JPH02166720A - Ｘ線露光用マスクブランク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクブランクInfo
- Publication number
- JPH02166720A JPH02166720A JP63322835A JP32283588A JPH02166720A JP H02166720 A JPH02166720 A JP H02166720A JP 63322835 A JP63322835 A JP 63322835A JP 32283588 A JP32283588 A JP 32283588A JP H02166720 A JPH02166720 A JP H02166720A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- exposure
- emission type
- mask blank
- ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、半導体集積回路や光集Ｗ１回路等における
微細パターンを形成するために使用されろＸ線露光用マ
スクブランクに関する。
微細パターンを形成するために使用されろＸ線露光用マ
スクブランクに関する。
〈従来の技術〉
半導体基板等に０，５μｍ以下の超微細パターンを形成
するためには、現在主流である光学的手法では困難であ
るため、波長か数オングストロームである軟Ｘ線を用い
て超微細バター７を転写するＸ線露光技術が注目されて
いる。このようなＸ！６露光技術では、Ｘ線露光用マス
クブランクにレノストを塗布し、その後、電子線露光装
置をＩＩ目１て回路パターンを形成し、Ｘ線露光用マス
クを作製４“ろ。
するためには、現在主流である光学的手法では困難であ
るため、波長か数オングストロームである軟Ｘ線を用い
て超微細バター７を転写するＸ線露光技術が注目されて
いる。このようなＸ！６露光技術では、Ｘ線露光用マス
クブランクにレノストを塗布し、その後、電子線露光装
置をＩＩ目１て回路パターンを形成し、Ｘ線露光用マス
クを作製４“ろ。
従来のＸ線露光用マスクブランクは、たとえば第３図に
示すように、ノリコン（Ｓｌ）からなる支持材料１と、
シリコンナイトライド（ＳｉＮ）からなるＸ線透過材料
２とタンタル（’Ｉ″ａ）からなるＸ線遮蔽材料３とを
順次積層した年１１４造をしている。
示すように、ノリコン（Ｓｌ）からなる支持材料１と、
シリコンナイトライド（ＳｉＮ）からなるＸ線透過材料
２とタンタル（’Ｉ″ａ）からなるＸ線遮蔽材料３とを
順次積層した年１１４造をしている。
〈発明が解決しようとずろ課題〉
ところで、Ｘ線露光用マスクブランクをｔ１１１画ずろ
とき、電子ビーム径がおおよそ０．１μ２より大きい領
域ではＬ ａ １３ ｇザーマルエミッンヨン型電子銃
が、電子ビーム径がＯ１μｍ以下ではＴ１ｗフィールド
エミッション型゛１゛ｕ子銃が各々７１１流密度を大き
く取れる。そのため、Ｏ，ｌ７１ｚ以」二の電子ビーム
ｉｆで１μｍ程度のパターンを高速で描画ずろためには
Ｌａｒｇｇサーマルエミッンヨン型電子ビーム露光装置
が適しているが、クォーターミクロン・クラスのパター
ン形成には不向きである。一方、フィールドエミッショ
ン型電子ビーム露光装置を用いると、０．１μ賃以下の
電子ビーム径でクォーターミクロン・クラスのパターン
形成は可能となるが、ビームザイズが極細となるため、
描画速度が遅くて、処理能力が小さくなる。
とき、電子ビーム径がおおよそ０．１μ２より大きい領
域ではＬ ａ １３ ｇザーマルエミッンヨン型電子銃
が、電子ビーム径がＯ１μｍ以下ではＴ１ｗフィールド
エミッション型゛１゛ｕ子銃が各々７１１流密度を大き
く取れる。そのため、Ｏ，ｌ７１ｚ以」二の電子ビーム
ｉｆで１μｍ程度のパターンを高速で描画ずろためには
Ｌａｒｇｇサーマルエミッンヨン型電子ビーム露光装置
が適しているが、クォーターミクロン・クラスのパター
ン形成には不向きである。一方、フィールドエミッショ
ン型電子ビーム露光装置を用いると、０．１μ賃以下の
電子ビーム径でクォーターミクロン・クラスのパターン
形成は可能となるが、ビームザイズが極細となるため、
描画速度が遅くて、処理能力が小さくなる。
そこで、一つのＸ線露光用マスクブランクに複数のパタ
ーンを描画するときに、パターンの大小に応じて、Ｌ
ａ Ｂｅサーマルエミッソヨン型電子銃と′Ｉ″ｉＷフ
ィールドエミッション型電子銃全電子銃ける合成描画、
すなわちハイブリッド露光を行なうことが考えられる。
ーンを描画するときに、パターンの大小に応じて、Ｌ
ａ Ｂｅサーマルエミッソヨン型電子銃と′Ｉ″ｉＷフ
ィールドエミッション型電子銃全電子銃ける合成描画、
すなわちハイブリッド露光を行なうことが考えられる。
しかしながら、上記従来のＸｌ１ｉｌＦｌｔ光用マスク
ブランクは、アライメントマークが存在しないため、Ｌ
ａ Ｂｎサーマルエミッンヨン型電子ビーム露光装置
Ｉｉ、とＴｉＷフィールドエミンンヨン型電子電子ビー
ム露光装置併用するハイブリッド露光を行なうことがで
きず、したがって、超微細なパターンを高速描画できな
いという課題があった。
ブランクは、アライメントマークが存在しないため、Ｌ
ａ Ｂｎサーマルエミッンヨン型電子ビーム露光装置
Ｉｉ、とＴｉＷフィールドエミンンヨン型電子電子ビー
ム露光装置併用するハイブリッド露光を行なうことがで
きず、したがって、超微細なパターンを高速描画できな
いという課題があった。
そこで、この発明の目的は、ハイブリッド露光を行なう
ことができ、超微細なパターンを含む複数のパターンを
高速描画することかできるＸ線露光用マスクブランクを
提供することにある。
ことができ、超微細なパターンを含む複数のパターンを
高速描画することかできるＸ線露光用マスクブランクを
提供することにある。
〈課題を解決ずろための手段〉
この発明は、機械的強度を保持ずろための支持゛材料と
、Ｘ線透過率が高い透過材料と、Ｘ線透過率が低い遮蔽
材料を順次積層して成るＸ線露光用マスクブランクにお
いて、上記遮蔽材料玉に電子ビーム反射係数の大きい材
料から成るアライメン］・マークを設けたことを特徴と
している。
、Ｘ線透過率が高い透過材料と、Ｘ線透過率が低い遮蔽
材料を順次積層して成るＸ線露光用マスクブランクにお
いて、上記遮蔽材料玉に電子ビーム反射係数の大きい材
料から成るアライメン］・マークを設けたことを特徴と
している。
く作用〉
Ｘ線露光用マスクブランクを電子ビーム反射係数の大き
い材料からなるアライメントマークで位置合わせしなが
ら、！μ肩程度より大きいパターンはＬ ａ ｎ ｍザ
ーマルエミッンヨン型電子ビーム露光装置で露光し、そ
れより小さいパターンはＴｉＷフィールドエミッンヨン
型電子電子ビーム露光装置光する。すなわら、ハイブリ
ッド露光を行なう。このように、Ｘ線露光用マスクブラ
ンク上にアライメントマークが有るため、合成描画が可
能となり、ＬａＢ＠サーマルエミッション型とＴｉＷｉ
Ｗフイールドエミツンヨンの両タイプの電子ビーム露光
装置の長所と短所をｈｌｉ完し合い、超微細パターンを
高速描画できろ。
い材料からなるアライメントマークで位置合わせしなが
ら、！μ肩程度より大きいパターンはＬ ａ ｎ ｍザ
ーマルエミッンヨン型電子ビーム露光装置で露光し、そ
れより小さいパターンはＴｉＷフィールドエミッンヨン
型電子電子ビーム露光装置光する。すなわら、ハイブリ
ッド露光を行なう。このように、Ｘ線露光用マスクブラ
ンク上にアライメントマークが有るため、合成描画が可
能となり、ＬａＢ＠サーマルエミッション型とＴｉＷｉ
Ｗフイールドエミツンヨンの両タイプの電子ビーム露光
装置の長所と短所をｈｌｉ完し合い、超微細パターンを
高速描画できろ。
〈実施例〉
以下、この発明を図示の実施例により詳細に説明する。
第１．２図においては、１は支ＰＩＦ材料（Ｓ ｉ）、
２はＸ線透過飼料（ＳｉＮ）、３はＸ線遮蔽材料（Ｔａ
）であって、これらは第３図に示す従来例と同じである
。
２はＸ線透過飼料（ＳｉＮ）、３はＸ線遮蔽材料（Ｔａ
）であって、これらは第３図に示す従来例と同じである
。
」二足Ｘ線遮蔽材料３上には、電子ビーム反射係数の大
きいＡｕ製の十字形状のアライメントマーク４．４．４
を互いに一定間隔をあけて設けている。
きいＡｕ製の十字形状のアライメントマーク４．４．４
を互いに一定間隔をあけて設けている。
このアライメントマークの形成方法は、エツチング法、
リフトオフ法、ステンノルマスクを用いた蒸着法立回れ
でも可能である。
リフトオフ法、ステンノルマスクを用いた蒸着法立回れ
でも可能である。
上記構成のｘｉ露光用マスクブランクを、そのアライメ
ントマーク４で位置合わせをしながら、１μ屑程度より
大きいパターンはＬ ａ Ｂ ｏサーマルエミッンジン
型電子ビーム露光装置で露光し、それより小さいパター
ンはＴｉＷフィールドエミソノジン型電子電子ビーム露
光装置光し、ハイブリッド露光を行なう。このようにｌ
、 ａ Ｂ ｏザーマルエミッンヨン型と’ｒｉＷフィ
ールドエミッション型との両タイプの電子ビーム露光装
置で合成描画を行なうから、両者“の長所と短所を補完
し合い、超微細パターンを高速描画できる。また、アラ
イメントマークを逐次検出しながら露光できるので、Ｘ
Ｙ、Ｚ軸に対して高精度なパターンを作製できる。
ントマーク４で位置合わせをしながら、１μ屑程度より
大きいパターンはＬ ａ Ｂ ｏサーマルエミッンジン
型電子ビーム露光装置で露光し、それより小さいパター
ンはＴｉＷフィールドエミソノジン型電子電子ビーム露
光装置光し、ハイブリッド露光を行なう。このようにｌ
、 ａ Ｂ ｏザーマルエミッンヨン型と’ｒｉＷフィ
ールドエミッション型との両タイプの電子ビーム露光装
置で合成描画を行なうから、両者“の長所と短所を補完
し合い、超微細パターンを高速描画できる。また、アラ
イメントマークを逐次検出しながら露光できるので、Ｘ
Ｙ、Ｚ軸に対して高精度なパターンを作製できる。
なお、上記実施例で用いた各材料の具体名は例であり、
これに限定されるらのではない。
これに限定されるらのではない。
〈発明の効果〉
以上より明らかなように、本発明のＸ線露光用マスクブ
ランクは、電子ビーム反射係数の大きい材料からなるア
ライメントマークを備えるので、このアライメントマー
クを使って位置合わ仕をして、ハイブリッド露光を行な
うことができ、超微細パターンを高速描画できる。
ランクは、電子ビーム反射係数の大きい材料からなるア
ライメントマークを備えるので、このアライメントマー
クを使って位置合わ仕をして、ハイブリッド露光を行な
うことができ、超微細パターンを高速描画できる。
第１図はこの発明の一実施例のＸ線露光用マスクブラン
クの斜視図、第２図は上記Ｘ線露光用マスクブランクの
断面図、第３図は従来のＸ線露光用マスクブランクの断
面図である。 Ｉ−・・支持材料、２−Ｘ＠’Ａ；ｄ過材料、３ ＝−
Ｘ線遮蔽材料、４・・アライメントマーク。 特Ａ’ｌ出願人 ンヤーブ株式会社 代理 人 弁理士 青 山 葆外１名 第１図 第２図 第３図
クの斜視図、第２図は上記Ｘ線露光用マスクブランクの
断面図、第３図は従来のＸ線露光用マスクブランクの断
面図である。 Ｉ−・・支持材料、２−Ｘ＠’Ａ；ｄ過材料、３ ＝−
Ｘ線遮蔽材料、４・・アライメントマーク。 特Ａ’ｌ出願人 ンヤーブ株式会社 代理 人 弁理士 青 山 葆外１名 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- （１）機械的強度を保持するための支持材料と、Ｘ線透
過率が高い透過材料と、Ｘ線透過率が低い遮蔽材料を順
次積層して成るＸ線露光用マスクブランクにおいて、 上記遮蔽材料上に電子ビーム反射係数の大きい材料から
成るアライメントマークを有することを特徴とするＸ線
露光用マスクブランク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322835A JPH02166720A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | Ｘ線露光用マスクブランク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322835A JPH02166720A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | Ｘ線露光用マスクブランク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02166720A true JPH02166720A (ja) | 1990-06-27 |
Family
ID=18148137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63322835A Pending JPH02166720A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | Ｘ線露光用マスクブランク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02166720A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6212252B1 (en) | 1998-04-01 | 2001-04-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray mask provided with an alignment mark and method of manufacturing the same |
-
1988
- 1988-12-21 JP JP63322835A patent/JPH02166720A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6212252B1 (en) | 1998-04-01 | 2001-04-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray mask provided with an alignment mark and method of manufacturing the same |
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