JPH0216585B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0216585B2 JPH0216585B2 JP56194429A JP19442981A JPH0216585B2 JP H0216585 B2 JPH0216585 B2 JP H0216585B2 JP 56194429 A JP56194429 A JP 56194429A JP 19442981 A JP19442981 A JP 19442981A JP H0216585 B2 JPH0216585 B2 JP H0216585B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring board
- weld ring
- hermetically sealed
- shape
- rectangular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/60—Seals
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の属する技術分野
本発明は、アルミナセラミツク等の配線基板上
にICチツプ等のチツプ部品を少なくとも１個以
上実装し、キヤツプ等の基体を前記アルミナセラ
ミツク等の配線基板上に装着し、全体を気密封止
する気密封止パツケージの構造に関するものであ
る。
にICチツプ等のチツプ部品を少なくとも１個以
上実装し、キヤツプ等の基体を前記アルミナセラ
ミツク等の配線基板上に装着し、全体を気密封止
する気密封止パツケージの構造に関するものであ
る。
従来技術とその問題点
近年、電子機器の小型、較量化、高信頼性化の
要求が著しく高まつてきており、アルミナセラミ
ツク等の高密度多層配線基板上に電子的機能要素
であるIC等をチツプ状態で少なくとも一個以上
実装し、全体を気密封止する所謂るマルチチツプ
パツケージング技術が開発されつつある。この様
なパツケージを気密封止する手法としては、従来
エポキシあるいはプラスチツクによるモールド手
法によるものがあるが、これ等は信頼性の観点か
らすると、さほど好ましいものとは思われなく、
より信頼性の良い方法としてはハンダ付け、ある
いは低融点ガラスによる手法も開発されつつある
が、さらに高信頼性を要求される場合は、ウエル
デイング（溶接）手法による気密封止パツケーが
開発されつつある。この場合、従来第１図に示す
如く、アルミナセラミツク等の配線基板１−１上
のICチツプ等のチツプ部品が塔載される導体パ
ターン１−２の周辺部に正方形あるいは長方形の
リング状の導体パターン１−３を形成し、当該正
方形あるいは長方形のリング状の導体パターン１
−３上に第２図に示す如く、アルミナセラミツク
等の配線基板１−１と熱膨張係数のほぼ等しいコ
バールあるいはFe−Ni42アロイ等の前記アルミ
ナセラミツク等の配線基板１−１の周辺部の正方
形あるいは長方形のリングの導体パターン１−３
の導体パターン幅より小さい幅を有し、0.1mm〜
数mmの厚さを有する正方形あるいは長方形のリン
グの溶接用の金属基体であるウエルドリング２−
４を、例えば、エツチングあるいは抜き型にて形
成し、例えばAgロー等の接着剤３−５により接
着固定する事により、ウエルドリング３−４（２
−４）をアルミナセラミツク等の配線基板３−１
上に形成していた。第３図はその断面図を示すも
のである。以上の様にして形成したアルミナセラ
ミツク等の配線基板３−１上のウエルドリング３
−４上に、例えば第４図ａあるいはｂ等の断面形
状を有する前記ウエルドリング３−４及びアルミ
ナセラミツク等の配線基板３−１と熱膨張係数の
ほぼ等しい例えばコバールあるいはFe−Ni42ア
ロイ等の正方形あるいは長方形の外形形状を有す
るキヤツプ等の基体４−６−ａ又は４−６−ｂ
を、第５図に示す如くキヤツプ等の基体５−６の
周辺部と、ウエルドリング５−４の周辺部を位置
合わせする事により溶接装置の対向電極５−７を
正方形あるいは長方形の相対向する周辺に押し当
てて配線基板５−１を塔載している溶接装置のス
テージを直進させて、溶接（ウエルデイング）す
る事により前記パツケージ全体を気密封止してい
た。しかしながら、この様な方法では、前記パツ
ケージを実装する筐体等の基体が、パツケージの
外形が正方形あるいは長方形であつても何等支障
の無い場合は問題ないが、前記パツケージを実装
する筐体等の基体の内周形状が、円形あるいは楕
円形に形成し、少なくとも１個以上のできるだけ
多くのIC等のチツプ部品５−８を塔載する必要
がある。しかしながら正方形あるいは長方形形状
に前記ウエルドリング２−４を形成したのでは、
例えば前記配線基板１−１の外周形が円形の場合
はそれに内接する正方形形のウエルドリグとなる
ため、IC等のチツプ部品５−８を塔載する事の
できないデツドスペースが前記配線基板１−１上
にかなりの面積で存在する事と成り、ひいては高
密度実装をさまたげる事と成る。また外形形状が
円形の配線基板では、前記ウエルドリングを配線
基板の外周よりも多少小さな外周を有する円形形
状に形成する事も可能であるが、この場合は前記
溶接装置の配線基板５−１を支持固定しているス
テージが回転運動が可能な様に改造しなければな
らず、その費用と手間はたいへんなものであつ
た。また円形の場合は、溶接装置の配線基板を支
持固定しているステージを回転運動可能に改造す
る事により対処できるが、様々な形の楕円形形状
を有する様な場合は成すすべも無かつた。
要求が著しく高まつてきており、アルミナセラミ
ツク等の高密度多層配線基板上に電子的機能要素
であるIC等をチツプ状態で少なくとも一個以上
実装し、全体を気密封止する所謂るマルチチツプ
パツケージング技術が開発されつつある。この様
なパツケージを気密封止する手法としては、従来
エポキシあるいはプラスチツクによるモールド手
法によるものがあるが、これ等は信頼性の観点か
らすると、さほど好ましいものとは思われなく、
より信頼性の良い方法としてはハンダ付け、ある
いは低融点ガラスによる手法も開発されつつある
が、さらに高信頼性を要求される場合は、ウエル
デイング（溶接）手法による気密封止パツケーが
開発されつつある。この場合、従来第１図に示す
如く、アルミナセラミツク等の配線基板１−１上
のICチツプ等のチツプ部品が塔載される導体パ
ターン１−２の周辺部に正方形あるいは長方形の
リング状の導体パターン１−３を形成し、当該正
方形あるいは長方形のリング状の導体パターン１
−３上に第２図に示す如く、アルミナセラミツク
等の配線基板１−１と熱膨張係数のほぼ等しいコ
バールあるいはFe−Ni42アロイ等の前記アルミ
ナセラミツク等の配線基板１−１の周辺部の正方
形あるいは長方形のリングの導体パターン１−３
の導体パターン幅より小さい幅を有し、0.1mm〜
数mmの厚さを有する正方形あるいは長方形のリン
グの溶接用の金属基体であるウエルドリング２−
４を、例えば、エツチングあるいは抜き型にて形
成し、例えばAgロー等の接着剤３−５により接
着固定する事により、ウエルドリング３−４（２
−４）をアルミナセラミツク等の配線基板３−１
上に形成していた。第３図はその断面図を示すも
のである。以上の様にして形成したアルミナセラ
ミツク等の配線基板３−１上のウエルドリング３
−４上に、例えば第４図ａあるいはｂ等の断面形
状を有する前記ウエルドリング３−４及びアルミ
ナセラミツク等の配線基板３−１と熱膨張係数の
ほぼ等しい例えばコバールあるいはFe−Ni42ア
ロイ等の正方形あるいは長方形の外形形状を有す
るキヤツプ等の基体４−６−ａ又は４−６−ｂ
を、第５図に示す如くキヤツプ等の基体５−６の
周辺部と、ウエルドリング５−４の周辺部を位置
合わせする事により溶接装置の対向電極５−７を
正方形あるいは長方形の相対向する周辺に押し当
てて配線基板５−１を塔載している溶接装置のス
テージを直進させて、溶接（ウエルデイング）す
る事により前記パツケージ全体を気密封止してい
た。しかしながら、この様な方法では、前記パツ
ケージを実装する筐体等の基体が、パツケージの
外形が正方形あるいは長方形であつても何等支障
の無い場合は問題ないが、前記パツケージを実装
する筐体等の基体の内周形状が、円形あるいは楕
円形に形成し、少なくとも１個以上のできるだけ
多くのIC等のチツプ部品５−８を塔載する必要
がある。しかしながら正方形あるいは長方形形状
に前記ウエルドリング２−４を形成したのでは、
例えば前記配線基板１−１の外周形が円形の場合
はそれに内接する正方形形のウエルドリグとなる
ため、IC等のチツプ部品５−８を塔載する事の
できないデツドスペースが前記配線基板１−１上
にかなりの面積で存在する事と成り、ひいては高
密度実装をさまたげる事と成る。また外形形状が
円形の配線基板では、前記ウエルドリングを配線
基板の外周よりも多少小さな外周を有する円形形
状に形成する事も可能であるが、この場合は前記
溶接装置の配線基板５−１を支持固定しているス
テージが回転運動が可能な様に改造しなければな
らず、その費用と手間はたいへんなものであつ
た。また円形の場合は、溶接装置の配線基板を支
持固定しているステージを回転運動可能に改造す
る事により対処できるが、様々な形の楕円形形状
を有する様な場合は成すすべも無かつた。
発明の目的
本発明はこの様な事情を考慮して成されたもの
であり、その目的とする所、正方形あるいは長方
形以外の例えば円形あるいは楕円形等の特殊な外
形形状を有するアルミナセラミツク等の配線基板
上に少なくとも１個以上のIC等のチツプ部品を
実装し、その実装可能な面積を効率良く確保し、
高密度に実装し、全体を気密封止る事の可能な気
密封止パツケージを提供する事にある。
であり、その目的とする所、正方形あるいは長方
形以外の例えば円形あるいは楕円形等の特殊な外
形形状を有するアルミナセラミツク等の配線基板
上に少なくとも１個以上のIC等のチツプ部品を
実装し、その実装可能な面積を効率良く確保し、
高密度に実装し、全体を気密封止る事の可能な気
密封止パツケージを提供する事にある。
発明の実施例
以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら
説明する。第６図ａ平面図、ｂ断面図）は、前記
アルミナセラミツク等の配線基板６−１の外形形
状が円形の場合の例であり、６−４が本発明によ
るウエルドリングの外形形状構造を示すものであ
る。この場合は正八角形形状としているが、この
様に相対向する外周辺が平行な多角形形状に形成
する事により、対向電極５−７及び直進するステ
ージを有する前記溶接装置を何等改造する事もな
く円形外形形状を有す配線基板６−１上に効率良
く多数のチツプ部品を塔載し全体を気密封止する
事が可能な気密封止パツケージを提供する事が可
能となつた。６−５はウエルドリング６−４を配
線基板６−１上に支持固定するための銀ロー等の
接着剤を示す。また第７図は、本発明による他の
実施例であり、７−１は外形が長方形形状の配線
基板を示しており、７−９はそれを筐体等の基体
に取り付けるべき取り付け用の通孔を示してお
り、長方形の配線基板７−１の４すみに当該通孔
７−９が存在している。７−４は、相対向する外
周辺が平行な四角形形状を有する本発明によるウ
エルドリング外形形状構造を示すものである。７
５は、ウエルドリング７−４を配線基板７−１上
に支持固定するための銀ロー等の接着剤を示す。
説明する。第６図ａ平面図、ｂ断面図）は、前記
アルミナセラミツク等の配線基板６−１の外形形
状が円形の場合の例であり、６−４が本発明によ
るウエルドリングの外形形状構造を示すものであ
る。この場合は正八角形形状としているが、この
様に相対向する外周辺が平行な多角形形状に形成
する事により、対向電極５−７及び直進するステ
ージを有する前記溶接装置を何等改造する事もな
く円形外形形状を有す配線基板６−１上に効率良
く多数のチツプ部品を塔載し全体を気密封止する
事が可能な気密封止パツケージを提供する事が可
能となつた。６−５はウエルドリング６−４を配
線基板６−１上に支持固定するための銀ロー等の
接着剤を示す。また第７図は、本発明による他の
実施例であり、７−１は外形が長方形形状の配線
基板を示しており、７−９はそれを筐体等の基体
に取り付けるべき取り付け用の通孔を示してお
り、長方形の配線基板７−１の４すみに当該通孔
７−９が存在している。７−４は、相対向する外
周辺が平行な四角形形状を有する本発明によるウ
エルドリング外形形状構造を示すものである。７
５は、ウエルドリング７−４を配線基板７−１上
に支持固定するための銀ロー等の接着剤を示す。
発明の効果
本発明を採用する事により対向電極及び直進す
る配線基板を支持固定するステージを有する溶接
装置は何等改造する事無く、正方形あるいは長方
形以外の特殊外形形状を有する配線基板に効率良
く高密度に多くのチツプ部品を実装し、全体を非
常に信頼性良く気密封止する事が可能な気密封止
パツケージを提供する事が可能となつた。
る配線基板を支持固定するステージを有する溶接
装置は何等改造する事無く、正方形あるいは長方
形以外の特殊外形形状を有する配線基板に効率良
く高密度に多くのチツプ部品を実装し、全体を非
常に信頼性良く気密封止する事が可能な気密封止
パツケージを提供する事が可能となつた。
第１図〜第５図は従来例を説明する図、第６図
は本発明の一実施例を示す図、第７図は本発明に
よる他の実施例を示す図である。 １−１，３−１，５−１，６−１，７−１……
アルミナセラミツク等の配線基板、２−４，３−
４，５−４，６−４，７−４……ウエルドリン
グ、４−６−ａ，４−６−ｂ，５−６……キヤツ
プ等の基体、３−５，５−５，６−５，７−５…
…銀ロー等のウエルドリングと配線基板との接着
層、５−８……IC等のチツプ部品、５―７……
溶接装置の相対向する電極、１−２……チツプ部
品塔載用の導電パターン、１−３……ウエルドリ
ング塔載用の導電パターン、１−９……パツケー
ジの入出力端子取付け導電パターン。
は本発明の一実施例を示す図、第７図は本発明に
よる他の実施例を示す図である。 １−１，３−１，５−１，６−１，７−１……
アルミナセラミツク等の配線基板、２−４，３−
４，５−４，６−４，７−４……ウエルドリン
グ、４−６−ａ，４−６−ｂ，５−６……キヤツ
プ等の基体、３−５，５−５，６−５，７−５…
…銀ロー等のウエルドリングと配線基板との接着
層、５−８……IC等のチツプ部品、５―７……
溶接装置の相対向する電極、１−２……チツプ部
品塔載用の導電パターン、１−３……ウエルドリ
ング塔載用の導電パターン、１−９……パツケー
ジの入出力端子取付け導電パターン。
Claims (1)
- １ 配線基板上に、電子的機能要素であるチツプ
部品を少なくとも１個以上塔載し、前記配線基板
周辺部に該配線基板と熱膨張係数のほぼ等しい気
密封止用のウエルドリングを接着剤にて装着し、
該ウエルドリング上に前記配線基板及び前記ウエ
ルドリングと熱膨張係数のほぼ等しい基体の周辺
部を前記ウエルドリングの周辺部に位置合わせし
て装着し、全体を気密封止した気密封止パツケー
ジに於て、前記ウエルドリングの外周部の形状を
正方形又は長方形以外の相対向する外周辺が平行
な多角形形状にしたことを特徴とする気密封止パ
ツケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56194429A JPS5896754A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 気密封止パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56194429A JPS5896754A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 気密封止パツケ−ジ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5896754A JPS5896754A (ja) | 1983-06-08 |
| JPH0216585B2 true JPH0216585B2 (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=16324447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56194429A Granted JPS5896754A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 気密封止パツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5896754A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6167941A (ja) * | 1984-09-11 | 1986-04-08 | Fujitsu Ltd | 混成集積回路の封止方法 |
| CN101111935B (zh) * | 2005-01-25 | 2011-02-02 | 富士通株式会社 | 半导体装置 |
-
1981
- 1981-12-04 JP JP56194429A patent/JPS5896754A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5896754A (ja) | 1983-06-08 |
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