JPH0217074B2 - - Google Patents
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- JPH0217074B2 JPH0217074B2 JP58106137A JP10613783A JPH0217074B2 JP H0217074 B2 JPH0217074 B2 JP H0217074B2 JP 58106137 A JP58106137 A JP 58106137A JP 10613783 A JP10613783 A JP 10613783A JP H0217074 B2 JPH0217074 B2 JP H0217074B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- capacitor
- magnetic powder
- bridge circuit
- coil
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/06—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing
- G03G15/08—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing using a solid developer, e.g. powder developer
- G03G15/0822—Arrangements for preparing, mixing, supplying or dispensing developer
- G03G15/0848—Arrangements for testing or measuring developer properties or quality, e.g. charge, size, flowability
- G03G15/0849—Detection or control means for the developer concentration
- G03G15/0853—Detection or control means for the developer concentration the concentration being measured by magnetic means
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G15/0856—Detection or control means for the developer level
- G03G15/086—Detection or control means for the developer level the level being measured by electro-magnetic means
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Dry Development In Electrophotography (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁性材質を含む粉体現像剤を使用す
る電子写真複写装置の現像剤補給容器内の粉体現
像剤の有無を検知する場合に用いることができる
磁性粉検知装置に関するものである。
る電子写真複写装置の現像剤補給容器内の粉体現
像剤の有無を検知する場合に用いることができる
磁性粉検知装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、磁性材質を含む粉体現像剤の有無を検知
するには、第１図に示すようにコイル２とコンデ
ンサ３との並列共振回路に、この共振回路の共振
周波数とは異なる周波数の発振器１から抵抗４を
介して電流を流し、同図に示す端子電圧Vputを観
測することにより行なつていた。すなわち、前記
コイル２を現像剤補給容器内に配置し、この補給
容器内に粉体現像剤がある場合と、無い場合と
で、前記コイル２の誘導リアクタンスが変化する
ことにより前記コイル２と前記コンデンサ３とで
構成される共列共振回路の共振周波数が第２図に
示すようにP1，P2と変化するのを利用して、前
記発振器１の発振周波数1における前記端子電圧
VputがV1，V2と変化するのを観測して粉体現象
剤の有無を検知していた。
するには、第１図に示すようにコイル２とコンデ
ンサ３との並列共振回路に、この共振回路の共振
周波数とは異なる周波数の発振器１から抵抗４を
介して電流を流し、同図に示す端子電圧Vputを観
測することにより行なつていた。すなわち、前記
コイル２を現像剤補給容器内に配置し、この補給
容器内に粉体現像剤がある場合と、無い場合と
で、前記コイル２の誘導リアクタンスが変化する
ことにより前記コイル２と前記コンデンサ３とで
構成される共列共振回路の共振周波数が第２図に
示すようにP1，P2と変化するのを利用して、前
記発振器１の発振周波数1における前記端子電圧
VputがV1，V2と変化するのを観測して粉体現象
剤の有無を検知していた。
ところが、このような方法では、前記発振器１
の周波数1が温度や他の環境条件によつて変動し
た場合、第２図に示す共振曲線からわかるよう
に、V1とV2の値が変動し、V1とV2の差が小さく
なつたり、場合によつてはV1とV2の大小関係が
逆になつたりさえする可能性がある。従つて、粉
体現像剤の有無を高い信頼度で検知するためには
前記発振器１の発振周波数1に高い安定度が要求
されるという問題点を有していた。
の周波数1が温度や他の環境条件によつて変動し
た場合、第２図に示す共振曲線からわかるよう
に、V1とV2の値が変動し、V1とV2の差が小さく
なつたり、場合によつてはV1とV2の大小関係が
逆になつたりさえする可能性がある。従つて、粉
体現像剤の有無を高い信頼度で検知するためには
前記発振器１の発振周波数1に高い安定度が要求
されるという問題点を有していた。
発明の目的
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去
し、周波数安定度の高い発振器を必要とせず、か
つ、簡単な構成で信頼性の高い優れた磁性粉検知
装置を提供することである。
し、周波数安定度の高い発振器を必要とせず、か
つ、簡単な構成で信頼性の高い優れた磁性粉検知
装置を提供することである。
発明の構成
本発明の磁性粉検知装置は、磁性材質を含む粉
体中に配置された検知コイルと前記粉体外に配置
された基準コイルとを直列接続して得られる回路
要素と、２つの抵抗体を直列接続して得られる回
路要素とを並列に接続して構成されるブリツジ回
路と、コンデンサと、前記コンデンサに電荷を充
電する充電回路と、前記コンデンサの電荷を前記
ブリツジ回路に放電するスイツチ素子と、前記コ
ンデンサを端子電圧に応じて前記スイツチ素子を
開閉する充放電制御回路と、前記ブリツジ回路の
出力端子の電位を比較する比較回路を含めて構成
したものであり、これにより、周波数安定度の高
い発振器を必要とせず、かつ、簡単な構成で、非
常に低い消費電流で作動する優れた装置となるも
のである。
体中に配置された検知コイルと前記粉体外に配置
された基準コイルとを直列接続して得られる回路
要素と、２つの抵抗体を直列接続して得られる回
路要素とを並列に接続して構成されるブリツジ回
路と、コンデンサと、前記コンデンサに電荷を充
電する充電回路と、前記コンデンサの電荷を前記
ブリツジ回路に放電するスイツチ素子と、前記コ
ンデンサを端子電圧に応じて前記スイツチ素子を
開閉する充放電制御回路と、前記ブリツジ回路の
出力端子の電位を比較する比較回路を含めて構成
したものであり、これにより、周波数安定度の高
い発振器を必要とせず、かつ、簡単な構成で、非
常に低い消費電流で作動する優れた装置となるも
のである。
実施例の説明
以下、本発明の実施例について図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
第３図は本発明の磁性粉検知装置の一実施例の
回路構成の概略を示すものである。同図におい
て、５は検知コイル、６は基準コイル、７，８，
１２，１３，１４，１５，１６，１７は抵抗、９
はコンデンサ、１０は充放電回路、１１は比較回
路、１８はスイツチングトランジスタ、１９，２
０は演算増幅器、V0は出力電圧、V1はコンデン
サ９の端子電圧、VCCは電源電圧である。
回路構成の概略を示すものである。同図におい
て、５は検知コイル、６は基準コイル、７，８，
１２，１３，１４，１５，１６，１７は抵抗、９
はコンデンサ、１０は充放電回路、１１は比較回
路、１８はスイツチングトランジスタ、１９，２
０は演算増幅器、V0は出力電圧、V1はコンデン
サ９の端子電圧、VCCは電源電圧である。
以上のように構成された本実施例の磁性粉検知
装置について以下その動作を説明する。
装置について以下その動作を説明する。
電源投入後、コンデンサ９は抵抗１６を通じて
充電されるが、その電荷を周期的に充放電させる
充放電回路１０は、抵抗１２，１３，１４，１５
と演算増幅器１９とで構成されるヒステリシスコ
ンパレータと、スイツチングトランジスタ１８と
で構成されている。前記ヒステリシスコンパレー
タの閾値e1，e2（e1＜e2）は次式で与えられる。
充電されるが、その電荷を周期的に充放電させる
充放電回路１０は、抵抗１２，１３，１４，１５
と演算増幅器１９とで構成されるヒステリシスコ
ンパレータと、スイツチングトランジスタ１８と
で構成されている。前記ヒステリシスコンパレー
タの閾値e1，e2（e1＜e2）は次式で与えられる。
e1＝１／１＋Ru（１／Rf＋１／Rl）VCC……(1)
e2＝１／（RL＋Rf）Ru／（Ru＋RL＋Rf）Rl＋１VCC…
…(2) コンデンサ９の端子電圧V1が前記e2の値にな
るまで充電された時、前記ヒステリシスコンパレ
ータは、スイツチングトランジスタ１８を導通状
態にする信号を発生する。これによつてコンデン
サ９に蓄積されていた電荷は放電され、検知コイ
ル５、基準コイル６、抵抗７，８とで構成された
ブリツジ回路に電流が流れる。前記電荷が放電さ
れるとコンデンサ９の端子電圧V1は減少し、そ
の値が前記e1の値になつた時、前記ヒステリシス
コンパレータは、スイツチングトランジスタ１８
を非導通状態にする信号を発生する。これによつ
てコンデンサ９は再び充電され始め、端子電圧
V1が前記e2の値になるまで充電された時、再び
前記ヒステリシスコンパレータは、スイツチング
トランジスタ１８を導通状態にし、コンデンサ９
に蓄積されていた電荷は放電され、前記ブリツジ
回路に電流が流れる。
…(2) コンデンサ９の端子電圧V1が前記e2の値にな
るまで充電された時、前記ヒステリシスコンパレ
ータは、スイツチングトランジスタ１８を導通状
態にする信号を発生する。これによつてコンデン
サ９に蓄積されていた電荷は放電され、検知コイ
ル５、基準コイル６、抵抗７，８とで構成された
ブリツジ回路に電流が流れる。前記電荷が放電さ
れるとコンデンサ９の端子電圧V1は減少し、そ
の値が前記e1の値になつた時、前記ヒステリシス
コンパレータは、スイツチングトランジスタ１８
を非導通状態にする信号を発生する。これによつ
てコンデンサ９は再び充電され始め、端子電圧
V1が前記e2の値になるまで充電された時、再び
前記ヒステリシスコンパレータは、スイツチング
トランジスタ１８を導通状態にし、コンデンサ９
に蓄積されていた電荷は放電され、前記ブリツジ
回路に電流が流れる。
以下、同様な動作を繰り返し、前記ブリツジ回
路には周期的に電流が流れる。コンデンサ９の充
電時間をT1、放電時間をT2、電流の流れる周期
をＴ、スイツチングトランジスタ１８の導通抵抗
と検知コイル５と基準コイル６の直流抵抗の和を
Ｒとすると、T1，T2，Ｔは次式で与えられる。
路には周期的に電流が流れる。コンデンサ９の充
電時間をT1、放電時間をT2、電流の流れる周期
をＴ、スイツチングトランジスタ１８の導通抵抗
と検知コイル５と基準コイル６の直流抵抗の和を
Ｒとすると、T1，T2，Ｔは次式で与えられる。
T1＝R1C1loVCC−e1／VCC−e2 ……(3)
T2＝RC1loe2／e1 ……(4)
Ｔ＝T1＋T2 ……(5)
コンデンサ９の端子電圧V1の変化の様子を第
４図に示す。
４図に示す。
以上の説明でわかるように、時間T2の間に前
記ブリツジ回路に電流が流れることになる。
記ブリツジ回路に電流が流れることになる。
１１は検知コイル５と基準コイル６の接続点の
電位と２つの抵抗７，８の接続点の電位を比較す
る比較回路であり、演算増幅器２０と抵抗１７と
から構成されている。
電位と２つの抵抗７，８の接続点の電位を比較す
る比較回路であり、演算増幅器２０と抵抗１７と
から構成されている。
次に磁性粉の検知動作を以下に説明する。ただ
し、抵抗７，８の値は互いに等しくR1＝R2と選
ばれているとし、磁性粉のない場合の検知コイル
５のインダクタンスLDは基準コイル６のインダ
クタンスLRに等しくLD＝LRとなるように選ばれ
ているものとする。磁性粉のある場合、検知コイ
ル５のインダクタンスは増加し、LD＝LR＋ΔLに
なるとする。
し、抵抗７，８の値は互いに等しくR1＝R2と選
ばれているとし、磁性粉のない場合の検知コイル
５のインダクタンスLDは基準コイル６のインダ
クタンスLRに等しくLD＝LRとなるように選ばれ
ているものとする。磁性粉のある場合、検知コイ
ル５のインダクタンスは増加し、LD＝LR＋ΔLに
なるとする。
前記ブリツジ回路に電流が流れていない時、検
知コイル５と基準コイル６の接続点の電位は接地
レベルであり、２つの抵抗７，８の接続点の電位
はR1／R1＋R3VCCとなる。従つて、この時比較回路 １１の出力電圧V0は接地レベルとなり、出力信
号は発生しない。
知コイル５と基準コイル６の接続点の電位は接地
レベルであり、２つの抵抗７，８の接続点の電位
はR1／R1＋R3VCCとなる。従つて、この時比較回路 １１の出力電圧V0は接地レベルとなり、出力信
号は発生しない。
次に前記ブリツジ回路に電流が流れている時、
磁性粉がない場合は、検知コイル５のインダクタ
ンスと基準コイル６のインダクタンスは等しく
LD＝LRであるから、スイツチングトランジスタ
１８のエミツタ・コレクタ間の電位差をVCEとす
ると、検知コイル５と基準コイル６の中点の電位
は、V1−VCE／２となり、２つの抵抗７，８の接続 点の電位はV1−VC／２＋R1／R1＋R3VCCとなる。従つ て、この時比較回路１１の出力電圧V0は接地レ
ベルとなり、出力信号は発生しない。ところが磁
性粉がある場合は検知コイル５のインダクタンス
はLR＋ΔLとなるので、検知コイル５と基準コイ
ル６の中点の電位は、LR＋ΔL／2LR＋ΔL（V1−VCE）と なり、２つの抵抗７，８の接続点の電位は
V1−VCE／２＋R1／R1＋R3VCCとなる。
磁性粉がない場合は、検知コイル５のインダクタ
ンスと基準コイル６のインダクタンスは等しく
LD＝LRであるから、スイツチングトランジスタ
１８のエミツタ・コレクタ間の電位差をVCEとす
ると、検知コイル５と基準コイル６の中点の電位
は、V1−VCE／２となり、２つの抵抗７，８の接続 点の電位はV1−VC／２＋R1／R1＋R3VCCとなる。従つ て、この時比較回路１１の出力電圧V0は接地レ
ベルとなり、出力信号は発生しない。ところが磁
性粉がある場合は検知コイル５のインダクタンス
はLR＋ΔLとなるので、検知コイル５と基準コイ
ル６の中点の電位は、LR＋ΔL／2LR＋ΔL（V1−VCE）と なり、２つの抵抗７，８の接続点の電位は
V1−VCE／２＋R1／R1＋R3VCCとなる。
ここで、もし
LR＋ΔL／2LR＋ΔL（V1−VCE）＞V1−VC
E／２＋R1／R1＋R3VCC……(6) が成立するように各素子の値、およびV1，VCCの
値が選ばれているならば、比較回路１１の出力電
圧V0はVCCとなり、出力信号を発生する。(6)式
は、例えば、VCC＝10（Ｖ）、V1＝８（Ｖ）、VCE＝
0.2（Ｖ）、LR＝0.5（ｍＨ）、ΔL＝0.05（ｍＨ）、R1
＝
１（ＫΩ）、R3＝100（ＫΩ）と選ぶことによつて
成立する。
E／２＋R1／R1＋R3VCC……(6) が成立するように各素子の値、およびV1，VCCの
値が選ばれているならば、比較回路１１の出力電
圧V0はVCCとなり、出力信号を発生する。(6)式
は、例えば、VCC＝10（Ｖ）、V1＝８（Ｖ）、VCE＝
0.2（Ｖ）、LR＝0.5（ｍＨ）、ΔL＝0.05（ｍＨ）、R1
＝
１（ＫΩ）、R3＝100（ＫΩ）と選ぶことによつて
成立する。
以上のことをまとめると、前記ブリツジ回路に
電流が流れていない時間T1の期間においては、
V0は接地レベルであり、前記ブリツジ回路に電
流が流れている時間T2の期間において磁性粉の
有無が判定され、磁性粉のない場合は、V0は接
地レベルであるが、磁性粉がある場合は、V0は
VCCとなり磁性粉検知信号を発生する。
電流が流れていない時間T1の期間においては、
V0は接地レベルであり、前記ブリツジ回路に電
流が流れている時間T2の期間において磁性粉の
有無が判定され、磁性粉のない場合は、V0は接
地レベルであるが、磁性粉がある場合は、V0は
VCCとなり磁性粉検知信号を発生する。
磁性粉がない場合の出力電圧V0の様子を第５
図に、そして磁性粉がある場合の出力電圧V0の
様子を第６図に示す。
図に、そして磁性粉がある場合の出力電圧V0の
様子を第６図に示す。
以上の説明で明らかなように、本発明の磁性粉
検知装置においては磁性粉の有無は前記ブリツジ
回路に電流が流れている期間T2において判定さ
れるので、電流の流れる周期Ｔは、磁性粉の検知
機能に影響を及ぼさない。従つて周期Ｔに多少の
変動があつても何らさしつかえなく、周波数安定
度の高い発振器を全く必要としない。また、検知
コイルと基準コイルとを直列接続して得られる回
路要素と、２つの抵抗体を直列接続して得られる
回路要素とを並列に接続してブリツジ回路を構成
しているので、周囲の環境条件が変化しても前記
検知コイルと前記基準コイルの接続点の電位およ
び前記２つの抵抗体の接続点の電位はほとんど変
化せず、簡単な構成で信頼性の高い優れた磁性粉
検知装置を実現している。
検知装置においては磁性粉の有無は前記ブリツジ
回路に電流が流れている期間T2において判定さ
れるので、電流の流れる周期Ｔは、磁性粉の検知
機能に影響を及ぼさない。従つて周期Ｔに多少の
変動があつても何らさしつかえなく、周波数安定
度の高い発振器を全く必要としない。また、検知
コイルと基準コイルとを直列接続して得られる回
路要素と、２つの抵抗体を直列接続して得られる
回路要素とを並列に接続してブリツジ回路を構成
しているので、周囲の環境条件が変化しても前記
検知コイルと前記基準コイルの接続点の電位およ
び前記２つの抵抗体の接続点の電位はほとんど変
化せず、簡単な構成で信頼性の高い優れた磁性粉
検知装置を実現している。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明の磁性
粉検知装置は、磁性材質を含む粉体中に配置され
た検知コイルと、前記粉体外に配置された基準コ
イルとを直列接続して得られる回路要素と、２つ
の抵抗体を直列接続して得られる回路要素とを並
列に接続して構成されるブリツジ回路と、コンデ
ンサと、前記コンデンサに電荷を充電する充電回
路と、前記コンデンサの電荷を前記ブリツジ回路
に放電するスイツチ素子と、前記コンデンサの端
子電圧に応じて前記スイツチ素子を開閉する充放
電制御回路と、前記ブリツジ回路の出力端子の電
位を比較する比較回路を含めて構成しているの
で、磁性粉の有無は前記ブリツジ回路に電流が流
れている期間において判定され、電流の流れる周
期は、磁性粉の検知機能に影響を及ぼさない。従
つて、前記周期に多少の変動があつても何らさし
つかえなく、周波数安定度の高い発振器を全く必
要としないという優れた効果を有する。また、一
実施例として第６図において一周期の充放電時間
Ｔを放電時間T2の約４倍に図示しているが、例
えば100倍にとつて設計すれば充電のための消費
電流を放電電流の大略100分の１に押えることが
できるわけで低インダクタンスのブリツジ回路に
対しても非常に小さい消費電流の装置が実現でき
る。また、前記ブリツジ回路を用いているため、
温度等の周囲環境が変化しても前記検知コイルと
前記基準コイルの接続点の電位および前記２つの
抵抗体の接続点の電位はほとんど変化せず、簡単
な構成で磁性粉の検知機能の信頼性が高いという
優れた効果も有する。
粉検知装置は、磁性材質を含む粉体中に配置され
た検知コイルと、前記粉体外に配置された基準コ
イルとを直列接続して得られる回路要素と、２つ
の抵抗体を直列接続して得られる回路要素とを並
列に接続して構成されるブリツジ回路と、コンデ
ンサと、前記コンデンサに電荷を充電する充電回
路と、前記コンデンサの電荷を前記ブリツジ回路
に放電するスイツチ素子と、前記コンデンサの端
子電圧に応じて前記スイツチ素子を開閉する充放
電制御回路と、前記ブリツジ回路の出力端子の電
位を比較する比較回路を含めて構成しているの
で、磁性粉の有無は前記ブリツジ回路に電流が流
れている期間において判定され、電流の流れる周
期は、磁性粉の検知機能に影響を及ぼさない。従
つて、前記周期に多少の変動があつても何らさし
つかえなく、周波数安定度の高い発振器を全く必
要としないという優れた効果を有する。また、一
実施例として第６図において一周期の充放電時間
Ｔを放電時間T2の約４倍に図示しているが、例
えば100倍にとつて設計すれば充電のための消費
電流を放電電流の大略100分の１に押えることが
できるわけで低インダクタンスのブリツジ回路に
対しても非常に小さい消費電流の装置が実現でき
る。また、前記ブリツジ回路を用いているため、
温度等の周囲環境が変化しても前記検知コイルと
前記基準コイルの接続点の電位および前記２つの
抵抗体の接続点の電位はほとんど変化せず、簡単
な構成で磁性粉の検知機能の信頼性が高いという
優れた効果も有する。
第１図は従来の磁性粉検知装置の要部回路構成
図、第２図はその動作を説明するための共振曲線
図、第３図は本発明の磁性粉検知装置の一実施例
の回路構成図、第４図はその動作を説明するため
のコンデンサの端子電圧波形図、第５図および第
６図はそれぞれ磁性粉がない場合と磁性粉がある
場合の本発明の実施例の出力信号波形図である。 ５……検知コイル、６……基準コイル、７，
８，１２，１３，１４，１５，１６，１７……抵
抗、９……コンデンサ、１０……充放電回路、１
１……比較回路、１８……スイツチングトランジ
スタ、１９，２０……演算増幅器。
図、第２図はその動作を説明するための共振曲線
図、第３図は本発明の磁性粉検知装置の一実施例
の回路構成図、第４図はその動作を説明するため
のコンデンサの端子電圧波形図、第５図および第
６図はそれぞれ磁性粉がない場合と磁性粉がある
場合の本発明の実施例の出力信号波形図である。 ５……検知コイル、６……基準コイル、７，
８，１２，１３，１４，１５，１６，１７……抵
抗、９……コンデンサ、１０……充放電回路、１
１……比較回路、１８……スイツチングトランジ
スタ、１９，２０……演算増幅器。
Claims (1)
- １ 磁性材質を含む粉体中に配置された検知コイ
ルと前記粉体外に配置された基準コイルとを直列
接続して得られる回路要素と、２つの抵抗体を直
列接続して得られる回路要素とを並列に接続して
構成されるブリツジ回路と、コンデンサと、前記
コンデンサに電荷を充電する充電回路と、前記コ
ンデンサの電荷を前記ブリツジ回路に放電するス
イツチ素子と、前記コンデンサの端子電圧に応じ
て前記スイツチ素子を開閉する充放電制御回路
と、前記ブリツジ回路の出力端子の電位を比較す
る比較回路とを具備してなることを特徴とする磁
性粉検知装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58106137A JPS59231562A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | 磁性粉検知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58106137A JPS59231562A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | 磁性粉検知装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59231562A JPS59231562A (ja) | 1984-12-26 |
| JPH0217074B2 true JPH0217074B2 (ja) | 1990-04-19 |
Family
ID=14425990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58106137A Granted JPS59231562A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | 磁性粉検知装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59231562A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0194280A (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-12 | Nec Environment Eng Ltd | 磁性材料検知磁気センサ |
-
1983
- 1983-06-14 JP JP58106137A patent/JPS59231562A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59231562A (ja) | 1984-12-26 |
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