JPH02167554A - 電子写真装置 - Google Patents
電子写真装置Info
- Publication number
- JPH02167554A JPH02167554A JP25188789A JP25188789A JPH02167554A JP H02167554 A JPH02167554 A JP H02167554A JP 25188789 A JP25188789 A JP 25188789A JP 25188789 A JP25188789 A JP 25188789A JP H02167554 A JPH02167554 A JP H02167554A
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- Japan
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- photoconductive
- light
- type material
- film
- alpha
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明はレーザ・プリンタ等の電子写真装置に関する。
レーザ・プリンタ等の電子写真装置において、電荷潜像
形成、現像、転写を行なうために使用する記録用部品は
金属、半導体等からなる基体電極の表面に光導電膜を被
着させたものである。従来、この光導電用材料として、
有機系材料ではＰ Ｖ ＫＴＮＦやピラリゾン−シアニ
ン色素系、銅フタロシアニン系などが、無機系材料では
非晶質セレン系、多結晶硫化カドミウム系などが用いら
れている。
形成、現像、転写を行なうために使用する記録用部品は
金属、半導体等からなる基体電極の表面に光導電膜を被
着させたものである。従来、この光導電用材料として、
有機系材料ではＰ Ｖ ＫＴＮＦやピラリゾン−シアニ
ン色素系、銅フタロシアニン系などが、無機系材料では
非晶質セレン系、多結晶硫化カドミウム系などが用いら
れている。
しかし、有機系材料は一般に耐摩擦性に劣ると共に光感
度が低く、とくに波長が６５０ｎｍ以上の光に対しては
急激に感度が低下する。また、無機材料においても、非
晶質セレン系材料では波長５５０ｎｍ以上、多結晶硫化
カドミウム材料でも波長７００ｎｍ以」二で急激に感度
が低下するほか、最近の高速化された機器においては耐
摩擦性が問題となっている。 一方、小型、高効率、直接高速変調可能などの特徴を有
する半導体レーザの出現により、光導電材料についても
、長波長（〜７７０ｎｍ）まで光感度を有し、かつ耐摩
擦性に優れた新しい光電導膜の出現が望まれている。本
発明は、半導体レーザを光源として用いることができる
電子写真装置、特にその光導電積層体の改良された形態
を提供することを目的とする。 ｒ問題点を解決するための手段］ −Ｌ述した課題は、導電性基体と、この導電性基体上に
形成され、光導電領域を有する積層構造体とを有し、帯
電による」二記導電性基体と」−配積層構造体の表面と
の間の電位差が、約１０ ｍ 、Ｊ ／ｃｍ’の光照射
量により０．１μｓ −０、１秒の範囲内で光照射時間
によらずに３０％まで減少することを特徴とする電子写
真装置の構成により解決される。 ［作用］ 水素を多量に含有する非晶質のシリコン−ゲルマニウム
（以下、ａ−８ｉ−Ｇｅと略記する。）系材料は、 （２）ドーピングおよび生成条件の制御により導電型お
よび比抵抗値を大幅に変えることがでること、 （２）ａ−３ｊ−Ｇｅの組成を変えることにより、パン
１くギャップが可変であり、容易にペテロ接合が形成で
きること（第１図参照）、（３）強い共有性結合をもつ
、耐摩擦性の高い材料であること、 という特徴を有する。この材料系を用いたベテロ接合を
有する膜構造を形成することにより、Ｌ記の新しい光導
電膜を提供することかできる。又、このａ−８〕−Ｇｅ
にカーボン（Ｃ）を含ませて、ａ−８」−Ｃ−Ｇｅとし
ても、同様の効果を期待できる。（第１図参照） このような特性を右する非晶質半導体を光導電領域とし
て用いることにより、実用的な電子写真装置を実現する
ことができる。
度が低く、とくに波長が６５０ｎｍ以上の光に対しては
急激に感度が低下する。また、無機材料においても、非
晶質セレン系材料では波長５５０ｎｍ以上、多結晶硫化
カドミウム材料でも波長７００ｎｍ以」二で急激に感度
が低下するほか、最近の高速化された機器においては耐
摩擦性が問題となっている。 一方、小型、高効率、直接高速変調可能などの特徴を有
する半導体レーザの出現により、光導電材料についても
、長波長（〜７７０ｎｍ）まで光感度を有し、かつ耐摩
擦性に優れた新しい光電導膜の出現が望まれている。本
発明は、半導体レーザを光源として用いることができる
電子写真装置、特にその光導電積層体の改良された形態
を提供することを目的とする。 ｒ問題点を解決するための手段］ −Ｌ述した課題は、導電性基体と、この導電性基体上に
形成され、光導電領域を有する積層構造体とを有し、帯
電による」二記導電性基体と」−配積層構造体の表面と
の間の電位差が、約１０ ｍ 、Ｊ ／ｃｍ’の光照射
量により０．１μｓ −０、１秒の範囲内で光照射時間
によらずに３０％まで減少することを特徴とする電子写
真装置の構成により解決される。 ［作用］ 水素を多量に含有する非晶質のシリコン−ゲルマニウム
（以下、ａ−８ｉ−Ｇｅと略記する。）系材料は、 （２）ドーピングおよび生成条件の制御により導電型お
よび比抵抗値を大幅に変えることがでること、 （２）ａ−３ｊ−Ｇｅの組成を変えることにより、パン
１くギャップが可変であり、容易にペテロ接合が形成で
きること（第１図参照）、（３）強い共有性結合をもつ
、耐摩擦性の高い材料であること、 という特徴を有する。この材料系を用いたベテロ接合を
有する膜構造を形成することにより、Ｌ記の新しい光導
電膜を提供することかできる。又、このａ−８〕−Ｇｅ
にカーボン（Ｃ）を含ませて、ａ−８」−Ｃ−Ｇｅとし
ても、同様の効果を期待できる。（第１図参照） このような特性を右する非晶質半導体を光導電領域とし
て用いることにより、実用的な電子写真装置を実現する
ことができる。
以下に、本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例］。
第２図は本発明の−っの実施例の断面図であり、１はｐ
形のａ Ｓ ｊ、−ｘ −ｙ Ｃｘ Ｇ ｅ ｙ膜（
０、３＞ ｘ≧０＋］、＞ｙ≧Ｏ９比抵抗１０”’Ω’
Ｃｎｌ、厚さｆμｍ、ボロン・１〜−ブ）、２はｐ形ま
たはｎ形のａ−８ｊ＋−ｕ−ｖｃｕＧｅｖ膜（０、３＞
ｕ≧０，１．＞ｖ≧Ｏ２ただし、ｖ ＞ ｙ Ｊ比抵
抗１０１′Ω・ｃｍ、厚さｇＩＬｍ）、３はｎ形のａ
Ｓ ｉ＋ −＋ −ｔ Ｃ、Ｇ ｅｔ Ｈ’ｊｊ。 （０、３＞ ｓ≧０，１．：＞ｔ≧０．ただし、ｖ ）
ｔ 。 比抵抗１０１４Ω・ｃｍ、厚さｈ μｍ、燐ドープ）、
４は金属又は半導体からなる基体電極である。 ここで、ｘ ＝ ｙ ＝ Ｏ、ｆ ＝ ５０ μｍ ｒ
ｕ ＝ Ｏ＋ｖ ＝ ０ 、４ ＋ ｇ ＝ Ｏｔｔ
ｍ 、 ｓ ＝ ｔ ＝ Ｏ、ｈ ＝ ９μｍとし、
コロナ放電によりＮ１の表面が負で、表面と電極４との
電位差６００Ｖに１Ｆ電させる。 これに、層１の表面から、波長７７０ｎｍの半導体レー
ザー光を照射すると、Ｎ１は通過し、Ｎ２で吸収される
。そしてここに正孔・電子対が発生するが、正孔は表面
へ、電子は電極４へ電界にｋより引き出され、上記の帯
電を中和する。電位差が３０％まで減少するに要した光
照射量は光照射時間０．１μｓ〜０．１秒の範囲で照射
時間によらず、約１０ ｍ Ｊ ／ｃｍ２である。これ
は光導電キャリアの発生効率３０％に相当する。なお、
光を照射しない時の帯電電位の減衰（暗減衰）率は、電
位が１０％低下することに要する時間が１１秒という割
合である。 ■の値は、１〉■〉○の間で変えることができる。■の
値を増すと、より長波長まで感光波長が伸びるが、上記
暗減衰率は増加するので、０．１〜０．８の範囲内がよ
り好ましい。 また、ＸとＳの値は、Ｏから約０．３程度まで増すこと
ができ、照射光の透過性、膜の安定性。 耐摩擦性の向上がみられる。 層１の導電型をｎ形、ＪｌｉＪ３の導電型をｐ形として
も良い。この場合には、Ｎ１の表面は正に帯電させて光
を照射することにより、前記と同様は特性を得ることが
できる。 Ｍｌの厚さｆとＮ３の厚さｈは、その和が電子写真にお
けるトナーを吸引するに要する帯電電位差（約６００〜
８００Ｖ）に対して、光導電膜がブレークダウンしない
厚さ（約６０１．１ｍ以上）選んであれば良く、各々の
層の厚さは上記の例に限定されない。 実施例２゜ 第３図は、帯電電位差に対する耐圧をａ−８ｉ系材料以
外の層の助けをかりて得るようにした本発明の変形例で
ある。第３図において、層上５はｐ形弁晶質Ｓｅ層（比
抵抗１０”Ω・ｃｍ、厚さ５０μｍ）、層１１はｐ形ａ
−３ｉ層（比抵抗１０１３Ω’ｃｍ、厚さ１μｍ）、層
１２はｎ形又はｎ形のａ −Ｓｉｏ、６Ｇｅｏ、＜！
（厚さ１μｍ）、層１３はｎ形ａ−８ｉＭ（比抵抗１０
１３Ω’ｃｍ、厚さ１μｍ）、１１６はｎ形弁晶質５ｅ
ｌ（比抵抗１０”Ω・ａｍ、厚さ１μｍ）、１４は電極
である。 なお、非晶質５ｅＪｉｌは結晶化を防止するために、一
般に少量のＡｓ、Ｔｅ、Ｓｂなどが添加されている。こ
の光導電膜の動作２機能、特性は第２図のものと同様で
ある。 実施例３゜ 第４図は、耐摩擦性向上のために、第３図と同し構造に
おいて、層１５の非晶質Ｓｅ層の表面に、厚さ１μｍの
ｐ形ａ Ｓｉｏ、７Ｃｏ、ａの［１７形成したもので
ある。 第３図、第４図において、層１５又は１６の厚さを両者
の和と同一にすれば、いずれか一方を省いても良い。ま
た、Ｍ１５，１６の両方又は一方は、ポリビニールカル
バゾール系やピラゾリン系などの有機層であっても良い
。 なお、本発明で使用する非晶質の（Ｓｉ、Ｃ。 Ｇ ｅ ）膜は、リアクティブ・スパッタリング法。 グロー放電法などで形成することができる。例えば、リ
アクティブ・スパッタリング法では次の様にして作製す
ることができる。 すなわち、膜を被着すべき基板（例えば、ＡＱのドラム
）と、スパッタ源となるターゲット電極材料（Ｓ ］、
Ｉ Ｃ＋ Ｇ ｅ ）とをスパッタ装置内に対向して
設置し、Ｉ Ｘ １０””Ｔｏｒｒ以下に排気したのち
、ＡｒおよびＨ２ガスを導入して約５ Ｘ １０−３Ｔ
ｏｒｒの真空度とし、ターゲット電極に高周波電力を入
力することにより、ターゲット電極材料が雰囲気ガス中
のＨ２をとり込んで基板」二に付着し、水素を含むａ−
（Ｓｉ、Ｃ，Ｇｅ）膜が形成される。多層膜形成におけ
る各層の厚紀さは、高周波電力および／またはスパッタ
リング時間を調節することにより制御される。また、各
層の組成比は、ターゲット電極において、Ｓｉ。 Ｃ，Ｇｅの占める面積の比を変えることにより任意に制
御することができる。 例えば、直径１５０ｍｍ、長さ５００ｍｍのＡ （１，
ドラム表面上に、厚さｌＩＬｍのａ−８ｉｏ、ｏＣｏ、
＋＋厚さ１μｍのａ Ｓｊ、ｏ、ｅＧｅｏ、＋、厚さ
６０μｍのａ Ｓｉｏ、ｅＣｏ、＋からなる多層膜を
形成するには、長さ５５０ｍｍ、幅８０ｍｍのターゲッ
ト電極において、最初にＳｊ、Ｃの面積比を７：３に選
んで約４分間スパッタリングを行ない、つぎに、Ｓ ｉ
−＋Ｇｅの面積比を９．４．：０．６に選んで約４分間
スパッタリングを行ない、最後に、再びターゲット電極
のＳｊ、Ｃの面積比を７：３に選んで約４時間スパッタ
リングを行なうことにより得られる。 この場合における高周波人力は約１０ｋＷで、Ａｆｌド
ラムは回転させながらスパッタリングを行なう。トラム
上に形成される膜の組成比と、ターゲット電極上の各材
料の面積比が異なるのは、材料によりスパッタされる速
度が異なるためであり、上記の面積比はこれを考慮して
設定されている。 ［発明の効果］ 本発明によれば、レーザプリンタ等の超高速変調可能な
半導体レーザを用いた実用に適した電子写真装置を実現
することができる。
形のａ Ｓ ｊ、−ｘ −ｙ Ｃｘ Ｇ ｅ ｙ膜（
０、３＞ ｘ≧０＋］、＞ｙ≧Ｏ９比抵抗１０”’Ω’
Ｃｎｌ、厚さｆμｍ、ボロン・１〜−ブ）、２はｐ形ま
たはｎ形のａ−８ｊ＋−ｕ−ｖｃｕＧｅｖ膜（０、３＞
ｕ≧０，１．＞ｖ≧Ｏ２ただし、ｖ ＞ ｙ Ｊ比抵
抗１０１′Ω・ｃｍ、厚さｇＩＬｍ）、３はｎ形のａ
Ｓ ｉ＋ −＋ −ｔ Ｃ、Ｇ ｅｔ Ｈ’ｊｊ。 （０、３＞ ｓ≧０，１．：＞ｔ≧０．ただし、ｖ ）
ｔ 。 比抵抗１０１４Ω・ｃｍ、厚さｈ μｍ、燐ドープ）、
４は金属又は半導体からなる基体電極である。 ここで、ｘ ＝ ｙ ＝ Ｏ、ｆ ＝ ５０ μｍ ｒ
ｕ ＝ Ｏ＋ｖ ＝ ０ 、４ ＋ ｇ ＝ Ｏｔｔ
ｍ 、 ｓ ＝ ｔ ＝ Ｏ、ｈ ＝ ９μｍとし、
コロナ放電によりＮ１の表面が負で、表面と電極４との
電位差６００Ｖに１Ｆ電させる。 これに、層１の表面から、波長７７０ｎｍの半導体レー
ザー光を照射すると、Ｎ１は通過し、Ｎ２で吸収される
。そしてここに正孔・電子対が発生するが、正孔は表面
へ、電子は電極４へ電界にｋより引き出され、上記の帯
電を中和する。電位差が３０％まで減少するに要した光
照射量は光照射時間０．１μｓ〜０．１秒の範囲で照射
時間によらず、約１０ ｍ Ｊ ／ｃｍ２である。これ
は光導電キャリアの発生効率３０％に相当する。なお、
光を照射しない時の帯電電位の減衰（暗減衰）率は、電
位が１０％低下することに要する時間が１１秒という割
合である。 ■の値は、１〉■〉○の間で変えることができる。■の
値を増すと、より長波長まで感光波長が伸びるが、上記
暗減衰率は増加するので、０．１〜０．８の範囲内がよ
り好ましい。 また、ＸとＳの値は、Ｏから約０．３程度まで増すこと
ができ、照射光の透過性、膜の安定性。 耐摩擦性の向上がみられる。 層１の導電型をｎ形、ＪｌｉＪ３の導電型をｐ形として
も良い。この場合には、Ｎ１の表面は正に帯電させて光
を照射することにより、前記と同様は特性を得ることが
できる。 Ｍｌの厚さｆとＮ３の厚さｈは、その和が電子写真にお
けるトナーを吸引するに要する帯電電位差（約６００〜
８００Ｖ）に対して、光導電膜がブレークダウンしない
厚さ（約６０１．１ｍ以上）選んであれば良く、各々の
層の厚さは上記の例に限定されない。 実施例２゜ 第３図は、帯電電位差に対する耐圧をａ−８ｉ系材料以
外の層の助けをかりて得るようにした本発明の変形例で
ある。第３図において、層上５はｐ形弁晶質Ｓｅ層（比
抵抗１０”Ω・ｃｍ、厚さ５０μｍ）、層１１はｐ形ａ
−３ｉ層（比抵抗１０１３Ω’ｃｍ、厚さ１μｍ）、層
１２はｎ形又はｎ形のａ −Ｓｉｏ、６Ｇｅｏ、＜！
（厚さ１μｍ）、層１３はｎ形ａ−８ｉＭ（比抵抗１０
１３Ω’ｃｍ、厚さ１μｍ）、１１６はｎ形弁晶質５ｅ
ｌ（比抵抗１０”Ω・ａｍ、厚さ１μｍ）、１４は電極
である。 なお、非晶質５ｅＪｉｌは結晶化を防止するために、一
般に少量のＡｓ、Ｔｅ、Ｓｂなどが添加されている。こ
の光導電膜の動作２機能、特性は第２図のものと同様で
ある。 実施例３゜ 第４図は、耐摩擦性向上のために、第３図と同し構造に
おいて、層１５の非晶質Ｓｅ層の表面に、厚さ１μｍの
ｐ形ａ Ｓｉｏ、７Ｃｏ、ａの［１７形成したもので
ある。 第３図、第４図において、層１５又は１６の厚さを両者
の和と同一にすれば、いずれか一方を省いても良い。ま
た、Ｍ１５，１６の両方又は一方は、ポリビニールカル
バゾール系やピラゾリン系などの有機層であっても良い
。 なお、本発明で使用する非晶質の（Ｓｉ、Ｃ。 Ｇ ｅ ）膜は、リアクティブ・スパッタリング法。 グロー放電法などで形成することができる。例えば、リ
アクティブ・スパッタリング法では次の様にして作製す
ることができる。 すなわち、膜を被着すべき基板（例えば、ＡＱのドラム
）と、スパッタ源となるターゲット電極材料（Ｓ ］、
Ｉ Ｃ＋ Ｇ ｅ ）とをスパッタ装置内に対向して
設置し、Ｉ Ｘ １０””Ｔｏｒｒ以下に排気したのち
、ＡｒおよびＨ２ガスを導入して約５ Ｘ １０−３Ｔ
ｏｒｒの真空度とし、ターゲット電極に高周波電力を入
力することにより、ターゲット電極材料が雰囲気ガス中
のＨ２をとり込んで基板」二に付着し、水素を含むａ−
（Ｓｉ、Ｃ，Ｇｅ）膜が形成される。多層膜形成におけ
る各層の厚紀さは、高周波電力および／またはスパッタ
リング時間を調節することにより制御される。また、各
層の組成比は、ターゲット電極において、Ｓｉ。 Ｃ，Ｇｅの占める面積の比を変えることにより任意に制
御することができる。 例えば、直径１５０ｍｍ、長さ５００ｍｍのＡ （１，
ドラム表面上に、厚さｌＩＬｍのａ−８ｉｏ、ｏＣｏ、
＋＋厚さ１μｍのａ Ｓｊ、ｏ、ｅＧｅｏ、＋、厚さ
６０μｍのａ Ｓｉｏ、ｅＣｏ、＋からなる多層膜を
形成するには、長さ５５０ｍｍ、幅８０ｍｍのターゲッ
ト電極において、最初にＳｊ、Ｃの面積比を７：３に選
んで約４分間スパッタリングを行ない、つぎに、Ｓ ｉ
−＋Ｇｅの面積比を９．４．：０．６に選んで約４分間
スパッタリングを行ない、最後に、再びターゲット電極
のＳｊ、Ｃの面積比を７：３に選んで約４時間スパッタ
リングを行なうことにより得られる。 この場合における高周波人力は約１０ｋＷで、Ａｆｌド
ラムは回転させながらスパッタリングを行なう。トラム
上に形成される膜の組成比と、ターゲット電極上の各材
料の面積比が異なるのは、材料によりスパッタされる速
度が異なるためであり、上記の面積比はこれを考慮して
設定されている。 ［発明の効果］ 本発明によれば、レーザプリンタ等の超高速変調可能な
半導体レーザを用いた実用に適した電子写真装置を実現
することができる。
第１図は非晶質の５ｊ−Ｃ−Ｇｅの組成比とバンドギャ
ップの関係を示す図、第２図〜第４図は本発明の実施例
を示す断面図である。 図において、 １ ・ｎ形の非晶質Ｓ ｌ ＋ −ｘ −ｙ ＣＸ Ｇ
ｅ ｙ膜２− ｎ形又はｎ形の非晶質Ｓ］、ｔ−ｕ−
ＣｕＧｅ、膜３ ｎ形の非晶質Ｓ −ｉ 、 、−、、
Ｃ、Ｇ Ｃ，ＩＪ４．１４ 金属又は半導体からなる基
体電極１・・・Ｐ形の非晶質Ｓｉ層 ２・・Ｐ形又はｎ形の非晶質Ｓ ｌｏ、 ６Ｇ ｅ０３
・・・ｎ形の非晶質Ｓｉ層 ５・・・ｐ形弁晶質Ｓｅ層 ６・ｎ形の非晶質Ｓｅ層
ップの関係を示す図、第２図〜第４図は本発明の実施例
を示す断面図である。 図において、 １ ・ｎ形の非晶質Ｓ ｌ ＋ −ｘ −ｙ ＣＸ Ｇ
ｅ ｙ膜２− ｎ形又はｎ形の非晶質Ｓ］、ｔ−ｕ−
ＣｕＧｅ、膜３ ｎ形の非晶質Ｓ −ｉ 、 、−、、
Ｃ、Ｇ Ｃ，ＩＪ４．１４ 金属又は半導体からなる基
体電極１・・・Ｐ形の非晶質Ｓｉ層 ２・・Ｐ形又はｎ形の非晶質Ｓ ｌｏ、 ６Ｇ ｅ０３
・・・ｎ形の非晶質Ｓｉ層 ５・・・ｐ形弁晶質Ｓｅ層 ６・ｎ形の非晶質Ｓｅ層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電性基体と、この導電性基体上に形成され、光導
電領域を有する積層構造体とを有し、帯電による上記導
電性基体と上記積層構造体の表面との間の電位差が、約
１０ｍＪ／ｃｍ＾２の光照射量により０．１μｓ〜０．
１秒の範囲内で光照射時間によらずに３０％まで減少す
ることを特徴とする電子写真装置。 ２、特許請求の範囲第１項に記載の電子写真装置におい
て、前記光照射は半導体レーザ光であることを特徴とす
る電子写真装置。 ３、特許請求の範囲第１項に記載の電子写真装置におい
て、前記帯電によりあらかじめ設定された電位差は６０
０Ｖであることを特徴とする電子写真装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25188789A JPH0648386B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 電子写真装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25188789A JPH0648386B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 電子写真装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3293786A Division JPS61221755A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | 非晶質Ｓｉ−Ｇｅ系層を有する記録用部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02167554A true JPH02167554A (ja) | 1990-06-27 |
| JPH0648386B2 JPH0648386B2 (ja) | 1994-06-22 |
Family
ID=17229428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25188789A Expired - Lifetime JPH0648386B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 電子写真装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0648386B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0695411A (ja) * | 1992-09-09 | 1994-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 静電潜像形成装置 |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP25188789A patent/JPH0648386B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0695411A (ja) * | 1992-09-09 | 1994-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 静電潜像形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0648386B2 (ja) | 1994-06-22 |
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