JPH02172242A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPH02172242A
JPH02172242A JP63326769A JP32676988A JPH02172242A JP H02172242 A JPH02172242 A JP H02172242A JP 63326769 A JP63326769 A JP 63326769A JP 32676988 A JP32676988 A JP 32676988A JP H02172242 A JPH02172242 A JP H02172242A
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JP
Japan
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resin
metal wire
semiconductor device
inner lead
sealed
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JP63326769A
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English (en)
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Nobuyuki Mori
森　伸之
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、樹脂封止型半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の樹脂封止型半導体装置は、第２図に示す
ように、半導体チップ５がアイランド４の上に搭載され
固着された後、金属線２によって半導体チップ５の電極
と内部リード１との電気的接続を行ない、その後樹脂体
６により封止され、リード成形等を経て、製造されてい
た。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の樹脂封止型半導体装置は、金属線により
半導体チップの電極と内部リードとを電気的接続をして
いるが、近年半導体装置の配線基板への実装方法として
Ｖ　Ｐ　Ｓ　（Ｖａｐｏｒ　ＰｈａｓｅＳｏｌｄｅｒｉ
ｎｇ　）や赤外線リフローが取り入れられているが、こ
の熱ストレスにより金属線と内部リードとの接合部にク
ラックが発生して半導体装置の信頼性を低下させるとい
う問題がある。
この、クラックの発生メカニズムとしては、配線基板へ
の実装時の加熱により半導体装置全体が急激に高温（２
１０℃〜２６０℃程度）にさらされ、樹脂のガラス転位
点（１６０″Ｃ前後）を超えてしまい樹脂体が熱により
急激に膨張し、樹脂体が変形してしまう。そのため、樹
脂体の膨張方向へ金属線も一緒に移動してしまい変形す
る。しかし、金属線は、内部リードと接合している為金
属線に樹脂体の応力が集中し、金属線の最も弱い接合部
分付近にクラックが発生してしまう。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップの電極
と内部リードとの間を接続する金属線の内部リードとの
接続部とその近傍を含んで内部リードと密着性の良い液
状エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂で被覆した後に樹
脂封止を行う。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例を説明するた
めの内部リードの平面図及びＡ−Ａ’線断面図である。
第１図（ａ）、（ｂ）に示すように、内部り−ド１に金
属線２をボンディングして接合した後、前記接合部及び
その周囲を含めて内部リード１と密着性の良い低応力の
液状エポキシ樹脂３で被覆して熱硬化する。しかる後、
従来例と同様にアイランド及び内部リード１を含めて樹
脂封止し、樹脂型半導体装置を構成する。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、内部リードと金属線との
接合部とその近傍を含めて内部リードと密着性のいい熱
硬化性樹脂で覆うことにより金属線の最も弱い部分を内
部リードに固着し、半導体装置の配線基板への実装時の
熱応力による金属線のクラックを防止できる効果がある
。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例を説明するた
めの内部リードの平面図及びＡ−Ａ’線断面図、第２図
は従来の樹脂封止型半導体装置の一例を示す断面図であ
る。 １・・・内部リード、２・・・金属線、３・・・液状エ
ポキシ樹脂、４・・・アイランド、ら・・・半導体チッ
プ、６・・・樹脂体、７・・・外部リード。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. アイランド上に搭載した半導体チップと、前記アイラン
    ドの周囲に配列して設けた内部リードと、前記半導体チ
    ップの電極と前記内部リードとの間を接続する金属線と
    、前記アイランド及び前記内部リードを含んで封止する
    樹脂体とを有する樹脂封止型半導体装置において、前記
    内部リードと前記金属線との接合部分を樹脂封止に先立
    ち被覆する熱硬化性樹脂を有することを特徴とする樹脂
    封止型半導体装置。
JP63326769A 1988-12-23 1988-12-23 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH02172242A (ja)

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JP63326769A JPH02172242A (ja) 1988-12-23 1988-12-23 樹脂封止型半導体装置

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JPH02172242A true JPH02172242A (ja) 1990-07-03

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JP63326769A Pending JPH02172242A (ja) 1988-12-23 1988-12-23 樹脂封止型半導体装置

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