されている光学記録媒体が好ましい。 本願第５の発明は、一般式（Ｉ） （ＳＯ，Ｒ’）ｍ 〔式中、ｋ、ｊ）、ｍ及びｎはＯ〜４の整数を示し、同
一でも相違してもよくかつに＋１２＋ｍ＋ｎが１以上の
整数であり、Ｒ１はアルキル基、置換基を有するアルキ
ル基又はアリール基を示し、（ｋ＋ｎ　−ｔ−ｍ　＋　
ｎ　）個のＲ１は同一でも相違してもよく、ＭはＳｉ、
Ｇｅ又はＳｎを示し、Ｙはハロゲン原子、ヒドロキＡ、
アリールオキシル基、アルコキシル基、トリアルキルシ
ロキシル基、トリアリールシロキシル基、トリアルコキ
シシロキシル基。 トリアリールオキシシロキシル基、トリチルオキシル基
又はアシロキシル基を示し、　２１１ＮのＹは同一でも
相違してもよい〕で表わされるナフタロシアニン誘導体
を主として有機溶媒に溶解した溶液を用いて基板表面に
記録膜層を形成することを特徴とする光学記録媒体の製
造方法に関する。 上記有機溶媒としては、一般式（Ｉ）で表わされるナフ
タロシアニン誘導体を溶解する前記芳香族系、ハロゲン
系、エーテル系、ケトン系及び飽和炭化水素系等の溶媒
の中から選択され、単一でも混合された溶媒でもよい。 ただし、使用する基板を侵さない溶媒を用いるのが好ま
しい。 一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体を有
機溶媒に溶解した溶液を用いた記録膜層の形成方法とし
ては、塗布法、印刷法、浸漬法がある。具体的には、色
素を、上記溶媒に溶解し、スプレー、ローラーコーティ
ング、スピンコーティング、ディッピングで行う。なお
、記録膜層形成時に、必要に応じてポリマーバインダー
等の結着材。 安定剤等を添加することもできる。バインダーとしては
、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂
、アクリル樹脂等を挙げることができるが、これらに限
定されない。 該記録層材料は、単独あるいは２種以上の組み合わせで
用いられ、２種以上の組み合わせの場合は、積層構造で
も、混合された単一層構造でもよい。積層構造を形成す
る他の層としては、該記録の範囲が好ましく、特に１０
０〜５０００人の範囲が好ましい。 また、形成された記録像を光学的に再生する時、反射光
を利用することが多い。この場合にはコントラストを高
める有効な方法として、基板側から書き込み、読み出し
を行う場合は基板と反対側の記録層の表面に、高い反射
率を示す金属層を設けることもでき、基板と反対側すな
わち記録層側から書き込み、読み出しを行う場合は、基
板と記録層の間に高い反射率を示す金属層を設けること
もできる。この高反射率の金属としては、ＡＱ。 Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎなどが用いられる。これらの膜
は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ蒸着などの公
知の薄膜形成技術で形成することができ、その膜厚は１
００〜１００００人の範囲で選ばれる。 ただし、該ナフタロシアニン誘導体は、それ自身の反射
率が高く、金属反射層を設ける必要はない。 また、基板自身の表面平滑性が問題になるときは、基板
上に有機高分子の均一な膜を設けるとよい。これらのポ
リマーとしては、ポリエステル。 ポリ塩化ビニルなどの市販のポリマーが適用可能である
。 さらに、最外層に保護層を設け、これにより安定性、保
護性を増し、さらに１表面反射率の低減による感度増加
を目的とする層を設けることもできる。このような保護
層に用いられる材料とじては、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リ塩化ビニル、塩化リ ビニリデンとアクリロニトリル共重合体、ポサ酢酸ビニ
ル、ポリイミド、ポリメチルメタクリレ−１−、ポリス
チレン、ポリイソプレン、ポリブタジェン、ポリウレタ
ン、ポリビニルブチラール、フッ素ゴム、ポリエステル
、エポキシ樹脂、シリコーン構脂、酢酸セルロースなど
がある。これらは、単独でまたはブレンドとして用いら
れる。保護層にシリコーンオイル、帯電防止剤、架橋剤
などを存在させることは、膜性能の強化の点で好ましい
。 また、保護層を２層に重ねることもできる。上述した保
護層用の材料は、適当な溶剤に溶解して塗布するか、薄
いフィルムとしてラミネートする方法が適用可能である
。このような保護層の膜厚は０．１〜１０μｍの厚みに
設けるが、好ましくは０．１〜２μｍで用いられる。 〔実施例〕 次に５本発明の実施例を示すが、本発明は、何らこれら
に限定されるものではない。 合成例１ 〔６−ブロモ−２，３−ジシアノナフタレンの合成〕 ３．４−ビス（ジブロモメチル）ブロモベンゼン１００
．２ｇ（０，２ｍｏｕ）、フマロニトリル２７ｇ（０，
３４６ｍｏＱ）の無水Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド８
００ｍＱ溶液に、よくかくはんしながらヨウ化ナトリウ
ム２００　ｇ　（０，６７ｍｏＱ）を加え、窒素雰囲気
下約７５℃で約７時間かくはんした。反応後、反応混合
物を約４ｋｇの氷中へ注ぎ出した。赤かっ色水溶液が淡
黄色になるまで徐々に亜硫酸水素ナトリウムを加え、わ
ずかに過剰量亜硫酸水素ナトリウムを加え、しばらくか
くはんした後、室温下−晩装置した。析出した淡黄色固
体を吸引ろ過し充分に水、次にメタノールで洗浄した。 淡黄色固体をアセトン／エタノールから再結晶すること
によって無色針状晶が３３ｇ得られた。 この結晶は、下記の分析結果から６−ブロモ−２゜３−
ジシアノナフタレンであることを確認した。 （Ｉ）融点　２５４．５−２５５．５℃（２）元素分析
値； ＣＨＮ　　　　　　Ｂｒ 計算値（％）　　５６．０６　１．９６　１０．９０　
３１．０８分析値（％）　　５５，９９　１．６７　１
０．８７　３０．７４（３）ＮＭＲスペクトル値：ＣＤ
Ｃｌ、溶媒（ＮＭＲスペクトルを第１図に示す） δ値　ｇ、３４　（Ｉ　Ｈ，ｓ　） ８．２７（ＬＨ，ｓ） ８．１７　（ＬＨ，ｂ　ｒ−ｓ） ７．８８　（２Ｈ，ｒｎ） （４］ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第２図に示す。 合成例２ 〔６−ブロモ−１，３−ジイミノベンゾ（ｆ）イソイン
ドリンの合成〕 窒素雰囲気下、Ｍ水メタノール２７０ｍＱに金属ナトリ
ウム１．９２ｇ（８４ｍｍｏＱ）を５回に分けて加えて
調整したナトリウムメトキシド−メタノール溶液に６−
ブロモ−２，３−ジシアノナフタレン４４．１ｇ　（０
，１７２ｍａｌｌ）を加え、よくかくはんしながら室温
下、無水アンモニアガスを約１時間ゆっくりとバブルし
た。無水アンモニアガスをバブルしながら約３時間還流
した。冷却後、析出した黄色固体をろ過しメタノールで
充分に洗浄し、減圧乾燥すると６−ブロモ−１，３−ジ
イミノベンゾ（ｆ）イソインドリンが黄色固体として４
５ｇ得られた。この６−ブロモ−１，３−ジイミノベン
ゾ（ｆ）イソインドリンのＩＲスペクトルを第３図に示
す。６−ブロモ−１，３−ジイミノベンゾ［ｆ）イソイ
ンドリンは、これ以−Ｌ精製せずに次の反応に用いた。 合成例３ 〔ジクロロシリコン−テトラブロモナフタロシアニン（
一般式（ｘｘｒｖ）　　：ただしＭはＳｉ、Ｘは塩素原
子であり、ｎは１である）の合成〕窒素雰囲気下、６−
ブロモ−１，３−ジイミノベンゾ（ｆ）イソインドリン
２２．５ｇ　（８１，８＋ｎｍｏＱ）の無水テトラリン
１１０ｍＱ懸濁液に無水トリー１１−ブチルアミン５４
ｍｆｌを加え、次いで四塩化ケイｉ１４，４ｍＱ（０，
１２６ｍｏＱ）を加えて約３時間還流した。冷却後メタ
ノール７００ｍ　Ｑを加え一晩放置した。赤かっ色反応
混合物をろ過しメタノールで充分に洗浄後、減圧乾燥す
ると１緑色の固体としてジクロロシリコン−テトラブロ
モナフタロシアニン（一般式（ｘｘｒｖ）　　：ただし
ＭはＳｉ、Ｘは塩素原子であり、ｎは１である）が約２
０ｇ得られた。このジクロロシリコン−テトラブロモナ
フタロシアニンは、これ以上精製せずに次の反応に用い
た。ジクロロシリコン−テトラブロモナフタロシアニン
のＩＲスペクトルを第４図に示す。電子スペクトルを第
５図に示す。 合成例４ 〔ジヒドロキシシリコン−テトラブロモナフタロシアニ
ン（一般式（ＸＸＩＩＩ）　　：ただり、ＭはＳｌ、ｎ
は１である）の合成〕 ジクロロシリコン−テトラブロモナフタロシアニン９．
７ｇ　（８，６ｍｍｏｌを濃硫酸２５０ｍＲ中に加え、
約２時間かくはんした。反応混合物を氷約８００ｇ中に
注ぎ一晩放置した。析出した沈殿をろ過し、水次いでメ
タノールで充分に洗浄した後、この沈殿を濃アンモニア
水１８０ｍｌ、中で約１時間還流した。放冷後、吸引ろ
過し、水、メタノール次いでアセトンで充分に洗浄し減
圧ＩＡ、燥すると、濃緑色固体としてジヒドロキシシリ
コン−テトラブロモナフタロシアニン（一般式（ｘｘｍ
）：ただしＭはＳｉ、ｎは１である）が８．７ｇ得られ
た。このジヒドロキシシリコン−テトラブロモナフタロ
シアニンは、これ以」１精製せずに次の反応に用いた。 ジヒドロキシシリコン−テトラブロモナフタロシアニン
ＩＲスペクトルを第６図に示す。電子スペクトルを第７
図に示す。 合成例５ 〔ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラブロモ
ナフタロシアニン（一般式（ｘｘｎ）　　：ただしＭは
Ｓｉ、ｎは」であり、Ｙはトリエチルシロキシル基であ
る）の合成〕 ジヒドロキシシリコンーテ１へラブロモナフタロシアニ
ン２．８２ｇ　（２，６ｍｍｏＱ）のキノリン１００ｍ
＋２懸濁液にトリエチルシラノール１０ｍＱ　　（６５
ｍｍｏＱ＞を加え、約３時間還流した。 冷却後、反応混合物をエタノール／水（Ｉ／ｌ）５ｏｏ
ｍｌ、中へ注ぎ、よくかきまぜた後−晩装置した。析出
した沈殿をろ過しメタノール、次いでクロロホルムで充
分に洗浄した。得られた結晶をソックスレー抽出法でク
ロロホルムを用いて洗浄したところ濃緑色結晶が２．１
ｇ得られた。この濃緑色結晶は、下記の分析結果よりビ
ス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラブロモナフ
タロシアニン（一般式（ｘｘｎ）：ただしＭはＳｉ、ｎ
は１であり、Ｙはトリエチルシロキシル基である）であ
ることを確認した。 （Ｉ）融点　３００℃以上 （２）元素分析値： ＣＩ（Ｎ　　　　　Ｂｒ 計算値（％）　　５４．６４　３．８２　８．５０　２
４．２３分析値（％）　　”５４．１８　３．６２　　
ｇ、８１　２３．９４（３）ＮＭＲスペク１−ル値：Ｃ
ＤＣＱｓδ値　１０．０７　（４Ｈ，ｂ　ｒ　−５）１
０、ｏｏ−（４Ｈ、ｂ　ｒ　−ｓ　）８．８３　　（４
Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ８．５４　　（４Ｈ、ｄｄ、Ｊ　＝８．８５，３．０５
Ｈｚ　）８．０１　　（４Ｈ，ｄ　、　　Ｊ　＝８．８
５Ｈｚ）−１，０４（Ｉ８Ｈ，ｔ　、　　Ｊ　＝７．３
２Ｈｚ）−２，０５（Ｉ２Ｈ，ｑ、Ｊ＝７．３２Ｈｚ）
（４）電子スペクトル（ＣＨＣＱ　３溶液）を第８図に
示す。 （５）ＩＲスペク１ヘル（ＫＢｒ法）を第９図に示す。 合成例６ 〔ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テト
ラブロモナフタロシアニン（一般式（ＸＸＩＩ）：ただ
しＭはＳｉ、ｎは１であり、Ｙはトリーｎ−プロピルシ
ロキシル基である）の合成〕ジヒドロキシシリコンーテ
トラブロモナフタロシアン２．８２ｇ　（２，６ｍ＋ｕ
ｏＱ）の無水β−ピコリン２８０ｍ氾）鵠濁液に窒素雰
囲気下、ｖ：水トリーｎ−ブチルアミン８ｍＲ（３３，
６ｍｍｏＱ）ついで１〜リーｎ−プロピルクロロシラン
７．２＋ｎＱ中へ注ぎ、よくかきまぜた後−晩装置した
。析出した沈殿をろ過し水で洗浄した。熱クロロホルム
を用いてこの沈殿のうち溶けるものだけ溶かし出し、ク
ロロホルム溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカ
ゲル−力うムグロマトグラフイーにより精製し、さらに
クロロホルムから再結晶することにより濃緑色結晶が０
．８２　ｇ　得られた。この濃緑色結晶は、下記の分析
結果よりビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン
−テトラブロモナフタロシアニン（一般式（ＸＸ［ｌ）
　：ただしＭはＳｉ、ｎは１であり、Ｙはトリーｎ−プ
ロピルシロキシル基である）であることを確認した。 （Ｉ）融点　３００’Ｃ以１ユ （２）元素分析値： ＣＨＮ　　　　　Ｂｒ 計算値（％）　　５６，５０　４，４５　７．９９　２
２．７８分析値（％）　　５６．２８　４．３９　８．
０４　２２．４５（３）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲス
ペクトルを第１０図に示す）：ＣＤＣＲ３ δ値　１０．０８　（４）−■、　ｂ　ｒ−ｓ）１０．
０１　（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ８．８２　（４−Ｈ，ｂ　ｒ　−ｓ） ８．５４　（４Ｈ、ｄｄ、　Ｊ　＝８．８５．３．０５
Ｈｚ　）８．００　（４Ｈ、ｄ　、　Ｊ　＝８．８５Ｈ
ｚ　）−０，２９（Ｉ８Ｈ、ｔ　、　Ｊ　＝７．１７１
−（ｚ　）−０，９０（Ｉ２Ｈ，５ｅｘｔｅｔ−１ｉｋ
ｅ　　ｍ）−２，０８（Ｉ２Ｈ，ｔ　−１ｉｋｅ　　ｍ
）（４）電子スペクトル（ＣＨＣＱａ溶液）を第１１図
に示す。 （５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第１２図に示す。 合成例７ 〔ビス（トリーローブチルシロキシ）シリコン−テトラ
ブロモナフタロシアニン（一般式（ＸＸＩＩ）：ただし
ＭはＳｉ、ｎは１であり、Ｙはトリーｎ−ブチルシロキ
シル基である）の合成〕ジヒドロキシシリコンーテトラ
ブロモナフタロシアニン２．８２ｇ　（２，６ｍｍｏＱ
）の無水β−ピコリン２８０ｍＱ懸濁液に無水トリーロ
ーブチルアミン８ｍＲ（３３，６ｍｍｏＱ）ついでトリ
ーローブチルクロロシラン８．８ｍＱ　　（３２，８ｍ
ｍｏＱ）を加え、約２時間還流した。放冷後、反応混合
物を合成例６と同様に処理し、クロロホルムから再結晶
することによって濃緑色結晶を０．７５　　ｇ得た。こ
の濃緑色結晶は下記の分析結果よりビスＳ１、Ｉ】は１
であり、Ｙはトリーｎ−ブチルシロキシル基である）で
あることを確認した。 （Ｉ）融点　３００℃以北 （２）元素分析値： ＣＨＮ　　　　　Ｂｒ 計算値（％）　　５８．１４　５，０２　７．５３　２
１．４９分析値（％）　　５８．３６　５．１１　７．
５１　２１．０：３（３）ＮＭＲスペクト、ル値（ＮＭ
Ｒスペクトルを第１３図に示す）：ＣＤＣＱａ δ値　１０，０９　（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）１０．０２　
（４Ｈ，ｂ　ｒ　−ｓ　）８．８５　（４ＨＨｂ　ｒ　
−ｓ　） ８．５５　（４Ｈ、ｄｄ、　Ｊ　＝８．８５．３．０５
Ｈｚ　）８．０１　（４Ｈ，ｄ　、　Ｊ　＝８．８５Ｈ
ｚ　）０．０２　（３０Ｈ，ｍ） −０，９９（Ｉ２Ｈ，５ｅｘｔｅｔ−１ｉｋｅ　　　　
ｍ）−２，０７（Ｉ２）ｉ、　　ｔ　−１ｉｋｅ　　ｍ
）（４）電子スペクトル（ＣＨＣＱ　ａ溶液）を第１４
図に示す。 （５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第１５図に示す。 合成例８ 〔ビス（トリーｎ−へキシルシロキシ）シリコン−テト
ラブロモナフタロシアニン（一般式（ＸＸＩＩ）：ただ
しＭはＳｉ、１〕は１であり、Ｙは［・リ−ｆ１−へキ
シルシロキシル基である）の合成〕ジヒドロキシシリコ
ンーテトラブロモナフタロシアニン２．８２ｇ　（２，
６ｍｎ＋ｏＱ）の無水β−ピコリン２８０　ｍ　Ｑ　Ｉ
ｔ濁液に無水１へり−ｎ−ブチルアミン８ｍＱ　（３３
，６ｍｍｏｌｌ））ついでトリー■−へキシルクロロシ
ラン１２ｍＱ　（３２，８ｍ＋ｎｏ＋２）を加え、約２
時間還流した。放冷後、反応混合物を合成例６と同様に
処理し、ヘキサン／クロロポルｌいから再結晶すること
によって濃緑色結晶を０．７８　ｇ　得た。この１緑色
結晶は、下記の分析結果よりビス（トリーｎ−へキシル
シロキシ）シリコン−テトラブロモナフタロシアニン（
一般式（ＸＸ１１戸ただしＭはＳｉ、ｎは１であり、Ｙ
は１−リ−ｎ−へキシルシロキシル基である）であるこ
とを確認した。 （Ｉ）融点　２９８〜３００℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ　　　　　　Ｂｒ 計算値（％）　　６０．９４　５．９７　６．７７　１
９．３０分析値（％）　　６０，７７　５．７］　　６
．６５　１９．０２（３）ＮＭＲスペクトル値（Ｎ　Ｍ
　Ｒスペクトルを第１６図に示す）：ＣＤＣＱａ δ値　１０．０６　（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）１０．００　
（４Ｈ，ｂ　ｒ　−ｓ　）８．８３　（４Ｈ，ｂｒ　−
ｓ　） ８．５３　（４Ｈ、ｄｄ、　Ｊ　＝８．８５．２．４４
Ｈｚ　）７．９９　（４Ｈ，ｄｄ、　Ｊ　＝８．８５Ｈ
ｚ　）０．６３　（Ｉ２Ｈ，５ｅｘｔｅｔ、Ｊ　−４，
３２Ｈｚ）０．４５　（Ｉ８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３２Ｈｚ
）０．２２　（Ｉ２Ｈ、ｑｕｉｎｔｅｔ、　Ｊ　＝７．
３２Ｈｚ　）０．０５　　（Ｉ２Ｈ、ｑｕｉｎｔｅｔ、
　　、Ｊ　　＝７，３２ＨＺ　　）−１，０２（Ｉ２Ｈ
，ｑｕｉｎｔｅｔ−１ｉｋｅ　　ｍ）−２，１０（Ｉ２
Ｈ，ｔ　−１ｉｋｅ　　ｍ）（４）電子スペクトル（Ｃ
ＨＣＱａ溶液）を第１７図に示す。 （５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第１８図に示す。 合成例９ 〔ビス（Ｉヘリエチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ
−デシルチオ）ナフタロシアニン（一般式（Ｖｌｌ）：
ただしＭはＳｉ、ｎは１であり、Ｙは１〜リエチルシロ
キシル基である）の合成〕ビス（トリエチルシロキシ）
シリコン−テトラブロモナフタロシアニン１３２ｍｇ　
（０，０１ｍ［１ｌｏＱ）のキノリン１０ｍＱ及びピリ
ジン３　、２ｍＭ溶液にオーガニック・シンセシス（Ｏ
ｒｇａｎｉｃＳｙｎｔｈｅｓｅｓ）　、第４２巻２２頁
記載の方法を参考にして合成した〇−デシルチオ化第１
銅２．０８ｇ（８，８ｍｍｏＱ）を加え１６０〜１７０
℃で８時間速流した。放冷後、内容物をメタノール２０
０ｍＱ中に注ぎ、よくかきまぜた後、室温下−晩装置し
た。析出した沈殿を吸引ろ過しメタノールで充分に洗浄
した後、ベンゼンを用いて溶けるものだけ溶かし出した
。ベンゼン溶液を濃縮し、アルミナカラムクロマトグラ
フィー法を用いて分離し、クロロホルム／エタノールか
ら再結晶することにより、黄緑色結晶が１．２６ｍｇ（
７５％）得られた。この黄緑色結晶は下記の分析結果よ
りビス（Ｉ〜リエチルシロキシ）シリコンーテＩ−ラ（
ｎ　−デシルチオ）ナフタロシアニン（一般式（ＶＵ）
　　：ただしＭはＳｉ、ｎは１であり、Ｙはトリエチル
シロキシ基である）であることを確認した。 （Ｉ）融点　２７８〜２８０℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　７０．９６　７，９８　６．６２分析
値（％）　　７０，６８　７，８２　６．７５（３）Ｎ
ＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第１９図に示す
）：ＣＤＣＱａ δ値　１０，０２　（４Ｈ，ｂ　ｒ　−ｓ　）９．９７
　（４）１．　ｂ　ｒ−ｓ） ８．５３　（４Ｈ、ｄ　、　Ｊ　＝８．８５Ｈｚ　）８
．４５　（４８，ｂ　ｒ−ｓ） ７．８１　（４Ｈ、ｄｄ、　Ｊ　＝８．８５．１．８３
Ｉ（ｚ　）３．２９　　　（８Ｈ、ｔ　　、　　　Ｊ　
　＝　７．３３Ｈｚ　　）１．９３　（８Ｈ、ｑｕｉｎ
ｔｅｔ、　Ｊ　＝７．３３Ｈｚ　）１．６４　（８Ｈ，
ｍ） １．３３　（４８ｆ（、ｍ） ０．９０　（Ｉ２１−１，ｔ−１ｉｋａ　　ｍ）−１，
０１（Ｉ８Ｈ，ｔ　、　　Ｊ　＝７．９４Ｈｚ）−２，
０７（Ｉ２Ｈ，ｑ　、　　Ｊ　＝７．９４Ｈｚ）（４）
電子スペクトル（Ｃ１（ＣＱａ溶液）を第２０図に示す
。 （５）ＩＲスペク１ヘル（ＫＢｒ法）を第２１図に示す
。 合成例１０ 〔ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−
ヘキサデシルチオ）ナフタロシアニン（一般式（ＶＩＩ
）：ただしＭはＳｉ、ｎは１であり、Ｙはトリエチルシ
ロキシル基である）の合成〕　　ビス（トリエチルシロ
キシ）シリコン−テトラブロモナフタロシアニン１３２
ｍｇ（０，，１ｍｍｏ　Ｑ　）のキノリン１０ｍＱ及び
ピリジン３．２ｍＱ溶液にオーガニック・シンセシス（
ＯｒｇａｎｉｃＳｙｎｔ、ｈｅｓｅｓ）、第４２巻２２
頁記載の方法を参考しこして合成したｎ−ヘキサデシル
チオ化第１銅２．０８ｇ（８，８ｍｍｏｌｌｌ）を加え
１６０−１７０℃で８時間′ａ流した。放冷後、内容物
を合成例９と同様に処理したところ黄緑色結晶が１２６
ｍｇ（７５％）得られた。この黄緑色結晶は下記の分析
結果よりビス（トリエチルシロキシ）シリコンテトラ（
ｎ−ヘキサデシルチオ）ナフタロシアニン（−般式（Ｖ
ＩＩ）：ただしＭはＳｊ、ｎは１であり、Ｙはトリエチ
ルシロキシル基である）であることを確認した。 （Ｉ）融点　２３８．５〜２３９．５℃（２）元素分析
値： ｃ　　　　　　　■ｉ　　　　　　　Ｎ計算値（％）　
　７３．３９　９．０４　５．５２分析値（％）　　７
３，２９　９．０８　５．５５（３）ＮＭ、Ｒスペクト
ル値（Ｎ　Ｍ　Ｒスペクトルを第２２図に示す）：　Ｃ
ＤＣＱｓ δ値　１０．０２　（４１−（、ｂ　ｒ−ｓ）９．９７
　（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ８．５２　（４Ｈ、ｄ　、　Ｊ　＝８．８５Ｈｚ　）８
．４４　（４Ｈ，ｂ　ｒ　−ｓ） ７．８３　（４Ｈ、ｄ、　Ｊ　＝８．８５Ｈｚ　）３．
２９　（８）ｆ、　ｔ　、　Ｊ　＝７．３３Ｈｚ）１．
９３　（８Ｈ、ｑｕｉｎｔｅｔ、　　Ｊ　＝７．３３Ｈ
ｚ　）１．６４　　（８Ｈ，ｍ） １．２５　　（９６Ｈ，ｒｎ） ０．８６　（Ｉ２Ｈ，ｔ−１ｉｋｅ　　ｍ）−１，０１
（Ｉ８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．９４Ｈｚ）−２，０５（Ｉ，２
１−１，ｑ、Ｊ＝７．９４Ｈｚ）（４）電子スペクトル
（ＣＨＣＱ　３７容液）を第２３図に示す。 （５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第２４図に示す。 合成例１１ 〔ビス（トリーロープロピルシロキシ）シリコン−テト
ラ（ｎ−デシルチオ）ナフタロシアニン（一般式（ＶＩ
Ｉ）：ただしＭはＳｉ、ｎは１であり、Ｙはトリプロピ
ルシロキシル基である）の合成〕 ビス（トリーロープロピルシロキシ）シリコン−テトラ
ブロモナフタロシアニン１４０ｍｇ（０，１ｍｍｏ　Ｑ
　）のキノリン１０　ｍ　Ｑ及びピリジン３．２ｍＱ溶
液にオーガニック・シンセシス（ＯｒｇａｎｉｃＳｙ＋
１ｔｈｅｓｅｓ）、第４２巻２２頁記載の方法を参考に
して合成したｎ−デシルチオ化第１銅２．０８ｇ（８，
８ｍｍｏＱ）を加え１．６０−１７０℃で８時間還流し
た。放冷後、内容物を合成例９と同様に処理したところ
、黄緑色結晶が１２１ｍｇ（６８％）得られた。この黄
緑色結＋’ｉｌｈ　＋土下記の分析結果よりビス（トリ
ーロープロピルシロキシ）シリコンテトラ（ｎ−デシル
チオ）ナフタロシアニン（−般式（ＶＩＩ）：ただしＭ
はＳｊ、

【１は１であり、Ｙはトリプロピルシロキシル
基である）であることを確認した。 （Ｉ）融点　１６６〜１６９℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　７１．６５　８．２８　６．３１分析
値（％）　　７１．８１　８．３１　６．２８（３）Ｎ
ＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペク１−ルを第２５図に示
す）：ＣＤＣｌ、３ δ値　１０．０２　（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）９．９７　（
４１−１，ｂ　ｒ　−ｓ　）８．５２　（４Ｈ、ｄ　、
　　Ｊ　〜８．５５Ｉ（Ｚ　）８．４５　（４１（、ｂ
　ｒ−ｓ） ７．８０　（４Ｈ、ｄ　、　　、Ｊ　〜８．５５Ｈｚ　
）３．３０　　（８Ｉｆ　　、　　　ｔ　　、　　Ｊ　
　＝７．３２Ｈｚ　　）１．９４　（８ｆｔ　、　ｑｕ
ｉｎｔｅｔ、　　、Ｊ　＝７．：１２Ｉ−Ｉ　ｚ　）１
．６４　　（８Ｈ，ｍ） １．３２　（４８Ｈ、ｍ） ０．９０　（Ｌ　２１１．　ｔ−１ｉｋｅｍ）−０，２
６（Ｉ８Ｈ、ｔ、　、　　Ｊ　＝７．３２Ｈｚ　）−０
，８５（Ｉ２１１，ｓｅｘｔｅｔ−１ｉｋｅ−ｍ）−２
，０５（Ｉ２１１，ｔ−１ｉｋｅ　　ｍ）（４）電子ス
ペクトル（ＣＨＣＲ，ａ溶液）を第２６図に示す。 （５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第２７回に示す。 合成例１２ 〔ビス（Ｉ−り一〇−ブチルシロキシ）シリコンテトラ
（ｎ−デシルチオ）ナフタロシアニン（一般式（ＶＩＩ
）：ただしＭはＳｉ、ｎは１であり、Ｙはトリブチルシ
ロキシル躯である）の合成〕 ビス（トリーローブチルシロキシ）シリコン−テトラブ
ロモナフタロシアニン１４２ｍｇ（０，１ｍｍｏ　Ｑ　
）のキノリン１０　ｒｎ　Ｑ及びピリジン３　、２　ｒ
ｎ　Ｑ溶液にオーガニック・シンセシス（Ｏｒｇａｎｉ
ｃＳｙｎｔｈｅｓｅｓ）、第４２巻２２頁記載の方法を
参考にして合成したｎ−デシルチオ化第１銅２．０　ｓ
ｇ（８，８ｍ＋ｎｏ１２）を加え１６０〜１７０℃で８
時間還流した。放冷後、内容物を合成例９と同様に処理
したところ黄緑色結晶が１１２ｍｇ（６：３％）得られ
た。この黄緑色結晶は下記の分析結果よりビス（］−り
−ｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−デシル
チオ）ナフタロシアニン（一般式（ｖｎ）：ただしＭは
Ｓｉ、ｎは１であり、Ｙはトリーローブチルシロキシル
基である）であることを確認した。 （Ｉ）融点　１２２〜１２３℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　７２，２８　８．５６　６．０２分析
値（％）　　７２．０７　８．３２　６．２８（３）Ｎ
ＭＲスペクトル値（Ｎ　Ｍ　Ｒスペクトルを第２８図に
示す）　　：　ＣＤＣＩ！ａ δ値　１０．００　（４Ｈ，ｂ　ｒ　−ｓ）！Ｌ９５　
（４１−１、ｂ　ｒ　−ｓ　）８．５３　（４）ｉ　、
　ｄ　、　Ｊ　〜８．８５Ｈｚ　）８．４５　（４Ｉ−
（、ｂ　ｒ　−ｓ　）７．８０　（４Ｈ、ｄｄ、　　Ｊ
　〜８．８５，１．５：Ｄｉ　ｚ　）３．３１　（８Ｈ
，ｔ　、　　Ｊ　＝７．３：Ｈ−（ｚ　）１．９３　（
８１１、ｑｕｊｎｔｅｔ、　Ｊ　＝７．３３Ｈｚ　）１
．６４　（８１−１、ｒｎ） １．３３　（４８ｆ（、ｍ） ０．９０　　（Ｉ２ト１．　　　ｌ；−１ｉｋｅ　　　
　ｍ）０．０２　（３０Ｈ、ｒｒｔ） −０，９６（Ｉ２Ｈ，ｓｅｘｔｅｔ−１ｉｋｃｍ）−２
，（Ｉ６（］　２１１．　ｔ−１ｉｋｅ　　ｍ）（４）
電子スペクトル（ＣＨＣＱ３溶液）を第２９図に示す。 （５）ｉＲスペク１ヘル（ＫＢｒ法）を第３０図に示す
。 合成例１３ 〔ビス（トリー〇−へキシルシロキシ）シリコン−テト
ラ（ｎ−デシルチオ）ナフタロシアニン（一般式（ＶＩ
Ｉ）：ただしＭはＳｉ、ｎは１であり、Ｙはトリーｎ−
へキシルシロキシル基である）の合成〕 ビス（トリー〇−へキシルシロキシ）シリコン−テトラ
ブロモナフタロシアニン３２０ｍｇ（０，２ｍｍｏＱ）
のキノリン（２０ｍ１２）及びピリジン（６，５ｍ１２
）溶液にオーガニック・シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ　
５ｙｎｔｈｅｓｅｓ）、第４２巻２２頁記載の方法を参
考にして合成したｎ−デシルチオ化１４．２１ｇ　（Ｉ
７，６ｍｍｏ１２）を加え１６０〜１．７０℃で８時間
還流した。放冷後、内容物を合成例９と同様に処理した
ところ黄緑色結晶が１９５ｍｇ　（４８％）得られた。 この黄緑色結晶は下記の分析結果によりビス（トリー〇
−へキシルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−デシルチ
オ）ナフタロシアニン（一般式（ＶＩＩ）：ただしＭは
Ｓｉ、ｎは１であり、Ｙはトリー〇−へキシルシロキシ
ル基である）であることを確認した。 （Ｉ）融点　４；３〜４６°Ｃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％’）　　７３．３９　９゜０４．　５．５２
分析値（％）　　７３．３２　９．３１　５．２６（３
）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第３１図に
示す）ＣＣＤＣ＆ｔａ δ値　１０．００　（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）９．９５　（
４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ８．５２　（４Ｈ、ｄ　、　Ｊ　＝８．８５Ｈｚ　）８
．４６　（４）−Ｉ、　ｂ　ｒ　−ｓ　）７．８０　（
４Ｈ、ｄｄ、　Ｊ　＝８．８５，１．５３Ｈｚ　）−Ｉ
ｋ、２８　（８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３３Ｈｚ）１．９２　
（８Ｈ、ｑｕｉｎｔｅｔ、　Ｊ　＝＝７．３３Ｈｚ　）
１．６３　（８Ｉ−１、ｍ） １．５０−１．２０　（４８Ｈ，ｍ） ０．９０　（Ｉ２Ｈ，ｍ） ０．６２　（Ｉ２Ｈ，ｍ） ０．４３　（Ｉ８Ｈ，ｔ　、　　Ｊ　＝７．３２ｆ（ｚ
）ｏ、２３　（Ｉ２Ｈ、ｍ） ０．０６　（Ｉ２Ｈ、ｍ） −１，００（Ｉ２Ｈ、ｍ） −２，０８（Ｉ２ｆ−（、ｍ） （４）電子スペクトル（テトラヒドロフラン溶液）を第
３２図に示す。 （５）ＩＲスペクトル（ＫＦＪｒ法）を第３３図に示す
。 実施例１ 〔ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−
デシルスルホニル 〔例示化合物（Ｉ）〕の合成〕 ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−デ
シルチオ）ナフタロシアニン１．０ｇ（０．５９ｍ＋＋
＋ｏＱ）をエタノール（Ｉ．５ｍＱ）とトルエン（Ｉ５
ｍＱ）の混合溶媒に溶解した後、酢酸（Ｉ５ｍＱ）と３
　０　ｗ　ｔ％過酸化水素水（Ｉ５ｍ　Ｑ　）を加え、
２時間加熱還流した。放冷後、内容物を水（Ｉ００ｍＱ
）に注ぎ、有機層を分離した。さらに、５０ｍＱの水で
２回洗浄後、有機層を無水Ｉａ／！２ナトリウムにより
乾燥し、減圧下溶媒を留去して濃緑色結晶０．８８ｇを
得た。シリカゲルカラムクロマβけロロホルム／シクロ
ヘキサン５：ｌ（ｖ／ｖ）溶出）により分離した後、ト
ルエン／エタノールから再結晶し濃緑色結晶０．６９ｇ
（０．３９ｍｍｏＱ，６５％）を得た。この濃緑色結晶
は下記の分析結果よりビス（トリエチルシロキシ）シリ
コン−テトラ（ｎ−デシルスルホニル）ナフタロシアニ
ン〔例示化合物（Ｉ）〕であることを確認した。 （Ｉ）　ＩＡ点　２９１〜２９３℃ （２）元素分析値： Ｃ　　　　　　　　Ｈ　　　　　　　　Ｎ計算値（％）
　　６５．９７　　７．４２　　６．１６分析値（％）
　　６５．７３　　７．２２　　６．０２（３）ＮＭＲ
スペクトル値（ＮＭＲスペク１〜ルを第３４図に示す）
：ＣＤＣＱｓ δ値　１０．３６　（４Ｉ−Ｊ，　ｂ　ｒ−ｓ）１０、
３３　（４　Ｈ，　ｂ　ｒ　−　ｓ　）９、３５　（４
Ｈ，　ｂ　ｒ−ｓ） ８、８７　　（４　Ｈ，　ｄｄ，　　Ｊ　＝８．８５，
　　５。、５０Ｊ（　ｚ　）８、３４　　（４　Ｈ　、
　ｄｄ，　　Ｊ　＝８．８５，　　］、８３Ｈ　ｚ　）
３、３５　（８Ｉ−１，　　ｔ，　　Ｊ”６．７１１−
（Ｚ）１、９７　（８Ｈ，　　ｍ） １、４９　　（８Ｈ，ｍ） １、２５　　（　５　６　Ｈ　、　　ｍ）０、８６　（
Ｉ　２Ｈ，　　ｔ　−ｌｉｋｅ　　ｒｎ）−１．０４　
　（Ｉ　８　Ｈ，　　ｔ　、　　Ｊ　＝７．９４Ｈ　ｚ
）−２．１０　（Ｉ　２　Ｈ　、　　ｑ　、　　Ｊ　＝
７．９４Ｈ　ｚ　）（４）電子スペクトル（テトラヒド
ロフラン溶液）を第３５図に示す。 （５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第３６図に示す。 実施例２ 〔ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−
ヘキサデシルスルホニル）ナフタロシアニン〔例示化合
物（８）の合成〕 ビス（トリエチルシロキシ）シリコンーテ１ヘラ（ｎ−
ヘキサデシルチオ）ナフタロシアニン５０ｍｇをエタノ
ール（ｌｏｍＱ）とトルエン（２０ｍＱ）の混合溶媒に
溶解した後、酢酸（２ｒｎＱ）と３０ｗｔ％過酸化水素
水（２ｍΩ、）を加え、３時間加熱還流した。放冷後、
内容物を水５０ｍ１２に注ぎ、有機層を分離した。さら
に、３０ｍ１２の水で２回洗浄後、有機層を無水硫酸す
１ヘリウムにより乾燥し、減圧上溶媒を留去し、濃緑色
結晶４８ｍｇを得た。シリカゲルカラ１１クロマ？ロロ
ホルム／ヘキサン５：１（ｖ／ｖ））により分離した後
、トルエン／エタノールから再結晶しビニ３５ｒｎｇ（
６７％歯辱だ。この１色結晶はｔ記の分析結果よりビス
（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−ヘキサ
デシルスルホニル）ナフタロシアニン〔例示化合物（８
）〕であることを確認した。 （Ｉ）融点　２７１〜２７２．５℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　６９，０４　８．０５　５．１９分析
値（％）　　６９．２８　８．４１　５．０１（３）Ｎ
ＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペク１ヘルを第３７図に示
す）：ＣＤＣＯ３ δ値　１０．３４　（４）−１，ｂ　ｒ　−ｓ　）１０
．２５　（４Ｈ，ｂ　ｒ　−ｓ　）９．３５　（４Ｈ、
ｄ　、　Ｊ　＝３．０５）（ｚ　）８．８８　（４Ｈ、
ｄｄ、　Ｊ　＝８．８５．５．５０Ｈｚ　）８．３４　
（４Ｈ，ｄｄ、　Ｊ　＝８．８５．　］。８３Ｉ（ｚ）
３．４０　（８Ｈ，ｔ　、　Ｊ　＝６．７１Ｈｚ　）１
．９７　（８）ｉ、　ｍ） １．５０　（８Ｈ，ｍ） １．２３　（９６Ｈ，ｍ） ０．８５　（Ｉ２Ｉ（、ｔ　−１ｉｋｅ　　ｍ）−１，
０３（Ｉ８Ｈ，ｔ　、　Ｊ　＝７．９４Ｆ（ｚ）−２，
１０（Ｉ２Ｈ、ｑ　、　Ｊ　＝７．９４Ｈｚ　）（４）
電子スペクトル（ＣＨＣＱ　ａ溶液）を第３８図に示す
。 （５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第３９図に示す。 実施例３ 〔ビス（トリプロピルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ
−デシルスルホニル）ナフタロシアニン〔例示化合物（
２）の合成〕 ビス（トリプロピ２レシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ
−デシルチオ）ナフタロシアニン！、、ｏｇ（０，５９
ｍｍｏＱ）をエタノール（Ｉ５ｍＱ）と１〜ルエンＮ、
５ｍＱ）の混合溶媒に溶解した後、酢酸（Ｉ５ｍＱ）と
３０Ｗし％過酸化水素化（Ｉ５ｒｎＱ）を加え、２時間
加熱還流した。放冷後、内容物を水（Ｉ００ｍＱ）に注
ぎ、有機層を分離した。さらに、５０ｍＱの水で２回洗
浄後、有機層を無水硫酸す１〜リウムにより乾燥し、減
圧ｆ溶媒を留去して濃緑色結晶０．８３ｇ　　を得た。 シリカゲル力ラムタロマ江平プロロホルｌい／シクロヘ
キサン５：１（ｖ／ｖＨ１出）により分離した後、トル
エン／エタノールから再結晶し濃緑色結晶０．７２ｇ（
０，３８ｍｍｏｌ、６５％）を得た。この濃緑色結晶は
下記の分析結果よりビス（トリプロピルシロキシ）シリ
コン−テトラ（ｎ−デシルスルホニル）ナフタロシアニ
ン〔例示化合物（２）〕であることを確誌した。 （Ｉ）融点　２３９〜２４２℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　６６．８４　７，７３　５．８８分析
値（％）　　６７．０１　７．５９　５．８３（３）Ｎ
ＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第４０図に示す
）：ＣＤＣＱｓ δ値　１０．３３　（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）１０．２４　
（４Ｈ，ｂ　ｒ　−ｓ　）９．３６　（４Ｆ、、　ｂ　
ｒ　−ｓ　）８．８７　（４−Ｈ、ｄｄ、　Ｊ　＝５．
１９．８．５５Ｈｚ　）８．３３　（４Ｈ、ｄｄｄ、　
Ｊ　＝８．５５，３．６５，２．１３Ｈｚ）３．４１　
（８Ｈ、ｔ　、　Ｊ　＝７．９４Ｈｚ　）１．９８　（
８Ｈ，ｍ） １．５０　（８Ｈ，ｒｎ） １．２５　（４８Ｈ，ｍ） ０．８６（Ｉ２Ｈ，ｔ　−１ｉｋｅ　　ｍ）−０，２９
（Ｉ８ＦＮ、　　ｔ　、　　Ｊ　＝７．３２Ｈｚ）−０
，９０（Ｉ２Ｈ，ｍ） −２，１０（Ｉ２Ｈ，ｍ） （４）電子スペクトル（テトラヒドロフラン溶液）を第
４１図に示す。 （５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第４２図に示す。 実施例４ 〔ビス（トリブチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−
デシルスルホニル）ナフタロシアニン〔例示化合物に３
）の合成〕 ビス（Ｉ−リブチルシロキシ）シリコンーテ１−ラ（ｎ
−デシルチオ）ナフタロシアニン２．０ｇ（Ｉ，０７ｍ
ｍｏＱ）をエタノール（３０ｍ（Ｉ）とトルエン（３０
ｍＱ）の混合溶媒に溶解した後、酢酸（３０ｍＱ）と３
０ｗｔ％過酸化水素水（３０ｍｆ２）を加え、２時間加
熱還流した。放冷後、内容物を水（２００ｍＱ）に注ぎ
、有機層を無水硫酸ナトリウｔ１により乾燥し、減圧下
７Ｉ！媒を留去して濃緑色結晶１．８ｇ　　を得た。シ
リカゲルカラ４４社ン クロマト（クロロホルム／シクロヘキサン５：］−（ｖ
／ｖ）溶出）により分離した後、１−ルエン／エタノー
ルから再結晶してａ緑色結晶］、　、　６３　ｇ（０，
８３ｍｍｏ　Ｑ　、　７７　、５％）を得た。この濃緑
色結晶は下記の分析結果よりビス（トリブチルシロキシ
）シリコン−テトラ（ｎ−デシルスルホニル）ナフタロ
シアニン〔例示化合物（３）〕であることを確認した。 （Ｉ）融点　２１９〜２２１℃ （２）元素分析値二 ＨＮ 計算値（％）　　６７．６３　８．００　５．６３分析
値（％）　　６７．９１　８，０２　５．３７（３）Ｎ
ＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第４３図に示す
）：ＣＤＣ（Ｉ３ δ値　１０．２４　（４Ｈ，ｂ　ｒ　−５）１０．１６
　（４Ｈ，ｂ　ｒ　−ｓ） ９．２８　（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ８．８０　（４Ｈ、ｄｄ、　、Ｊ　＝８．５５．４．８
９Ｆ（ｚ　）８．２６　（４Ｈ、ｄｄｄ、　Ｊ　＝８．
５５，３．６５，２．］３Ｈｚ）３．３３　　（８Ｈ，
ｔ、Ｊ＝７．６３Ｈｚ）１．８８　　（８Ｈ、ｍ） １．５１　　　（８ト（、ｍ） １．１８　　（４８Ｈ、ｍ） ０．７８（Ｉ２Ｈ，仁　−１ｉｋｅ　　　ｍ）−０，０
３（Ｉ８Ｈ，ｍ） −１，ｏａ　　（Ｉ２Ｈ，ｍ） −２，１７（］、２Ｈ，ｍ） （４）電子スペクトル（テトラヒドロフラン溶液）を第
７１４図に示す。 （５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第４５図に示す。 実施例５ 〔ビス（トリへキシルシロキシ）シリコンーテｌ〜う（
ｎ−デシルスルホニル）ナフタロシアニン〔例示化合物
（５）〕の合成〕 ビス（トリへキシルシロキシ）シリコンーテ１＼う（ｎ
−デシルチオ）ナフタロシアニン５００ｍｇ（０，２５
ｍ＋ｎｏＲ）をエタノール（Ｉ０ｍＮ）とトルエン（Ｉ
０ｍ１２）の混合溶媒に溶解した後、酢酸（Ｉ０ｍＱ）
と３０ｗｔ％過酸化水素水（Ｉ０ｍ　Ｑ　）を加え、２
時間加熱還流した、放冷後、内容物を水（Ｉ００ｍ１２
）に注ぎ、有機層を分雅した。さらに、５０ｍ１ｉの水
で２回洗浄後、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、
減圧下溶媒を留去して濃緑色結晶３９０　ｒｎ　ｇを得
た。シリカゲルカラムクロマｎロロホルム／シクロヘキ
サン５：１（ｖ／ｙ）溶出）により分離した後、トルエ
ン／エタノールから再結晶し緑色結晶３７１０ｍｇ（０
，１６ｍｍｏ１２，６４．９％）を得た。この緑色結晶
は下記の分析結果よりビス（トリへキシルシロキシ）シ
リコンーテ１〜う（ｎ−デシルスルホニル）ナフタロシ
アニン〔例示化合物（５）〕であることを確認した。 （Ｉ）融点　２２５〜２２７℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　６９．０４　８．５０　５．１９分析
値（％）　　６９．３２　８．５Ｌ　　５．０１（３）
ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第４６図に示
す）：ＣＩ）ＣＱ３ δ値　１０．３２　（４）１．　ｂ　ｒ　−ｓ　）１０
．２３　（４１−（、ｂ　ｒ　−ｓ　）９．３５　（４
Ｈ，ｂ　ｒ　−ｓ） ８．８７　（４Ｉ’ｌ　、　ｄｄ、　Ｊ　＝４．８９．
８．５４Ｈｚ　）８．３３　（４Ｈ，ｍ　、　Ｊ　＝８
．５４Ｈｚ）３．３８　（８Ｈ、ｔ　、　Ｊ　＝７．６
３Ｉ（ｚ　）１．９３　（８Ｈ、ｍ） １．４８　（８Ｈ，ｍ） １．２５　（４８Ｈ，ｍ） ０．８６　（Ｉ２Ｈ，ｔ　−１ｉｋｅ　　ｍ）０．５８
　（Ｉ２Ｈ，ｍ） ０．３８　（Ｉ８０，ｔ　−１ｉｋｅ　　ｍ）０．１８
　（Ｉ−２８、ｍ） ０．０４　（Ｉ２Ｈ，ｍ） −１，０４（Ｉ２Ｈ，ｍ） −２，０７（Ｉ２Ｈ，ｍ） （４）電子スペクトル（テトラヒドロフラン溶液）を第
４７図に示す。 （５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第４８図に示す。 実施例６ ガラス板上にビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テ
トラ（ｎ−デシルスルホニル）ナフタロシアニン〔例示
化合物（Ｉ）］　Ｌ重鼠重積テトラヒドロフラン９９重
量部からなる液をスピンツー１−法で塗布し、約８０℃
で１５分間乾燥し、有機膜を形成した。この化合物の有
機膜の吸収スペクトルを第４９図に、透過スペクトルを
第５０図に、膜面の５°正反射スペクトルを第５１１’
ｍに、基板面の５°正反射スペクトルを第５２図に示し
た。 例示化合物（Ｉ）は、半導体レーザ領域（７８０〜８３
０ｎｍ）で高い光の吸収能力及び非常に高い反射率（〜
７０％）を示すことが分かった。 実施例７ ガラス板上にビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テ
トラ（ｎ−ヘキサデシルスルホニル）ナフタロシアニン
〔例示化合物（８）１１重量部とテトラヒドロフラン９
９重量部からなる液をスピンコード法で塗布し、約８０
’Ｃで１５分間乾燥し。 有機膜を形成した。この化合物の有機膜の吸収スペクト
ルを第５３図に、透過スペク１−ルを第５４図に、膜面
の５°正反射スペクトルを第５５図に、几仮面の５°正
反射スペクトルを第５６図に示した。例示化合物（８）
は、半導体レーザ領域（７８０〜８３０ｎｍ）で高い光
の吸収能力及び高い反射率（〜５４％）を示すことが分
かった。 実施例８ ガラス板上にビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリ
コン−テトラ（ｎ−デシルスルホニル）ナフタロシアニ
ン〔例示化合物（２））１重Ｉｆ　部とテトラヒドロフ
ラン９９重量部からなる液をスピンコード法で塗布し、
約８０℃で１５分間乾燥し、有機膜を形成した。この化
合物の有機膜の吸収スペクＩ・ルを第５７図に、透過ス
ペクトルを第５８図に、膜面の５°正反射スペクトルを
第５９図に５基板面の５°正反射スペクトルを第６０図
に示した。例示化合物（２）は、半導体レーザ領域（７
８０〜８３０　ｎ　ｍ）で高い光の吸収能力及び非常に
高い反射率（〜６０％）を示すことが分かった。 実施例９ ガラス板上にビス（トリー〇−ブチルシロキシ）シリコ
ン−テトラ（ｎ−デシルスルホニル）ナフタロシアニン
〔例示化合物（３）３１重量部とテトラヒドロフラン９
９重量部からなる液をスピンコード法で塗布し、約８０
℃で１５分間乾燥し、有機膜を形成した。この化合物の
有機膜の吸収スペクトルを第６１図に、透過スペクトル
を第６２図に、膜面の５°正反射スペクトルを第６３図
に。 基板面の５°正反射スペク１ヘルを第６４図に示した。 例示化合物（３）は、゛詮導体レーザ領域（７８０〜８
３０ｎｍ）で高い光の吸収能力及び非常に高い反射率（
〜６３％）を示すことが分かった。 実施例１０ ガラス板上にビス（トリーｎ−へキシルシロキシ）シリ
コン−テトラ（ｒｌ−デシルスルホニル）ナフタロシア
ニン〔例示化合物（５）３１重量部とテトラヒドロフラ
ン９９重量部からなる液をスピンコード法で塗布し、約
８０℃で１５分間乾燥し、有機１模を形成した。この化
合物の有機膜の吸収スペクトルを第６５図に、透過スペ
クトルを第６６図に、ＩＢｉ面の５°正反射スペクトル
を第６７図に、基板面の５°正反射スペクトルを第６８
図に示した。例示化合物（５）は、半導体レーザ領域（
７８０〜８３０　ｎ　ｍ）で高い光の吸収能力及び非常
に高い反射率（〜６２％）を示すことが分かった。 実施例１１ ガラス板上にビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テ
トラ（ｎ−ヘキサデシルスルホニル）ナフタロシアニン
〔例示化合物（８））、１重量部とトルエン９９重量部
からなる液をスピンコード法で塗布し、約８０°Ｃで１
５分間乾燥し、有機膜を形成した。この化合物の有機膜
の吸収スペクトルを第６９図に、透過スペクトルを第７
０図に、膜面の５°正反射スペクトルを第７１図に示し
た。 例示化合物（８）は、スピンコード溶媒としてトルエン
を用いても、半導体レーザ領域（７８０〜８３０ｎｒｎ
）で高い光の吸収能力及び非常に高い反射率（〜５５％
）を示すことが分かった。 比較例１ 文献〔ラニーナル・オブシェ・キミ（ＺｈｕｒｎａｌＯ
ｂｓｈｅｉ　Ｋｈｉｎ＋ｊｉ）、第４２巻６９６頁、１
９７２年〕記載の方法により合成したバナジル−テトラ
（を−ブチル）ナフタロシアニン２重量部と１，１゜２
−トリクロロエタン９８重量部からなる液をスピンコー
ド法で塗布し、約８０’Ｃで約１５分間乾燥し、有機膜
を形成した。この有機１模の透過スペクトルを第７２図
に、膜面の５°正反射スペクトルを第７３図に示した。 この有機膜は半導体レーザ領域（７８０〜８３０ｎｍ）
であまり高い光の吸収能力及び反射率（〈２０％）を示
さなかった。 バナジル−テトラ（Ｉ−ブチル）ナフタロシアニン。 実施例１２ 厚さ１　、２　＋ｎｍ　、直径１３０ｎｗｎ　のポリメ
チルメタクリレート２Ｐ基板上に、例示したナフタロシ
アニン誘導体（Ｉ）　　　　　”１重量部とトルエン９
９重量部からなる液をスピンコード法で塗布し、約８０
℃で約１５分間乾燥し、記８層を形成した。この記録層
の厚さは、Ｄｅｋｔａｋ　３０３０による測定で、約７
００人であった。このようにして作った光学記録媒体を
記録層を上にしてターンテーブルに乗せ、９００ｒｐｍ
の速度で回転させなから８３０　ｎｎの発振波長と基板
面での出力が６ｍＷを有する半導体レーザーを装備した
光学ヘッドを用いて光学記録媒体の下側つまり基板側か
らレーザービームがポリメチルメタクリレート樹脂板を
通して記録層に集光するように制御しながら、中心から
半径４０〜６０ＩＩＩ］Ｉの間で２　Ｍ　Ｈｚのパルス
信号の記録を行った。次に同じ装置を用いて半導体レー
ザーの基板面での出力０．７ｍＷ　にして同じようにし
ながら、記録した信号の再生を行った。この時のＣ／Ｎ
比は、５０ｄ　Ｂで極めて良好な信号の書き込みと読み
出しが行えた。 実施例１３ 厚さ１．２１罰、直径１３０　ｎｖｎ　のポリメチルメ
タクリレ−１−２Ｐ基板上に、例示したナフタロシアニ
ン誘導体（Ｉ）傘典丹半＃＃＃＃１重量部と駄ｆ１９９
重量部からなる液をスピンツー１−法で塗布し、約８０
℃で約１５分間乾燥し、記録層を形成した。この記録層
の厚さは、　Ｄｅｋｔａｋ３０３０による測定で、約６
５０人であった。このようにして作った光学記録媒体を
記録層を上にしてターンテーブルに乗せ、９００ｒρｍ
の速度で回転させながら８３０　ｎｍｎの発振波長と基
板面での出力が６ｍＷを有する半導体レーザーを装備し
た光学ヘッドを用いて光学記録媒体の下側つまり基板側
からレーザービー１１がポリメチルメタクリレート樹脂
板を通して記録層に集光するように制御しながら、中心
から半径４０〜６０ｎｇｎの間で２ＭＩＩｚのパルス信
号の記録を行った。次に同じ装置を用いて半導体レーザ
ーの基板面での出力０．７ｍＷにして同じようにしなが
ら、記録した信号の再生を行った。この時のＣ／Ｎ比は
、５１．　ｄ　Ｂで極めて良好な信号の註き込みと読み
出しが行えた。 実施例１４ ＋［Ｘさ１　、２　ｍｍ　、直径１３０ｎｉｎ　のポリ
メチルメタクリレート２Ｐ基板上に例示した化合物（８
）の１〜ルエン溶液を実施例１２と同様にスピンコード
法で塗布し、記Ｂ層を形成した。この記８Ｆ！の厚みは
、約６００人であった。このようにして作った記録媒体
を実施例１２と同様にして記録・再生を行ったところ、
Ｃ／Ｎ比は、５　】ｄ　Ｂで極めて良好な信号の書き込
みと読み出しが行えた。 実施例１５ 厚さ１　、２　［ｌＷｌ＋　、直径１３０　ｎｍのポリ
メチルメタクリレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシ
アニン誘導体（２）！　　“　　を実施例１２と同様に
テトラヒドロフラン溶液としてスピンコード法で塗布し
、記録層を形成した。この記録層のｊＩＸみは、約７０
０人であった。このようにして作つた光記録媒体を実施
例１２と同様にして信号の記録・再生を行ったところＣ
／Ｎ比は５３ｄＢで極めて良好な信号の書き込みと読み
出しが行えた。 実施例１６ 厚さ１　、２　ｒｒｍ　、直径１３０ｍのポリメチルメ
タクリレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘
導体（３）ｍ　　　を実施例１２と同様にテトラヒドロ
フラン溶液としてスピンコード法で塗布し７、記８層を
形成した。この記録層の厚みは、約７２０人であった。 このようにして作った記録媒体を実施例１２と同様にし
て記録・再生を行ったところ、Ｃ／Ｎ比は、５１ｄＢで
極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。 実施例１７ 厚さ１　、２　ｎｉｍ　、直径１３０　ｎｍのポリメチ
ルメタクリレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニ
ン誘導体（５）　　　　、　　゛　　を実施例１２と同
様にトルエン溶液としてスピンコード法で塗布し、記録
層を形成した。この記録層の厚みは、約６５０人であっ
た。このようにして作った光記録媒体を実施例１２と同
様にして信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５
２ｃｉＩ３で極めて良好な１３号の書き込みと読み出し
が行えた。 実施例１８ ！Ｊさ１　、２１Ｉｒｎ　、直径１３０ｎｎ　のポリメ
チルメタクリレ−１−２Ｐ法扱にに例示したナフタロシ
アニン誘導体（９）！　　　−を実施例１２と同様にト
ルエン溶液としてスピンコード法でＩＴし、記録層を形
成した。この記録層の厚みは、約６００人であった。こ
のようにして作った記録媒体を実施例１２と同様にして
記録・再生を行ったところ、Ｃ／Ｎ比は、５１ｄＢで極
めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。 実施例１９ 厚さｌ　、　２　ｕ關、直径Ｊ、　３０　ｎｉｍのポリ
メチルメタクリレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシ
アニン誘導体（Ｉ０）　　、　　　　　を実施例１２と
同様に１〜ルエン溶液としてスピンツー１−法で塗布し
、記８層を形成した。この記録層の厚みは、約６５０人
であった。このようにして作った光記録媒体を実施例１
２と同様にして信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ
比は５２ｄＢで極めて良好な信号の書き込みと読み出し
が行えた。 実施例２０ 厚さ１，２ｎｎ、直径１３０ｎｍのポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（
Ｉ２）　　　　−゛　　を実施例１２と同様にトルエン
溶液としてスピンコード法で塗布し、記録層を形成した
。この記Ｂ層の厚みは、約７００人であった。このよう
にして作った光記録媒体を実施例１２と同様にして信号
の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は、５０ｄＢで極
めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。 実施例２１ 厚さ１　、２　ｍｍ　、直径１３０　ａｎのポリメチル
メタクリレート２Ｐ基板上に、例示したナフタロシアニ
ン誘導体（Ｉ３）＠、ｊ　　　　°　−を実施例１２と
同様トルエン溶液としてスピンコード法で塗布し、記録
層を形成した。この記録層の厚みは、約７００人であっ
た。このようにして作った光記録媒体を実施例］−２と
同様にして信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は
５５　ｄ　Ｂで極めて良好な信号の書き込みと読み出し
が行えた。 実施例２２ 厚さ１　、２　ｎｉｎ　、直径１３０１［１１のポリメ
チルメタクリレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシア
ニン誘導体（Ｉ５）＃　　　−を実施例１２と同様にト
ルエン溶液としてスピンコード法で塗布し、記録層を形
成した。この記録層の厚さは約７００人であった。この
ようにして作った光記録媒体を実施例１２と同様にして
信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５５ｄＢで
極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。 実施例２３ 厚さ１．２薗、直径１３０ｎｍのポリメチルメタクリレ
ート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（Ｉ
８）＃　　　を実施例１２と同様にトルエン溶液として
スピンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記録
層の厚みは、約６５０人であった。このようにして作っ
た光記録媒体を実施例１２と同様にして信号の記録・再
生を行ったところＣ／Ｎ比は５３ｄＢで極めて良好な信
号の書き込みと読み出しが行えた。 実施例２４ 厚さ１　、２　ｎｕ　、直径１３０ｍｍのポリメチルメ
タクリレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘
導体（３４）　　、　　　　　を実施例１２と同様にト
ルエン溶液としてスピンコード法で塗布し、記録層を形
成した。この記録層の厚みは約７００人であった。この
ようにして作った光記録媒体を実施例１２と同様にして
信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５１ｄＢで
極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。 実施例２５ 厚さ１　、２　ｍｍ　、直径１３０　ｏｗｎのポリメチ
ルメタクリレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニ
ン誘導体（４２）　　−１を実施例１２と同様にトルエ
ン溶液としてスピンコード法で塗布し、記録層を形成し
た。この記録層の厚みは、約７５０人であった。このよ
うにして作った光記録媒体を実施例１２と同様にして信
号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５４ｄＢで極
めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。 実施例２６ 厚さ１　、２　ｎｏ　、直径１３０ｍｍ　のポリメチル
メタクリレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン
誘導体（４５）、　　−゛　　　を実施例１２と同様に
トルエン溶液としてスピンコード法で塗布し、記録層を
形成した。この記録層の厚みは約７５０人であった。こ
のようにして作った光記録媒体を実施例１２と同様にし
て信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５３ｄＢ
で極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。 実施例２７ 厚さｌ　、　２　ｍｍ　、直径１３０　ｏｗｎのポリメ
チルメタクリレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシア
ニン誘導体（４，７）ｌ、　　　　　　を実施例１２と
同様にトルエン溶液としてスピンコード法で塗布し、記
録層を形成した。この記録層の厚みは約７００人であっ
た。このようにして作った光記録媒体を実施例１２と同
様にして信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５
３ｄＢで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行え
た。 実施例２８ 厚さ１　、２　＋ｎｍ　＋直径１３０　ａｎ　のポリメ
チルメタクリレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシア
ニン誘導体（４１）２　　゛　　　　を実施例１２と同
様にトルエン溶液としてスピンコード法で塗布し、記録
層を形成した。この記録層の厚みは約６５０人であった
。このようにして作った光記録媒体を実施例１２と同様
にして信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５４
ｄＢで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた
。 実施例２９ 厚さ１　、２　ｒｍ　、直径１３０＋＋ｎ＋のポリメチ
ルメタクリレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニ
ン誘導体（４３）　　　　　　　　を実施例１２と同様
にトルエン溶液としてスピンコード法で塗布し、記録層
を形成した。この記録層の厚みは、約７００人であった
。このようにして作った光記録媒体を実施例１２と同様
にして信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５１
ｄＢで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた
。 実施例３０ 厚さ１　、２　ｍｍ　、直径１３０ｍのポリメチルメタ
クリレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導
体（４４）＃井峰希≠看姶嘲を実施例１２と同様にトル
エン溶液としてスピンコード法で塗布し記録層を形成し
た。この記録層の厚みは約７００人であった。このよう
にして作った記録媒体を実施例１２と同様にして信号の
記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５０ｄＢで極めて
良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。 比較例２ 厚さ１　、２　ｒｍ　、直径１３０ｎｎ　のポリメチル
メタクリレート２Ｐ基板上に、０ＶＮｃ（ｔ−Ｃ，Ｈ，
）４を実施例１２と同様にトルエン溶液としてスピンコ
ード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚み
は約７５０人であった。この記録材を実施例１２と同様
にして、記録・再生を行ったところ。 Ｃ／Ｎ比は４３ｄＢであまり良好な信号の書き込みと読
み出しが行えた。 実施例３１ 例示化合物（Ｉ）の１重量％トルエン溶液を調整し、回
転塗布法にて厚さ１．２ｍのポリメチルメタクリレート
２Ｐ基板上に、約７００人の記録膜層を形成した。この
ようにして形成された記録媒体に波長８３０ｎｍの半導
体レーザー光をポリメチルメタクリレート基板側から照
射し、記録特性を評価したところ、ビーム径１．６μｍ
、線速（’ｒ　、　５　ｍ　／秒、６．４ｍＷで記録が
可能であった。 一方、再生劣化に対する安定性を以下のような方法で評
価した。先ず、書き込みは周波数３　、７　Ｍｌｌｚで
連続する点灯時出力１０ｒｎＷの半導体レーザー光（波
長８３０　ｎ　ｍ）を照射することによって行い、再生
は半導体レーザー光（波長８３０ｎｍ）を連続的に繰り
返し照射することで行った。０．５ｍＷの再生光を１０
’回繰り返し照射しても、第７４図に示すようにＣＮ比
は５０ｄＢのままで変化が生じなかった。また、１．０
　ｍＷの再生光に対しても同様にＣＮ比変化は生じなか
った。しかし、１．１ｍＷの再生光に対しては、ＣＮ比
が若干低下する傾向がみられた。 実施例３２ 例示化合物（５）の１重量％トルエン溶液を調整し、回
転塗布法にて厚さ１　、２　＋ｎｏ＋　のポリメチルメ
タクリレート２１〕基板上に、約７００人の記録膜層を
形成した。このようにして形成された記録媒体に波長８
３０ｎｍの半導体レーザー光をポリメチルメタクリレー
ト基板側から照射し、記１Ｈ”Ｊ性を評価したところ、
ビーム径１．６μｍ、線速６．５ｍ／秒、６．４ｍＷで
記録が可能であった。 一方、再生劣化に対する安定性を以下のような方法で評
価した。先ず、書き込みは周波数３　、７　Ｍｌｌｚで
断続する点灯時出力１０ｍＷの半導体レーザー光（波長
８３０ｎｍ）を照射することによって行い、再生は半導
体レーザー光（波長８３０　ｎ　ｍ）を連続的に繰り返
し照射することで行った。１．０ｍＷの再生光を１０６
回繰り返し照射しても、第７５図に示すようにＣＮ比は
５３ｄＢのままで変化が生じなかった。しかし、１．２
ｍＷの再生光に対しては、ＣＮ比が若干低下する傾向が
みられた。 実施例３３ 例示化合物（２）の１重量％１−ルエン溶液を調整し、
回転塗布法にて厚さ１　、２　＋ｎｍのポリメチルメタ
クリレート２Ｐ基板上に、約７０ＯＡの記録膜層を形成
した。このようにして形成された記録媒体に波長７８０
ｎｍの半導体レーザー光をポリメチルメタクリレート基
板側から照射し、記録特性を評価したところ、ビーム径
１．６μｍ、線速６．５ｍ／秒、４．９ｍＷで記録が可
能であった。 一方、再生劣化に対する安定性を以下のような方法で評
価した。先ず、書き込みは周波数３．７Ｍ１ｌｚで断続
する点灯時出力１０ｍＷの半導体レーザー光（波長７８
０ｎｍ）を照射することによって行い、再生は半導体レ
ーザー光（波長７８０ｎｍ）を連続的に繰り返し照射す
ることで行った。０．８ｍＷの再生光を１０６回繰り返
し照射しても、第７６図に示すようにＣＮ比は５２ｄＢ
のままで変化が生じなかった。しかし、１．１ｍＷの再
生光に対しては、ＣＮ比が若干低下する傾向がみられた
。 実施例３４ 例示化合物（５）の１重量％トルエン溶液を調整し、回
転塗布法にて厚さ１．２■のポリメチルメタクリレート
２Ｐ基板上に、約７００人の記録膜層を形成した。この
ようにして形成された記録媒体に波長７８０ｎｍの半導
体レーザー光をポリメチルメタクリレート基板側から照
射し、記録特性を評価したところ、ビーム径１．６μｍ
、線速６．５ｍ／秒、４．９ｍＷで記録が可能であった
。 一方、再生劣化に対する安定性を以下のような方法で評
価した。先ず、書き込みは周波数３　、７　ＭＨｚで断
続する点灯時出力１０ｍＷの半導体レーザー光（波長７
８０ｎｍ）を照射することによって行い、再生は８３０
ｎｍの半導体レーザー光を連続的に繰り返し照射するこ
とで行った。第７７図に示すように、１．０ｍＷの再生
光を１０６回繰り返し照射してもＣＮ比は５３　ｄ　Ｂ
のままで変化が生じなかった。しかし、１．　、２　ｍ
　Ｗの再生光に対しては、ＣＮ比が若干低下する傾向が
みられた。 比較例３ シアニン系色素ＮＫ−２９０５（日本感光色素検究所製
）をジクロロエタンに溶解し、回転塗布により、ガラス
基板上、厚さ５０ｎｍの記録膜層を得た。この記録媒体
に実施例３１と同様にしてレーザー光を照射したところ
、４．８　ｍＷで記録が可能であった。しかし、再生劣
化に対する安定性を評価したところ、くり返し照射回数
４Ｘ１０３回付近から、反射率が低下しはじめ、１０”
回照射後では、初期ＣＮ比の７０％まで低下した。 実施例３５ 例示化合物（３）をクロロホルムに溶解し、回転塗布法
により、ガラス基板上、厚さ７０ｎｍの記録膜層を得た
。この記録媒体に波長８３０ｎｍの半導体レーザーをガ
ラス基板側から照射し、記録特性を評価したところ、ビ
ーム径１．６μｍ線速度０．５ｍ／秒、６．９ｍＷで記
録が可能であった。再生劣化に対する安定性を評価すべ
（，０，５ｍＷの読み出し光をくり返し照射したが、１
０’回くり返してもＣＮ比変化が生じなかった。 実施例３６ 例示化合物（８）をクロロホル１１に溶解し、回転塗布
法により、ガラス基板上、厚さ９０ｎｍの記録膜層を得
た。この記録媒体に波長８３０ｎｍの半導体レーザーを
ガラス基板側から照射し、記録特性を評価したところ、
ビーム径１．６μｍ、線速度０．５ｍ／秒、６．６ｍＷ
で記録が可能であった。一方、再生劣化に対する安定性
を評価するべく、０．５ｍＷの読み出し光をくり返し照
射したが、１０Ｆ′　回くり返してもＣＮ比変化が生じ
なかった。 実施例３７ 例示化合物（Ｉ２）をクロロホルムに溶解し、回転塗布
法により、ガラス基板上、厚さ７０　ｎ　ｍの記録膜層
を得た。この記録媒体に波長８３０ｎｍの半導体レーザ
ーをガラス基板側から照射し、記録特性を評価したとこ
ろ、ビーム径１．６μｍ線速度ｌ、５ｍ／秒、６　、９
　ｍ　Ｗで記録が可能であった。一方、再生劣化に対す
る安定性を評価するべく、０．５ｍＷの読み出し光をく
り返し照射したが、１０６回くり返してもＣＮ比変化が
生しなかった。 実施例８３８ 例示化合物（Ｉ８）をクロロホルムに溶解し、回転塗布
法により、ガラス基板上、厚さ９０ｎｍの記録膜層を得
た。この記録媒体に波長８３０ｎｍの半導体レーザーを
ガラス基板側から照射し、記録特性を評価したところ、
ビーム径１．６μｍ線速度０．５ｍ／秒、６．６ｍＷで
記録が可能であった。一方、再生劣化に対する安定性を
評価するべく、０．５ｍＷ　の読み出し光をくり返し照
射したが、１０８回くり返しても反射率変化が生じなか
った。 実施例３９ 例示化合物（：□３４）をクロロホルムに溶解し、回転
塗布法により、ガラス基板−ヒ、厚さ７０ｎｍの記録膜
層を得た。この記録媒体に波長８３０ｎｍの半導体レー
ザーをガラス基板側から照射し、記録特性を評価したと
ころ、ビーム径１．６μｍ線速度０．５ｍ／秒、６．９
ｍＷで記録が可能であった。一方、再生劣化に対する安
定性を評価するべく、０．５ｍＷの読み出し光をくり返
し照射したが、１０６回くり返しても反射率変化が生じ
なかった。 実施例４０ 例示化合物（４２）をクロロホルムに溶解し、回転塗布
法により、ガラス基板上、厚さ９０ｎｍの記録膜層を得
た。この記録媒体に波長８３０ｎｍの半導体レーザーを
ガラス基板側から照射し、記録特性を評価したところ、
ビーム径１．６μｍ、線速度０．５ｍ／秒、５．７ｍＷ
で記録が可能であった。一方、再生劣化に対する安定性
を評価するべく、０．５ｍＷの読み出し光をくり返し照
射したが、］−０６回くり返しても反射率変化が生じな
かった。 実施例４１ 例示化合物（４５）をクロロホルムに溶解し、回転塗布
法により、ガラス基板上、厚さ７０　ｎ　ｒｎの記録膜
層を得た。この記録媒体に波長８３０　ｒｉ　ｍの半導
体レーザーをガラス基板側から照射し、記録特性を評価
したところ、ビーム径１．６μｍ線速度０．５ｍ／秒、
６．９ｍＷで記録が可能であった。一方、再生劣化に対
する安定性を評価するべく、０．５ｍＷの読み出し光を
くり返し照射したが、１０６回くり返しても反射率変化
が生じなかった。 実施例４２ 例示化合物（４７）をクロロホルムに溶解し、回転塗布
法により、ガラス基板上、厚さ９０　ｎ　ｒｎの記録膜
層を得た。この記録媒体に波長８３０ｎｍの半導体レー
ザーをガラス基板側から照射し、記録特性を評価したと
ころ、ビーム径１．６μｍ線速度０．５ｍ／秒、６．６
ｍＷで記録が可能であった。一方、再生劣化に対する安
定性を評価するべく、０．５ｍＷの読み出し光をくり返
し照射したが、１０６回くり返しても反射率変化が生じ
なかった。 〔発明の効果〕 本発明に係る光学記録媒体は、前記した金属ナフタロシ
アニン誘導体を記録材料として使用することにより、高
感度特性を示し、レーザー光を有効な書き込み及び読み
出し電磁エネルギーとして使用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、６−ブロモ−２，３−ジシアノナフタレンの
ＮＭＲスペクトルである。第２図は、６−ブロモ−２，
３−ジシアノナフタレンのＩＲスペクトルである。第３
図は、６−ブロモ−１，３−ジイミノベンゾ（ｆ）イソ
インドリンのＩＲスペクトルである。第４図は、ジグロ
ロシリコンーテトラブロモナフタロシアニンのＩＲスペ
クトルである。第５図は、ジクロロシリコン−テトラブ
ロモナフタロシアニンの電子スペクトルである。 第６図は、ジヒドロキシシリコン−テトラブロモナフタ
ロシアニンのＩＲスペクトルである。第７図は、ジヒド
ロキシシリコン−テトラブロモナフタロシアニンの電子
スペクトルである。第８図は。 ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラブロモナ
フタロシアニンの電子スペクトルである。 第９図は、ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テト
ラブロモナフタロシアニンのＩＲスペクトルである。第
１０図は、ビス（トリプロピルシロキシ）シリコン−テ
トラブロモナフタロシアニンのＮＭＲスペクトルである
。第１１図は、ビス（トリプロピルシロキシ）シリコン
ーテ１−ラブロモナフタロシアニンの電子スペクトルで
ある。第１２図は、ビス（トリプロピルシロキシ）シリ
コン−テトラブロモナフタロシアニンのＩＲスペクトル
である。第１３図は、ビス（トリーローブチルシロキシ
）シリコン−テトラブロモナフタロシアニンのＮＭＲス
ペク１−ルである。第１４図は、ビス（トリー１１−ブ
チルシロキシ）シリコン−テトラブロモナフタロシアニ
ンの電子スペクトルである。第１５図は、ビス（トリー
ｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラブロモナフタロ
シアニンのＩＲスペクトルである。第１６図は、ビス（
トリー〇−へキシルシロキシ）シリコン−テトラブロモ
ナフタロシアニンのＮＭＲスペクトルである。 第１７図は、ビス（トリーｎ−へキシルシロキシ）シリ
コン−テトラブロモナフタロシアニンの電子スペクトル
である。第１８図は、ビス（トリー〇−へキシルシロキ
シ）シリコン−テトラブロモナフタロシアニンのＩＲス
ペクトルである。第１９図は、ビス（トリエチルシロキ
シ）シリコン−テトラ（ｎ−デシルチオ）ナフタロシア
ニンのＮＭＲスペクトルである。第２０図は、ビス（ト
リエチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−デシルチオ
）ナフタロシアニンの電子スペクトルである。第２１図
は、ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ
−デシルチオ）ナフタロシアニンのＩＲスペクトルであ
る。第２２図は、ビス（トリエチルシロキシ）シリコン
−テトラ（ｎ−ヘキサデシルチオ）ナフタロシアニンの
ＮＭＲスペクトルである。第２３図は、ビス（トリエチ
ルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−ヘキサデシルチオ
）ナフタロシアニンのｆｆｉ　７−スペクトルである。 第２４図は、ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テ
トラ（ｎ−ヘキサデシルチオ）ナフタロシアニンのＩＲ
スペクトルである。第２５図は、ビス（トリーｎ−プロ
ピルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−デシルチオ）ナ
フタロシアニンのＮＭＲスペクトルである。第２６図は
、ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テト
ラ（ｎ−デシルチオ）ナフタロシアニンの電子スペクト
ルである。第２７図は、ビス（Ｉ〜リーｎ−プロピルシ
ロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−デシルチオ）ナフタロ
シアニンのＩＲスペクトルである。第２８図は、ビス（
トリーローブチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−デ
シルチオ）ナフタロシアニンのＮ　Ｍ　Ｒスペクトルで
ある。第２９図は、ビス（トリーローブチルシロキシ）
シリコン−テトラ（ｎ−デシルチオ）ナフタロシアニン
電子スペク１〜ルである。第３０図は、ビス（Ｉ〜リー
１１−ブチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−デシル
チオ）ナフタロシアニンのＩＲスペクトルである。第３
１図は、ビス（トリーローヘキシルシロキシ）シリコン
−テトラ（ｎ−デシルチオ）ナフタロシアニンのＮＭＲ
スペクトルである。第３２図は、ビス（トリーＩＩ−へ
キシルシロキシ）シリコンーテ１ヘラ（ｎ−デシルチオ
）ナフタロシアニンの電子スペクトルである。第３３図
は、ビス（トリー〇−へキシルシロキシ）シリコン−テ
トラ（ｎ　−デシルチオ）ナフタロシアニンのＩＲスペ
ク１−ルである。第３４図は、ビス（トリエチルシロキ
シ）シリコン−テトラ（ｎ−デシルスルホニル）ナフタ
ロシアニン〔例示化合物（Ｉ）〕のＮＭＲスペクトルで
ある。第３５図は、例示化合物（Ｉ）の電子スペクトル
である。第３６図は、例示化合物（Ｉ）のＩＲスペクト
ルである。第３７図は、ビス（トリエチルシロキシ）シ
リコン−テトラ（ｎ−ヘキサデシルスルホニル）ナフタ
ロシアニン〔例示化合物（８）〕のＮＭＲスペクトルで
ある。 第３８図は、例示化合物（８）の電子スペクトルである
。第３９図は、例示化合物（８）のＩＲスペクトルであ
る。第４０図は、ビス（ｎ−プロピルシロキシ）シリコ
ン−テトラ（ｎ−デシルチオ）ナフタロシアニン〔例示
化合物（２）〕のＮＭＲスペク］・ルである。第４１図
は、例示化合物（２）の電子スペクトルである。第４２
図は、例示化合物（２）のＩＲスペクトルである。第４
３図は、ビス（トリーｎ−ブチルシロキシ）シリコン−
テトラ（ｎ−デシルスルホニル）ナフタロシアニン〔例
示化合物（３）〕のＮＭＲスペクトルである。 第４４図は、例示化合物（３）の電子スペクトルである
。第４５図は、例示化合物（３）のＩＲスペクトルであ
る。第４６図は、ビス（トリーｎ−へキシルシロキシ）
シリコンーテ１−ラ（ｎ−デシルスルホニル）ナフタロ
シアニン〔例示化合物（５）〕のＮＭＲスペクトルであ
る。第４７図は、例示化合物（５）の電子スペクトルで
ある。第４８図は、例示化合物（５）のＩＲスペクトル
である。第４９図は、ビス（トリエチルシロキシ）シリ
コン−テトラ（ｎ−デシルスルホニル）ナフタロシアニ
ン〔例示化合物（Ｉ）〕スピンコード膜の吸収スペクト
ルである。第５０図は、例示化合物（Ｉ）スピンコード
膜の透過スペクトルである。第５１図は、例示化合物（
Ｉ）スピンコード膜の５°正反射スペクトル（膜面）で
ある。第５２図は、例示化合物（Ｉ）スピンコード膜の
５°正反射スペクトル（基板面）である。第５３図は、
ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−ヘ
キサデシルスルホニル）ナフタロシアニン〔例示化合物
（８）〕スピンコード膜の吸収スペクトルである。第５
４図は、例示化合物（８）スピンコード膜の透過スペク
トルである。第５５図は、例示化合物（８）スピンコー
ド膜の５°正反射スペクトル（膜面）である。第５６図
は、例示化合物（８）スピンコード膜の５°正反射スペ
クトル（基板面）である。第５７図は、ビス（トリーロ
ープロピルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−デシルス
ルホニル）ナフタロシアニン〔例示化合物（２）〕スス
ピンコード膜の吸収スペクトルである。 第５８図は、例示化合物（２）スピンコード膜の透過ス
ペクトルである。第５９図は、例示化合物（２）スピン
コード膜の５°正反射スペクトル（腹側）である。第６
０図は、例示化合物（２）スピンコード膜の５°正反射
スペクトル（基板側）である。第６１図は、ビス（トリ
ーローブチルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−デシル
スルホニル）ナフタロシアン〔例示化合物（３）〕スピ
ンコード膜の吸収スペクトルである。第６２図は。 例示化合物（３）スピンコード膜の透過スペクトルであ
る。第６３図は、例示化合物（３）スピンコード膜の５
°正反射スペクトル（腹側）である。 第６４図は、例示化合物（３）スピンコード膜の５°正
反射スペクトル（基板側）である。第６５図は、ビス（
トリーｎ−へキシルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−
デシスルホニル）ナフタロシアニン〔例示化合物（５）
〕スピンコード膜の吸収スペクトルである。第６６図は
、例示化合物（５）スピンコード膜の透過スペクトルで
ある。 第６７図は、例示化合物（５）スピンコード膜の５６正
反射スペクトル（腹側）である。第６８図は、例示化合
物（５）スピンコード膜の５°正反射スペクトル（基板
側）である。第６９図は、ビス（トリエチルシロキシ）
シリコンーテ１−ラ（ｎ−ヘキサデシルスルホニル）ナ
フタロシアニン〔例示化合物（８）〕スピンコード膜の
吸収スペクトルである。第７０図は１例示化合物（８）
スピンコード膜の透過スペクトルである。第７１図は、
例示化合物（８）スピンコード膜の反射スペクトル（膜
面）である。第７２図は、バナジル−テトラ（ｔ−ブチ
ル）ナフタロシアニンスピンコード膜の透過スペクトル
である。第７３図は、バナジル−テトラ（ｔ−ブチル）
ナフタロシアニンスピンコード膜の５°正反射スペクト
ルである。第７４図は、例示ナフタロシアニン化合物（
Ｉ）の再生劣化特性を示すＣＮ比を評価したものである
。 第７５図は、例示ナフタロシアニン化合物（５）の再生
劣化特性を示すＣＮ比を評価したものである。第７６図
は、例示ナフタロシアニン化合物（２）の再生劣化特性
を示すＣＮ比を評価したものである。第７７図は１例示
ナフタロシアニン化合物 （５）の再生劣化特性を示すＣＮ比を評価したものであ
る。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式（Ｉ） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｉ） 〔式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは０〜４の整数を示し、同一
   でも相違してもよくかつｋ＋ｎ＋ｍ＋ｎが１以上の整数
   であり、Ｒ＾１はアルキル基、置換基を有するアルキル
   基又はアリール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のＲ＾
   １は同一でも相違してもよく、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎ
   を示し、Ｙはハロゲン原子、ヒドロキシル基、アリール
   オキシル基、アルコキシル基、トリアルキルシロキシル
   基、トリアリールシロキシル基、トリアルコキシシロキ
   シル基、トリアリールオキシシロキシル基、トリチルオ
   キシル基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一で
   も相違してもよい〕で表わされるナフタロシアニン誘導
   体。 ２、一般式（Ｉ）において、ＭがＳｉ又はＧｅである請
   求項１記載のナフタロシアニン誘導体。 ３、一般式（Ｉ）において、ｋ、ｌ、ｍ及びｎが全て１
   である請求項１又は２記載のナフタロシアニン誘導体。 ４、一般式（Ｉ）において、２個のＹがトリアルキルシ
   ロキシル基である請求項１、２又は３記載のナフタロシ
   アニン誘導体。 ５、一般式（Ｉ）においてＲ＾１が全て炭素数１〜２２
   個のアルキル基である請求項１、２、３又は４記載のナ
   フタロシアニン誘導体。 ６、一般式（Ｉ）においてＲ＾１が全て置換基を有する
   アルキル基である請求項１、２、３又は４記載のナフタ
   ロシアニン誘導体。 ７、一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは０〜４の整数を示し、同一
   でも相違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数
   であり、Ｒ＾１はアルキル基、置換基を有するアルキル
   基又はアリール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のＲ＾
   １は同一でも相違してもよく、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎ
   を示す〕で表わされるナフタロシアニン誘導体を一般式
   （III） （Ｒ＾２）＿３ＳｉＣｌ（III） で表わされるクロロシラン、一般式（IV） （Ｒ＾３）＿３ＳｉＯＨ（IV） 〔ただし、式（III）及び（IV）中、Ｒ＾２及びＲ＾３
   は、それぞれ、アルキル基、アリール基、アルコキシル
   基又はアリールオキシル基である〕で表わされるシラノ
   ール、一般式（Ｖ） Ｒ＾４ＯＨ（Ｖ） 〔ただし、式中Ｒ＾４は、アルキル基又はアリール基で
   ある〕で表わされるアルコール又は一般式（VI） Ｒ＾５ＣＯ・Ｘ（VI） 〔ただし、式中Ｒ＾５は、アルキル基、Ｘはハロゲン原
   子、ヒドロキシル基又はアシロキシル基である〕で表わ
   される化合物と反応させることを特徴とする一般式（Ｉ
   ） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｉ） 〔式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは０〜４の整数を示し、同一
   でも相違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数
   であり、Ｒ＾１はアルキル基、置換基を有するアルキル
   基又はアリール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のＲ＾
   １は同一でも相違してもよく、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎ
   を示し、Ｙはハロゲン原子とヒドロキシル基、アリール
   オキシル基、アルコキシル基、トリアルキルシロキシル
   基、トリアリールシロキシル基、トリアルコキシシロキ
   シル基、トリアリールオキシシロキシル基、トリチルオ
   キシル基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一で
   も相違してもよい〕で表わされるナフタロシアニン誘導
   体の製造法。 ８、一般式（VII） ▲数式、化学式、表等があります▼（VII） 〔式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは０〜４の整数を示し、同一
   でも相違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋が１以上の整数で
   あり、Ｒ＾１はアルキル基、置換基を有するアルキル基
   又はアリール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のＲ＾１
   は同一でも相違してもよく、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎを
   示し、Ｙはハロゲン原子、ヒドロキシル基、アリールオ
   キシル基、アルコキシル基、トリアルキルシロキシル基
   、トリアリールシロキシル基、トリアルコキシシロキシ
   ル基、トリアリールオキシシロキシル基、トリチルオキ
   シル基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一でも
   相違してもよい〕で表わされるナフタロシアニン誘導体
   を酸化剤で酸化することを特徴とする一般式（Ｉ）▲数
   式、化学式、表等があります▼（Ｉ） 〔式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは０〜４の整数を示し、同一
   でも相違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数
   であり、Ｒ＾１はアルキル基、置換基を有するアルキル
   基又はアリール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のＲ＾
   １は同一でも相違してもよく、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎ
   を示し、Ｙはハロゲン原子、ヒドロキシル基、アリール
   オキシル基、アルコキシル基、トリアルキルシロキシル
   基、トリアリールシロキシル基、トリアルコキシシロキ
   シル基、トリアリールオキシシロキシル基、トリチルオ
   キシル基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一で
   も相違してもよい〕で表わされるナフタロシアニン誘導
   体の製造法。 ９、一般式（II）、一般式（VII）及び一般式（Ｉ）に
   おいて、ＭがＳｉ又はＧｅである請求項７又は８記載の
   ナフタロシアニン誘導体の製造法。 １０、一般式（II）、一般式（VII）及び一般式（Ｉ）
   において、ｋ、ｌ、ｍ及びｎが全て１である請求項７、
   ８又は９記載のナフタロシアニン誘導体の製造法。 １１、一般式（III）及び一般式（IV）において、Ｒ＾
   ２及びＲ＾３がアルキル基であり、一般式（VII）及び
   一般式（Ｉ）において２個のＹがトリアルキルシロキシ
   ル基である請求項７、８、９又は１０記載のナフタロシ
   アニン誘導体の製造法。 １２、一般式（II）、一般式（VII）及び一般式（Ｉ）
   において、Ｒ＾１が全て炭素数１〜２２個のアルキル基
   である請求項７、８、９、１０又は１１記載のナフタロ
   シアニン誘導体の製造法。 １３、一般式（II）、一般式（VII）及び一般式（Ｉ）
   において、Ｒ＾１が全て置換基を有するアルキル基であ
   る請求項７、８、９、１０又は１１記載のナフタロシア
   ニン誘導体の製造法。 １４、基板表面に、一般式（Ｉ） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｉ） 〔式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは０〜４の整数を示し、同一
   でも相違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数
   であり、Ｒ＾１はアルキル基、置換基を有するアルキル
   基又はアリール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のＲ＾
   １は同一でも相違してもよく、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎ
   を示し、Ｙはハロゲン原子、ヒドロキシル基、アリール
   オキシル基、アルコキシル基、トリアルキルシロキシル
   基、トリアリールシロキシル基、トリアルコキシシロキ
   シル基、トリアリールオキシシロキシル基、トリチルオ
   キシル基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一で
   も相違してもよい〕で表わされるナフタロシアニン誘導
   体を主成分とする記録膜層が形成されていることを特徴
   とする光学記録媒体。 １５、一般式（Ｉ）においてＭがＳｉ又はＧｅであるナ
   フタロシアニン誘導体を主成分とする記録膜層が形成さ
   れている請求項１４記載の光学記録媒体。 １６、一般式（Ｉ）においてｋ、ｌ、ｍ及びｎが全て１
   であるナフタロシアニン誘導体を主成分とする記録膜層
   が形成されている請求項１４又は１５記載の光学記録媒
   体。 １７、一般式（Ｉ）において２個のＹがトリアルキルシ
   ロキシル基であるナフタロシアニン誘導体を主成分とす
   る記録膜層が形成されている請求項１４、１５又は１６
   記載の光学記録媒体。 １８、一般式（Ｉ）においてＲ＾１が全て炭素数１〜２
   ２個のアルキル基であるナフタロシアニン誘導体を主成
   分とする記録膜層が形成されている請求項１４、１５、
   １６又は１７記載の光学記録媒体。 １９、一般式（Ｉ）においてＲ＾１が全て置換基を有す
   るアルキル基であるナフタロシアニン誘導体を主成分と
   する記録膜層が形成されている請求項１４、１５、１６
   又は１７記載の光学記録媒体。 ２０、一般式（Ｉ） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｉ） 〔式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは０〜４の整数を示し、同一
   でも相違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数
   であり、Ｒ＾１はアルキル基、置換基を有するアルキル
   基又はアリール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のＲ＾
   １は同一でも相違してもよく、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎ
   を示し、Ｙはハロゲン原子、ヒドロキシル基、アリール
   オキシル基、アルコキシル基、トリアルキルシロキシル
   基、トリアリールシロキシル基、トリアルコキシシロキ
   シル基、トリアリールオキシシロキシル基、トリチルオ
   キシル基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一で
   も相違してもよい〕で表わされるナフタロシアニン誘導
   体を主として有機溶媒に溶解した溶液を用いて基板表面
   に記録膜層が形成することを特徴とする光学記録媒体の
   製造方法。 ２１、一般式（Ｉ）においてＭがＳｉ又はＧｅであるナ
   フタロシアニン誘導体を用いた請求項２０記載の光学記
   録媒体の製造方法。 ２２、一般式（Ｉ）においてｋ、ｌ、ｍ及びｎが全て１
   であるナフタロシアニン誘導体を用いた請求項２０又は
   ２１記載の光学記録媒体の製造方法。 ２３、一般式（Ｉ）において２個のＹがトリアルキルシ
   ロキシル基であるナフタロシアニン誘導体を用いた請求
   項２０、２１又は２２記載の光学記録媒体の製造方法。 ２４、一般式（Ｉ）においてＲ＾１が全て炭素数１〜２
   ２個のアルキル基であるナフタロシアニン誘導体を用い
   た請求項２０、２１、２２又は２３記載の光学記録媒体
   の製造方法。