JPH02159761A - 赤外線検知装置 - Google Patents
赤外線検知装置Info
- Publication number
- JPH02159761A JPH02159761A JP63315875A JP31587588A JPH02159761A JP H02159761 A JPH02159761 A JP H02159761A JP 63315875 A JP63315875 A JP 63315875A JP 31587588 A JP31587588 A JP 31587588A JP H02159761 A JPH02159761 A JP H02159761A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- substrate
- infrared
- compound semiconductor
- protrudent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
裏面入射型の光起電力型赤外線検知装置に関し、隣接す
る検知素子間で光電変換された信号がクロストークを生
じるのを防止するのを目的とし、半導体基板に凹凸領域
を設け、該凹部領域内に化合物半導体結晶を埋設し、前
記基板の凸部領域で仕切られた化合物半導体結晶に該結
晶と逆導電型の不純物原子を導入し、前記基板の凸部領
域で素子分離された赤外線検知素子を設けたことで構成
する。
る検知素子間で光電変換された信号がクロストークを生
じるのを防止するのを目的とし、半導体基板に凹凸領域
を設け、該凹部領域内に化合物半導体結晶を埋設し、前
記基板の凸部領域で仕切られた化合物半導体結晶に該結
晶と逆導電型の不純物原子を導入し、前記基板の凸部領
域で素子分離された赤外線検知素子を設けたことで構成
する。
本発明は裏面入射型の光起電力型赤外線検知装置に関す
る。
る。
カドミウムテルル（ＣｄＴｅ）のような赤外線を透過し
、高抵抗な化合物半導体基板にエネルギーバンドギャッ
プの狭い水銀・カドミウム・テルル（Ｈｇ＋−ｘ Ｃｄ
ｘ Ｔｅ）のような化合物半導体結晶層をエピタキシャ
ル成長し、該結晶層に該結晶層と逆導電型の不純物原子
を導入してＰ−Ｎ接合を形成してホトダイオードよりな
る検知素子を形成した裏面入射型の光起電力型赤外線検
知装置は周知である。
、高抵抗な化合物半導体基板にエネルギーバンドギャッ
プの狭い水銀・カドミウム・テルル（Ｈｇ＋−ｘ Ｃｄ
ｘ Ｔｅ）のような化合物半導体結晶層をエピタキシャ
ル成長し、該結晶層に該結晶層と逆導電型の不純物原子
を導入してＰ−Ｎ接合を形成してホトダイオードよりな
る検知素子を形成した裏面入射型の光起電力型赤外線検
知装置は周知である。
第４図は従来の光起電力型赤外線検知装置の断面図で、
図示するように赤外線を透過し、エピタキシャル成長用
のＣｄＴｅ基板１上に、Ｐ型のｏｇＣｄＸＴｅのエピタ
キシャル層２が液相エピタキシャル成長方法等を用いて
形成され、該エピタキシャル層２の所定位置に所定パタ
ーンにＮ型の不純物、例えばＢ原子がイオン注入されて
Ｎ型層３が形成されてＰ−Ｎ接合部４を有する光起電力
型のホトダイオードよりなる検知素子５が形成されてい
る。
図示するように赤外線を透過し、エピタキシャル成長用
のＣｄＴｅ基板１上に、Ｐ型のｏｇＣｄＸＴｅのエピタ
キシャル層２が液相エピタキシャル成長方法等を用いて
形成され、該エピタキシャル層２の所定位置に所定パタ
ーンにＮ型の不純物、例えばＢ原子がイオン注入されて
Ｎ型層３が形成されてＰ−Ｎ接合部４を有する光起電力
型のホトダイオードよりなる検知素子５が形成されてい
る。
更に該基板上に硫化亜鉛（ＺｎＳ）膜等の絶縁性保護膜
６が形成され、このホトダイオードよりなる検知素子５
上の保護膜６は開口され、前記検知素子５と接続するよ
うにしてインジウム（Ｉｎ）よりなる金属電極７が形成
され、該金属電極を介して前記検知素子で光電変換され
た信号を処理する電荷転送素子等の信号処理素子８の入
力ダイオードと接続されている。
６が形成され、このホトダイオードよりなる検知素子５
上の保護膜６は開口され、前記検知素子５と接続するよ
うにしてインジウム（Ｉｎ）よりなる金属電極７が形成
され、該金属電極を介して前記検知素子で光電変換され
た信号を処理する電荷転送素子等の信号処理素子８の入
力ダイオードと接続されている。
ところで、このような赤外線検知装置と前記した信号処
理素子とを結合した赤外線撮像装置に於いては、赤外線
検知装置の基板１の裏面側より矢印ＡおよびＢ方向に示
すように赤外線を入射している。
理素子とを結合した赤外線撮像装置に於いては、赤外線
検知装置の基板１の裏面側より矢印ＡおよびＢ方向に示
すように赤外線を入射している。
このような基板１の裏面側より入射した赤外線は、第３
図に示すように基板１を透過した後、エピタキシャル層
２で光電変換されて少数キャリア８となり、この少数キ
ャリア８はその拡散長内にある検知素子４に注入される
ことで電気信号となる。
図に示すように基板１を透過した後、エピタキシャル層
２で光電変換されて少数キャリア８となり、この少数キ
ャリア８はその拡散長内にある検知素子４に注入される
ことで電気信号となる。
ところでこのような赤外線検知装置は、高解像度化を図
るために、検知素子の二次元化、或いは素子の高密度化
が図られている。そのため隣接する検知素子間の間隔が
狭くなる傾向にある。そしてこの検知素子間の間隔！は
、例えば矢印Ｂ方向より入射された入射赤外線によって
発生した少数ギヤリア８Ｂの拡散長程度か、或いはこの
拡散長以下になった場合は、前記した少数キャリアは対
象画素となる赤外線検知素子５Ａ以外の検知素１７−５
Ｂへも到達して光電変換された電気信号のクロストクの
現象を発生する問題がある。そのため、検知素子の間隔
は１００μｍ以−ヒ必要としているのが現状であり、更
に高密度に検知素子を配置した場合でもクロストークを
発生し難い検知装置が望まれる。
るために、検知素子の二次元化、或いは素子の高密度化
が図られている。そのため隣接する検知素子間の間隔が
狭くなる傾向にある。そしてこの検知素子間の間隔！は
、例えば矢印Ｂ方向より入射された入射赤外線によって
発生した少数ギヤリア８Ｂの拡散長程度か、或いはこの
拡散長以下になった場合は、前記した少数キャリアは対
象画素となる赤外線検知素子５Ａ以外の検知素１７−５
Ｂへも到達して光電変換された電気信号のクロストクの
現象を発生する問題がある。そのため、検知素子の間隔
は１００μｍ以−ヒ必要としているのが現状であり、更
に高密度に検知素子を配置した場合でもクロストークを
発生し難い検知装置が望まれる。
本発明はヒ記した問題点に鑑みてなされたもので、検知
素子を高密度に配設しても隣接した検知素子に光電変換
されたキャリアが到達しない高解像度の赤外線検知装置
の提供を目的としている。
素子を高密度に配設しても隣接した検知素子に光電変換
されたキャリアが到達しない高解像度の赤外線検知装置
の提供を目的としている。
−Ｆ記目的を達成する本発明の赤外線検知装置は、第１
図の原理図に示すように半導体基板１１に凹凸領域１４
．１３を設け、該凹部領域１４内に化合物半導体結晶１
２を埋設し、前記基板の凸部領域１３で仕切られた領域
に前記化合物半導体結晶と逆導電型の不純物原子を導入
して前記基板の凸部領域１３で素子分離された赤外線検
知素子５Ｃ，５Ｄ、５Ｅを設けたことで構成する。
図の原理図に示すように半導体基板１１に凹凸領域１４
．１３を設け、該凹部領域１４内に化合物半導体結晶１
２を埋設し、前記基板の凸部領域１３で仕切られた領域
に前記化合物半導体結晶と逆導電型の不純物原子を導入
して前記基板の凸部領域１３で素子分離された赤外線検
知素子５Ｃ，５Ｄ、５Ｅを設けたことで構成する。
ト記第１図の原理図に示すように予め凹凸領域を形成し
た赤外線透過基板１１に、赤外線検知素子形成用の化合
物半導体結晶層１２を設け、この結晶層内に素子形成用
の不純物原子を導入して、前記凸部領域１３Ａ、 １３
Ｂ、 １３Ｃ，１３Ｄで画定された領域内に検知素子５
Ｇ、５Ｄ、５Ｂを形成すると該検知素子は前記凸部領域
１３八、 １．３Ｂ、、１３Ｇ、 １３０で素子分離さ
れる。
た赤外線透過基板１１に、赤外線検知素子形成用の化合
物半導体結晶層１２を設け、この結晶層内に素子形成用
の不純物原子を導入して、前記凸部領域１３Ａ、 １３
Ｂ、 １３Ｃ，１３Ｄで画定された領域内に検知素子５
Ｇ、５Ｄ、５Ｂを形成すると該検知素子は前記凸部領域
１３八、 １．３Ｂ、、１３Ｇ、 １３０で素子分離さ
れる。
この凹凸領域１４．１３を形成するＣｄＴｅの基板１１
は、検知素子形成用の化合物半導体結晶層１２よりも高
抵抗に保つようにする。
は、検知素子形成用の化合物半導体結晶層１２よりも高
抵抗に保つようにする。
゛すると基板の凸部領域１３Ａ、１３Ｂで画定された検
知素子５Ｃに対応して入射された矢印Ｃに示す赤外線は
、対象の検知素子５Ｃの化合物半導体結晶１２に導入さ
れて少数キャリア８Ｃとなって該検知素子５ＣのＰ−Ｎ
接合部９で信号電荷となる。
知素子５Ｃに対応して入射された矢印Ｃに示す赤外線は
、対象の検知素子５Ｃの化合物半導体結晶１２に導入さ
れて少数キャリア８Ｃとなって該検知素子５ＣのＰ−Ｎ
接合部９で信号電荷となる。
然し、凸部領域１３Ｂ、 １３Ｇで画定された検知素子
５ＤのＰ−Ｎ接合部９の側端部９八に対向して入射され
た矢印りに示す赤外線の光電変換されたキャリア８Ｄの
うち、隣接した検知素子５Ｃに拡散しようとしたキャリ
アの拡散長が、隣接する検知素子５Ｃに拡散するのに充
分な値であっても前記した高抵抗の基板１１の凸部領域
１３八に遮られて拡散できない。
５ＤのＰ−Ｎ接合部９の側端部９八に対向して入射され
た矢印りに示す赤外線の光電変換されたキャリア８Ｄの
うち、隣接した検知素子５Ｃに拡散しようとしたキャリ
アの拡散長が、隣接する検知素子５Ｃに拡散するのに充
分な値であっても前記した高抵抗の基板１１の凸部領域
１３八に遮られて拡散できない。
また隣接する検知素子５Ｄと５Ｅの間の凸部領域１３Ｇ
に対向して入射された矢印Ｅに示す赤外線は検知素子に
入射されず、そのまま基板を透過するので信号電荷とな
らない。
に対向して入射された矢印Ｅに示す赤外線は検知素子に
入射されず、そのまま基板を透過するので信号電荷とな
らない。
そのため、凸部領域１３Ｂに対向して入射された赤外線
は該凸部領域１３Ｂに隣接する検知素子５Ｃ，５０に入
射されず、また凸領域１３Ｃに対向して入射された赤外
線で発生したキャリアは隣接する検知素子５Ｄ、５Ｅの
いずれにも到達せず信号のクロストクを発生しない。
は該凸部領域１３Ｂに隣接する検知素子５Ｃ，５０に入
射されず、また凸領域１３Ｃに対向して入射された赤外
線で発生したキャリアは隣接する検知素子５Ｄ、５Ｅの
いずれにも到達せず信号のクロストクを発生しない。
以下、図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明
する。
する。
前記した第２図は本発明の赤外線検知装置の一実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
図示するように本発明の赤外線検知装置は、半導体基板
１１に凹凸領域１．４．１３を設け、該凹部領域１４内
にＰ型の１１ｇ１−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅのエピタキシャル
層１６を埋設し、前記基板の凸部領域１３で仕切られた
領域に前記化合物半導体結晶層と逆導電型の不純物原子
を導入してＮ゛型層１７を形成して赤外線検知素子５Ｃ
，５Ｄおよび５Ｅを設ける。
１１に凹凸領域１．４．１３を設け、該凹部領域１４内
にＰ型の１１ｇ１−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅのエピタキシャル
層１６を埋設し、前記基板の凸部領域１３で仕切られた
領域に前記化合物半導体結晶層と逆導電型の不純物原子
を導入してＮ゛型層１７を形成して赤外線検知素子５Ｃ
，５Ｄおよび５Ｅを設ける。
そして基板１１−ヒにＺｎＳ膜よりなる保護膜１８が基
板のＰ−Ｎ接合部９領域−Ｆに選択的に形成され、前記
Ｎ゛型層１７上に信号処理素子との結合用のＩｎの金属
ハンプ１９が形成され、該金属ハンプ１９と接触しない
ように基板トに検知素子のバイアス電圧印加用の金のコ
ンタク１〜電極２１が設けられている。
板のＰ−Ｎ接合部９領域−Ｆに選択的に形成され、前記
Ｎ゛型層１７上に信号処理素子との結合用のＩｎの金属
ハンプ１９が形成され、該金属ハンプ１９と接触しない
ように基板トに検知素子のバイアス電圧印加用の金のコ
ンタク１〜電極２１が設けられている。
このような本発明の赤外線検知装置を形成する方法の一
実施例につき第３図（ａ）より第３図（（２）迄を用い
て説明する。
実施例につき第３図（ａ）より第３図（（２）迄を用い
て説明する。
第３図（ａ）に示すようにＣｄ Ｔ ｅ基板１１上の所
定位置に、所定パターンのレジスト膜１５をホトリソグ
ラフィ法を用いて形成する。
定位置に、所定パターンのレジスト膜１５をホトリソグ
ラフィ法を用いて形成する。
次いで第３図（ｂ）に示すように該レジスト膜１５をマ
スクとして用いてＣｄＴｅ基板１１を臭素（Ｂｒｚ）
とメタノール（ＣＩｈＯＩ＋）の混合液を用いて素子形
成予定領域に深さが３０μｍ程度の四部領域】４を形成
する。
スクとして用いてＣｄＴｅ基板１１を臭素（Ｂｒｚ）
とメタノール（ＣＩｈＯＩ＋）の混合液を用いて素子形
成予定領域に深さが３０μｍ程度の四部領域】４を形成
する。
次いで第３図（Ｃ）に示すように前記レジスト膜１５を
除去した後、該基板」二にＰ型のＨｇ、−８ＣｄＸＴｅ
のエピタキシャル層１６を液相エピタキシャル成長法を
用いて２５μｍ程度の厚さに形成する。
除去した後、該基板」二にＰ型のＨｇ、−８ＣｄＸＴｅ
のエピタキシャル層１６を液相エピタキシャル成長法を
用いて２５μｍ程度の厚さに形成する。
次いで該エピタキシャル結晶層１６にボロン原子をイオ
ン注入してＮ′″層１７を形成する。
ン注入してＮ′″層１７を形成する。
次いで第３図（ｄ）に示すように前記基板を研磨し、前
記基板基板に形成した凹凸領域の凸部領域１３が露出す
るまで研磨し、その表面を前記した臭素とメタノールの
混合液の希釈液にてエツチングする。
記基板基板に形成した凹凸領域の凸部領域１３が露出す
るまで研磨し、その表面を前記した臭素とメタノールの
混合液の希釈液にてエツチングする。
次いで第３図（ｅ）に示すように基板表面にＺｎＳより
成る保護膜１４を蒸着法等を用いて形成する。
成る保護膜１４を蒸着法等を用いて形成する。
次いで第３図（ｆ）に示すように、検知素子のＰＮ接合
部トに選択的に前記保護膜１４を残し、他の領域に形成
されている前記保護膜をレジスト膜（図示せず）をマス
クとして用いてエツチングして除去した後、蒸着および
レジスト膜をマスクとして用いたエツチングによりＮ４
層上にＩｎの金属ハンプ１９を形成する。
部トに選択的に前記保護膜１４を残し、他の領域に形成
されている前記保護膜をレジスト膜（図示せず）をマス
クとして用いてエツチングして除去した後、蒸着および
レジスト膜をマスクとして用いたエツチングによりＮ４
層上にＩｎの金属ハンプ１９を形成する。
次いで第３図（樽に示すように、前記検知素子のＰ−Ｎ
接合部上とＮ″領域上を除いた領域上に蒸着およびレジ
スト膜を用いたリフトオフ法により前記ダイオードのバ
イアス電圧印加用の金のコンタクト電極２１を形成して
素子を形成する。
接合部上とＮ″領域上を除いた領域上に蒸着およびレジ
スト膜を用いたリフトオフ法により前記ダイオードのバ
イアス電圧印加用の金のコンタクト電極２１を形成して
素子を形成する。
このようにすれば基板の底部より基板の凸部領域、即ち
検知素子間領域に対向して入射された光は基板を透過し
てエピタキシャル層１６を通過しないので光電変換され
ず、号電荷とならない。また検知素子を形成する化合物
半導体結晶層内に形成されたＰ−Ｎ接合部の側端部に対
向して入射されて、光電変換された少数キャリアは、隣
接する素子間の距離が少数キャリアの拡散長より短い場
合でも前記高抵抗の基板の凸部領域に遮られ、隣接する
検知素子に信号電荷が導入されないので信号電荷のクロ
ストークの発生しない赤外線検知装置が得られる。
検知素子間領域に対向して入射された光は基板を透過し
てエピタキシャル層１６を通過しないので光電変換され
ず、号電荷とならない。また検知素子を形成する化合物
半導体結晶層内に形成されたＰ−Ｎ接合部の側端部に対
向して入射されて、光電変換された少数キャリアは、隣
接する素子間の距離が少数キャリアの拡散長より短い場
合でも前記高抵抗の基板の凸部領域に遮られ、隣接する
検知素子に信号電荷が導入されないので信号電荷のクロ
ストークの発生しない赤外線検知装置が得られる。
以トの説明から明らかなように本発明によれば赤外線検
知装置の製造の初期段階で素子分離ができ、高密度に検
知素子を形成してもクロスｌ−−りの発生しない、鮮明
な赤外画像が形成される赤外線検知装置が得られる効果
がある。
知装置の製造の初期段階で素子分離ができ、高密度に検
知素子を形成してもクロスｌ−−りの発生しない、鮮明
な赤外画像が形成される赤外線検知装置が得られる効果
がある。
第１図は本発明の赤外線検知装置の原理図、第２図は本
発明の装置の一実施例の断面図、第３図（ａ）より第３
図（ｇ）迄は本発明の装置の製造方法を示す断面図、 第４回は従来の装置の断面図である。 図において、 ５Ｇ、５０．５Ｅは赤外線検知素子、８Ｃ，８Ｄは少数
キャリア、９，９ＡはＰごＮ接合部、】１は半導体裁板
（ＣｄＴｅ基板）、Ｉ２は化合物半導体結晶層、１３，
１３八、１３８１３Ｃ，１３Ｄは凸部領域、１４は凹部
領域、］５はレジスト膜、１ＧはＰ型ｔＪｇ＋−ｘ ｃ
ｄＸＴｅエピタキシャル層、】７はＮ＋層、１８は保護
膜、１９はＩｎ金属バンプ、２】はコンタクト電極を示
す。
発明の装置の一実施例の断面図、第３図（ａ）より第３
図（ｇ）迄は本発明の装置の製造方法を示す断面図、 第４回は従来の装置の断面図である。 図において、 ５Ｇ、５０．５Ｅは赤外線検知素子、８Ｃ，８Ｄは少数
キャリア、９，９ＡはＰごＮ接合部、】１は半導体裁板
（ＣｄＴｅ基板）、Ｉ２は化合物半導体結晶層、１３，
１３八、１３８１３Ｃ，１３Ｄは凸部領域、１４は凹部
領域、］５はレジスト膜、１ＧはＰ型ｔＪｇ＋−ｘ ｃ
ｄＸＴｅエピタキシャル層、】７はＮ＋層、１８は保護
膜、１９はＩｎ金属バンプ、２】はコンタクト電極を示
す。
Claims (1)
- 半導体基板（１１）に凹凸領域（１４、１３）を設け、
該凹部領域（１４）内に化合物半導体結晶（１２）を埋
設し、前記基板の凸部領域（１３）で仕切られた化合物
半導体結晶（１２）に該結晶と逆導電型の不純物原子を
導入し、前記基板の凸部領域（１３）で素子分離された
赤外線検知素子を設けたことを特徴とする赤外線検知装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63315875A JPH02159761A (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 | 赤外線検知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63315875A JPH02159761A (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 | 赤外線検知装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02159761A true JPH02159761A (ja) | 1990-06-19 |
Family
ID=18070648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63315875A Pending JPH02159761A (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 | 赤外線検知装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02159761A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007201184A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Nec Electronics Corp | 固体撮像装置 |
| JP2008300743A (ja) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2012142638A (ja) * | 2012-04-27 | 2012-07-26 | Renesas Electronics Corp | 固体撮像装置 |
-
1988
- 1988-12-13 JP JP63315875A patent/JPH02159761A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007201184A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Nec Electronics Corp | 固体撮像装置 |
| US8334915B2 (en) | 2006-01-26 | 2012-12-18 | Renesas Electronics Corporation | Solid-state image pickup device |
| JP2008300743A (ja) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2012142638A (ja) * | 2012-04-27 | 2012-07-26 | Renesas Electronics Corp | 固体撮像装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10056416B2 (en) | Majority current assisted radiation detector device | |
| EP0518243B1 (en) | Two-color radiation detector array and method of fabricating same | |
| JPS5812746B2 (ja) | 半導体光検出装置 | |
| US3473032A (en) | Photoelectric surface induced p-n junction device | |
| JP3049015B2 (ja) | バンドギャップ設計型アクティブ・ピクセル・セル | |
| KR100670828B1 (ko) | 적외선 레이저 레이다의 영상 신호를 검출하기 위한 광검출기 및 그 제조방법 | |
| JPH0828493B2 (ja) | 光検知器 | |
| JPH02159761A (ja) | 赤外線検知装置 | |
| JPH04246860A (ja) | 光電変換装置 | |
| US5075748A (en) | Photodetector device | |
| US3916429A (en) | Gated silicon diode array camera tube | |
| US20180337210A1 (en) | Photodetection device which has an inter-diode array and is overdoped by metal diffusion and manufacturing method | |
| JPS63273365A (ja) | 赤外線検出デバイス | |
| JPS60182764A (ja) | 半導体受光装置 | |
| JPH0319377A (ja) | 赤外線検知装置 | |
| JPS6154314B2 (ja) | ||
| JPH07105522B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02155269A (ja) | 赤外線検知装置 | |
| KR950010532B1 (ko) | Ccd의 구조 | |
| JP2001274451A (ja) | 半導体撮像素子およびその製造方法 | |
| JP3364989B2 (ja) | 分割光センサ−用アバランシェフォトダイオ−ド | |
| JPH012375A (ja) | 赤外線検出装置 | |
| JPH01201971A (ja) | 赤外線検知装置 | |
| JPH01147875A (ja) | 赤外線検知装置 | |
| JPS60182765A (ja) | 半導体受光装置 |