JPH02162524A - 磁気記録媒体の脱膜方法 - Google Patents
磁気記録媒体の脱膜方法Info
- Publication number
- JPH02162524A JPH02162524A JP31770788A JP31770788A JPH02162524A JP H02162524 A JPH02162524 A JP H02162524A JP 31770788 A JP31770788 A JP 31770788A JP 31770788 A JP31770788 A JP 31770788A JP H02162524 A JPH02162524 A JP H02162524A
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- Japan
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- thin film
- film layer
- magnetic recording
- magnetic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は磁気ディスク等の磁気記録媒体の脱膜方法に係
り、特に製品規格外の不良品を再生利用するにあたり、
該磁気記録媒体上のクロム（Ｃｒ）下地層、磁性薄膜層
及び保護薄膜層を容易に脱膜する方法に関するものであ
る。
り、特に製品規格外の不良品を再生利用するにあたり、
該磁気記録媒体上のクロム（Ｃｒ）下地層、磁性薄膜層
及び保護薄膜層を容易に脱膜する方法に関するものであ
る。
［従来の技術］
近年、コンピュータ等の情報処理技術の発達に伴ない、
その外部記憶装置として磁気ディスク等の磁気記録媒体
が用いられている。
その外部記憶装置として磁気ディスク等の磁気記録媒体
が用いられている。
従来、磁気記録媒体としては、アルミニウム合金基板に
アルマイトやＮ１−Ｐメツキ等の非磁性メツキ処理を施
した後、Ｃｒ等の下地層を被覆し、次いでコバルト（Ｃ
ｏ）系合金の磁性薄膜層を被覆し、さらに炭素質の保護
薄膜層を被覆したものが工業的に製造されている。
アルマイトやＮ１−Ｐメツキ等の非磁性メツキ処理を施
した後、Ｃｒ等の下地層を被覆し、次いでコバルト（Ｃ
ｏ）系合金の磁性薄膜層を被覆し、さらに炭素質の保護
薄膜層を被覆したものが工業的に製造されている。
ところで、工業的に゛製造された磁気記録媒体は、その
全てが製品品質規格に合格するものではなく、不合格品
（不良品）がしばしば出ることがある。これらの不合格
品は、製造コスト面から再生利用することが望ましく、
特にその再生利用に際しては、Ｎ１−Ｐメツキ層を脱膜
することなく、Ｃｒ下地層、ＣＯ系合金磁性薄膜層及び
炭素質保護薄膜層を脱膜するのが有利である。
全てが製品品質規格に合格するものではなく、不合格品
（不良品）がしばしば出ることがある。これらの不合格
品は、製造コスト面から再生利用することが望ましく、
特にその再生利用に際しては、Ｎ１−Ｐメツキ層を脱膜
することなく、Ｃｒ下地層、ＣＯ系合金磁性薄膜層及び
炭素質保護薄膜層を脱膜するのが有利である。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、炭素質保護薄膜層はＣＯ系合金磁性薄膜
層を保護するために該磁性薄膜層に強固に被覆、被着さ
れているため、これを脱膜することは容易ではない。脱
膜方法としては、溶媒に溶解させて脱膜する方法、研摩
して脱膜する方法等が考えられるが、前者の方法は、炭
素質保護薄膜層を溶解させる適当な溶媒が知られていな
いことから、実用化が難しい。また、後者の方法は、炭
素質保護薄膜層が強固に被覆されていることから、研摩
により脱膜するのは容易でなく、再生コストも高くなる
ことから、工業的に有利な方法とはいえない。
層を保護するために該磁性薄膜層に強固に被覆、被着さ
れているため、これを脱膜することは容易ではない。脱
膜方法としては、溶媒に溶解させて脱膜する方法、研摩
して脱膜する方法等が考えられるが、前者の方法は、炭
素質保護薄膜層を溶解させる適当な溶媒が知られていな
いことから、実用化が難しい。また、後者の方法は、炭
素質保護薄膜層が強固に被覆されていることから、研摩
により脱膜するのは容易でなく、再生コストも高くなる
ことから、工業的に有利な方法とはいえない。
本発明は上記従来の問題点を解決し、磁気記録媒体のＣ
ｒ下地層、磁性薄膜層及び保護薄膜層を、簡単な操作で
容易かつ効率的に脱膜することができる方法を提供する
ことを目的とする。
ｒ下地層、磁性薄膜層及び保護薄膜層を、簡単な操作で
容易かつ効率的に脱膜することができる方法を提供する
ことを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明の磁気記録媒体の脱膜方法は、基板上にクロム下
地層、コバルト系合金磁性薄膜層及び保護薄膜層を積層
してなる磁気記録媒体より、クロム下地層、磁性薄膜層
及び保護薄膜層を脱膜する方法であって、該磁気記録媒
体を１４重量％以上の塩酸水溶液で処理することを特徴
とする。
地層、コバルト系合金磁性薄膜層及び保護薄膜層を積層
してなる磁気記録媒体より、クロム下地層、磁性薄膜層
及び保護薄膜層を脱膜する方法であって、該磁気記録媒
体を１４重量％以上の塩酸水溶液で処理することを特徴
とする。
即ち、本発明者は上記状況に鑑み、不合格品の磁気記録
媒体のＣｒ下地層、Ｃｏ系合金磁性薄膜層及び炭素質保
護薄膜層を脱膜すべく鋭意検討を重ねた結果、磁気記録
媒体を特定濃度以上の塩酸水溶液で処理することにより
、Ｎ１−Ｐメツキ層を脱膜することなく、Ｃｒ下地層、
Ｃｏ系合金磁性薄膜層及び炭素質保護薄膜層を容易に脱
膜することができることを見出し、本発明を完成させた
。
媒体のＣｒ下地層、Ｃｏ系合金磁性薄膜層及び炭素質保
護薄膜層を脱膜すべく鋭意検討を重ねた結果、磁気記録
媒体を特定濃度以上の塩酸水溶液で処理することにより
、Ｎ１−Ｐメツキ層を脱膜することなく、Ｃｒ下地層、
Ｃｏ系合金磁性薄膜層及び炭素質保護薄膜層を容易に脱
膜することができることを見出し、本発明を完成させた
。
以下、本発明につき詳細に説明する。
本発明が適用される磁気記録媒体の基板としては、一般
にアルミニウム合金からなるディスク状基板が用いられ
れ、通常、アルミニウム基板を所定の厚さに加工した後
、その表面を鏡面加工したものに、第１次下地層として
硬質非磁性金属、例えばＮ１−Ｐ合金を無電解メツキあ
るいは陽極酸化処理により形成し、しかる後、第２次下
地層としてＣｒをスパッタリングしたものが用いられる
。
にアルミニウム合金からなるディスク状基板が用いられ
れ、通常、アルミニウム基板を所定の厚さに加工した後
、その表面を鏡面加工したものに、第１次下地層として
硬質非磁性金属、例えばＮ１−Ｐ合金を無電解メツキあ
るいは陽極酸化処理により形成し、しかる後、第２次下
地層としてＣｒをスパッタリングしたものが用いられる
。
このような基板のＣｒ下地層上に形成される金属磁性薄
膜層としては、Ｃｏ−Ｃｒ％Ｃｏ−Ｎｉ、 Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｘ、 Ｃｏ−Ｎ１−Ｘ、 Ｃｏ −Ｗ−Ｘ等で
表わされるＣｏ系合金の磁性薄膜層が好適である。ここ
でＸとしてはＬｉ、Ｓｔ。
膜層としては、Ｃｏ−Ｃｒ％Ｃｏ−Ｎｉ、 Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｘ、 Ｃｏ−Ｎ１−Ｘ、 Ｃｏ −Ｗ−Ｘ等で
表わされるＣｏ系合金の磁性薄膜層が好適である。ここ
でＸとしてはＬｉ、Ｓｔ。
Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｓ、Ｙ、Ｚｒ。
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｈｆ。
Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉ ｒ、Ｐｔ、Ａｕ。
Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、及び、Ｅｕより
なる群から選ばれた１種又は２ ｆ１以上の元素が挙げ
られる。
なる群から選ばれた１種又は２ ｆ１以上の元素が挙げ
られる。
このようなＣｏ系合金からなる金属磁性薄膜層は、通常
スパッタリング等の手段によって基板の下地層上に被着
形成される。該金属磁性薄膜層の膜厚としては、通常２
００〜２５００Ａの範囲とされる。
スパッタリング等の手段によって基板の下地層上に被着
形成される。該金属磁性薄膜層の膜厚としては、通常２
００〜２５００Ａの範囲とされる。
上記金属磁性薄膜層上に形成される保護薄膜層としては
炭素質膜が好ましく、炭素質保護薄膜層は、通常、アル
ゴン、Ｈｅ等の希ガスの雰囲気下でダイヤモンド状、グ
ラファイト状又はアモルファス状のカーボンをターゲッ
トとしてスパッタリングにより該金属磁性薄膜層上に被
着形成される。該保護薄膜層の膜厚は、通常１００〜１
ｏｏｏＡの範囲とされる。
炭素質膜が好ましく、炭素質保護薄膜層は、通常、アル
ゴン、Ｈｅ等の希ガスの雰囲気下でダイヤモンド状、グ
ラファイト状又はアモルファス状のカーボンをターゲッ
トとしてスパッタリングにより該金属磁性薄膜層上に被
着形成される。該保護薄膜層の膜厚は、通常１００〜１
ｏｏｏＡの範囲とされる。
本発明においては、上記の如く基板上に下地層、金属磁
性薄膜層及び保護薄膜層を被着形成して得られた磁気記
録媒体であって、製品規格で不合格となった不良品を脱
膜して再生利用するに際し、上記不良品を特定濃度以上
の塩酸水溶液で処理して形成されているＣｒ下地層、磁
性薄膜層及び保護薄膜層を脱膜する。
性薄膜層及び保護薄膜層を被着形成して得られた磁気記
録媒体であって、製品規格で不合格となった不良品を脱
膜して再生利用するに際し、上記不良品を特定濃度以上
の塩酸水溶液で処理して形成されているＣｒ下地層、磁
性薄膜層及び保護薄膜層を脱膜する。
本発明に用いられる塩酸水溶液は、その濃度が１４重量
％以上、好ましくは１５〜３５重量％の範囲の水溶液で
ある。塩酸水溶液の濃度が１５重量％未満ではＣｒ下地
層の脱膜が不十分であるが、あまりに高すぎても取り扱
い性等の面で好ましくない。
％以上、好ましくは１５〜３５重量％の範囲の水溶液で
ある。塩酸水溶液の濃度が１５重量％未満ではＣｒ下地
層の脱膜が不十分であるが、あまりに高すぎても取り扱
い性等の面で好ましくない。
処理方法としては、磁気記録媒体を上記塩酸水溶液と液
接触させることができる方法であれば良く、特に制限は
ないが、例えば、噴霧接触、シャワー接触、浸漬接触、
超音波接触等が挙げられる。
接触させることができる方法であれば良く、特に制限は
ないが、例えば、噴霧接触、シャワー接触、浸漬接触、
超音波接触等が挙げられる。
処理温度は特に制限はない。また、処理時間も特に制限
はなく、塩酸水溶液の濃度、温度等に応じて適宜選択す
れば良い。
はなく、塩酸水溶液の濃度、温度等に応じて適宜選択す
れば良い。
本発明の方法に従って、脱膜処理を行なった後は水洗、
乾燥して磁気記録媒体の成膜工程へ再使用することがで
きる。
乾燥して磁気記録媒体の成膜工程へ再使用することがで
きる。
［作用］
本発明による作用の詳細は明らかではないが、磁気記録
媒体を塩酸水溶液を用いて処理することにより、磁気記
録媒体のＣｒ下地層及び磁性薄膜層が塩酸水溶液中に高
速溶解して、Ｎ１−Ｐメツキ層を脱膜させることなく、
Ｃｒ下地層と磁性薄膜層及び磁性薄膜層上の保護薄膜層
が剥離し、該Ｃｒ下地層、磁性薄膜層及び保護薄膜層が
容易に脱膜するものと推定される。
媒体を塩酸水溶液を用いて処理することにより、磁気記
録媒体のＣｒ下地層及び磁性薄膜層が塩酸水溶液中に高
速溶解して、Ｎ１−Ｐメツキ層を脱膜させることなく、
Ｃｒ下地層と磁性薄膜層及び磁性薄膜層上の保護薄膜層
が剥離し、該Ｃｒ下地層、磁性薄膜層及び保護薄膜層が
容易に脱膜するものと推定される。
［実施例］
以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的
に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下
の実施例に限定されるものではない。
に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下
の実施例に限定されるものではない。
実施例１〜２、比較例１〜３
ディスク状アルミニウム合金基板上に非磁性Ｎ１−Ｐ合
金メツキ層（厚さ１５μｍ）、Ｃｒ下地層（厚さ２００
０Ａ）、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金磁性薄膜層（厚さ５００
Ａ）、カーボン保護薄膜層（厚さ４００Ａ）を順次積層
してなる磁気ディスク２枚を第１表に示す種類及び濃度
の酸水溶液１５０ｍｆＬ中に２２℃で１２分間（比較例
２．３では５分間）浸漬処理した。
金メツキ層（厚さ１５μｍ）、Ｃｒ下地層（厚さ２００
０Ａ）、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金磁性薄膜層（厚さ５００
Ａ）、カーボン保護薄膜層（厚さ４００Ａ）を順次積層
してなる磁気ディスク２枚を第１表に示す種類及び濃度
の酸水溶液１５０ｍｆＬ中に２２℃で１２分間（比較例
２．３では５分間）浸漬処理した。
酸水溶液中に溶解しているＣ０１Ｎｉ、Ｃｒ各成分量を
原子吸光光度法で測定して求め、この測定結果と処理前
の磁気ディスクの磁性薄膜層及びＣｒ下地層の各成分量
から、脱膜率を算出した。
原子吸光光度法で測定して求め、この測定結果と処理前
の磁気ディスクの磁性薄膜層及びＣｒ下地層の各成分量
から、脱膜率を算出した。
結果を第１表に示す。
第１表より、本発明の方法によればＮ１−Ｐメツキ層は
脱膜することなく、Ｃｒ下地層、磁性薄膜層及び保護薄
膜層を効率的に脱膜することができることが明らかであ
る。
脱膜することなく、Ｃｒ下地層、磁性薄膜層及び保護薄
膜層を効率的に脱膜することができることが明らかであ
る。
［発明の効果］
以上詳述した通り、本発明の磁気記録媒体の脱膜方法に
よれば、基板上にＮ１−Ｐメツキ層、Ｃｒ下地層、ＣＯ
系合金磁性薄膜層及び保護薄膜層を積層してなる磁気記
録媒体から、Ｎ１−Ｐメツキ層は脱膜することなく、Ｃ
ｒ下地層、磁性薄膜層及び保護薄膜層を簡単な操作で容
易かつ効率的に、低コストにて脱膜することができる。
よれば、基板上にＮ１−Ｐメツキ層、Ｃｒ下地層、ＣＯ
系合金磁性薄膜層及び保護薄膜層を積層してなる磁気記
録媒体から、Ｎ１−Ｐメツキ層は脱膜することなく、Ｃ
ｒ下地層、磁性薄膜層及び保護薄膜層を簡単な操作で容
易かつ効率的に、低コストにて脱膜することができる。
従って、本発明の方法によれば、工業生産された磁気記
録媒体の製品規格外の不良品を脱膜して有効に再生利用
することが可能とされ、工業的、経済的に極めて有利で
ある。
録媒体の製品規格外の不良品を脱膜して有効に再生利用
することが可能とされ、工業的、経済的に極めて有利で
ある。
Claims (1)
- （１）基板上にクロム下地層、コバルト系合金磁性薄膜
層及び保護薄膜層を積層してなる磁気記録媒体より、ク
ロム下地層、磁性薄膜層及び保護薄膜層を脱膜する方法
であって、該磁気記録媒体を１４重量％以上の塩酸水溶
液で処理することを特徴とする磁気記録媒体の脱膜方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31770788A JPH0731809B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 磁気記録媒体の脱膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31770788A JPH0731809B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 磁気記録媒体の脱膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02162524A true JPH02162524A (ja) | 1990-06-22 |
| JPH0731809B2 JPH0731809B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=18091135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31770788A Expired - Lifetime JPH0731809B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 磁気記録媒体の脱膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0731809B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06116754A (ja) * | 1992-10-04 | 1994-04-26 | Takechiyo Kawaguchi | ハード・ディスク（コンピューター用記憶媒体） の不良スパッタリング膜剥離法 |
-
1988
- 1988-12-16 JP JP31770788A patent/JPH0731809B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06116754A (ja) * | 1992-10-04 | 1994-04-26 | Takechiyo Kawaguchi | ハード・ディスク（コンピューター用記憶媒体） の不良スパッタリング膜剥離法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0731809B2 (ja) | 1995-04-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080410 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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