JPH02172041A - 光デイスク用スタンパの作製方法 - Google Patents
光デイスク用スタンパの作製方法Info
- Publication number
- JPH02172041A JPH02172041A JP32331988A JP32331988A JPH02172041A JP H02172041 A JPH02172041 A JP H02172041A JP 32331988 A JP32331988 A JP 32331988A JP 32331988 A JP32331988 A JP 32331988A JP H02172041 A JPH02172041 A JP H02172041A
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- Japan
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- stamper
- producing
- optical disk
- master
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［＆梁上の利用分野】
本発明は多様な情報のメモリとして期待される光ディス
クの作製方法に係わり、光ディスクの母型である原盤の
長寿命化を図り、しかも情報の形成しである凹凸パター
ンの均一な平坦性の良い光ディスクを作製する上で好適
な、スタンパの作製方法に関する。
クの作製方法に係わり、光ディスクの母型である原盤の
長寿命化を図り、しかも情報の形成しである凹凸パター
ンの均一な平坦性の良い光ディスクを作製する上で好適
な、スタンパの作製方法に関する。
［従来の技術）
従来のプロセスにおいては、第３図のように、原盤基板
５に感光性樹脂４を塗布し、光学的手段で凹凸パターン
形状を成す情報を記録させる。その後、剥離層としてＡ
ｌ２８を蒸着した後、紫外線硬化樹脂２を塗布し、スタ
ンパ用基板として透光性部材１を重ね合わせ、紫外線６
を照射した後。
５に感光性樹脂４を塗布し、光学的手段で凹凸パターン
形状を成す情報を記録させる。その後、剥離層としてＡ
ｌ２８を蒸着した後、紫外線硬化樹脂２を塗布し、スタ
ンパ用基板として透光性部材１を重ね合わせ、紫外線６
を照射した後。
透光性基板１を撓め、紫外線硬化樹脂２とＡＱ８の境界
面から剥離を行い、スタンパ作製を行っていた。このよ
うな例としては、例えば特願昭５９−２３３１６９があ
げられる。
面から剥離を行い、スタンパ作製を行っていた。このよ
うな例としては、例えば特願昭５９−２３３１６９があ
げられる。
尚、Ａｌ２８のかわりにＮｉを用いても同様の作製を行
うことができる。
うことができる。
［発明が解決しようとする課題］
上記従来技術は、スタンパ作製の剥離の際、原盤にかか
るストレスが大きいことから、数回のスタンパ作製を行
うと、原盤の剥離層（Ａｌ、Ｎｉ等）が剥がれてスタン
パ側に移ってしまい、光ディスクの作製が不可能となっ
たり、錆びや腐食が発生するという問題点があった。
るストレスが大きいことから、数回のスタンパ作製を行
うと、原盤の剥離層（Ａｌ、Ｎｉ等）が剥がれてスタン
パ側に移ってしまい、光ディスクの作製が不可能となっ
たり、錆びや腐食が発生するという問題点があった。
また、紫外線硬化樹脂を硬化させるには、可撓性を有す
る透光性材料（プラスチック、エポキシ等）からなるス
タンパ基板の裏側から紫外線を照射しなければならなか
った。これは、原盤の剥離層（Ａｌ、Ｎｉ等）が光を通
さないことによる。
る透光性材料（プラスチック、エポキシ等）からなるス
タンパ基板の裏側から紫外線を照射しなければならなか
った。これは、原盤の剥離層（Ａｌ、Ｎｉ等）が光を通
さないことによる。
このため、スタンパの材料は、透光性部材に限られてい
た。しかし、光ディスク作製時において、ディスクの剥
離はスタンパを撓めていたため、先のプラスチックやエ
ポキシでは反りが発生し易かった。このようなスタンパ
から作製した光ディスクの凹凸パターンを有する紫外線
硬化樹脂層の膜厚には、バラツキが生じることがしばし
ば起こった。
た。しかし、光ディスク作製時において、ディスクの剥
離はスタンパを撓めていたため、先のプラスチックやエ
ポキシでは反りが発生し易かった。このようなスタンパ
から作製した光ディスクの凹凸パターンを有する紫外線
硬化樹脂層の膜厚には、バラツキが生じることがしばし
ば起こった。
本発明の目的は、上記の欠点に対処するため、錆びない
材料からなる剥離層を接着性良く原盤上に形成し、原盤
の寿命を延長し、高品質な光ディスクを作製することに
ある。
材料からなる剥離層を接着性良く原盤上に形成し、原盤
の寿命を延長し、高品質な光ディスクを作製することに
ある。
【課題を解決するための手段１
上記目的は、情報パターン付き原盤の上に、スパッタエ
ツチングを施した後、誘電体あるいは半導体からなる薄
膜を少なくとも一層以上積層することにより達成される
。
ツチングを施した後、誘電体あるいは半導体からなる薄
膜を少なくとも一層以上積層することにより達成される
。
より具体的には、誘電体あるいは半導体の成膜時に、Ａ
ｒとＮ２の混合ガスの雰囲気において反応性スパッタ法
を用いて接着性を向上させ、可撓性を有するスタンパ基
板に凹凸パターン形状を成す情報を形成することによっ
て達成される。
ｒとＮ２の混合ガスの雰囲気において反応性スパッタ法
を用いて接着性を向上させ、可撓性を有するスタンパ基
板に凹凸パターン形状を成す情報を形成することによっ
て達成される。
さらに、平坦性・均一性の良い光ディスクを作製するた
めには、基板を強制的に撓めても、反り等の変形を生ず
る可能性の少ないＡＱ３Ｎｉ、Ｆｅ等の硬質な材料を使
用することが好ましい２（作用１ 凹凸パターン付き原盤の感光性樹脂の上に、スパッタエ
ツチングを施し、誘電体あるいは半導体からなる薄膜（
たとえばＳｉ３Ｎ、等）を積層したことにより、／Ｉ盤
の上に透光性の剥Ｓ層を接着性良く成膜できるようにな
った。従って、スタンパ作製中に、原盤の剥離層が剥が
れることはなくなる。
めには、基板を強制的に撓めても、反り等の変形を生ず
る可能性の少ないＡＱ３Ｎｉ、Ｆｅ等の硬質な材料を使
用することが好ましい２（作用１ 凹凸パターン付き原盤の感光性樹脂の上に、スパッタエ
ツチングを施し、誘電体あるいは半導体からなる薄膜（
たとえばＳｉ３Ｎ、等）を積層したことにより、／Ｉ盤
の上に透光性の剥Ｓ層を接着性良く成膜できるようにな
った。従って、スタンパ作製中に、原盤の剥離層が剥が
れることはなくなる。
また、原盤に積層する剥離層が光を通すため。
従来から使用されている透光性の（プラスチック、エポ
キシ等）材料からなる基板だけでなく、不透明であって
も反り等の変形を生ずる可能性の少ない、金属材料から
なる基板（Ａｆｆｉ３Ｎｉ等）を用いたスタンパが作製
できる。このスタンパから作製した光ディスクには、平
坦性・均一性の良い凹凸パターンが形成できる。
キシ等）材料からなる基板だけでなく、不透明であって
も反り等の変形を生ずる可能性の少ない、金属材料から
なる基板（Ａｆｆｉ３Ｎｉ等）を用いたスタンパが作製
できる。このスタンパから作製した光ディスクには、平
坦性・均一性の良い凹凸パターンが形成できる。
さらに、薄膜の成膜は、接着性向上の効果があるＡｒと
Ｎ２あるいはＡｒと０□の混合ガスを用いた反応性スパ
ッタ法により成膜できるので、誘電体あるいは半導体か
らなる薄膜の内部応力が低減する。これにより、温度変
化や吸湿、乾燥あるいは何らかの外力により感光性樹脂
膜に影響を与えても、薄膜に剥離などの現象が生じるこ
とはない。
Ｎ２あるいはＡｒと０□の混合ガスを用いた反応性スパ
ッタ法により成膜できるので、誘電体あるいは半導体か
らなる薄膜の内部応力が低減する。これにより、温度変
化や吸湿、乾燥あるいは何らかの外力により感光性樹脂
膜に影響を与えても、薄膜に剥離などの現象が生じるこ
とはない。
この結果、誘電体あるいは半導体からなる薄膜を積層し
ているので、錆や腐食は発生せず、長期的に渡って保存
しても再利用が可能となり、原盤の長寿命化を図ること
ができる。
ているので、錆や腐食は発生せず、長期的に渡って保存
しても再利用が可能となり、原盤の長寿命化を図ること
ができる。
【実施例１
以下、本発明の実施例を図を用いて説明する。
〈実施例１〉
第１図に示すように、原盤基板５上の凹凸パターン形状
を成す情報を記録させた感光性樹脂４にスパッタエツチ
ングを施す。スパッタエツチングは、Ａｒガスを使用し
、圧力は１．３〜２．５Ｐａ、放電パワーを１００−２
００Ｗで３〜５分行う。
を成す情報を記録させた感光性樹脂４にスパッタエツチ
ングを施す。スパッタエツチングは、Ａｒガスを使用し
、圧力は１．３〜２．５Ｐａ、放電パワーを１００−２
００Ｗで３〜５分行う。
その後、誘電体あるいは半導体（たとえば５ｉｉＮ４．
ｓｉｏ、など）３をスパッタ法により積層する。誘電体
あるいは半導体３のスパッタは、Ａｒガスの雰囲気にお
いて、圧力１．３〜２．５Ｐａ、放電パワーは５０〜３
００Ｗの範囲で数分間成膜する。
ｓｉｏ、など）３をスパッタ法により積層する。誘電体
あるいは半導体３のスパッタは、Ａｒガスの雰囲気にお
いて、圧力１．３〜２．５Ｐａ、放電パワーは５０〜３
００Ｗの範囲で数分間成膜する。
ここで、上記スパッタ膜をＳｉ３Ｎ、等の窒化物で形成
する場合には、上記雰囲気ガスとしてＡｒとＮ２を、上
記スパッタ膜をＳｉｎ、等の酸化物で形成する場合には
、上記雰囲気ガスとしてＡｒと０２等の混合ガスを用い
て成膜すると、接着性の向上に効果がある。ガスの圧力
、放電パワーは、先のスパッタ条件とほぼ等しい。
する場合には、上記雰囲気ガスとしてＡｒとＮ２を、上
記スパッタ膜をＳｉｎ、等の酸化物で形成する場合には
、上記雰囲気ガスとしてＡｒと０２等の混合ガスを用い
て成膜すると、接着性の向上に効果がある。ガスの圧力
、放電パワーは、先のスパッタ条件とほぼ等しい。
誘電体あるいは半導体３の厚みは、感光性樹脂４の凹凸
パターンを同形状に留めておける膜厚として、２０００
人以内とすることが望まれる。この時のＮ２量は、Ａｒ
の３〜１０％程度が好ましい。
パターンを同形状に留めておける膜厚として、２０００
人以内とすることが望まれる。この時のＮ２量は、Ａｒ
の３〜１０％程度が好ましい。
この後、誘電体あるいは半導体３の上に、ＡＩ８外線硬
化樹脂２を塗布した後、スタンパ用基板として可撓性を
有する透光性部材（プラスチック、エポキシ等）１を先
の樹脂２に重ね合わせ平坦にし。
化樹脂２を塗布した後、スタンパ用基板として可撓性を
有する透光性部材（プラスチック、エポキシ等）１を先
の樹脂２に重ね合わせ平坦にし。
紫外ｆｆ１６を透光性部材１の裏面から照射する。透光
性基板１を撓めると、紫外線硬化樹脂２と誘電体あるい
は半導体３の境界層で剥離が生じ、スタンパ作製が行え
る。
性基板１を撓めると、紫外線硬化樹脂２と誘電体あるい
は半導体３の境界層で剥離が生じ、スタンパ作製が行え
る。
このようにして１作製したスタンパには原盤剥離層の剥
がれもなく、上記のスタンパ作製は少なくとも１０回以
上行うことができる。
がれもなく、上記のスタンパ作製は少なくとも１０回以
上行うことができる。
また、誘電体あるいは半導体材料としては、Ｓｉ３Ｎ、
等の窒化物、５ｉ０２等の酸化物、ＳｉＣ等の炭化物、
Ｓｉ等の半金属物、のいずれかを使用しても同様の効果
を得ることができる。ただし、積層した後の原盤の透過
率は、紫外線硬化樹脂が紫外線によって硬化することの
できる範囲以内に設定する必要がある。
等の窒化物、５ｉ０２等の酸化物、ＳｉＣ等の炭化物、
Ｓｉ等の半金属物、のいずれかを使用しても同様の効果
を得ることができる。ただし、積層した後の原盤の透過
率は、紫外線硬化樹脂が紫外線によって硬化することの
できる範囲以内に設定する必要がある。
さらに、上記の２種類以上の材料を重ねて積層すること
もできる。この場合、多層膜の総厚みは、先に述べたよ
うに２０００人以内とする。
もできる。この場合、多層膜の総厚みは、先に述べたよ
うに２０００人以内とする。
〈実施例２〉
原盤に透明な剥離層を積層できるため、原盤を通しての
紫外線照射が可能となった。従って、反り等変形の可能
性の少ない不透明でＳ質な材料を利用したスタンパ作製
が形成できる。
紫外線照射が可能となった。従って、反り等変形の可能
性の少ない不透明でＳ質な材料を利用したスタンパ作製
が形成できる。
第２図に示すように、紫外線硬化樹脂２が塗布しである
不透明部材（たとえば厚さ２ｍｍのＡＱ基板）７の上に
、感光性樹脂４上に誘電体あるいは半導体３が積層しで
ある原盤基板５を重ね合わせ、紫外線硬化樹脂２を平坦
にした後、紫外線６を原盤の裏面から照射する。その後
、実施例１と同様にスタンパ基板である不透明部材７を
撓めて剥離を行う。
不透明部材（たとえば厚さ２ｍｍのＡＱ基板）７の上に
、感光性樹脂４上に誘電体あるいは半導体３が積層しで
ある原盤基板５を重ね合わせ、紫外線硬化樹脂２を平坦
にした後、紫外線６を原盤の裏面から照射する。その後
、実施例１と同様にスタンパ基板である不透明部材７を
撓めて剥離を行う。
このようにして作製したスタンパから作製した光ディス
クには、均一性の良い情報パターンが形成されている。
クには、均一性の良い情報パターンが形成されている。
また、このスタンパを用いて光ディスクを作製しても、
スタンパに反りが生じることはなくなった。
スタンパに反りが生じることはなくなった。
上記のスタンパ用不透光性基板としては、ＡＱの他に３
Ｎｉ、Ｆｅ等も使用できるが、いずれも可撓性を有する
基板とする。
Ｎｉ、Ｆｅ等も使用できるが、いずれも可撓性を有する
基板とする。
尚、光ディスクの膜厚均一化を図るには、スタンパ用不
透明基板の厚みは０．５〜３ｍｍ以下であることが望ま
しい。０．５ｍｍ以下であると。
透明基板の厚みは０．５〜３ｍｍ以下であることが望ま
しい。０．５ｍｍ以下であると。
光ディスクの膜厚にバラツキが見られ、６ｍｍ以上であ
るとスタンパの可撓性が失われ、光ディスクの剥離の際
に支障をきたす。
るとスタンパの可撓性が失われ、光ディスクの剥離の際
に支障をきたす。
［発明の効果１
本発明によれば、光ディスク用スタンパ作製方法におい
て、剥離層を凹凸パターンの記録しである感光性樹脂の
一ヒに、接着性良く形成できるようになった。また、剥
離層が誘電体あるいは半導体であるため、錆びや腐食の
発生を防ぐことができ、原盤の長寿命化を達成できた。
て、剥離層を凹凸パターンの記録しである感光性樹脂の
一ヒに、接着性良く形成できるようになった。また、剥
離層が誘電体あるいは半導体であるため、錆びや腐食の
発生を防ぐことができ、原盤の長寿命化を達成できた。
これによって、従来は１枚の原盤からのスタンパの作製
枚数は、２．３枚程度であったのに対し、１０枚以上の
作製が可能になった。
枚数は、２．３枚程度であったのに対し、１０枚以上の
作製が可能になった。
さらに、原盤の剥離層を不透光から透明にすることがで
きたので、反り等変形の可能性の少ない硬質な可撓性基
板のスタンバ作製が可能となったため、スタンバが反る
ようなことはなくなり、均一性の良い情報パターンを持
つ光ディスクの作製が容易になった。
きたので、反り等変形の可能性の少ない硬質な可撓性基
板のスタンバ作製が可能となったため、スタンバが反る
ようなことはなくなり、均一性の良い情報パターンを持
つ光ディスクの作製が容易になった。
第１図は１本発明の光ディスクスタンバの作製方法の第
１の実施例を示す断面図、第２図は第２の実施例を示す
断面図、第３図は従来の光ディスクスタンパの作製方法
を示す断面図である。 符号の説明 １・・・透光性部材 ２・・・紫外線硬化樹脂 ３・・誘電体あるいは半導体 ４・・・感光性樹脂 ５・・・原盤基板 ６・・・紫外線 ７・・・不透明部材 ８・・・ＡＱ 第１図 第３図 第２図
１の実施例を示す断面図、第２図は第２の実施例を示す
断面図、第３図は従来の光ディスクスタンパの作製方法
を示す断面図である。 符号の説明 １・・・透光性部材 ２・・・紫外線硬化樹脂 ３・・誘電体あるいは半導体 ４・・・感光性樹脂 ５・・・原盤基板 ６・・・紫外線 ７・・・不透明部材 ８・・・ＡＱ 第１図 第３図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、原盤基板と、該原盤基板上に光学的手段により凹凸
パターン形状を成す情報を記録させた感光性樹脂膜に、
スパッタエッチングを施した後、誘電体あるいは半導体
からなる薄膜をスパッタ法により積層する工程と、紫外
線硬化樹脂を塗布する工程と、スタンパ用部材を該樹脂
に重ねる工程と、該樹脂に紫外線を照射し、該樹脂を上
記原盤から剥離することを特徴とする光ディスク用スタ
ンパの作製方法。 ２、請求項第１項記載の光ディスク用スタンパの作製方
法において、誘電体あるいは半導体の材料として、Ｓｉ
＿３Ｎ＿４等の窒化物、ＳｉＯ＿２等の酸化物、ＳｉＣ
等の炭化物、Ｓｉ等の半金属物質の中から少なくとも１
種類以上を積層することを特徴とする光ディスク用スタ
ンパの作製方法。 ３、請求項第１項記載の光ディスク用スタンパの作製方
法において、スパッタ法により誘電体あるいは半導体か
らなる薄膜を積層する際、スパッタガスは、Ａｒガス雰
囲気中か、もしくはＡｒとＮ＿２、あるいはＡｒとＯ＿
２等の混合ガス雰囲気中で、反応性スパッタ法を用いて
成膜することを特徴とする光ディスク用スタンパの作製
方法。 ４、請求項第１項記載の光ディスク用スタンパの作製方
法において、スタンパ用部材として、可撓性を有する透
光性材料からなる基板（プラスチック、エポキシ等）、
あるいは不透明な材料からなる基板（Ａｌ、Ｎｉ、Ｆｅ
等）を使用することを特徴とする光ディスク用スタンパ
の作製方法。 ５、請求項第１項記載の光ディスク用スタンパの作製方
法において、スタンパ用部材の基板厚さは０．５〜５ｍ
ｍの範囲であることを特徴とする光ディスク用スタンパ
の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32331988A JPH02172041A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 光デイスク用スタンパの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32331988A JPH02172041A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 光デイスク用スタンパの作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02172041A true JPH02172041A (ja) | 1990-07-03 |
Family
ID=18153464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32331988A Pending JPH02172041A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 光デイスク用スタンパの作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02172041A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2671657A1 (fr) * | 1991-01-16 | 1992-07-17 | Digipress Sa | Disque optique ou matrice de pressage pour la fabrication de tels disques. |
| FR2701152A1 (fr) * | 1993-02-03 | 1994-08-05 | Digipress Sa | Procédé de fabrication d'un disque maître pour la réalisation d'une matrice de pressage notamment de disques optiques, matrice de pressage obtenue par ce procédé et disque optique obtenu à partir de cette matrice de pressage. |
| US6454970B1 (en) * | 1998-10-14 | 2002-09-24 | Amic Ab And Gyros Ab | Matrix, method of producing and using the matrix and machine including the matrix |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP32331988A patent/JPH02172041A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2671657A1 (fr) * | 1991-01-16 | 1992-07-17 | Digipress Sa | Disque optique ou matrice de pressage pour la fabrication de tels disques. |
| FR2701152A1 (fr) * | 1993-02-03 | 1994-08-05 | Digipress Sa | Procédé de fabrication d'un disque maître pour la réalisation d'une matrice de pressage notamment de disques optiques, matrice de pressage obtenue par ce procédé et disque optique obtenu à partir de cette matrice de pressage. |
| US6454970B1 (en) * | 1998-10-14 | 2002-09-24 | Amic Ab And Gyros Ab | Matrix, method of producing and using the matrix and machine including the matrix |
| US7182890B2 (en) | 1998-10-14 | 2007-02-27 | Gyros Patent Ab | Matrix and method of producing said matrix |
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