JPH02165602A - 温度抵抗素子 - Google Patents

温度抵抗素子

Info

Publication number
JPH02165602A
JPH02165602A JP32180588A JP32180588A JPH02165602A JP H02165602 A JPH02165602 A JP H02165602A JP 32180588 A JP32180588 A JP 32180588A JP 32180588 A JP32180588 A JP 32180588A JP H02165602 A JPH02165602 A JP H02165602A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
electrode
thermistor
glass frit
device unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP32180588A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukio Baba
馬場 幸夫
Yasunobu Yoneda
康信 米田
Yukio Sakabe
行雄 坂部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP32180588A priority Critical patent/JPH02165602A/ja
Publication of JPH02165602A publication Critical patent/JPH02165602A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は温度抵抗素子に関し、特にたとえば温度計測
用や温度補償用として用いられるサーミスタ等の温度抵
抗素子に関する。
〔従来技術〕
この種のサーミスタの一例が、たとえば特公昭52−7
535号公報において開示されている。
第2図に示すように、従来のサーミスタ1は、Mn、N
i、Co等の金属酸化物を焼結した後研磨加工を行った
板状基板の両面にAg、Ag−Pd等の金属とガラスフ
リットとを含有する電極を形成し、さらに、チップ状に
カットしたサーミスタ素子1の電極3にジュメット等の
金属リード線4をAu等の耐熱導電性塗料5で接着して
乾燥した後、700〜900°Cの温度で焼付とガラス
被覆6とを同時に行って形成されるというものであった
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のサーミスタ1においては、電極3にガラスフリッ
トが含まれているが、それだけではサーミスタ素子2と
電極3との接着強度を十分にすることはできなかった。
そのため、素子ユニットに切り出すときや、金属リード
線4を耐熱導電性塗料5で電極3に接着するときには、
耐熱導電性塗料5が焼結収縮することによって、サーミ
スタ素子2と電極3との接着強度が弱くなり、接合不良
やエージング特性不良および加工変化不良の原因となっ
ていた。
それゆえに、この発明の主たる目的は、素子ユニットと
電極と−の接着強度を弱くしない、温度抵抗素子を提供
することである。
〔課題を解決するための手段〕
この発明は、簡単にいえば、所定の組成で形成された素
子ユニットおよび素子ユニットの両側面に形成される電
極を含む温度抵抗素子において、電極は複数層からなり
、その最外層は素子ユニットの組成原料のうち少なくと
も1種を合計で0〜30wt%、残余の層は素子ユニッ
トの組成原料のうち少なくとも1種を合計で1〜99w
t%それぞれ含有し、かつその含有率は外層になる程小
さくされ、さらにそれぞれの層は0〜20wt%のガラ
スフリットを含有することを特徴とする、温度抵抗素子
である。
〔作用〕
電極に含有された素子ユニットの組成原料によって、た
とえば一体焼成時の電極の収縮が素子ユニットのそれに
近似するため、電極だけが大きく収縮することによって
生じる素子ユニットとの間の接着強度の低下がなくなる
。それとともに、両者に共通する素子ユニットの組成原
料間の化学反応に基づき、両者間の接着強度を著しく高
める。
したがって、各素子ユニットに切り出すときあるいはリ
ード線を接続するときの電極の剥離がなくなる。
また、各電極層において、外層になるほど含有率を所定
範囲内で傾斜的に小さくすることによって、電極層どう
しの結合が強化される。
〔発明の効果〕
この発明によれば、電極と素子ユニットとの接着強度を
高めることができるので、従来問題となっていた接合不
良、エージング特性不良あるいは加工変化不良がなくな
り、その結果、製造の際の良品率の向上が期待できるば
かりでなく、経年変化による品質劣化が防止できる。
また、各電極層の含有率を傾斜的に小さ(するので、電
極層どうしの結合が強固になり、耐衝撃性が向上する。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
〔実施例〕
第1図を参照して、この実施例のサーミスタ10は、M
n、Ni、CoおよびA2等の金属酸化物を板状に焼結
したサーミスタ素子12を含み、サーミスタ素子12の
両面には電極14が形成される。この電極14は、第1
層16.第2層18、第3層20および第4層22の4
層構造からなり、第1層16ないし第4層22のそれぞ
れの層は、たとえばPt、Ag、Ag−Pd等の金属粉
末やガラスフリットの他、サーミスタ素子12を組成す
るMn−Ni、MnまたはNi等の金属酸化物をそれぞ
れ所定の割合で含有した電極ペーストを焼成することに
よって形成される。より詳しくは、最外層の第4層22
となる電極ペーストはサーミスタ素子12を組成する上
述の金属酸化物を合計で0〜30wt%含有し、残余の
第1層16ないし第3層20となる電極ペーストはそれ
ぞれサーミスタ素子12を組成する上述の金属酸化物を
合計で1〜99wt%の範囲内で含有し、かつその含有
率は第1層16から第4層22へと外層になるほど小さ
くされる。
なお、第1層16ないし第4層22にそれぞれ含有され
るガラスフリットはいずれも0〜20wt%とする。
そして、このようにして形成される電極14には、たと
えばジュメットなどの金属からなるリード線24が、た
とえばAu等の耐熱導電性塗料26によって接着される
。耐熱導電性塗料26を乾燥した後、700〜900°
Cの温度でその焼付を行い、その後ガラス被覆28を形
成する。
このようにして得られるサーミスタ10は、たとえば以
下の方法によって製造される。
まず、サーミスタ素子12となるべきセラミック生シー
トを準備する。すなわち、Mn、Ni。
CoおよびAN等の酸化物を、所定の割合で配合して、
ボールミルなどによって湿式混合する。その後、それを
脱水して乾燥させた後、850°Cで2時間程度仮焼す
る。さらに、湿式粉砕後、蒸発乾燥させ、それに有機バ
インダを添加してスラリ状にする。そのようにして得ら
れたセラミックスラリをドクタブレード法によって塗布
し、厚さ200amのセラミック生シートを形成する。
セラミック生シートを、たとえば27X36■の大きさ
に切断し、その切断されたシートを3枚重ねて熱圧着し
、厚さ500μm程度のセラミック生シートを得る。
次いで、電極14すなわち、第1層16ないし第4層2
2となるべき電極ペーストをそれぞれ準備する。それぞ
れの電極ペーストは、たとえばPL −A u −P 
d系の金属粉末に、サーミスタ素子12の組成原料のう
ち少なくとも1種、たとえばMn−Ni、MnまたはN
3などの酸化物粉末をそれぞれ合計で75wt%、50
wt%、25wt%、0wt%含有し、さらにガラスフ
リットをそれぞれ5wt%添加したものである。
この電極ペーストのうち、まず、第1層16となるべき
電極ペーストを厚さ500μmのセラミック生シートの
両面に塗布、乾燥し、その後この上に第2層18となる
べき電極ペースト、第3層20となるべき電極ペースト
、第4層22となるべき電極ペーストの順で、同様にし
て塗布、乾燥を繰り返す。そして、これらを1200−
1300°Cで2時間程度一体焼成する。焼成を終えた
セラミックシートを0.5−角に切断して、その両面に
電極14が形成されたサーミスタ素子12が得られる。
さらに、サーミスタ素子12の両面の電極14上にジュ
メットなどのリード線24を、耐熱導電性塗料26で接
着して乾燥した後、700〜900°Cの温度で焼付を
行う。
最後に、図示しないが、リード線24が電極14に固着
された状態でサーミスタ素子12をガラスキャップに入
れ、カーボンヒータによってガラスキャップ全体を加熱
する。そうすると、ガラスキャップが軟化してガラスキ
ャップの端部が封止され、第1図に示すように、ガラス
被覆28で封止されたラジアル型のサーミスタ10が得
られる。
このようにして形成されたサーミスタ10においては、
焼成後のセラミックシートを切断する際や、リード線2
4を電極14に接続する際においても、電極14の剥が
れは生じなかった。
実験では、サーミスタ素子をMnおよびNiの金属酸化
物によって形成し、電極ペーストに添加する金属酸化物
の種類と量およびガラスフリットの量を変えて上記の方
法で製作したサーミスタについて、電極の剥がれの有無
や抵抗値の加工変化や経時変化を観察した。その結果を
、別表にサンプル番号1〜15として示す。
また、比較のために、サーミスタ素子を焼成した後に、
Ag−Pd系の電極を焼付けたものにおいて、上述の実
施例と同様に電極を4層構造にしたサーミスタおよび電
極に金属酸化物を添加しない従来のサーミスタを製作し
てそれらについても同様の観察を行い、その結果を別表
にサンプル番号16〜19として示す。
なお、表中における「抵抗値の加工変化」とはサーミス
タ素子をガラス被覆する前後で生じる抵抗値の変化をい
い、また「抵抗値の経年変化」は完成したサーミスタを
300℃の空気中に1000時間放置した場合の抵抗値
の変化をいうものとする。
サンプル番号1〜15は、電極を4層構造にして金属酸
化物を添加し、サーミスタ素子と電極とを一体焼成した
場合であり、セラミックシートの切断時およびリード線
の接続時のいずれにおいても電極の剥がれは生じていな
い、しかし、最外層である第4層に含まれている金属酸
化物の量がこの発明の範囲を超えるサンプル番号5.l
Oおよび15と、ガラスフリットの添加量がこの発明の
範囲を超えるサンプル番号4,8および13においては
、抵抗値の加工変化および抵抗値の経時変化がいずれも
3%を超えている。この理由は、前者の場合には最外層
の金属酸化物の添加量が多すぎるので、電極密度が小さ
くなって電極の特性が劣化しているためであり、後者の
場合はガラスフリットの添加量が多すぎるので、ガラス
フリットの成分が電極あるいはサーミスタ素子に何らか
の影響を与えるためと考えられる。
次に、電極を焼成後のサーミスタ素子に焼付けたサンプ
ル番号16〜19の場合は、セラミックシートの切断時
およびリード線接続時のすべての場合に電極の剥がれが
生じており、そのために抵抗値の加工変化および経時変
化もすべて10%を超えている。これらは、電極に金属
酸化物を加えない場合はもちろんのこと、加えた場合に
おいても電極をサーミスタ素子に焼付けただけでは、サ
ーミスタ素子と金属酸化物とが化学反応をしないので、
サーミスタ素子と電極との接着強度が不十分であるため
と考えられる。
なお、上述の実施例においてはラジアル型のサーミスタ
10について説明したが、この発明はこれに限定されず
、アキシャル型のサーミスタや積層サーミスタについて
も適用できるのはもちろんである。
また、この発明はサーミスタに限らず、ポジスタやその
他の抵抗−温度素子に同様に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す断面図解図である。 第2図は従来技術を示す断面図解図である。 図において、10はサーミスタ、12はサーミスタ素子
、14は電極、16は第1N、18は第2層、20は第
3層、22は第4層を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 山 1) 義 人 第 図 第20

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 所定の組成で形成された素子ユニットおよび前記素
    子ユニットの両側面に形成される電極を含む温度抵抗素
    子において、 前記電極は複数層からなり、その最外層は前記素子ユニ
    ットの組成原料のうち少なくとも1種を合計で0〜30
    wt%、残余の層は前記素子ユニットの組成原料のうち
    少なくとも1種を合計で1〜99wt%それぞれ含有し
    、かつその含有率は外層になる程小さくされ、さらにそ
    れぞれの層は0〜20wt%のガラスフリットを含有す
    ることを特徴とする、温度抵抗素子。 2 所定の組成のセラミック生シートに、請求項1の各
    電極層となるべき電極ペーストを順次塗布して乾燥し、
    その後一体焼成することによって形成される、請求項1
    記載の温度抵抗素子。
JP32180588A 1988-12-19 1988-12-19 温度抵抗素子 Pending JPH02165602A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32180588A JPH02165602A (ja) 1988-12-19 1988-12-19 温度抵抗素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32180588A JPH02165602A (ja) 1988-12-19 1988-12-19 温度抵抗素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02165602A true JPH02165602A (ja) 1990-06-26

Family

ID=18136613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32180588A Pending JPH02165602A (ja) 1988-12-19 1988-12-19 温度抵抗素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02165602A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013197127A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Mitsubishi Materials Corp サーミスタ素子
WO2024042767A1 (ja) * 2022-08-25 2024-02-29 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ素子及びその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013197127A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Mitsubishi Materials Corp サーミスタ素子
WO2024042767A1 (ja) * 2022-08-25 2024-02-29 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ素子及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4082906A (en) Low temperature fired ceramic capacitors
JP5678520B2 (ja) サーミスタ素子
CN100378872C (zh) 迭层型陶瓷电子元件的制造方法
JPH01161709A (ja) 積層型セラミック部品
JP3064659B2 (ja) 積層型セラミック素子の製造方法
JPH02165602A (ja) 温度抵抗素子
JPS6323646B2 (ja)
JP3604043B2 (ja) 積層セラミック電子部品及びその製造方法
JPH05121211A (ja) 積層形電圧非直線抵抗器の製造方法
JPH02152203A (ja) 温度抵抗素子
JP2800894B2 (ja) サーミスタ
JP4539671B2 (ja) 電子部品及びその製造方法
JP3245946B2 (ja) 抵抗体
JPH1012043A (ja) 導電性組成物および粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ
JP3548586B2 (ja) 正特性サーミスタ装置
JPH011203A (ja) サ−ミスタ
JPH1187167A (ja) 端子電極用ペーストおよびそれを用いたセラミック電子部品とその製造方法
JPH05325633A (ja) 導電性ペースト
JPH03129810A (ja) 積層型セラミックチップコンデンサおよびその製造方法
JP3245933B2 (ja) 抵抗体
JPH10303004A (ja) サーミスタ素子及びその製造方法
JPS63194310A (ja) ガラス封入型サ−ミスタ
JP2003289001A (ja) 厚膜電子部品
JPH04306803A (ja) 積層型バリスタ
JPS6333282B2 (ja)