JPH02174149A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH02174149A
JPH02174149A JP63331760A JP33176088A JPH02174149A JP H02174149 A JPH02174149 A JP H02174149A JP 63331760 A JP63331760 A JP 63331760A JP 33176088 A JP33176088 A JP 33176088A JP H02174149 A JPH02174149 A JP H02174149A
Authority
JP
Japan
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resin
frame
die frame
die
heat
Prior art date
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Pending
Application number
JP63331760A
Other languages
English (en)
Inventor
Takehiko Matsunaga
松永 毅彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP63331760A priority Critical patent/JPH02174149A/ja
Publication of JPH02174149A publication Critical patent/JPH02174149A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置のフレームの形状に関するもので
ある。
〔従来の技術〕
第3図は従来の半導体装置の断面図で、図において、(
1)は金線、(2)は樹脂、(8)はリードフレーム、
(4)はチップ、(5)はチップ(4)を載置するダイ
フレームである。
次に動作について説明する。半導体装置はリードフレー
ム(8)、樹脂(2)、チップ(4)等、熱伝導率が違
う材質で作られており、熱の加わる速度が違っている。
10全体金熱するりフロー半田等ではダイフレーム(5
)が最初に熱せられ1次にその周辺の樹脂(2)の温度
が上がって行き、ダイフレーム(6)と樹脂(2)の密
着性が弱い箇所(ダイフレーム(δ)の内の外部リード
(8)と接続されていない側面)でクラックはく離が発
生していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の半導体装置は以上の様に構成されていたので、ダ
イフレームと樹脂の密着性が悪く、又熱の放出の点でも
伝導性が悪く、また半田リフロー等の熱をIC全体に加
えた場合、ダイフレームの側面の箇所で樹脂クラックが
起こるなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、熱放散を良くし熱の一部集中を避けると共に
、樹脂との密着性を良くした半導体装置を得る事を目的
とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置はダイフレームの周辺の形状
を下側に折り曲げ、又外部リードフレームとの接続本数
を増加させたものである。
〔作用〕
この発明におけるリードフレームおよびグイフレームの
形状は熱放散性を良くし、熱の一部集中を避け、又樹脂
との密着性を増大させる事ができる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において、(1)は金線、(2)は樹脂、(8)はリ
ードフレーム、(4)はチップ、(6)はチップ(4)
を載置するダイフレームで、ダイフレーム(5)はその
周辺を図示の如く下側に折り曲げられており、ダイフレ
ーム(5)とリードフレーム(8)の接続本数を4本に
増やしである。
次に動作について説明する。リードフレーム(8)の内
、合計4本は内部グイフレーム(5)と接続されており
、熱の放散性を良くし、熱の一部集中を避ける事ができ
る。又、樹脂(2)に接する各フレームの表面積が増え
る為、樹脂(2)との密着性が良くなる。一方、ダイフ
レーム(5)の形状を下側に折シ曲げる事により、樹脂
(2)との密着性を良くする事ができる。
以上により、リフロー半田等IC全体を熱す゛る場合に
も熱のダイフレーム(5)への集中を避ける事ができる
。
なお、上記実施例ではリードフレーム(8)の内4本を
内部グイフレーム(5)と接続させた場合を示したが、
さらにその本数を増やす事も可能である。
また、ダイフレーム(6)の周辺を下側に折り曲げる事
により、樹脂(2)との間でクラックが起こっても、下
側(熱集中が起こり易い方向にしかクラックが入らず、
チップ(4)、金線(1)を保護する事ができる。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、リードフレームを複数
本グイフレームと増加接続させ、又ダイフレームの周辺
を下側に折シ曲げる事により、熱集中を避ける事ができ
、樹脂とのクラックが防止できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す断
面図、第2図は第1図のフレームのみの上面図、第3図
は従来の半導体装置を示す断面図である。 図において、(1)は金線、(2)は樹脂、(8)はリ
ードフレーム、(4)はチップ、(6)はダイフレーム
を示す。 なお、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体装置のダイフレームの端を折り曲げ、外部リード
    フレームとの接続本数を増やした事を特徴とする半導体
    装置。
JP63331760A 1988-12-26 1988-12-26 半導体装置 Pending JPH02174149A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019116457A1 (ja) * 2017-12-13 2019-06-20 三菱電機株式会社 半導体装置及び電力変換装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019116457A1 (ja) * 2017-12-13 2019-06-20 三菱電機株式会社 半導体装置及び電力変換装置
JPWO2019116457A1 (ja) * 2017-12-13 2020-05-28 三菱電機株式会社 半導体装置及び電力変換装置

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