JPH0227318A - 透明電極の平坦化方法 - Google Patents
透明電極の平坦化方法Info
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- JPH0227318A JPH0227318A JP17790188A JP17790188A JPH0227318A JP H0227318 A JPH0227318 A JP H0227318A JP 17790188 A JP17790188 A JP 17790188A JP 17790188 A JP17790188 A JP 17790188A JP H0227318 A JPH0227318 A JP H0227318A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶パネル、ＫＬパネル等の透明基板Ｌ
上に形成された透明電極の平台化方法に関するものであ
る。
る。
［従来の技術］
液晶パ木ル、ＥＬパネル等の高密度大容量化にともなっ
て駆動周波数の増加をもたらし、そのために透明電極の
低抵抗化は非常に大きな課題になってきた。透明電極の
低抵抗化はその材料、成膜方法の改良によって工ＴＯを
中心に２ Ｘ ｉ Ｏ−’Ω・ｍの比抵抗のものが量産
的に得られるようになってきたが、’／ ａｕｔｙ
ｌ ’／４００ ｄｕｔｙ等の高周波駆動においては
この値とて十分でなくなってきた。したがって金属アシ
ストにより透明電極の低抵抗化をはかることがはかられ
ているがコストアップ要因、−開口率の低下といった問
題が生じていた。透明電極の低抵抗化のためにはその膜
厚を厚くすることが一番簡単であるが、電極バターニン
グ後に基板表面に電極の厚み分の凸凹が存在し、これが
いろいろな問題を引きおこしていた。すなわち液晶表示
のｉつである５−ＴＮ方式では配向の不良、ＮＴＮ方式
ではリタデーションの変化による色ぬけ現象、ＥＬパネ
ル等では電極上にコートする絶縁膜の絶縁不良等である
。
て駆動周波数の増加をもたらし、そのために透明電極の
低抵抗化は非常に大きな課題になってきた。透明電極の
低抵抗化はその材料、成膜方法の改良によって工ＴＯを
中心に２ Ｘ ｉ Ｏ−’Ω・ｍの比抵抗のものが量産
的に得られるようになってきたが、’／ ａｕｔｙ
ｌ ’／４００ ｄｕｔｙ等の高周波駆動においては
この値とて十分でなくなってきた。したがって金属アシ
ストにより透明電極の低抵抗化をはかることがはかられ
ているがコストアップ要因、−開口率の低下といった問
題が生じていた。透明電極の低抵抗化のためにはその膜
厚を厚くすることが一番簡単であるが、電極バターニン
グ後に基板表面に電極の厚み分の凸凹が存在し、これが
いろいろな問題を引きおこしていた。すなわち液晶表示
のｉつである５−ＴＮ方式では配向の不良、ＮＴＮ方式
ではリタデーションの変化による色ぬけ現象、ＥＬパネ
ル等では電極上にコートする絶縁膜の絶縁不良等である
。
［発明が解決しようとする課Ｍ］
本発明はかかる欠点を解決するための方法を提供するこ
とにある。本発明のプロセスは安価に、それぞれの表示
素子の要求する透明電極の厚み（である。
とにある。本発明のプロセスは安価に、それぞれの表示
素子の要求する透明電極の厚み（である。
娠
本発明の透明電極の平台化方法は、
（α）透明基板上にパターン形成された透明電極上に選
択的に無電解又は電気メツキする工程、（ｂ）パーマネ
ント型ネガ型フォトレジストを透明電極のほぼ同厚みに
形成する工程、ｃｃ）ｂ板の裏側から紫外）諷を照射し
、現像により金属上の該レジストをストリップする工程
、（ｄ）露出した金属をエツチング除去する工程（ｒＬ
）〜（ｄ）を少なくとも含むことを特徴とする。
択的に無電解又は電気メツキする工程、（ｂ）パーマネ
ント型ネガ型フォトレジストを透明電極のほぼ同厚みに
形成する工程、ｃｃ）ｂ板の裏側から紫外）諷を照射し
、現像により金属上の該レジストをストリップする工程
、（ｄ）露出した金属をエツチング除去する工程（ｒＬ
）〜（ｄ）を少なくとも含むことを特徴とする。
［課題を解決するための手段］
本発明を第１図を用いて説明する。
第１図（α）において１は透明基板であり、ソーダガラ
ス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等のガラス類が用い
られ必要に応じてＳｉＯ□、Ａｔ２０、等のパシペイシ
ョン処理がなされる。又ポリエステル、ＰＥＳ等のプラ
スチック材料も用いることができる。２は透明電極であ
り工Ｔｏ 、 ＡＴＯ、ＺｕＯ−Ａｔ２０５等が用いら
れるが現在までところ工ＴＯが最も小さい比抵抗を有し
ており２ Ｘ １０−’Ω・αである。シート抵抗で１
０００又で２００，１０． ２ｏｏｏＸで１０．Ｑ１０
． ５゜００又で約７Ω／口である。”４００ ｄｕｔ
ｙ クラスのＮＴ’Ｎ方式液晶パネルにおいては１０
Ω以下／口が必要である。又ＮＴＮ方式では表面の凹凸
は１ｏｏｏＸ以下が望ましい。スパッタリング法。
ス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等のガラス類が用い
られ必要に応じてＳｉＯ□、Ａｔ２０、等のパシペイシ
ョン処理がなされる。又ポリエステル、ＰＥＳ等のプラ
スチック材料も用いることができる。２は透明電極であ
り工Ｔｏ 、 ＡＴＯ、ＺｕＯ−Ａｔ２０５等が用いら
れるが現在までところ工ＴＯが最も小さい比抵抗を有し
ており２ Ｘ １０−’Ω・αである。シート抵抗で１
０００又で２００，１０． ２ｏｏｏＸで１０．Ｑ１０
． ５゜００又で約７Ω／口である。”４００ ｄｕｔ
ｙ クラスのＮＴ’Ｎ方式液晶パネルにおいては１０
Ω以下／口が必要である。又ＮＴＮ方式では表面の凹凸
は１ｏｏｏＸ以下が望ましい。スパッタリング法。
蒸着法、ＰＶＤ法等により全面被覆され所定のパターン
にフォトリソグラフィーによりエツチングされる。この
ようにパターニングされた透明電極付き基板に、無電解
メツキ又は電気メツキにより選択的に透明電極のみを金
属被覆することは可能である。無電解メツキによるこの
ような選択メツキは、アクティベーション、センシタイ
ジングの適当な手法を用いることにより可能である。必
要により密着性をアップさせる目的で熱処理を行なって
もよい。Ｎ１−Ｐ、Ｎ１−Ｂ、Ｏｕ、、Ｎｉ−０ｕ−Ｐ
、Ａｕ等の単独膜又は積層膜を用いることができるが、
この金属層は紫外線をカットする目的であるので２００
λ〜１ｏｏｏｏＸ、望ましくは５００〜５ｏｏｏＸが適
当である。
にフォトリソグラフィーによりエツチングされる。この
ようにパターニングされた透明電極付き基板に、無電解
メツキ又は電気メツキにより選択的に透明電極のみを金
属被覆することは可能である。無電解メツキによるこの
ような選択メツキは、アクティベーション、センシタイ
ジングの適当な手法を用いることにより可能である。必
要により密着性をアップさせる目的で熱処理を行なって
もよい。Ｎ１−Ｐ、Ｎ１−Ｂ、Ｏｕ、、Ｎｉ−０ｕ−Ｐ
、Ａｕ等の単独膜又は積層膜を用いることができるが、
この金属層は紫外線をカットする目的であるので２００
λ〜１ｏｏｏｏＸ、望ましくは５００〜５ｏｏｏＸが適
当である。
次に工程（ｂ）はパーマネント型ネガ型フォトレジスト
を透明電極のほぼ同厚みに形成するものである。液晶パ
ネル、ＫＬパネル等の後に続くプロセスに耐える耐熱性
を有していなくてはならない。ポリイミド系、エポキシ
アクリル系等は最適である。代表例として東しフォトニ
ースＵＲ−３１００（東し社製）、セレクティラックス
ＨＴＲ−２（メルク社製）がある。スピンコード、ロー
ルコート、カーテンコート等によりコートされ乾燥され
る。この厚みは透明電極の厚みとほぼ同等であることが
本発明の目的達成からいって必須条件である。透明電極
の厚みに対して±ｏ、 ｏ ５μ以内にするのが望まし
い。
を透明電極のほぼ同厚みに形成するものである。液晶パ
ネル、ＫＬパネル等の後に続くプロセスに耐える耐熱性
を有していなくてはならない。ポリイミド系、エポキシ
アクリル系等は最適である。代表例として東しフォトニ
ースＵＲ−３１００（東し社製）、セレクティラックス
ＨＴＲ−２（メルク社製）がある。スピンコード、ロー
ルコート、カーテンコート等によりコートされ乾燥され
る。この厚みは透明電極の厚みとほぼ同等であることが
本発明の目的達成からいって必須条件である。透明電極
の厚みに対して±ｏ、 ｏ ５μ以内にするのが望まし
い。
次に工程（０−１）により基板の裏面より紫外線露光さ
れ、光の透過するところだけが硬化される。次に未露光
部が現像ハク離される（図面Ｃ−２）。必要に応じ、後
露光、熱硬化等のレジストをさらに硬化安定化する手段
を追加することもできる。
れ、光の透過するところだけが硬化される。次に未露光
部が現像ハク離される（図面Ｃ−２）。必要に応じ、後
露光、熱硬化等のレジストをさらに硬化安定化する手段
を追加することもできる。
次に工程Ｃｄ）で露出した金属部分をエツチング除去す
る。このエッチャントは透明電極のエツチングとの選択
比の大きなものが選択される。
る。このエッチャントは透明電極のエツチングとの選択
比の大きなものが選択される。
以上の工程（α）〜（ｄ）により電極表面は効＄！！。
率よく平世−化することが可能となる。
［実施例］
ＳｉＯ□パシベイションを施した＋ｙ２ｍｍＪｌソーダ
ガラス上に２５００Ｘの工Ｔｏをスパッタリングで被覆
し所定の方法でバターニングした。シート抵抗は５Ω／
口であった。次に基板をｐ ａ ａ ｔ。
ガラス上に２５００Ｘの工Ｔｏをスパッタリングで被覆
し所定の方法でバターニングした。シート抵抗は５Ω／
口であった。次に基板をｐ ａ ａ ｔ。
・Ｓ’ｍＯ４，混合アクティペイターである日立化成社
製Ｈ３’１０１Ｂに５分間浸漬し、さらに水洗後、０．
５Ｎ Ｎａｐ）（溶液に２分間浸漬した後水洗した。
製Ｈ３’１０１Ｂに５分間浸漬し、さらに水洗後、０．
５Ｎ Ｎａｐ）（溶液に２分間浸漬した後水洗した。
次にカニゼン社製無電解Ｎ１−ＰメツキＳ’−６８０で
１ｏｏｏＸＮｔ−Ｐメツキした。
１ｏｏｏＸＮｔ−Ｐメツキした。
このプロセスによりパターニングされた透明電極上のみ
に選択的にＮ１−Ｐメツキがされ°た。°°°・・・工
程（α） 次にパーマネント型ネガ型フォトレジストであるポリイ
ミド系フォトレジスト東しフォトニースＵＲ−４１００
をスピンコードし約２５００人被覆した。・・・・・・
工程（ｈ） キュアー後基板の裏面より紫外線を照射し
、専用現像液を用い現像し金属上の該レジストをストリ
ップした。・・・・・・工程（Ｃ） 次にＨＮＯ３、Ｈ
２ＳＯ４，０Ｈ８ＯＯＯＨから成るエツチング液でＮ１
−Ｐを除去した。・・・・・・・・・工程Ｃｄ） ［発明の効果コ （−）〜Ｃｄ）の工程により得られた電極表面像 は２５００Ｘ±１００Ｘの平叫性を有していた。
に選択的にＮ１−Ｐメツキがされ°た。°°°・・・工
程（α） 次にパーマネント型ネガ型フォトレジストであるポリイ
ミド系フォトレジスト東しフォトニースＵＲ−４１００
をスピンコードし約２５００人被覆した。・・・・・・
工程（ｈ） キュアー後基板の裏面より紫外線を照射し
、専用現像液を用い現像し金属上の該レジストをストリ
ップした。・・・・・・工程（Ｃ） 次にＨＮＯ３、Ｈ
２ＳＯ４，０Ｈ８ＯＯＯＨから成るエツチング液でＮ１
−Ｐを除去した。・・・・・・・・・工程Ｃｄ） ［発明の効果コ （−）〜Ｃｄ）の工程により得られた電極表面像 は２５００Ｘ±１００Ｘの平叫性を有していた。
１艮
もちろんこのように平静化されない電極面は２５県
００Ｘの凹凸を有していた。このような平井化された基
板を用い、ＮＴＮ型２６０°ツイスト液晶パネルを形成
した。本発明のパネルは色むらのない、又ドメインの存
在しない均一配向状態を有し地 ていた。一方平谷化のないものはディスクリネイション
ラインがいたるところに見られた。又本発明パネルは／
４ｏｏ ｄｕｔｙ の駆動によっても全くフリッカ、
表示ムラが生じなかった。従来法では透明電極厚みを２
５００Ｘも形成できずせいぜい１５００Ｘ程度（色ムラ
、ドメイン等が出るため）のため１／４ｏ□ ｄｕｔｙ
駆動においてはフリッカや液晶パネル、ＥＬパネル等
の表示体に用いられる
板を用い、ＮＴＮ型２６０°ツイスト液晶パネルを形成
した。本発明のパネルは色むらのない、又ドメインの存
在しない均一配向状態を有し地 ていた。一方平谷化のないものはディスクリネイション
ラインがいたるところに見られた。又本発明パネルは／
４ｏｏ ｄｕｔｙ の駆動によっても全くフリッカ、
表示ムラが生じなかった。従来法では透明電極厚みを２
５００Ｘも形成できずせいぜい１５００Ｘ程度（色ムラ
、ドメイン等が出るため）のため１／４ｏ□ ｄｕｔｙ
駆動においてはフリッカや液晶パネル、ＥＬパネル等
の表示体に用いられる
第１図は本発明のプロセスフローチャートを示す断面図
。 １・・・・・・透明基板 ２・・・・・・透明電極 ３゛°°゛°°メツキされた金属 ４・・・・・・パーマネント型ネガ型フォトレジストＣ
ｂ） （Ｃ−１） 以 上 （Ｃ−２）
。 １・・・・・・透明基板 ２・・・・・・透明電極 ３゛°°゛°°メツキされた金属 ４・・・・・・パーマネント型ネガ型フォトレジストＣ
ｂ） （Ｃ−１） 以 上 （Ｃ−２）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透明基板上にパターン形成された透明電極面を平坦化す
る方法において （ａ）透明基板上にパターン形成された透明電極上に選
択的に無電解又は電気メッキする工程（ｂ）パーマネン
ト型ネガ型フォトレジストを透明電極のほぼ同厚みに形
成する工程 （ｃ）基板の裏側から紫外線を照射し、現像により金属
上の該レジストをストリップする工程（ｄ）露出した金
属をエッチング除去する工程（ａ）〜（ｄ）を少なくと
も含むことを特徴とする透明電極の平坦化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17790188A JPH0227318A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 透明電極の平坦化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17790188A JPH0227318A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 透明電極の平坦化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227318A true JPH0227318A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=16039043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17790188A Pending JPH0227318A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 透明電極の平坦化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0227318A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5592318A (en) * | 1993-06-07 | 1997-01-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus having an inorganic filler between pixel electrodes and a method for producing the same |
| US7382420B2 (en) * | 2002-03-28 | 2008-06-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for liquid crystal display device, liquid crystal display device provided with the same, and manufacturing method of the same |
| JP2010219497A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-30 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体装置用基板の製造方法、半導体装置の製造方法、半導体装置用基板及び半導体装置 |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP17790188A patent/JPH0227318A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5592318A (en) * | 1993-06-07 | 1997-01-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus having an inorganic filler between pixel electrodes and a method for producing the same |
| US7382420B2 (en) * | 2002-03-28 | 2008-06-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for liquid crystal display device, liquid crystal display device provided with the same, and manufacturing method of the same |
| US7782410B2 (en) | 2002-03-28 | 2010-08-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for liquid crystal display device, liquid crystal display device provided with the same, and manufacturing method of the same |
| US7932963B2 (en) | 2002-03-28 | 2011-04-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for liquid crystal display device, liquid crystal display device provided with the same, and manufacturing method of the same |
| JP2010219497A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-30 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体装置用基板の製造方法、半導体装置の製造方法、半導体装置用基板及び半導体装置 |
| US8188588B2 (en) | 2009-02-20 | 2012-05-29 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Manufacturing method of substrate for a semiconductor package, manufacturing method of semiconductor package, substrate for a semiconductor package and semiconductor package |
| US9054116B2 (en) | 2009-02-20 | 2015-06-09 | Sh Materials Co., Ltd. | Manufacturing method of substrate for a semiconductor package, manufacturing method of semiconductor package, substrate for a semiconductor package and semiconductor package |
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