JPS60182765A - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
- Publication number
- JPS60182765A JPS60182765A JP59037844A JP3784484A JPS60182765A JP S60182765 A JPS60182765 A JP S60182765A JP 59037844 A JP59037844 A JP 59037844A JP 3784484 A JP3784484 A JP 3784484A JP S60182765 A JPS60182765 A JP S60182765A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- substrate
- junctions
- light receiving
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）０発明の技術分野
本発明は撮像装置等の受光部に用いる受光素子をアレー
構造に配列してなる半導体受光装置に関する。
構造に配列してなる半導体受光装置に関する。
（ｂ）、技術の背景
撮像装置の受光部に用いる受光素子は光起電力型、ＭＩ
Ｓ（金属−絶縁体一半導体 構造）型等があり、基板上
にこれらの個々の素子を配列してなり、その各が１つの
画素を形成する。
Ｓ（金属−絶縁体一半導体 構造）型等があり、基板上
にこれらの個々の素子を配列してなり、その各が１つの
画素を形成する。
このような受光素子は個々の画素として、通常基板上に
被着された半導体層に、光起電力型の場合はダイオード
、ＭＩＳ型の場合はＭＩＳ素子によるアレーを構成する
。近年画素の高集積化、高密度化が要望され、画素の間
隔は小さくなり、各素子間における画像信号の干渉が問
題となっている。
被着された半導体層に、光起電力型の場合はダイオード
、ＭＩＳ型の場合はＭＩＳ素子によるアレーを構成する
。近年画素の高集積化、高密度化が要望され、画素の間
隔は小さくなり、各素子間における画像信号の干渉が問
題となっている。
（Ｃ）、従来技術と問題点
第１図に裏面入射型半導体受光装置の従来構造の断面を
示す。図において１は基板、２は半導体層、３は半導体
層２と反対の導電型を有する型半導体層、４は空乏層の
端、５は保護膜、６は信号取り出し電極を示す。
示す。図において１は基板、２は半導体層、３は半導体
層２と反対の導電型を有する型半導体層、４は空乏層の
端、５は保護膜、６は信号取り出し電極を示す。
基板１として珪素、サファイヤ等の赤外線を透過する材
料を選び、その上に半導体層２としてエピタキシャル成
長により、ｐ型のインジウム・アンチモンや鉛・錫・テ
ルル等の結晶層を形成し、該層内において画素毎に島状
のｎ型半導体層３を形成しｐｎ接合を構成する。
料を選び、その上に半導体層２としてエピタキシャル成
長により、ｐ型のインジウム・アンチモンや鉛・錫・テ
ルル等の結晶層を形成し、該層内において画素毎に島状
のｎ型半導体層３を形成しｐｎ接合を構成する。
このような構造では、ｐｎ接合の空乏層の端４で発生し
た信号キャリアは拡散して拡がり、隣接するｐｎ接合に
達する結果、画素間でクロストーりが生じ、画像信号が
ボケる。この場合信号キャリアの拡散長は〜２０μｍ程
度あり、これ以下のピンチで画素を形成できなくなり、
装置の微細化、画素数の増大に対して問題を生じている
。
た信号キャリアは拡散して拡がり、隣接するｐｎ接合に
達する結果、画素間でクロストーりが生じ、画像信号が
ボケる。この場合信号キャリアの拡散長は〜２０μｍ程
度あり、これ以下のピンチで画素を形成できなくなり、
装置の微細化、画素数の増大に対して問題を生じている
。
（ｄ）１発明の目的
本発明の目的は従来技術の有する上記の欠点を除去し、
各画素間において画像信号のクロストークのない鮮明な
画像が得られ、且つ高密度の画素を有する半導体受光装
置を得ることにある。
各画素間において画像信号のクロストークのない鮮明な
画像が得られ、且つ高密度の画素を有する半導体受光装
置を得ることにある。
（ｅ）９発明の構成
上記の目的は、基板上に被着された半導体層を島状に分
離し、分離された個々の半導体層に受光素子を設け、且
つ分離された個々の半導体層を導電層で結んでなる本発
明による半導体受光像装置を得ることによって達成され
る。
離し、分離された個々の半導体層に受光素子を設け、且
つ分離された個々の半導体層を導電層で結んでなる本発
明による半導体受光像装置を得ることによって達成され
る。
本発明は半導体層を島状に分離し、各島内に受光素子、
例えばｐｎ接合を形成することにより、ｐｎ接合間で発
生ずる信号キャリアをなくし、各画素間でクロストーク
をなくするようにしたものである。
例えばｐｎ接合を形成することにより、ｐｎ接合間で発
生ずる信号キャリアをなくし、各画素間でクロストーク
をなくするようにしたものである。
（ｆ）７発明の実施例
第２図（ａｌ 、 （ｂｌは本発明に係る赤外用半導体
受光装置の平面図と断面図である。図で第１図と同一番
号は同一対象を示し、７は導電層よりなるオーミック電
極を示す。
受光装置の平面図と断面図である。図で第１図と同一番
号は同一対象を示し、７は導電層よりなるオーミック電
極を示す。
図において、基板１として、厚さ０．４ｍｍのｐ−型の
珪素基板を用い、この上に半導体層２として厚さ５μｍ
のｐ型の鉛・錫・テルルのエピタキシャル結晶層を形成
する。
珪素基板を用い、この上に半導体層２として厚さ５μｍ
のｐ型の鉛・錫・テルルのエピタキシャル結晶層を形成
する。
つぎにリソグラフィ工程を用いて、半導体層２を格子状
にエツチングし、半導体層の島を各画素毎に形成し、各
島内にイオン打ち込みにより厚さ１０００〜２０００人
のｎ型半導体層３を形成し、ｐｎ接合を構成する。
にエツチングし、半導体層の島を各画素毎に形成し、各
島内にイオン打ち込みにより厚さ１０００〜２０００人
のｎ型半導体層３を形成し、ｐｎ接合を構成する。
絶縁性の保護膜４として、厚さ５０００人の二酸化珪素
膜を用い、基板全面に被着してリソグラフィ工程を用い
て信号取り出し電極６とオーミック電極７の形成部を開
口する。
膜を用い、基板全面に被着してリソグラフィ工程を用い
て信号取り出し電極６とオーミック電極７の形成部を開
口する。
分離されたｐｎ接合のｎ側の信号取り出し電極６は、厚
さ８０００のアルミニウム層を用いて形成する。
さ８０００のアルミニウム層を用いて形成する。
分離されたｐｎ接合のｐ側のオーミック電極７は、エツ
チングにより生じた溝の部分に格子状に厚さ２０００〜
５０００人の金の層を用いて形成し、共通電極とする。
チングにより生じた溝の部分に格子状に厚さ２０００〜
５０００人の金の層を用いて形成し、共通電極とする。
この電極形成はマスク蒸着か、またはレジストによるリ
フトオフ工程により行う。
フトオフ工程により行う。
以上のような構造により、ｐｎ接合のｐ領域で発生した
キャリアの拡散はｐｎ接合間のオーミック電極部で遮断
され、隣接するｐｎ接合間でクロストークを生じない。
キャリアの拡散はｐｎ接合間のオーミック電極部で遮断
され、隣接するｐｎ接合間でクロストークを生じない。
またｐｎ接合の間隔をキャリアの拡散長以下にすること
ができるので画素の高密度化ができ、従って高分解能半
導体受光装置の形成が可能となる。
ができるので画素の高密度化ができ、従って高分解能半
導体受光装置の形成が可能となる。
実施例では、本発明を裏面入射型半導体受光装置に通用
したが、表面入射型にも通用可能である。
したが、表面入射型にも通用可能である。
また実施例では受光素子としてｐｎ接合を用いたが、他
の型の受光素子を用いてもよい。
の型の受光素子を用いてもよい。
実施例では基板１に珪素を用いたが、サップイヤ等地の
材料を用いてもよい。
材料を用いてもよい。
また実施例では半導体層２として鉛・錫・テルルを用い
たが、インジウム・アンチモン等地の材料を用いてもよ
い。
たが、インジウム・アンチモン等地の材料を用いてもよ
い。
また実施例では、赤外受光装置について説明したが、他
の波長領域の装置についても発明の要旨は変わらない。
の波長領域の装置についても発明の要旨は変わらない。
（ｇ）１発明の効果
以上詳細に説明したように本発明によれば、各画素間で
画像信号のクロストークのない鮮明な画像が得られ、且
つ高密度の画素を有する半導体受光装置を得ることがで
きる。
画像信号のクロストークのない鮮明な画像が得られ、且
つ高密度の画素を有する半導体受光装置を得ることがで
きる。
第１図は裏面入射型半導体受光装置の従来構造の断面、
第２図は本発明に係る裏面入射型半導体受光装置の平面
図と断面図である。 図において１は基板、２はｐ型半導体層、３はｎ型半導
体層、４は空乏層の端、５は保護膜、６は信号取り出し
電極、７はオーミック電極を示す。
第２図は本発明に係る裏面入射型半導体受光装置の平面
図と断面図である。 図において１は基板、２はｐ型半導体層、３はｎ型半導
体層、４は空乏層の端、５は保護膜、６は信号取り出し
電極、７はオーミック電極を示す。
Claims (1)
- 基板上に被着された半導体層を島状に分離し、分離され
た個々の半導体層に受光素子を設け、且つ分離された個
々の半導体層を導電層で結んでなることを特徴とする半
導体受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59037844A JPS60182765A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 半導体受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59037844A JPS60182765A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 半導体受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60182765A true JPS60182765A (ja) | 1985-09-18 |
Family
ID=12508838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59037844A Pending JPS60182765A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 半導体受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60182765A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536964A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | モノリシツク・ホトダイオード・アレイの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS501490A (ja) * | 1973-05-12 | 1975-01-09 | ||
| JPS5693379A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-28 | Ricoh Co Ltd | Photodiode |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP59037844A patent/JPS60182765A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS501490A (ja) * | 1973-05-12 | 1975-01-09 | ||
| JPS5693379A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-28 | Ricoh Co Ltd | Photodiode |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536964A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | モノリシツク・ホトダイオード・アレイの製造方法 |
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