JPH021655A - 多重データスイッチシステム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｌ肌曵及亘公１ 本発明は数個の着信時分割多重と数個の発信時分割多重
との間でデータブロックを切換えるシステムに関する。

各多重内のブロックは同期回路モード・ブロックあるい
は同期パケットモード・ブロックで且つ一定長のもので
ある場合もある。同じ通信に関する同期ブロックは多重
のフレーム周波数で周期的に送信される。同じ通信に関
する非同期ブロックは多重内でばらばらに送信される。

ブロックは回路モード通信およびパケットモード通信に
対して共に従来のオクテツト・パケット化から生ずる。

先丘技止辺１」 このような切換えシステムへの入力があると、着信多重
内のデータブロックが検出され、着信超多重に多重化さ
れる。切換えはブロック内の実際のデータ内容には無関
係である。

多重が、１９８６年７月２９日発行のアメリカ合衆国特
許第４，６０３，４１６号に述べられているように、同
期ブロックのみまたは非同期ブロックのみを搬送すると
きは、検出さ２″Ｌ多重化されたブロックは、到達する
につれておよび到達したとき単一のバッファ記憶装置に
書込まれ、宛先発信多重における時間間隔のランクに基
づいであるいはブロックが送られる宛先発信多重のラン
クに基づいて読出される。

多重が、１９８７年２月２７日にＪ、Ｆｒａｎｃｏｉｓ
、　Ｊ、Ｐ。

０ｕｉｎｑｕｉｓ、およびＭ、５ｅｒｖｅｌの名前で出
願したフランス特許出願δ第８７−０２８９２号に述べ
られているように、超多重内の同期ブロックと非同期ブ
ロックとは共にその到達とともに順次に第１および第２
のバッファ記憶装置に書込まれる。同期ブロックか非同
期ブロックかの選択は読取り中に行われる。同期ブロッ
クは占有される発信多重の宛先周期的時間間隔に基いて
第１のバッファ記憶装置から読出され、非同期ブロック
は発信多重の同期ブロックに占有されないで残っている
時間間隔に基いて第２のバッファ記憶装置から読出され
る。

切換えシステムの形式がどうであろうと、検出されたブ
ロックを書込むべきバッファ記憶装置セルのアドレスは
、ＰＣＭ時分割切換えシステムのバッファ記憶装置の場
合のように、時間軸により周期的に供給される。したが
って、たとえば、ブランク・ブロックまたはスロットと
称する二つの空きデータブロックで、および着信超多重
内の５個の空きブロックでそれぞれ一定間隔離れて配置
されている３個の検出されたデータブロックに対しては
、第１のデータブロックは、ｋを１とバッファ記憶装置
のブロックセルの数との間の整数として、アドレスｋを
有するバッファ記憶装置セルに書込まれ、第２のデータ
ブロックはアドレスに＋３を有するセルに書込まれ、第
３のデータブロックはアドレスに＋９を有するセルに書
込まれる。

アドレスに＋１、ｋ＋２、およびに＋４からに＋８まで
を有する中間セルは占有されないままになっており、デ
ータブロックがそれぞれ書込みアドレスされると同時に
着信超多重から供給される場合衣のアドレス・サイクル
で占有されることができるだけである。

このバッファ記憶装置の周期的書込みアドレス方式には
基本的に次のような欠点がある。

ｉ！Ｆ込むべきデータブロックがばらばらに分布してい
ることに気が付けば、バッファ記憶装置内の占有されて
いないセルの数は平均して比較的に大きい。非同期ブロ
ックを切換えるだけのシステムでは、バッファ記憶装置
の容量は超多重から供給される検出ブロックの平均割合
によらず、着信多１■および発信多重のブロックの一層
大きな平均割合によって決まるので、適用可能な場合、
最少数のデータブロックが解放されるようになる。同期
ブロックおよび非同期ブロックの双方を切換えるハイブ
リッド・システムでは、二つのバッファ記憶装置の各々
の容量は多重フレームに関する時間間隔の数と着信多重
または送信多重の数との積に少くとも等しく、すなわち
、超多重のフレームに関する時間間隔に少くとも等しい
ので、同期ブロックを同じ通信に周期的に書込むことが
できるようになる。

その上、ハイブリッド切換えシステムでは、占有されな
いセルの平均数は二つのバッファ記憶装置を使用するた
め２倍になる。

その結果、切換えシステムの原価は直接バッファ記憶装
置によって決まり、したがってその容量によって決まる
。

＾哩Ω旦狗 本発明の主な目的は、データブロック切換えシステムの
、特に非同期式あるいはハイブリッド式のバッファ記憶
装置の容量を減らすことである。

したがって、この減少により、記憶装置を着信多重ブロ
ックを増倍する入力手段およびバッファ記憶装置に読込
まれ発信多重に伝達されたブロックを多重分離する出力
手段と一緒に組込むことが可能になる。

生乳Ω鷹Ｉ したがって、データブロックを複数の着信多重と複数の
発信多重との間で切換える本発明を具体化する切換えシ
ステムは、 着信多重内のデータブロックを検出し、これにより検出
したブロックを多重化ブロックに多重する入力手段と、
多重化ブロックを記憶するブロックセルから成るバッフ
ァ手段と、ブロックセル・アドレスを得て多重化ブロッ
クを書込みアドレスされたブロックセルに書込む書込み
アドレス手段と、書込みアドレスされたブロックセルの
アドレスを記憶し、これらを書込みブロックが設計され
ている宛先発信多重にしたがって配列し、これにより読
取りブロックに書込まれたブロックを読出し多重化する
読取リアドレス手段と、読取ったブロックを多重分離し
てそれらを宛先発信多重に伝達する手段とを備え、 書込みアドレス手段は、バッファ手段内の、データブロ
ックが既に検出されているときは自由になっているブロ
ックセルの一つのアドレスを選択し、これによりこの検
出されたブロックを自由な選択されたセルに書込む手段
を備えており、自由セル・アドレス選択は記憶されてい
るブロックが読取らねるとき読取リアドレス手段から選
択手段に供給されるブロックセル・アドレスに基いて確
定している。

したがって、本発明によれば、データブロックを書込む
べきバッファ手段セルは周期的に書込みアドレスされる
のではなく、ブロック書込み時自由になっているバッフ
ァ手段セルから選択される。選択手段は書込むべきブロ
ックに対する自由セル・アドレスを連続的に提供するよ
うにすべてのバッファ手段セルの使用中または自由の状
態を絶えず監視している。自由セル・アドレスはブロッ
クの書込み後他の自由セルのアドレスによって置き換え
られる。書込まれたブロックにより現在占有されている
セルが点間通信に対するブロックの最初の読取りで、ま
たは多点通信に対するブロックの最後の読取りで、解放
される。解放されたセルは直ちに、先行技術のように、
時間軸を待たずに、他の着信ブロックの書込みに再使用
してバッファ手段アドレス・サイクル完了後解放セルの
アドレスを発生することができる。

これらの状態では、バッファ手段の容量は着信超多重内
のデータブロックの平均割合に直接関係している。先に
提示した例題を参照して、ｋからに＋９までのアドレス
を有するセルがアドレスの増大する順序に選択されると
すれば、ｋ、に＋１、およびに＋２のアドレスを有する
セルは前記第１、第２、および第３の検出データブロッ
クを記憶し、アドレス１からに＋１までを有するセルの
内、アドレスにおよびに＋１を有するセルだけが、第４
のデータブロックが着信超多重から供給される前に、解
放されるとすれば、この第４のブロックはアドレスｋを
有するセルに書込まれる。

本発明の特徴によれば、切換えシステムは多点通信に関
係するデータブロックをも切換えるように設計される。

多点通信の場合には、データブロックはデータブロック
を受信しなければならない宛先発信多重が存在する回数
だけ読取られる。データブロックが書込まれるバッファ
手段セルはブロックの最後の読取り時に、すなわち、ｎ
ｂｍ回の読取りの後解放される。ただしｎｂｍは宛先発
信多重の数を表わす。

この目的で、書込みアドレス手段はバッファ手段セルに
記憶されているデータブロックがなお伝達されることに
なっている発信多重の数を示す手段を備えており、 ブロックを記憶するセルに関係する数は、ブロックがセ
ルに書込まれるときのブロックに対する宛先発信多重の
所定の数に等しく、読取リアドレス手段から供給される
各セルの各読取リアドレスに応じて１単位だけ増進し、 前記ブロックを記憶している前記セルの解放は前記の数
が０に達するや否や指示手段により選択手段に通知され
る。

説明の残りで詳細に述べる好ましい実施例によれば、切
換えシス、テムはハイブリッド形式であり、先に記した
フランス特許用願書第８７−０２８９２号によると同様
、 前記着信多重の前記フレーム内の前記データブロックを
検出し、検出したデータブロックを検出し多重化したブ
ロックに多重化する入力手段と、検出し多重化されたブ
ロックを第１のブロックセルに記憶させる第１のバッフ
ァ手段と、検出され多重化されたブロックを第２のブロ
ックセルに記憶させる第２のバッファ手段と、第１およ
び第２のバッファ手段に記憶されている同期ブロックお
よび非同期ブロックを多重化し、これらをその目的地に
基いて発信多重に送信し、これにより発信多重内にフレ
ームを形成する出力手段と、 ブロックセルのアドレスを得て、検出され多重化された
ブロックを第１および第２のセルに書込む占込み手段と
、 同期ブロックｉ＜書込まれている第１のセルのアドレス
を受信して、同期ブロックが書込まれている第１のセル
のアドレスと同期ブロックにより占有される発信多重時
間間隔の少くとも一つの識別番号との対応により、記憶
されている各同期ブロックを読取る第１の読取り手段と
、 それぞれ発信多重に割当てられ、書込み手段によリアド
レスされ、非同期ブロックが書込まれ記憶されている第
２のセルのアドレスを受信し、前記非同期ブロックが書
込まれている第２のセルのアドレスと宛先発信多重の識
別番号との対応により、記憶されている各非同期ブロッ
クを読取る数個の読取り手段と、 を備えている。

本発明によれば、このハイブリッド切換えシステムにお
いて、 第１および第２のバッファ手段は検出され多重化された
同期ブロックと非同期ブロックとを無頓着に記憶するこ
とができるブロックセルを有する一つのバッファ記憶装
置を備えており、書込み手段はデータブロックが既に検
出されているとき自由であるバッファ記憶装置のブロッ
クセルの一つの書込みアドレスを選択し、これによりこ
の検出されたブロックを自由選択したセルに書込む手段
を備え、自由セルアドレス選択は、記憶された同期ブロ
ックおよび非同期ブロックがそれぞれバッファ記憶装置
に読取られるとき第１および第２の読取り手段から供給
されるブロックセル・アドレスに基いて確定される。

このようにして本発明を具体化するハイブリッド切換え
システムはフランス特許用願書第８７−０２８９２号に
よる二つのバッファ記憶装置の組合せの半分より少い容
量を有するバッファ記憶装置を備えている。これにより
切換えシステムの原価がかなり低減することが明らかで
ある。

つのバッファ記憶装置を入力手段および出力手段にそれ
ぞれ含まれている入力および出力の回転マトリックスと
共に明白に組込むことができるときは、原価はますます
低減する。同時ブロック・オクテツト置換を行うこれら
回転マトリックスは、非常に高いビットレートを有する
多重のデータブロックを処理する、特にビデオ通信に対
する従来の直列並列変換および並列直列変換の多重およ
び多重分離の手段と比較して、長所を備えていることか
わかる。

バッファ記憶装置の容量が減少すればシステム内部の相
互接続過負荷の問題も解決し、集積化により特にバッフ
ァ記憶装置セルの書込みおよび読取りに関する動作速度
が最適化される。

夫旌舅 本発明の実施例の切換えシステムの着信または発信の時
間多重は第１図に示すようなフレーム構造を備えており
、これを明細書の残りの部分で参照する。多重装置は連
続する時間間隔を占有する１６オクテツトのブロックを
搬送する。たとえば、多重のレートが２８０Ｍビット／
Ｓであるとき、オクテツト・ブロックは０．４５７μｓ
の間に送信され、２８．５７ｎｓのオクテツト周期に対
応する。

実際上は、多重のフレームはハイブリッドである。すな
わち、たとえば談話を搬送する回路モード送信チャンネ
ルからの同期データブロックと、パケット・モード送信
チャンネルからの非同期データブロックとを備えている
。定義により、同期ブロックは、第２区間ＩＴＩのよう
な、フレーム内で所定のランクを有する時間間隔を占有
するが、非同期ブロック、いわゆるパケット・ブロック
は、実際的にばらばらに、フレーム内の区間ＩＴ２、Ｉ
Ｔ３のような他の時間間隔を占有する。その上、一つま
たは幾つかの発信多重により再送信すべき同じ通信また
はメツセージ内の幾つかの非同期ブロックは、幾つかは
連続して、他は時間的に離れて、同じフレーム内に入る
ことができる。これによりフレーム内の一定の非同期ブ
ロックはデータか空になることがあり、後に「ブランク
・ブロック」と呼ばれることになる。それにもかかわら
ずブランク・ブロックには所定のビット・パターンがあ
り、これはパケット非同期化として働くようにパケット
・ブロック内に模造することはできない。

第１図に示すフレーム構造によれば、フレームは時間間
隔［ＴＯからＩＴ６８までを占有する６９個の１６オク
テツト・ブロックを備えている。それにもかかわらず、
その他の、２の累乗とは異なるものがある６４．６５、
−−−−７２のようなブロック数を有するフレームの大
きさが可能である。フレームの最初の区間ＩＴＯは、フ
レーム整列またはフレーム・ブロック、あるいは語とし
ても知られている、００００１１１１００１１００１１
−−一−−−００１１００１１のパターンを有するフレ
ーム同期を含んでいる。更に、この最初の区間ＩＴＯの
一部分だけ、たとえば半分を整列パターン００００１１
１１００１１−−−−−−００１１に割当て、他の半分
を他の情報に割当てることが可能である。区間ＩＴ２の
もののようなブランク・ブロックは、いわゆるパケット
同期ブロックであるが、００００１１１１旧旧旧０１−
−−−−−０１０１０１０１のパターンを有しており、
これでは最初のオクテツトは１６進符号の「叶」に対応
するフレーム同期ブロックのオクテツトと同じで、１対
の充填ビット「Ｏｌ」を後に従えた同期ラベルを形成し
ている。区間ＩＴ３の中のもののような非同期ブロック
はブロックのラベルを形成する最初のオクテツトと１５
個のデータ・オクテツトを備えている。非同期ブロック
のラベルは、所定数のビットが多重識別におよび切換え
システムとおそらくは後続の２次切換えシステムとから
発信される送信チャンネルの識別に割当てられるパケッ
ト通信の識別子を構成する。したがって、同じ通信に関
する非同期ブロックは同じ特定のラベルを備えており、
これは切換えシステムで切換えるとき他のラベルと置き
換えられ、これによりブロックを他の主切換えシステム
または２次切換えシステムに伝える。

第２図に示すように、ハイブリラッド切換えシステムは
データブロックをＥＯからＥ１５までの１６個の着信多
重から１６個の発信多重ＳＯか６５１５までに切換える
ように構成されている。システムは基本的には、第１に
、１次バッファ記憶装置ＭＴの入力側にＣＥＯからＣＥ
１５までの１６個の入力回路と入力回転マトリックスＭ
ＲＥとを、バッファ記憶装置ＭＴの出力側にＣＴＲ０か
ら（１：ＴＲ１５までの１６個の転送回路と、出力回転
マトリックスＭＲ５と、ｐ／ｓｏからｐ／ｓ１５までの
１６ケの並列直列変換器とを備えており、第２に、書込
み制御記憶装置Ｍｅε、ラベル解読記憶装置ＶＴＲ、読
取リアドレス指定制御回路ＣＡＬ　、およびバッファ記
憶装置制御書込みアドレス指定回路ＣＡＨのような、要
請される通信に応じてバッファ記憶装置内のパケットの
書込みおよび読取りを確実にする手段を備えている。

切換え。システムは、多重速さの整数倍の周波数を有す
るローカル・クロックを含む時間軸ＢＴをも備えている
。特に、時間軸ＢＴは、第１の出力により多重内にオク
テツト周波数のクロック信号Ｈを発生し、４個の出力Ｂ
ＴＯからＢｒ３までにより信号Ｈの１６周期ごとに４ビ
ット多重アドレス語ｅとインバータ回路ＩＮＶを通して
ｅの補数を成す語ｅとを発生し、出力ＢＴＯからＢｒ３
までと７個の他の出力ＢＴ４からＢＴＩＯまでとにより
１１ビツトの発信時間間隔アドレス語ＡＩＴＳを発生す
る分周器とカウンタとを備えている。語ｅとＡＩＴＳと
はオクテツト周波数Ｈに伝えられる。時間軸は１６多重
の多重化に対応する６９Ｘ　１６−１１０４時間間隔の
フレーム・サイクルで６９着信時間間隔すなわち多重あ
たりおよびフレーム周期あたり６９ブロツクの割合で動
作し、今後わかるように、バッファ記憶装置に書込まれ
たデータブロックの読取り制御用に設計されている第１
読取り制御記憶装置Ｍ（：Ｌｌの読取リアドレスを形成
するようにする。語ｅとｅとは連続して０から１５へお
よび１５から０へ変化し、それぞれ着信多重および発信
多重のアドレスを形成する。語ＡＩＴＳは０から１１０
３まで変化する。

ＣＥＯから［：Ｅ１５までの入力回路の基本任務はＥＯ
からＥ１５までの着信多重内のフレームをその同期多重
化前に同期化することである。事実、着信多重のデータ
ブロックのラベルは回路ＣＥＯから（：Ｅ１５までの入
力に先験的に同時に加えられるのではない。この同期化
は非同期ブロックの同期化により、すなわち、ブランク
・ブロックのばらばらな検出に続くその整列により完了
する。その上、ＣＥＯからＣ：Ｅ１５までの回路は、フ
レーム同期化ブロックの検出により各着信多重の各フレ
ームのブロックの７ビツト・ランクの数を発生し、フレ
ームから入力回路の出力で伝達されないブランク・ブロ
ックを抽出するように構成されている。

ＣＥＯから（：Ｅ１５までの各入力回路は既に参照した
フランス特許用願書第８７−０２８９２号の第４図に説
明され示されているものと同じである。入力回路は主と
して、前記出願書の第５図に示されている、各ブロック
の開始を合図し、フレーム内のブロック・ランクを示し
、オクテツト周波数を回復するフレーム制御同期回路と
、直列並列変換器と、アメリカ合衆国特許第４，６０３
，４１６号またはヨーロッパ特許第０．１１３，３０７
号に詳細に述べられている、待ち行列ＦＩＦＯおよび論
理待ち行列アドレス回路とから構成されている。したが
ってＣＥＯからＣＨ３Ｓまでの各入力回路は、それぞれ
がオクテツトと、オクテツトが最初のパケット・オクテ
ツトであるときパケット・ランク・パケットと、ブロッ
ク開始指示ビットとから成る８＋７＋１＝１６個の並列
ビットを備えた語の待ち行列を含んでいる。データ・オ
クテツトとパケット・ランクとは回路ＣＥＯから（：Ｅ
１５までによりそれぞれ８線バスｄＯからｄ１５を通し
ておよび７線バスＮＯからＮ１５を通してマトリックス
ＭＲＥに伝えられる。それにもかかわらず、特許出願古
筆８７−０２８９２号によるように、あるいは米国特許
第４，６０３，４１６号の第５図によるように、バスｄ
Ｏからｄ１５までのフレームの同じランクのオクテツト
はオクテツト・クロックＨの速さで順次に伝えられる。

特に並列対角線変換、いわゆる「バラゴナル」変換、か
ら生ずるこの変移では、オクテツト周期の持続時間と等
しい持続時間で、ラベルがｄＯからｄ１５までのバスか
ら次のｄ１５からｄＯまでのバスに移る必要がある。こ
の変移は、状態「１」への入力を有するデマルチプレク
サのような、時間軸ＢＴから供給される語ｅを受け、ブ
ロックの周波数を有し連続的にオクテツト周期だけ遅れ
ている信号を得る、周期的選択回路ＡＩＧを経て得られ
る。

ＭＲＥおよびＭｎ２の回転マトリックスはフランス特許
用願書第８７−０２９８２号または米国特許第４．６０
３，４１６号に述べられたものと同じ働きをする。回転
マトリックスＭＲＥおよびＭｎ２は回転制御入力を有し
ており、これに０から１５までおよび１５から０まで周
期的に変化する語ｅとｅとが加えられ、またこの入力は
それぞれ着信多重および発信多重のランクを明白に識別
する。

マトリックスＭＲＥでは、回転は８　＋　７　＝　１５
ビツトで発生し、まず、第１の７線出力バスＤＳで、第
２の８線バスＤＯで伝達される多重ブロックの最初のオ
クテツトと同期してブロック・ランクを伝達し、第２に
、１６本の８線バスＤＯからＤ１５までにより各ブロッ
クの１６オクテツトを伝達してバッファ記憶装置に接続
されている着信超多重を形成するようになっている。ｉ
とｊとを０と１５との間の整数として、ｉがパケット・
ブロックのオクテツトを示し、ｊが着信多重のランクを
示すものとすれば、バスｄｊから伝えられたブロックの
ランクｉを有するオクテツトはバスＤｉにより伝達され
、この同じブロック内のランクｉ−１を有するオクテツ
トに続き、信号Ｈの１オクテツト周期の後、出力バスＤ
（ｉ−１）により伝達される。ｄＯからｄ１５までのバ
スの時間移行したフレーム内の同じランクのブロック内
のランクｉを有するオクテツトはすべてバスＤｉにより
伝達され、バスｄｊ内のオクテツトがバスｄ（ｊ−１）
内のオクテツトに続く。後にわかるとおり、出力回転マ
トリックスは逆動作を行ってバッファ記憶装置から出て
行くブロックを［デダイアゴナライズする」ようにする
。

バッファ記憶装置ＭＴは１６個のサブ記憶装置ＭＴＯか
らＭＴ１５までを備えている。バスＤＯは８並列段ラベ
ル・レジスタＲＥＴＩを介してラベル・マルチプレクサ
ＭＥＴＩの８個の第１の入力に接続されている。

マルチプレクサＭＥＴＩからの８個の出力は最初のオク
テツトを第１のバッファ・サブ記憶装置ＭＴＯのデータ
入力に加える。記憶される第１のオクテツトはバスＤＯ
から直接着信する同期ブロックの最初のオクテツトと、
解読記憶装置ＭＴＲに読出された非同期ブロックの新し
いラベルである。レジスタ旧ｉＴＩは同期ブロックをバ
ッファ記憶装置ＭＴに書込まなければならないときラベ
ル解読時間を補正する。マトリックスＭＲＥの他の出力
バスＤＩから０１５はそれぞれサブ記憶装置ＭＴＩから
ＭＴ１５までのデータ入力に直接接続されている。

第２図に示しであるように、ＭＴＯからＭＴ１５までの
各サブ記憶装置に関連して書込みアドレス・レジスタＲ
ＡＥＯからＲＡＥ１５　、読取リアドレス・レジスタＲ
ＡＬＯからＲへＬ１５　、および後者の二つのレジスタ
の出力に接続され書込みおよび読取りのアドレスをクロ
ックＨのリズムでサブ記憶装置に伝えるアドレス・マル
チプレクサＭＸＯからＭＸ１５までがある。ｒｌＡＥＯ
からＲＡＥ１５までのレジスタは回路ＣＡＥからの自由
セル書込みアドレス・バスａｄｅに直列接続されている
。それにもかかわらず、レジスタＲＴＩによる遅れを保
つように、各ブロックの最初の２オクテツトの書込みは
レジスタＲＡＥＯの出力がレジスタＲＡε２の入力に直
接接続されるように同時に行われ、レジスタＲＡＥＩは
存在しない。同様に、ＲへＬＯからＲＡＬ１５までのレ
ジスタは回路Ｃ八りからのブロック読取リアドレス・バ
スＡＤＬに直列接続されている。前述のレジスタはすべ
てオクテツト信号Ｈを受信して、連続する１６オクテツ
ト周期の期間中、着信超多重のバスＤＯから０１５まで
の中のブロック・オクテツトの「バラゴナル」変移にし
たがって、同じデータブロック内のオクテツトを書込み
あるいは読取るようにする。サブ記憶装置の読取りおよ
び書込みのアドレス指定はそれぞれ書込みアドレスａｄ
ｅおよび読取リアドレスＡＤＬにより同じ方法で推論さ
れる。したがって、バッファ記憶装置内の着信ブロック
が対角線形式で存在していても、サブ記憶装置には直交
空間形式で書込まれる。

バッファ・サブ記憶装置ＭＴＯからＭＴ１５まではそれ
ぞれデータブロックの１６オクテツトを記憶する。サブ
記憶装置の各々で１オクテツトのサブセル、すなわち記
憶装置ＭＴ内の１６サブセルのセルの選択か動的である
から、また丁度解放されたセルを他の着信ブロックを書
込むのに直ちに再使用することができるから、記憶装置
ＭＴはフレームあたり６４ブロツクの寸法とされ、記憶
装置ＭＴが小さ過ぎるためブロックの失われるという確
立を非常に小さくされる。したがって、ＭＴＯからＭＴ
１５までの各サブ記憶装置は６４Ｘ　１６−１０２４個
の１オクテツト・セルを備えており、この数は１１０４
に等しいフレームあたりブロック数よりかなり小さい。

各バッファ・サブ記憶装置ＭＴＯからＭＴ１５までの８
個のデータ出力は出力回転マトリックスＭＲＳのそれぞ
れの８線人カバスＦＯからＦ１５までにそれぞれの転送
回路にＴＲＯから（：ＴＲ１５までを経由して接続され
ている。転送回路はフレーム同期化ブロックとブランク
・ブロックを発信多重に入れるように設計されているＳ
ハ信号およびＳＹ信号を伝える回路ＣＡＬの２出力線に
それぞれ接続されている。マトリックスＭＲ５からの８
線出力バスＧＯからＧ１５はデータブロックをそわぞれ
並列直列変換器ρ／ｓＯからｐ／ｓ１５を経て多重ＳＯ
からＳ１５までに伝える。ＧＯから６１５までの異なる
バスのデータブロックは入力バスｄＯからｄ１５までの
場合のように、一つのバスから次のバスまで１オクテツ
ト周期だけずれたラベルを持っている。

続いて今度はブロックおよびラベルの書込み制御手段Ｍ
（１；Ｅ＋ＭＴＲと回路ＣＡＬとの説明に移る。これら
の構造はフランス特許用願書第８７−０２８９２号に述
べられているものと同じであるが、本発明の主要目的で
ある、バッファ記憶装置制御・書込みアドレス指定回路
ＣＡＥと・の接続および相互従属機能とに関しては著る
しく異なっている。

やはり第２図に示しであるように、切換え制御ユニット
ｕＣＣは、バスＢＵＳにより記憶装置ＭＣＥとＭＴＲ、
および回路ＣＡＬに含まれている第１の記憶装置ＭＣＬ
Ｉのデータ・書込みアドレス指定入力に接続されている
。切換え制御ユニットｕＣＣは切換えシステムを通過す
る回路モードおよびパケット・モードの通信を、着信多
重により検出され特定のラベルで識別される合い図ブロ
ックの関数として監視する。セットアツプすべき別の通
信により、あるいは解放すべき通信により、ユニットＵ
ＣＣは３個の記憶装置ＭＴＲ，ＭＣＥ、およびＭ（：Ｌ
ｌの内容を修正する。記憶装置ＭＣＥとＭＣＬＩとは回
路ＣＡＬに入っている第２の記憶装置ＭＣＬ２と共にＲ
ＡＭ記憶装置であり、各々多重内のフレームあたりのデ
ータブロックの数に少くとも等しいアドレス可能セル数
、すなわち少くとも６９Ｘ　１６−１１０４セルを備え
ている。

第２に、記憶装置ＶＴＲは各種ラベルによリアドレス可
能な仮想回路が存在すると同じ程多くのセル、すなわち
１６個の多重と８ビツトの１ラベルとに対する１６Ｘ　
２８−４０９ｆｉ個のセルを備えている。記憶装置Ｍ（
：Ｅ、ＭＴＲ、およびＭＣＬＩの中の各セルはそれぞれ
４＋１＝５ビツト、１６＋８−２４ビツト、ｌＩ＋２＝
１３ビットを備えている。

書き込み制御記憶装置ＭＣＥは各々が着信多重のランク
を識別し時間軸ＢＴから供給される語とにより形成され
る第１の４ビツト部分と、着信多重のフレーム内のブロ
ックのランクにより形成されマトリックスＭＲＥのバス
ＤＳにより伝えられる第２の７ビツト部分とから成る１
１ビツト・アドレスにより読取リアドレスされる。記憶
装置ＭＣＥ内の各セルは記憶装置に書込むべきブロック
がｓ／ａ−’１」が割当てられる同期通信（Ｓ）に割当
てられているか、あるいはｓ／ａ−’０」が割当てられ
る非同期通信に割当てられているかを示す一つのビット
ｓ／ａを、通信（ａ）が同期しているとき書込まれるべ
きブロックを伝達すべき発信多重ＳＯから５１５までの
２進符号数ｎｂｍｓを示す４個の有意ビットと共に含ん
でいる。相互に、数個の着信多重ＥＯ乃至Ｅ１５からの
ブロックを多点通信の原理にしたがって、同じ発信多重
により伝達することができることがわかる。したがって
、たとえば、同期ブロックを多重Ｓｌ、Ｓ４、およびＳ
９のような３個の発信多重に伝達しようとする場合には
、数ｎｂｍｓは値３　＝　ｒｏｏｌｌ、を示す。

記憶装置ＭＣＥに読取られる数ｎｂｍｓの並列ビットは
その出力がマルチプレクサＭＸ、、の第１の入力と、第
６図に示す回路ＣＡＥに含まれているマルチプレクサＭ
ＮＢ、部材Ｐｇ、ＭＸ、ａ、およびＭＮＢの４個の第１
入力とに接続されているＯＲゲートＰｓの４個の入力に
加えられる。ビットｓ／ａはまず、マルチプレクサＭＥ
ＴＩの選択入力に加えられてｓ／ａ−’０」のとき記憶
装置ＭＴＲに読込まれる同期ブロックの新しいラベルを
送信し、第２に、第２の読取り制御記憶装置Ｍ（：Ｌ２
の書込み制御入力と、回路ＣＡＬ　　（第３図）に含ま
れているＰＡＯからＰＡ１５までの１６個の２入力ＡＮ
Ｄゲートの反転制御入力と、回路ＣＡＥ　　（第６図）
に含まれているマルチプレクサＭＸｓ、とＭＮＢとの選
択入力とに加えられる。

解読記憶装置ＭＴＲには、この通信をセットアツプする
とき、ユニットＵＣＣにより通信の同期ブロックに割当
てられることになっている新しいラベルがロードされて
いる。この新しいラベルはこの同期通信のブロックを搬
送する着信多重のランクを識別する語ｅにより形成され
る第１の４ビツト部分と、入力回転マトリックスＭＲＥ
から出力バスＤＯにより伝達されるこれらブロックのラ
ベルから構成される第２の８ビツト部分とから成る１２
ビットのアドレスにより読取られる。実際には、記憶装
置ＭＴＲの各セルは見出しとして通信のブロックに挿入
するためマルチプレクサＭＥＴＩの第２の入力に加えら
れる新しい８ビツト・ラベルと、その１６ビツト語内の
ランクが同期通信のブロックが伝えられる発信多重ＳＯ
から５１５のランクに対応する高状態「１」の１個また
は数個のビットを含むだけの１６ビツト語とを備えてい
る。１６ビツト語のビットは、それぞれＰＡＯからＰＡ
１５までの各ゲートの第２の入力に加えられる（第３図
）。

今度は第３図を参照すると、読取リアドレス指定制御回
路ＣＡＬは１６個のＦＩＦＯ待ち行列ＦＳＯからＦＳ１
５、待ち行列読取りイネーブル・デマルチプレクサＴＲ
１待ち行列への書込みを選択的に許可する１６個のゲー
トＰＡＯからＰＡ１５、第１読取り制御記憶装置Ｍｌｌ
：Ｌｌ、待ち行列のアドレス読取りを行うマルチプレク
サＭＦＳ　、空き待ち行列を選択するマルチプレクサＭ
ＧＳを、２人カマルチブレクサＭＬＳと２個の１６段シ
フト・レジスタＲＧＶ　ｌおよびＲＧＶ２とから成り、
転送回路（：ＴＲＯからＣＴＲ１５までのフレーム同期
化ブロックとブランク・ブロックとを読取る転送制御回
路ＧＳＴと共に備えている。上に示した回路はすべてフ
ランス特許第８７−０２８９２号の第２図に示したもの
と同じ機能を有しているが、回路ＣＡＬは更に第２の読
取り制御記憶装置ＭＣＬ２、記憶装置Ｍ（：Ｌ２に対す
るアドレス・マルチプレクサＭ＾２、およびブロック読
取リアドレス・マルチプレクサＭＡＬＩを備えている。

第１読取り制御記憶装置Ｍ（：Ｌｌは、時間軸により供
給される１１ビツト語ＡＩＴＳに応じてフレーム周期ご
とに周期的に読取られる少くとも１６Ｘ　６９−１１０
４個の使用可能な１３ビット・セルを備えている。各誌
ＡＩＴＳは第１に４ビツト語に対応するＳＯから５１５
までの発信多重のランクを識別し、第２に別の７ビツト
により発信多重のブロックにより占有される時間間隔の
ランクを識別する。記憶装置Ｍ（：Ｌｌの中の各セルは
発信多重の４ビツト・ランクと、その最初のオクテツト
が対応する語ＡＩＴＳによりセルの読取リアドレス指定
に対応する時刻にバッファ・サブ記憶装置に読込まれる
べき着信ブロックにより占有されるこの多重内の時間間
隔の７ビツト・ランクとを識別する１個の１１ビツト語
ＡＩＴＥを備えている。換言すれば、記憶装置ＭＣＬＩ
は、フレーム周期ごとに、発信多重の時間間隔のアドレ
スＡＩＴＳ、すなわち、バッファ・サブ記憶装置ＭＴＯ
からＭＴ１５までの一つの発信バスＦＯからＦ１５まで
のオクテツト・アドレスを、着信多重の時間間隔のアド
レスＡＩＴＥ、すなわちバッファ・サブ記憶装置の一つ
の着信バスＤＯから旧５までの着信オクテツトのアドレ
スに対応させる。この着信オクテツトは発信多重の時間
間隔をアドレスするとき読取られなければならない。既
に述べたとおり、記憶装置Ｍｌｌ：ＬｌはバスＢｕＳを
介して切換え制御ユニットＵＣＣに接続され、着信時間
間隔と発信時間間隔とのこれらの異なる対応にしたがっ
て着信時間間隔のアドレスを書込むようになっており、
したがって、通信をセットアツプするとき検出される通
信の経路には無関係である。着信時間間隔ＡＩＴＥの読
取リアドレスはマルチプレクサＭＡ２の第１の入力に加
えられる。

着信時間間隔へＩＴＥの各アドレスについて、着信時間
間隔に含まれているブロックの、Ｓ／Ａ−ｒｌ、の同期
形式、またはＳ／Ａ　−ｒＯ，の同期形式を示すビット
Ｓ／Ａと、関連読取リアドレスＡＩＴＳが発信多重フレ
ームの同期化ブロックに対応するときのみ状態ｒｌ、に
あるイネーブル・ビットＳＴとが記憶装置ＭＣＬＩの対
応するセルに書込まれる。したがって記憶装置ＭＣＬＩ
の１６個のセルは状態「ｌＪのビットＳＴを含んでおり
、記憶装置Ｍ（：Ｌｌの他のセルは状態「０」のビット
ＳＴを含んでいる。記憶装置ＭＣＬＩから読取られた発
信ブロック・ビットＳ／ＡはデマルチプレクサＴＨの禁
止入力に、マルチプレクサＭＡＬＩの選択入力に、マル
チプレクサＭＬＳの選択入力に、シフトレジスタＲＧＶ
　ｌの直列入力に、および２入力ＯＲゲートＥＳＡの第
１入力に、順次加えられる。ゲートＵＳへの出力は回路
ＣＡＥ　　（第６図）に含まれているＯＲゲートＰＶＥ
とＡＮＤゲートＥＡＬとの第１入力に接続されている。

記憶装置ＭＣＬＩから読取られたビットＳＴはマルチプ
レクサＭＬＳの直接データ入力に順次加えられる。

第２の読取り制御記憶装置ＭＣＬ２も少くとも１１０４
個のセルを備えている。記憶装置ＭＣＬ２の各セルは着
信ブロックが書込まれるバッファ・サブ記憶装置ＭＴＯ
からＭＴ１５までのセルのアドレスａｄｅを識別する１
０ビット語を備えている。アドレスａｄｅは、書込みア
ドレス・レジスタＲＡＥＯ（第２図）と同じ方法で、回
路ＣＡＥ　　（第６図）に含まれている利用可能なセル
・アドレス記憶装置ＭＡＤにより、記憶装置Ｍ（：Ｌ２
に伝達される。記憶装置ＭＣＬ２はマルチプレクサＭＡ
２によリアドレスされ、第１に、記憶装置Ｍ（：Ｅ　　
（第２図）の読取リアドレス指定と同様に、時間軸ＢＴ
のリンクｅと回転記憶装置ＭＲＥからの発信バスＯ５と
の両者により伝達された着信ブロックの１１ビツト・ア
ドレスにより各第１オクテツトの半周期に書込み、第２
に、記憶装置ＭＣＬＩに読込まれた着信時間間隔アドレ
スＡＩＴＥにより各第２オクテツトの半周期に読取る。

マルチプレクサＭＡ２に加えられる書込みアドレスｅ＋
ＤＳは着信時間間隔アドレスを形成するが、マトリック
スＭＲＥによる着信間隔の時分割多重化の周期的且つ一
定の順序にしたがって恒久的に配列されているが、記憶
装置Ｍ（：Ｌｌから読取られるアドレスＡＩＴＥは実行
すべき切換えに依存すると共に完全に順序不同であるこ
とがわかる。

したがって記憶装置ＭＣＬ２はアドレス変換、すなわち
、マルチプレクサＤＯから０１５までのフレームに関す
る着信時間間隔のランクと着信時間間隔を占有する着信
ブロックが書込まれるバッファ記憶装置ＭＴのセルのア
ドレスとの対応を確実に行う。

事実、本発明の実施例のように、バッファ記憶装置のセ
ルを所定の着信時間間隔に、あるいは、それぞれ着信マ
ルチプレクサに割当てないとすれば、著るしく同期的な
ブロックの書込みにあたり、この着信ブロックを記憶し
ているバッファ記憶装置セルのアドレスａｄｅを記憶す
る必要がある。したがって、このアドレスａｄｅは着信
ブロックのランクｅ＋ＤＳに応じて記憶装置ＭＣＬ２に
書込まわ、着信ブロックにより占有される発信時間間隔
ＡＩＴＥのランク、記憶装置ＭＣＬＩへの着信ブロック
・ランクＡＩＴＨの読取りを作動させるランクに応じて
記憶装置Ｍ（：Ｌ２から読取られる。事実、バッファ記
憶装置セル・アドレスの記憶装置ＭＣＬ２への格納は同
期ブロックに対してのみ使用され、記憶装置Ｍ（：Ｅ　
　（第２図）により伝えられたビット５ｅａ−’１」に
より使用可能とされ、記憶装置ＭＣＬ２の書込みイネー
ブル入力に加えられる。同期着信ブロックに対するバッ
ファ記憶装置セル読取リアドレスは、フランス特許用願
書第８７−０２８９２号に述べられており且つ今後参照
するように、待ち行列ＦＳＯからＦＳ１５までにより制
御される。

ＦＳＯからＦＳ１５までの待ち行列はＦＩＦＯ（ｒ先入
れ、先だし」）形式のものであり、セル書込みアドレス
ａｄｅを伝達する利用可能なセル・アドレス記憶装置Ｍ
ＡＤのＩＯＯ出力バスに接続されたデータ入力を備えて
いる。ＦＳＯからＦＳ１５までの待ち行列の書込み制御
入力はそれぞれアドレス指定用ゲートＰＡＯからＰＡ１
５の出力に接続されているが、待ち行列の読取り制御入
力はそれぞれ時間軸ＢＴから語ｅをインバータ回路ＩＮ
Ｖを経由して受信するマルチプレクサＴＲの１６個の出
力に接続されている。

ＦＳＯからＦＳＩ５までの待ち行列から出るＩＯ線ババ
スマルチプレクサＮＦＳの入力に加えられ、マルチプレ
クサＭＦＳの選択入力で受信される語ｅにより選択され
る。記憶装置ＭＣＬ２からの１０線出力バスとマルチプ
レクサＭＦＳのｌＯＯ出力バスはそれぞれセル読取リア
ドレス・マルチプレクサＭＡＬＩの第１および第２の入
力に接続されており、記憶装置ＭＣＬＩに読込まれるビ
ットＳ／Ａにより選択される。バッファ記憶装置セルの
読取リアドレスＡＤＬを伝えるマルチプレクサＭＡＬＩ
の出力バスは第１の読取リアドレス・レジスタＲＡＬＯ
（第２図）の入力と、回路ＣＡＥ　　（第６図）に含ま
れている２個のアドレス・マルチプレクサＭＡＥＬおよ
びＭＡＥの第２の入力とに接続されている。ＦＳＯから
ＦＳ１５までの待ち行列の空き状態出力はそれぞれマル
チプレクサＭＧＳの１６個の人出に接続されており、マ
ルチプレクサＭＧＳの４個の選択入力に加えられる語ｅ
により選択される。マルチプレクサＭＧＳの出力は語ｅ
により選択される空き待ち行列に対応する状態「ｌＪの
ビットＦＮＶを供給する。ビットＦＮＶはＯＲゲートＥ
ＳＡの第２入力とマルチプレクサＭＬＳのデータ反転入
力とに伝えられる。マルチプレクサＭＬＳの出力は第２
シフトレジスタＲＧＶ２の直列入力に接続されている。

ＦＳＯからＦＳ１５までの待ち行列の書き込みおよび読
取りの動作は米国特許第４，６０３，４１６号に、更に
詳細にはフランス特許用願書第８７−０２８９２号に記
されているものと同じである。待ち行列ＦＳｊは発信多
重Ｓｊに割当てられ、非同期ブロックが書込まれ多重Ｓ
ｊ用に設計されているバッファ記憶装置酊のセルのアド
レスａｄｅを格納するようになっていると共に、これら
のアドレスを、平均して１６オクテツト周期ごとに１ア
ドレスの割合で、読取り、待ち行列が少くとも一つのア
ドレスを備えているかぎり書込まれるブロックを読取る
ようになっている。既に述べたとおり、記憶装置ＭＣＬ
２が実際同期ブロックを読取るのに使用されているとい
うことを知れば、待ち行列の書込みと読取りとはＰＡＯ
からＰＡ１５までのＡＮＤゲートの反転入力に加えられ
る対応ビットｓ／ａとデマルチプレクサＴＲの禁止入力
とマルチプレクサＭＡＬＩの選択入力とに加えられる対
応ビットｓ／ａとがそれぞれ低状態「０」となるときに
のみ許可される。書込み時、待ち行列ＦＳｊは、書込ま
れる同期ブロックの新しいラベルと同時に、解読記憶装
置ＭＴＲにより供給される１６ビツト語のランクｊのビ
ットが、ゲートＰＡＯからＰＡ１５までの中のＡＮＤゲ
ートＰＡｊを開く状態ｒｌ、にあるとき、新しいアドレ
スａｄｅを格納する。次に非同期ブロックが書込まれて
いるセルのアドレスａｄｅが、待ち行列ＦＳｊの読取り
入力に接続されているマルチプレクサＴＲからの出力に
のみｒｌ、で表わされる２進符号数ｊに等しい語ｅに応
じて待ち行列ＦＳｊから読取られる。待ち行列の読取リ
アドレス・サイクルは１５から０に減少して、その原理
がアメリカ合衆国特許第４．６０：１，４１６号の第６
図および第７図に示しである出力回転マトリックスＭＲ
Ｅの「デダイアゴナリゼーシジン」を可能とするように
なっている発信多重のアドレスに対応する補足語ｅによ
って決まる。待ち行列ＦＳｊに含まれているセル・アド
レスの数にしたがって、丁度書込まれた非同期、ブロッ
クのアドレスは実際的に直ちにあるいはオフラインで読
取られる。次に読取りセル・アドレスはブロック自身を
読取るためのレジスタＭＡＬＩの第２入力に送られる。

待ち行列に書き込まれたアドレスａｄｅは、フランス特
許用願書第８７−０２８９２号の場合のように時間軸Ｂ
Ｔにより周期的に供給されるのではなく、バッファ記憶
装置制御書込みアドレス指定回路ＣＡＥにより供給され
、これによりブロックのバッファ記憶装置への格納が最
適化されることがわかる。

マルチプレクサＭＧＳは、１６オクテツト周期ごとに、
待ち行列ＦＳＯからＦＳ１５の状態を知らせ、対応する
待ち行列が空のときブランク・ブロックをＳＯからＳ１
５までの発信多重に挿入するようにする。

ただし、ビット５Ｔ−ｒｌ、により示される発信同期化
ブロックの挿入に対応する時間間隔を除く。ブランク・
ブロックと同期化ブロックとの挿入は回路ＧＳＴの制御
のもとにＣＴＲ０から（：ＴＲ１５までの転送回路によ
り別々に行われる。

第４図に示すように、転送回路（：ＴＲＯはそれぞれ、
バッファ・サブ記憶装置ＭＴＯからの発信ブロックの最
初のオクテツトのランク０から７までのビットを受信す
る第１および第３の並列データ入力を有する８ケのマル
チプレクサｚ００からＺＱ７までを備えている。同じよ
うにして、１から１５まで変るｉに対して第５図に示す
回路ＣＴＲ１のような他の転送回路ＣＴＲＬからＣＴＲ
１５の各々がそれぞれバッファ・サブ記憶装置ＭＴｉか
ら発信ブロックのランクｉのオクテツトのランク０から
７までのビットを受信する第１および第３のデータ入力
を有するＺｉＯからＺｉ７までの８個の並列マルチプレ
クサを備えている。ＣＴＲ０からＣＴＲ１５までの転送
回路に含まれているマルチプレクサの第２および第４の
データ入力は、それぞれブランク・ブロックとフレーム
同期化ブロックとのパターンを格納しているワイヤド記
憶装置形式の２個の読出し専用記憶装置に接続されてい
る。したがって転送回転ＣＴＲ０では、マルチプレクサ
ｚ００からｚ０３までの第２および第４の入力は、ブラ
ンク・ブロックおよび同期化ブロック’０ＯＯＯＩＩＩ
ＩＪのラベルにしたがって、状態「Ｏ」であり、マルチ
プレクサＺＯ４からＺＯ７までの第２および第４の入力
は状態「ｌ」である。回路ＧＴＲｉのような他の転送回
路では、マルチプレクサＺｉＯ、Ｚｉ２　、　Ｚｉ４　
、およびＺｉ６　（７）第２の入力は、ブランク・ブロ
ックの充填オクテツト「ｌ１０１旧」にしたがって、状
態「０」であり、マルチプレクサＺｉｌ　、　Ｚｉ３　
、　Ｚｉ５　、オに、びＺｉ７　（Ｄ第２の入力は、状
態「ｌ」であるが、マルチプレクサＺｉＯ、Ｚｉｌ、Ｚ
ｉ４　、およびＺｉ５の第４の入力は、同期化オクテツ
トｒ００１１００１１．にしたがって、状態「０」であ
り、マルチプレクサＺｉ２　、　Ｚｉ３　、Ｚｉ６　、
およびＺｉ７の第４入力は状態「ｌ」である。

第３図に示すように、転送制御回路ＧＳＴに含まれてい
るレジスタＲＧＶ　ｌとＲＧＶ２とはそれぞれビットＳ
／Ａと同期化ビットＳＹを受信するが、同期化ビットＳ
ＹはマルチプレクサＭＬＳから得られる。レジスタＲＧ
ＶＩの１６個の並列出力はそれぞれＣＴＲ０からＣＴＲ
１５までの転送回路中のマルチプレクサの第１選択入力
に接続されており、レジスタＲＧＶ２の１６個の並列出
力はそれぞれ回路（：ＴＲＯからＣＴＲ１５までのマル
チプレクサの第２選択入力に接続されている。ヒ゛ット
Ｓ／へとＳＹとはレジスタＲＧＶ　１とＲＧＶ２との中
で、オクテツト・クロック・パルスＨに応じて１段だけ
変移しており、これによりビットＳ／ＡとＳＹとの結合
がブロックの１６オクテツトのマトリックスＭＲ５のＦ
ＯからＦ１５までの８線人カバスへの連続転送を１６オ
クテツト周期Ｈの期間制御する。

４形式のブロック、すなわち、パケット・モード・ブロ
ックおよびブランク・ブロックのような「非同期」ブロ
ック、および回路モード・ブロックおよび同期化ブロッ
クのような「同期」ブロックは下の表にしたがって制御
される。

友−ユ マルチプレクサ２　　選択　　０ｆ ＦＮＶ　　ＳＴ　　入力　　　　Ｓ／Ａ　　ＳＹパケッ
ト　　　　　　　　　　ｌｘ　　　　　　０　　　　　
　　　　　　　０　　　　０ブランク・ブロック　　　
　Ｏｘ　　　　　　ｌ　　　　　　　　　　　　　　０
　　　　１回路　　　　ｘｏ　　　２　　　　　　１　
　０同期化フレーム　ｘｉ　　　３　　　　　　１　　
１表１で、十字ｒｘ」は「１」または「０」となること
ができる。したがってブランク・ブロックは発信多重Ｓ
ｊの選択時間’ｅＪ−ｊで、待ち行列が空であり且つＳ
ハが状態「０」であるとき出力に転送されるが、フレー
ム同期化ブロックは、記憶装置ＭＣＬＩが読取リアドレ
スＡＬＴＳ−ｒｊ、に続いてビットＳ／Ａ−ｒｌ。

と５Ｔ−ｒｌ、とを送出するとき発信多重Ｓｊに転送さ
れる。

今度は第６図を参照すると、バッファ記憶装置制御書込
みアドレス指定回路ＣＡＥは基本的にセル解放記憶装置
ＭＬＣと利用可能セル・アドレス記憶装置ＭＡＤとを備
えている。記憶装置ＭＬＣおよびＭＡＤはそれぞれ１０
２４個の４ビット・セルと１０２４個のｌＯビット・セ
ルとを備えており、これらはそれぞれバッファ・サブ記
憶装置ＭＴＯの１０２４個の１オクテツト・サブ・セル
を、更に一般的には、記憶装置酊の１６個のサブセルの
１０２４個のセル、すなわち１０２４個のデータブロッ
ク・セルを監視するように割当てられている。

各バッファ記憶装置ブロック・セルについて、記憶装置
ＭＬＣ内のそれぞれのセルはバッファ記憶装置セルに書
込まれたデータブロックを読取るべき最新の回数を記憶
している。最初、データブロックが書込まれると、記憶
装置ＭＬＣのセルはブロックを伝達すべき発信多重の数
を記憶し、次いでこのブロックを読取るごとに、記憶し
た数を、０になるまで１単位づつ数値してバッファ記憶
装置セルを解放し、後にわかるように、記憶装置ＭＡＤ
を介して別のブロックの書込みを行うようにする。

第６図に示すように、記憶装置ＭＬＣは第１に、集計器
エンコーダＳＯＭと数値マルチプレクサＭＮＢとに関連
して書込まれたブロックに関係する発信多重の数を初期
記憶し、第２に減進回路ＤＥＣと前記多重の数に対する
ゼロ試験回路ＴＺとに関連して前記数を修正するように
する。記憶装置ＭＬＣは他のマルチプレクサと論理ゲー
トとも関連してバッファ記憶装置セルの書込み読取り時
間にしたがって適切な書込み読取リアドレス指定を行う
。

マルチプレクサＭＮＢの第１入力は、書込まれるべき同
期ブロックに関連し書込み制御記憶装置ＭＣＥ　　（第
２図）から供給される発信多重４ビツト数ｎｂｍｓを受
取る。マルチプレクサＭＮＢの４ケの第２入力はそれぞ
れ待ち行列書込みアドレス指定ゲートＰＡＯからＰＡＩ
５までの出力に接続された１６個の入力を有する集計器
エンコーダＳＯＭの出力に接続されている。数値マルチ
プレクサＭＮＢの選択入力は記憶装置ＭＣＨにより送信
されたビットｓ／ａを受取る。マルチプレクサＭＮＢの
４個の出力は解読記憶装置肛Ｃの４個のデータ入力に、
第１オクテツトの半周期１１／２の期間中選択されるマ
ルチプレクサＭＯの第１入力を経由して接続されている
。同期ブロックをバッファ記憶装置に書込むときは、同
期ブロックを伝達すべき発信多重の数ｎｂｍｓをマルチ
プレクサＭＮＩＩでｓ／ａ＝’ｌ」により選択し、記憶
装置ＭＬＣに書込む。非同期ブロックをバッファ記憶装
置に書込むときは、非同期ブロックを伝達すべき発信多
重の数ｎｂｍｓを、前記発信多数に関連する書込みアド
レス待ち行列ＦＳＯ乃至ＦＳ１５からゲートＰＡＯない
しＰＡ１５の出力に供給されるビット「ｌ」の合計から
、集計器エンコーダＳＯＭに推論する。数値ｎｂｍｓは
ｓ／ａ−；’０４　によりマルチプレクサＭＮＢ内に選
択され、記憶装置ＭＬＣに書込まれる。

（以下余白） このような発信多数の数、ｎｂｍｓまたはｎｂｍａを書
き込むには書込み読取リアドレス・マルチプレクサＭＡ
ＥＬが第１入力で、記憶装置ＭＡＤの出力ＡＣ５÷ＡＬ
Ｓから供給されたデータブロックを書込むべきバッファ
記憶装置ＭＴの未占有ブロック・セルに対応しているブ
ロック・セル書込みＩＯビットアドレスａｄｅを受取る
。このような書込みアドレス指定は最初のオクテツトの
半周期中に行われ、選択入力を有するマルチプレクサＭ
ＤとＭＡＥＬ、回路ＣＡＥ内の類似の他の２個のマルチ
プレクサＭＢＥとＭＡＥとが時間１１ｉｔｈＢＴから供
給されるオクテツト・ブロック信号Ｈを受信する。

以前の書込みは４入力ＯＲゲートＰｓ、　１６入力ＯＲ
ゲートＰａ、およびマルチプレクサＭＸｓａから成る同
じ書込みイネーブル手段により正当と認められる。

ＯＲゲートＰＳの入力は書込み制御記憶装置ＭＣＥに読
込まれた４ビツトの数を受信し、同期ブロックに対する
発信多重の数ｎｂｍｓが少くとも「１」に等しいときマ
ルチプレクサＭＸｓａの第１入力にｒｌＪを供給する。

ＯＲゲートＰａの入力はそれぞれゲートＰへＯからｌｌ
八へ５までの出力（第３図）に接続されており、その結
果、ＰＡＯからＰＡ１５までのゲートの少くとも一つが
待ち行列に書込みアドレスするとき、したがって解読記
憶装置ＭＴＲに読込まれた同期ブロックに対する発信多
重の数ｎｂｍａが少くとも１に等しいとき、マルチプレ
クサＭＸｓａの第２入力に「１」を供給する。マルチプ
レクサＭＸｓａの第１および第２の入力はそれぞれビッ
トＳ／ａの状態、「ｌ」°および「０」によって選択さ
れる。マルチプレクサＭＸｓａの出力はその出力が記憶
装置ＭＬＣの書込みイネーブル入力に接続されているＯ
Ｒゲート１）ＶＥの第１入力に接続されている。したが
って、記憶装置ＭＣＥおよびＭＴＲから読込まれた少く
とも１に等しい数ｎｂｍｓおよびｎｂｍａの書込みはそ
れぞれｓ／ａ　＝　ｒ　Ｉ　Ｊ　場よびｓ／ａ＝ｒＯ」
のとき、記憶装置ＭＬＣに対して可能となる。

読取り時、解放記憶装置ＭＬ（：はマルチプレクサＭＡ
ＬＩ　（第３図）の出力により伝達されマルチプレクサ
ＭＡＥＬの第１入力に加えられたＩＯ並列ビット読取リ
アドレスＡＤＬによリアドレスされる。このバッファ記
憶装置セルの読取リアドレスＡＤＬは同じブロックａｄ
ｅの書込みアドレスに等しく、以前書込まれたブロック
を読取らなければならないたびに伝達され、このような
読取りは発信多重の最新の対応数ｎｂｍａにしたがって
繰返される。

記憶装置ＭＬＣから読取られた発信多重の数ｎｂｍはま
す派遣回路ＤＥＣにより１単位だけ数値する。

回路ＤＥＣには記憶装置ＭＬＣのデータ出力に接続され
た４個の入力と、ＯＲゲートＯＡＬおよび試験回路ＴＺ
の入力に接続された４個の数値入力と、回路ＴＺのリセ
ット入力に接続された符号出力とがある。

回路ＴＺの４個の出力はマルチプレクサＭＤの第２入力
を経由して記憶装置ＭＬＣのデータ入力に接続されてい
る。記憶装置ＭＬＣに読込まれた数ｎｂｍの派遣に続い
て、回路ＤＥＣは２進化数値（ｎｂｍ−１）を符号ビッ
トＳＩＧと共に伝送する。試験回路ＴＺでは、（ｎｂｍ
−１）が正または負のとき「１」または「０」に等しい
符号ビットＳＩＧが「０」と比較される。５ＩＧ＝ｒｌ
Ｊのときは、０以上の数（ｎｂｍ　−１）は修正されず
、アドレスＡＤＬを有する記憶装置ＭＬＣの同じセルに
書込まれる。このような書込みはバッファ記憶装置内の
書込みブロックが再び読取られる場合に行われ、それ以
外の場合は最後に読取られる。この書込みは、Ｓ／Ａ＝
ｒｌＪが読取られる同期ブロックに応じてまたは対応す
る待ち行列が空ではない場合に読取られる非同期ブロッ
クに応じて、ＯＲゲートＰＶＥの第２入力に接続されて
いるＯＲゲートＥＳＡ（第３図）を通して認定される。

アドレスＡＤＬも数（ｎｂｍ　−１）の書込みアドレス
として使用されることに注目する。ＳＩＧ　＝「０」で
あれば１、数（ｎｂｍ−１）は−１に等しく、試験回路
は記憶装置ＭＬＣに数ｎｂｍ＝ｏを再び書込む。このこ
とは読取られた数ｎｂｍが既に０に等しく、したがって
、既に書込まれているブロックでアドレス八ＤＬを有す
るバッファ記憶装置セルに続いて読込まれるべきものが
無いことを意味する。

利用可能なセル・アドレス記憶装置ＭＡＤはバッファ記
憶装置ＭＴのブロック・セルの状態を記憶し自由セル・
アドレスＡＤＬを得る回路を形成する。

記憶装置ＭＡＤは基本的に１０２４個の１ビット・セル
から成るマトリックスとバッファ記憶装置セル・アドレ
ス符号化回路とを備えている。マトリックスのセルはそ
れぞれバッファ記憶装置ＭＴのブロック・セルに割当て
られ、それぞれがバッファ記憶装置のそれぞれのセルの
１利用可能性状態ビツトを記憶する。状態ビットはバッ
ファ記憶装置セルが自由でしたがって着信多重からデー
タブロックを格納する準備ができているとき高状態「１
」になる。状態ビットはバッファ記憶装置のセルが記憶
装置ＭＣＬに格納されているそれぞれの最新の数ｎｂｍ
ｓまたはｎｂｍａにしたがって１回または数回読取られ
ることになっている書込みデータブロッ・りにより占有
されているとき低状態「０」になる。

記憶装置ＭＡＤの符号化回路はマトリックスのすべての
セルに接続されて所定のセル優先順序にしたがって、状
態ビット「１」を有するマトリックスのセルの一つを選
択するようになっており、したがって、バッファ記憶装
置のそれぞれのブロック・セルの書込みアドレスａｄｅ
に等しく選択された自由マトリックス・セルのアドレス
を恒久的に得るようになる。

状態ビットはマルチプレクサＭＢεの反転出力により記
憶装置ＭＡＤのすべてのマトリックス・セルのデータ入
力ＤＥに伝達される。マトリックス・セルはその出力が
記憶装置ＭＡＤに含まれているマトリックスの二重行列
デコーダのｌＯ書込みアドレス入力へＣ５＋ＡＬＳに接
続されているマルチプレクサＭＡＥにより書込みアドレ
スされる。各書込みは２入力ＯＲゲートｒ’ＡＥにより
記憶装置ＭＡＤの書込みイネーブル入力ＥＣＲに加えら
れるビット「ｌ」゛により認定される。ＯＲゲートＰＡ
Ｈの第１入力はマルチプレクサＭＢＥの第１入力と共に
マルチプレクサＭＸｓａの出力に接続されている。ゲー
トＥＡＬの第２入力は、ＯＲゲートＯＡＬの出力とマル
チプレクサＭＢＣの第２入力とに接続されている反転入
力と、ＯＲゲートＥＳＡ（第３図）の出力に接続されて
いる直接入力とを有するＡＮＤゲートＥＡＬの出力に接
続されている。既に述べたとおり、書込みアドレス・マ
ルチプレクサＭＡＥの第１の１０個の入力と第２の１０
個の入力とはそれぞれ記憶装置ＭＡＤの出力ＡＣ：Ｓ＋
ＡＬＳと、マルチプレクサＭＡＬＩ　（第３図）の出力
とに接続されている。

最初のオクテツト半周期１１／２に、データブロックを
記憶装置ＭＡＤから出力Ａ（：Ｓ＋ＡＬＳにより供給さ
されたアドレスａｄｅを有するバッファ記憶装置ＭＴの
自由セルに書込まなければならないときは、記憶装置肛
Ｃに書込まれたそれぞれの数、ｎｂｍｓまたはｎｂｍａ
　、　Ｌ／たがってゲートＯＡＬおよびＥＡＬの出力状
態がどうであろうと、マルチプレクサＭＢＥおよび書込
み認定ゲートＰＡＨの第１入力は、記憶装置ＭＧＥから
読取うれた同期ブロックに対する数ｎｂｍｓが少くとも
１に等しければ、または、記憶装置ＭＴＩ’（に読込ま
わた非同期ブロックに対する数ｎｂｍａを表わす１６個
のビットの中の少くとも一つが状態「１」であれば、マ
ルチプレクサＭＸｓａを通してビット「１」を受取る。

次にアドレスａｄｅがマルチプレクサＭＡＥを介して記
憶装置ＭＡＤのマトリックスのそれぞれのセルにアドレ
スし、マルチプレクサＭＢＨの第１入力を介してこのセ
ルに新しい「０」状態ビットを書込む。この書込みに続
いて、出力Ａ（：Ｓ＋ＡＬＳは書込むべき将来のデータ
に対する新しい自由セル・アドレスを伝える。

次にデータブロックの読取りごとに減値するそれぞれの
数ｎｂｍｓおよびｎｂｍａが０にならないかぎり、ゲー
トＥΔＬは閉じたままであり、記憶装置Ｍ八〇のそれぞ
れのマトリックス・セルに関する状態ビットの変化は発
生しない。事実、ゲート１）ＡＥは閉じたままであるが
、このセルのアドレスへ〇シはマルチプレクサＭＡＥの
第２入力に加えられる。

第２のオクテツト・クロック周期Ｈ／２に、回路ＤＥＣ
で読取られ減値するそれぞれの数ｎｂｍｓまたはｎｂｍ
ａが０になると、データブロックの最後の読取りに続い
て、ゲートＯＡＬの出力が状態「０」に切換わり、ゲー
ト［ＥＡＬが開き、「１」状態ビットをマルチプレクサ
ＭＢＥの第２入力を経て記憶装置ＭＡＤの入力ＤＥに加
える。この「１」状態ビットは、マルチプレクサＭＡＥ
の第２入力を経由して伝達されたアドレスＡＤＬによリ
アドレスされるマトリックスのそれぞれのセルに書込ま
れる。この書込みは、同期ブロックに対してＳ／Ａ＝ｒ
ｌＪであるとき、またはそれぞれの待ち行列ＦＳＯから
ＦＳ１５までが空でないとき、これはＦＮＶ＝ｒｌＪで
表わされるが、状態「１」にあるゲートＥＡＬの直接入
力により、したがって状態「１」にあるゲートＰＡＥの
第２入力により可能となる。アドレスＡＤＬを有し且つ
丁度解放されたセルの非占有を示す「１」状態ビットは
記憶装置ＭＡＤ内の符号化回路によりバッファ記憶装置
ＭＴへの別のデータブロックの書込みのため選択される
まで修正されることはない。

上の説明は同期ブロックまたは非同期ブロックを切換え
るハイブリッド切換えシステムを参照しているが、この
ようなシステム、あるいは簡略化した同様なシステムは
同期ブロック、または非同期ブロックを切換えるのに使
用できるだけであるが、多重は同期ブロックまたは非同
期ブロックだけを搬送する。

同期ブロックのみを切換えるシステムでは、記憶装置Ｍ
ＴＲおよび待ち行列ＦＳＯからＦＳ１５までは関連回路
１）ＡＯからＰＡ１５まで、ＴＲ、ＭＦＳ　、　ＭＧＳ
、およびビットｓ／ａおよびＳ／Ａにより選択される入
力を有する回路とともに、削除することができる。平均
して、そのランクｅ＋Ｄｓと対応する発信時間間隔のア
ドレスＡＩＴＳにより制御されるその最後の読取り時間
とが半フレーム周期より小さいということを知れば、バ
ッファ記憶装置ＭＴの容量は半分だけ、すなわち、（６
４／２）　ｘ　１６−５１２ブロツク・セルだけ減らす
ことができる。

非同期ブロック切換システムのみの場合には、記憶装置
ＭＣＥおよび記憶装置ＭＣＬ２は関連するマルチプレク
サＭＡ２およびビットｓ／ａとＳ／Ａとにより選択され
る入力を有する回路とともに削除することができる。容
量がＩＯビット・アドレス６４個であるアドレス待ち行
列の長さについては、この数は多重内のフレームあたり
のブロック数より小さくすることができるので、フレー
ム期間中ＳＯか６５１５までの１６個の発信多重に対し
て設計された最大（６４Ｘ１６）　＝１０２４個の非同
期ブロックのアドレス指定は非常に低い確率となる。実
際上は、バッファ記憶装置の容量は、待ち行列あたり６
４個の１０ビツト・アドレスという容量を保持しながら
、少くとも４分の１に、すなわち、（６４／４）　Ｘ１
６＝２５６ブロツク・セルの容量に減らすことができる
。

当然バッファ記憶装置のこれら減少数の相違はバッファ
記憶装置制御書き込みアドレス指定回路（：ＡＥ　　（
第６図）により実現される記憶装置セル解放プロセスに
より予想されるところである。

最後に、別の実施例によれば、切換えシステムが点間通
信に対して、常に１に等しい数ｎｂｍｓおよびｎｂｍａ
に対応する、同期または非同期のデータブロックだけを
切換えるとき、解放記憶装置ＭＬＣと関連回路Ｐｓ、　
Ｐａ、　ＳＯＭ、　ＭＮＢ、　ＭＯｌＰＶＥ、ＭＡＥＬ
、ＤＥＣ，ＴＺ、　ＯＡＬおよびＥＡＬとが削除される
。

【図面の簡単な説明】

第１図は着信多重または発信多重のハイブリッド・フレ
ームを示す。 第２図は本発明の実施例のハイブリッド切換えシステム
のブロック図である。 第３図は共にハイブリッド・システムに含まれているバ
ッファ記憶装置読取リアドレス制御回路と読取りブロッ
ク転送制御回路との詳細なブロック図である。 第４図は読取りブロック内の第１のオクテツトに関係し
、ハイブリッド・システム内のバッファ記憶装置と出力
回転マトリックスとの間に接続されている第１の転送制
御回路を詳細に示す。 第５図は他の転送回路を詳細に示す。 第６図はハイブリッド・システムに含まれているバッフ
ァ記憶装置制御書込みアドレス回路の詳細なブロック図
である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）データブロックを複数の着信多重と複数の発信多
   重との間で切換えるシステムであって、該システムは前
   記着信多重内のデータブロックを検出し検出したブロッ
   クを多重ブロックに多重化する手段と、前記多重ブロッ
   クを記憶するブロックセル、ブロックセル・アドレスを
   得て前記多重ブロックを書込みアドレスされたブロック
   セルに書込む書込みアドレス手段、書込みアドレスされ
   たブロックセルのアドレスを記憶しこれをそれに対して
   書込みブロックが構成されている宛先発信多重にしたが
   って配置し、これにより書込みブロックを読取りブロッ
   クに読込み、多重化する読取りアドレス手段、および前
   記読取りブロックを多重化しこれを前記宛先発信多重に
   伝達する手段から構成されるバッファ手段とを備えてお
   り、前記書込みアドレス手段はデータブロックが既に検
   出されているときは自由になっている前記バッファ手段
   内の前記ブロックセルの一つのアドレスを選択し、検出
   されたブロックを前記自由選択セルに書込む手段を備え
   ており、自由セルのアドレス選択は記憶されているブロ
   ックが読取られるとき前記読取りアドレス手段から前記
   選択手段に供給されるブロックセル・アドレスにしたが
   って確定されることを特徴とするシステム。（２）請求
   項１に記載するシステムであって、これを通して着信多
   重内のデータブロックを数個の宛先発信多重に伝達可能
   なものにおいて、 前記書込みアドレス手段はバッファ手段セルに記憶され
   ているデータブロックをそれぞれ更に伝達すべき発信多
   重の数を示す手段を備えており、 ブロックを記憶するセルに関する前記数は、ブロックを
   前記セルに書込むときの前記ブロックに対するアドレス
   発信多重の所定数に等しく、前記読取りアドレス手段か
   ら供給される前記セルの各読取りアドレスに応じて１単
   位だけ減値し、前記ブロックが記憶されているセルの解
   放は前記数が０に達するや否や前記指示手段により前記
   選択手段に通知される、 ことを特徴とするシステム。 （３）同期データブロックと非同期データブロックとを
   複数の着信多重と複数の発信多重との間で切換えるシス
   テムであって、 前記各着信多重と発信多重とはフレームを備えており、
   該各フレームは同期化ブロックにより占有される第１の
   時間間隔とデータブロックによりばらばら占有される時
   間間隔とから成っており、 前記システムは、 前記着信多重の前記フレーム内の前記データブロックを
   検出し、検出したデータブロックを検出し多重化したブ
   ロックに多重化する入力手段と、 前記検出し多重化したブロックを第１のブロックセルに
   記憶させる第１のバッファ手段と、前記検出し多重化し
   たブロックを第２のブロックセルに記憶させる第２のバ
   ッファ手段と、前記第１および第２のバッファ手段に記
   憶されている同期ブロックおよび非同期ブロックを多重
   化し、これをその目的にしたがって前記発信多重に伝達
   し、これにより前記フレームを前記発信多重内に形成す
   る出力手段と、 ブロックセル・アドレスを得て前記検出し多重化した各
   ブロックを第１および第２のセルに書込む書込み手段と
   、 前記同期ブロックが書き込まれる前記第１のセルの前記
   アドレスを受信し、前記同期ブロックが書込まれる前記
   第１のセルの前記アドレスと前記同期ブロックにより占
   有される発信多重時間間隔の少くとも識別数との対応に
   より、前記記憶されている各同期ブロックを読取る第１
   の読取り手段と、 それぞれ前記発信多重に割当てられて前記書込み手段に
   よリアドレスされ、同期ブロックが書込まれ記憶される
   前記第２のセルのアドレスを受信し、前記同期セルが書
   込まれる前記セルのアドレスと宛先発信多重との対応に
   より、前記記憶されている各同期ブロックを読取る数個
   の第２の読取手段とを備えているものにおいて、 前記第１および第２のバッファ手段は検出され多重され
   た同期ブロックおよび非同期ブロックを無頓着に記憶す
   ることができるブロックセルを有する一つのバッファ記
   憶装置から構成されており、 前記書込み手段はデータブロックが既に検出されている
   とき自由である前記バッファ記憶装置内のブロックセル
   の一つの書込みアドレスを選択し、この検出されたブロ
   ックを前記選択された自由セルに書込む手段からなり、
   自由セルのアドレス選択は記憶されている同期ブロック
   および非同期ブロックがそれぞれ前記バッファ記憶装置
   に書込まれるときに前記第１および第２の読取り手段供
   給されブロックセル・アドレスにしたがって確定される
   ことを特徴とするシステム。 （４）請求項３に記載のシステムにおいて、前記選択手
   段は、 それぞれ前記バッファ記憶装置の前記ブロックセルに割
   当てられた１ビット・セルを有し、前記バッファ記憶装
   置セルの利用可能性状態、自由および使用中、を記憶し
   、これにより前記自由状態にしたがってバッファ記憶装
   置セル・アドレスのアドレスを恒久的に得る回路と、 検出されたデータブロックを前記バッファ記憶装置に書
   込まなければならなくなるや否や前記使用中状態を前記
   選択された自由ブロックセル・アドレスに対応する１ビ
   ット・セルに書込む手段と、を備えており、前記選択さ
   れた自由セル・アドレスは書込むべき前記データブロッ
   クが同期ブロックであるとき前記第１の読取り手段に記
   憶され、前記データブロックが非同期ブロックであると
   き前記ブロックの宛先発信多重に割当られ前記書込み手
   段によりアドレスされる前記第２の読取り手段に記憶さ
   れ、前記システムは更に 前記自由状態をデータブロックが最後に読取られ前記読
   取られたデータブロックが同期ブロックであるとき前記
   第１の読取り手段から、前記読取られたデータブロック
   が非同期ブロックであるとき前記第２の読取り手段から
   供給されるブロックセルのアドレスに対応する１ビット
   ・セルに書込む手段、を有することを特徴とするシステ
   ム。 （５）請求項３に記載のシステムであって、前記第１の
   読取り手段は、 前記検出されたデータブロックにより占有されている時
   間間隔の識別数を前記着信多重に記憶させ、前記バッフ
   ァ記憶装置からの発信多重データブロックのフレーム周
   期の期間中、時間間隔の識別数にしたがって前記読取り
   データブロックによりそれぞれ占有されるべき前記発信
   多重に配置された前記時間間隔識別数を発生する第１の
   記憶装置と、 前記入力手段により供給される着信多重内のブロックの
   識別数にしたがって、前記非同期ブロックが書込まれる
   バッファ記憶装置セルの前記アドレスが書込まれ、前記
   第１の記憶装置により供給される配列された時間間隔の
   前記識別数にしたがって前記セル・アドレスが読込まれ
   る第２の記憶装置と、 を備えていることを特徴とするシステム。 （６）請求項３に記載のシステムであつて、これを通し
   て着信多重内のデータブロックを数個の宛先発信多重に
   伝達可能であるものにおいて、 前記書込み手段は前記バッファ記憶装置に記憶されてい
   るデータブロックが、それぞれ更に伝達されることにな
   っている発信多重の数を更新する手段から成り、 データブロックを記憶するバッファ記憶装置に関する前
   記数は前記ブロックが前記セルに書込まれるとき前記ブ
   ロックに対する宛先発信多重の所定の数に等しく、前記
   ブロックが同期ブロックであるとき前記第１の読取り手
   段から、前記ブロックが非同期ブロックであるとき前記
   第２の読取り手段から供給される前記セルの各読取りア
   ドレスに応じて１単位だけ減値し、前記ブロックが記憶
   されている前記セルの解放は前記数が０に達するや否や
   前記更新手段により前記選択手段に通知されることを特
   徴とするシステム。 （７）請求項６に記載のシステムにおいて、前記更新手
   段はそれぞれ前記記憶装置の前記ブロックセルに割当て
   られた数値セルを有し前記更新された数を記憶する数値
   記憶装置と、 データブロックが前記セルに書込まれるとき、選択され
   た自由セルに関する前記所定の宛先多重数を前記バッフ
   ァ記憶装置に書込む手段と、前記同期ブロックが前記セ
   ルに読み込まれるとき前記第１の読取り手段から、非同
   期ブロックが前記セルに読込まれるとき前記第２の読取
   り手段から供給されるこのセルのアドレスに応じてバッ
   ファ記憶装置セルに関する前記更新された数を読取る手
   段と、 前記セルの供給されたアドレスに応じて更新された前記
   読取り数をそれぞれの所定数に等しい複数の減値の後０
   に達するまで１単位づつ減値する手段と、 各減値の後前記更新された読取り数を前記バッファ記憶
   装置セルに割当られた数値セルに書込む手段と、 前記減値手段に接続されて前記選択手段に前記更新され
   た数の無効を指示し、これにより前記データブロックが
   前記それぞれの所定数に等しい回数読込まれている前記
   バッファ記憶装置セルを解放する手段と、 を備えていることを特徴とするシステム。 （８）請求項３に記載のシステムにおいて、前記バッフ
   ァ記憶装置内のブロックセルの数は多重フレームの時間
   間隔の数と前記着信多重の数との積より小さいことを特
   徴とするシステム。