JPH02149002A - マイクロ波回路部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明はマイクロ波半導体装置、特に電力用電界効果型
半導体装置に用いる内部整合回路用マイクロ波回路部品
の構造に関する。

（従来の技術） 現在、マイクロ波通信システム、レーダシステムの高性
能化を図る上で電力増幅用素子としてＱａＡｓ　（砒化
ガリウム）を材料とした。電界効果トランジスタ（以下
ＧａＡｓＦＥＴと略記する）は不可欠の存在となってい
る。

ＧａＡｓＦＥＴは他のマイクロ波部品と組合わせられて
電力増幅用装置として機能している。ここで第３図及び
第４図で示された内部整合形電力ＧａＡｓ　ＦＥＴ増幅
装置により、従来のマイクロ波回路部品について説明す
る。第３図は従来の内部整合形電力ＧａＡｓ増幅装置の
概略平面図、第４図は同じく概略断面図（第３図のＡ−
Ａ　一部）である。

セラミック枠（１）に囲まれた導電性基体（２）上にＧ
ａＡｓＦＥＴチップ（３）、長方形チップキャパシタ（
４）、（５）及びアルミナ基板上に分布定数線路を設け
た回路基板（６）、（７）が金錫ハンダを用いて固着さ
れている。さらに前記部品（３）〜（７）及びセラミッ
ク枠（１）上に設けられた外部回路への取出し用金属パ
ターン（８）、（９）のそれぞれは金属細線（通常、金
線）（１０）〜（１５）によって電気的に接続されてい
る。部品（４）　、　　（６）　、　　（１０，）が入
力側インピーダンス整合回路を構成する主要部品であり
、部品（５）、（７）、（１１）が出力側インピーダン
ス整合回路を構成する主要部品である。

この中で、金属細線（１０）及び（１１）に生じるイン
ダクタンスが、前記内部整合形ＧａＡｓＦＥＴ増幅装置
のマイクロ波特性（電力利得、出力等）に最も影響を与
えることが、計算機シミュレーション及び実測結果より
明らかになっている。

金属細線に生じるインダクタンスの大きさはその細線の
長さ及びその細線が張られている周囲の状況（周囲の接
地導体の形状及びそれらとの距離。

チップキャパシタの電極上の金属細線接続点の位置など
）によって決まるため、ＧａＡｓＦＥＴ増幅装置のマイ
クロ波特性のバラツキを小さくして特性の歩留を向上さ
せるためには、金属細線が張られている周囲の状況の再
現性をよくすることが必要である。

この金属細線の長さは自動ボンディング装置を用いる等
の方法により、精度よく再現することができる。一方、
金属細線が張られている、周囲の状況の再現性をよくす
るためには、チップキャパシタ（４）及び（５）の導電
性基体上の固着位置を一定にすることが最も重要である
。

（発明が解決しようとする課題） 従来のマイクロ波回路部品、例えばチップキャパシタ（
４）及び（５）は長方形誘電体基板の上面の少なくとも
一部と下面全面に金属層を設けた構成であり、導電性基
体（２）への位置決め固着作業は、顕微鏡下での手作業
で行っていた。また、固着する部分の幅１＋、ｌｘ（第
４図）は金属細線（１０）、（１１）の長さを使用周波
数帯の異なる品種によって変えることができるようにチ
ップキャパシタ（４）、（５）の幅ｌＩｌ＋１１２（第
４図）よりも大きくとっている。そのため顕微鏡下での
作業でも、チップキャパシタの固着位置を目測で決めて
いるため、組立て毎に固着位置にバラツキが生じてしま
い、前記の理由により、マイクロ波特性の歩留を悪くす
るという問題点があった。

本発明は上記問題点を解決するもので１、チップキャパ
シタの固着位置が正確に決められるために、組立ての再
現性がよく、電力ＧａＡｓＦＥＴ増幅装置のマイクロ波
特性の歩留を向上できるマイクロ波部品を提供すること
を目的とする。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） この目的を達成するため、本発明では薄い長方形金属板
・、あるいは上下両面に導電層を有し、しかも両導電層
が電気的に接続された長方形絶縁性基板上に、これより
小さい長方形であるチップキャパシタを重ねて固着する
。そして固着に際し、このチップキャパシタ下面の一辺
と、この金属板あるいは絶縁性基板の上面の一辺とを一
致させ、チップキャパシタの一端面と金属板あるいは絶
縁性基板の一端面が一つの平面を作るようにして固着す
る手法を採用する。

（作　用） 本構造により、チップキャパシタの導電性基体上の所定
の位置への固着が、目測でなく前記長方形金属板あるい
は表面に導電層を有す、る長方形絶縁性基板の幅によっ
て決められるため、組立ての再現性が大幅に向上する。

（実施例） 第１図及び第２図に本発明の実施例を示す。

第１図は本発明の実施例の概略斜視図、第２図は本発明
のマイクロ波回路部品を内部整合形ＧａＡｓＦＥＴ増幅
装置用外囲器に組み込んだものの概略断面図（従来例の
第４図に対応）である。従来方式の例と同一部品には同
一番号を付けである。

第１図で薄い長方形の金属板（１６）上にこの金属板（
１６）より小さい長方形であるチップキ・１ ヤパシタ（４）が重ねられ、金錫ハンダ（図示せず）で
固着されている。固着に際しては金属板（１６）の上面
の一辺（１８）とチップキャパシタの下面の一辺（１９
）（点線）が一致するように重ね、金属板（１６）の上
面の一辺（１８）を含む端面とチップキャパシタの下面
の一辺（１９）を含む端面とが一つの平面を作るように
する。（２１）はチップキャパシタ上面の電極である。

チップキャパシタ（４）の下面は、全面に金属電極があ
る。

次に、この組立てたものを第２図に示したように所定の
位置に固着する。固着に際しては同図のように金属板（
１６）を導電性基体（２）の凸部（２０）の所定の位置
に密着させる。長方形のチップキャパシタ（５）とこれ
より大きい長方形である金属板（１７）についても前記
の方法で組立てる。

このようにすると、長方形金属板の幅１．，１゜（第２
図）を変えたものを用意しておけば、品種毎にチップキ
ャパシタ（４）、（５）を固着場所（幅１＋、１ｚ）の
所定の位置に再現性よく組立てることができる。従つて
、金属細線（１０）。

（１１）の長さ及び金属細線が張られた周囲状況。

を一定にすることができるので、マイクロ波特性の再現
性が大幅に改善され、歩留が大幅に向上する。

ここで、金属板はチップキャパシタと熱膨脹率ができる
だけ合ったものを用いるのが望ましい。

又、本実施例では金属板を用いたが、その代わりに前記
絶縁性基板の両面に導電層を有し、両導電層が電気的に
接続されたものを用いてもよい。この場合には金属板と
チップキャパシタの熱膨脹率の差によるストレスの問題
がなくなり、有利である。

［発明の効果］ 以上述べたように本発明によればチップキャパシタの固
着位置を正確に設定できるので、組立ての再現性がよく
、これを用いた電力ＧａＡｓＦＥＴ増幅装置のマイクロ
波特性歩留が大幅に向上し、低価格の電力ＧａＡｓＦＥ
Ｔ増幅装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す概略の斜視図、第２図
は本発明のマイクロ波回路部品を組込んだＧａＡｓＦＥ
Ｔ増幅装置の概略断面図である。 第３図、第４図は従来技術を説明するためのＧａＡｓＦ
ＥＴ増幅装置の概略平面図及び断面図である。 （１）、（２）・・・・・・・・・外囲器。 （３）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｆ
ＥＴチップ。 （４）、　　（５）・・・・・・・・・チップキャパシ
タ。 （６）、（７）・・・・・・・・・分布定数回路。 （８）、（９）・・・・・・・・・外囲器電極接続用パ
ターン。 （１０）〜（１５）・・・金属細線。 （１６）、（１７）・・・金属板。 （２０）・・・・・・・・・・・・・・・・・・導電性
基体の凸部。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 長方形の上下両面が導電性で上下両面が互いに電気的に
   接続された基板と、上下両面が前記基板の上下両面より
   も小さい長方形である誘電体基板の下面全部と上面の一
   部又は全部に金属層を設けたマイクロ波用チップキャパ
   シタとより成り、前記チップキャパシタの１端面と前記
   基板の１端面とが一つの平面を作るように前記チップキ
   ャパシタの下面を前記基板の上面に重ねて固着したこと
   を特徴とするマイクロ波回路部品。