JPH0216568A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0216568A JPH0216568A JP63167594A JP16759488A JPH0216568A JP H0216568 A JPH0216568 A JP H0216568A JP 63167594 A JP63167594 A JP 63167594A JP 16759488 A JP16759488 A JP 16759488A JP H0216568 A JPH0216568 A JP H0216568A
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- silicon
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- oxygen plasma
- etching
- organic resin
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体装置の製造・方法に関し、特に感光性
有機系樹脂膜を所定パターンにエツチングする方法に関
する。
有機系樹脂膜を所定パターンにエツチングする方法に関
する。
〈従来の技術〉
従来、層間絶縁膜として有機系樹脂を用いてスルーホー
ルを開孔する際、−数的にはフォトレジストをマスクと
して有機系樹脂膜をエツチングする方法がとられていた
。しかし、フォトレジストをマスクとした場合、酸素を
主体とするガスを用いたドライエツチングでは、７オト
レジストのエツチング速度が有機系樹脂膜のエツチング
速度の１．５倍程度もあるため、フォトレジストを厚く
形成しなければならず微細加工が困難である。そのため
、有機系樹脂膜との選択比を大きくするためにフォトレ
ジストと有機系樹脂膜との間に中間層として金属層を設
け、フォトレジストをマスクとして該金属層をエツチン
グし、更に有機系樹脂膜をエツチングするという２段階
エツチング方法によって、開孔部を形成していた。
ルを開孔する際、−数的にはフォトレジストをマスクと
して有機系樹脂膜をエツチングする方法がとられていた
。しかし、フォトレジストをマスクとした場合、酸素を
主体とするガスを用いたドライエツチングでは、７オト
レジストのエツチング速度が有機系樹脂膜のエツチング
速度の１．５倍程度もあるため、フォトレジストを厚く
形成しなければならず微細加工が困難である。そのため
、有機系樹脂膜との選択比を大きくするためにフォトレ
ジストと有機系樹脂膜との間に中間層として金属層を設
け、フォトレジストをマスクとして該金属層をエツチン
グし、更に有機系樹脂膜をエツチングするという２段階
エツチング方法によって、開孔部を形成していた。
また、上記金属層、あるいは素子間および配線間等を電
気的に接続する導電層の形成において、エツチングマス
クとして従来のフォトレジストを用いているが、フォト
レジストは導電層の膜厚の２倍以上の厚さに塗布し、露
光・現像等の処理によりパターンを形成していた。
気的に接続する導電層の形成において、エツチングマス
クとして従来のフォトレジストを用いているが、フォト
レジストは導電層の膜厚の２倍以上の厚さに塗布し、露
光・現像等の処理によりパターンを形成していた。
〈発明が解決しようとする課題〉
有機系樹脂膜のエツチングに金属層をマスクとして用い
た場合、フォトレジストを用いた場合よりも有機系樹脂
膜との選択比を大きくすることができるが、金属層の形
成、除去、及びエツチングの工程が増加し、複雑となる
。また、現行よりさらに微細化が進むと、マスクとして
の金属層をフォトレジストをマスクとしてエツチングす
るためには金属層を薄くする必要があり、厚い有機系樹
脂膜をエツチングすることが困難となる。
た場合、フォトレジストを用いた場合よりも有機系樹脂
膜との選択比を大きくすることができるが、金属層の形
成、除去、及びエツチングの工程が増加し、複雑となる
。また、現行よりさらに微細化が進むと、マスクとして
の金属層をフォトレジストをマスクとしてエツチングす
るためには金属層を薄くする必要があり、厚い有機系樹
脂膜をエツチングすることが困難となる。
また、上記金属層を含む導電層のエツチングの際、マス
クとなるフォトレジストもエツチングされるため、フォ
トレジストの塗布膜厚を薄くすることができず、微細化
の妨げとなっている〇〈課題を解決するための手段〉 導電層が形成された半導体基板上に感光性有機系樹脂膜
を形成し、該感光性有機系樹脂膜を選択的にエツチング
する方法において、前記感光性有機系樹脂を選択露光す
ることにより、露光部に発生したラジカルに、シリコン
系化、金物を気相反応させてシリコンを含有させ、その
後、酸素プラズマによって、露光部をシリコン酸化膜に
変化させ、未露光部をエツチング除去する。
クとなるフォトレジストもエツチングされるため、フォ
トレジストの塗布膜厚を薄くすることができず、微細化
の妨げとなっている〇〈課題を解決するための手段〉 導電層が形成された半導体基板上に感光性有機系樹脂膜
を形成し、該感光性有機系樹脂膜を選択的にエツチング
する方法において、前記感光性有機系樹脂を選択露光す
ることにより、露光部に発生したラジカルに、シリコン
系化、金物を気相反応させてシリコンを含有させ、その
後、酸素プラズマによって、露光部をシリコン酸化膜に
変化させ、未露光部をエツチング除去する。
く作 用〉
フォトレジストや他のエツチングマスク材を用いること
なく、有機系樹脂膜をエツチングすることが可能となり
、また、酸素プラズマによって形成されたシリコン酸化
膜は、酸素プラズマによって殆どエツチングされること
なく、有機系樹脂膜のみを効果的に除去し得る。
なく、有機系樹脂膜をエツチングすることが可能となり
、また、酸素プラズマによって形成されたシリコン酸化
膜は、酸素プラズマによって殆どエツチングされること
なく、有機系樹脂膜のみを効果的に除去し得る。
導電層のエツチングにおいても、現行の７オトレジスト
の現像方法ではなく、本発明を適応してエツチングマス
クを形成すれば、エツチングマスクの表面がシリコン酸
化膜に変化しているため導電層との選択比が大きくなり
、エツチングマスクとしての有機系樹脂を薄くすること
ができる。
の現像方法ではなく、本発明を適応してエツチングマス
クを形成すれば、エツチングマスクの表面がシリコン酸
化膜に変化しているため導電層との選択比が大きくなり
、エツチングマスクとしての有機系樹脂を薄くすること
ができる。
〈実施例〉
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明によるスルーホール形成
方法の一実施例を示す断面図である。
方法の一実施例を示す断面図である。
第１図（ａ）においてシリコン単結晶基板ｌ上にシリコ
ン酸化膜２を形成し、そのうえにスパッタリング等によ
りＡ １− Ｓ ｉ膜を形成し、所定パターンに配線３
を形成する。次に第１図（ｂ）に示すように感光性ポリ
イミド樹脂を塗布し厚さ１μｍ〜２μｍの眉間絶縁膜４
を形成する。次にスルーホールとして開孔すべき領域以
外に紫外線５を用いて第１図（ｃ）のように選択露光す
る。
ン酸化膜２を形成し、そのうえにスパッタリング等によ
りＡ １− Ｓ ｉ膜を形成し、所定パターンに配線３
を形成する。次に第１図（ｂ）に示すように感光性ポリ
イミド樹脂を塗布し厚さ１μｍ〜２μｍの眉間絶縁膜４
を形成する。次にスルーホールとして開孔すべき領域以
外に紫外線５を用いて第１図（ｃ）のように選択露光す
る。
露光された部分には第１図（ｄ）のようにラジカル６が
発生し、このラジカル６にシリコン系化合物７を１２０
℃に加熱しながら気相反応させることニヨリ、シリコン
を含有させる。シリコン系化合物としては現在ＨＭＤＳ
（ヘキサメチレンジシラザン）が知られている。
発生し、このラジカル６にシリコン系化合物７を１２０
℃に加熱しながら気相反応させることニヨリ、シリコン
を含有させる。シリコン系化合物としては現在ＨＭＤＳ
（ヘキサメチレンジシラザン）が知られている。
その後第１図（ｅ）に示すように酸素プラズマに上りエ
ツチングを行うが、シリコン系化合物と気相反応したラ
ジカル部は、酸素プラズマによって表面よｔ）１００Ａ
〜２０ＯＡ厚さのシリコン酸化膜８に変化し、酸素プラ
ズマに対するエツチングマスクとなり、未露光部のみが
エツチング除去され、開孔部が形成される。
ツチングを行うが、シリコン系化合物と気相反応したラ
ジカル部は、酸素プラズマによって表面よｔ）１００Ａ
〜２０ＯＡ厚さのシリコン酸化膜８に変化し、酸素プラ
ズマに対するエツチングマスクとなり、未露光部のみが
エツチング除去され、開孔部が形成される。
〈発明の効果〉
本発明は、有機系樹脂を用いた層間絶縁膜のスルーホー
ル形成方法においては、従来のフォトレジストや中間層
としての金属層等のエツチングマスクを用いる必要がな
いため、工程が簡略化されるだけでなく、眉間絶縁膜を
直接エツチングするため、エツチングマスクの膜厚によ
る制約を受けることなく、微細加工が可能となる。導電
層のエツチングマスクとして感光性有機系樹脂膜を用い
る場合には、本発明に基づいて現像することにより、有
機系樹脂膜を薄く形成することができ、微細な導電層を
形成することが可能となる。
ル形成方法においては、従来のフォトレジストや中間層
としての金属層等のエツチングマスクを用いる必要がな
いため、工程が簡略化されるだけでなく、眉間絶縁膜を
直接エツチングするため、エツチングマスクの膜厚によ
る制約を受けることなく、微細加工が可能となる。導電
層のエツチングマスクとして感光性有機系樹脂膜を用い
る場合には、本発明に基づいて現像することにより、有
機系樹脂膜を薄く形成することができ、微細な導電層を
形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例の製造工程を
示す断面図である。 １・・・シリコン単結晶基板、 ２・・・シリコン酸化
膜、 ３・・・Ａｌ−８ｉ配線、 ４・・・感光性有
機系樹脂膜、 ５・・・紫外線、 ６・・・ラジヵノペ
７・・・シリコン系化合物、 ８・・・酸素プラズ
マによって変化したシリコン酸化膜。
示す断面図である。 １・・・シリコン単結晶基板、 ２・・・シリコン酸化
膜、 ３・・・Ａｌ−８ｉ配線、 ４・・・感光性有
機系樹脂膜、 ５・・・紫外線、 ６・・・ラジヵノペ
７・・・シリコン系化合物、 ８・・・酸素プラズ
マによって変化したシリコン酸化膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電層が形成された半導体基板上に感光性有機系樹
脂膜を形成し、該感光性有機系樹脂膜を選択的にエッチ
ングする方法において、 前記感光性有機系樹脂を選択露光する工程、露光部に発
生したラジカルにシリコン系化合物を気相反応させる工
程、 酸素プラズマによって、露光部をシリコン酸化膜に変化
させ、未露光部をエッチング除去する工程からなること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16759488A JP2521329B2 (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16759488A JP2521329B2 (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0216568A true JPH0216568A (ja) | 1990-01-19 |
| JP2521329B2 JP2521329B2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=15852658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16759488A Expired - Fee Related JP2521329B2 (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2521329B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60241225A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-30 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 陰画レジスト像を生成する方法 |
| JPS6147641A (ja) * | 1984-08-15 | 1986-03-08 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS61107346A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-26 | ユセベ エレクトロニックス，ソシエテ アノニム | フォトレジスト層中にネガ図形を形成する方法 |
| JPS62273528A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ポリマ膜表面のシリル化方法およびこれを用いたパタ−ン形成方法 |
-
1988
- 1988-07-04 JP JP16759488A patent/JP2521329B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60241225A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-30 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 陰画レジスト像を生成する方法 |
| JPS6147641A (ja) * | 1984-08-15 | 1986-03-08 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS61107346A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-26 | ユセベ エレクトロニックス，ソシエテ アノニム | フォトレジスト層中にネガ図形を形成する方法 |
| JPS62273528A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ポリマ膜表面のシリル化方法およびこれを用いたパタ−ン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2521329B2 (ja) | 1996-08-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |