JPH02174232A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH02174232A JPH02174232A JP63329649A JP32964988A JPH02174232A JP H02174232 A JPH02174232 A JP H02174232A JP 63329649 A JP63329649 A JP 63329649A JP 32964988 A JP32964988 A JP 32964988A JP H02174232 A JPH02174232 A JP H02174232A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- bump
- type electrode
- metal
- height
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野１
本発明は、半導体装置、特に、電極パッド上のバンプ型
Ｍ極に関する。
Ｍ極に関する。
従来、半導体装置の電極パッド上のバンプ型電極の構造
に関しては、数多くの提案がなされ改良が加えられてい
る。
に関しては、数多くの提案がなされ改良が加えられてい
る。
一例として、５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ ｔｅｃｈｎ
ｏ ｌ ｏｇｙ、Ａｐｒ ｉ ｌ、１９８０年版に記載
されたものを例として取り上げると、バンプ型電極の形
成において、フォトレジストを使用し。
ｏ ｌ ｏｇｙ、Ａｐｒ ｉ ｌ、１９８０年版に記載
されたものを例として取り上げると、バンプ型電極の形
成において、フォトレジストを使用し。
メツキによりバンプ型電極を形成した場合、第２図（ａ
）に示すように、大きなキノコ状のバンプ型電極が形状
される。この状態では、バンプ型電極の高さが低く、実
装の際、大きな問題となる。
）に示すように、大きなキノコ状のバンプ型電極が形状
される。この状態では、バンプ型電極の高さが低く、実
装の際、大きな問題となる。
これを解決するために、半田リフロー処理で、半田を溶
融し、その表面張力により、第２図（ｂ）のような形状
のバンプ型電極を得ていた。
融し、その表面張力により、第２図（ｂ）のような形状
のバンプ型電極を得ていた。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、従来の技術では、メツキ時の半田量が半田リフ
ロー処理後のバンプ型電極の高さを支配する。半田量が
わずかでもばらつくと、リフロー後の高さも太き（ばら
つくため、低いバンプ型電極は、実装する場合、実装基
板との接触が悪（大きな問題となっていた。また、バン
プ形状が球状であるため、実装する際、実装基板との接
触面積が少ない点も問題となっていた。
ロー処理後のバンプ型電極の高さを支配する。半田量が
わずかでもばらつくと、リフロー後の高さも太き（ばら
つくため、低いバンプ型電極は、実装する場合、実装基
板との接触が悪（大きな問題となっていた。また、バン
プ形状が球状であるため、実装する際、実装基板との接
触面積が少ない点も問題となっていた。
そこで、本発明は従来のこのような問題点を解決するた
め、バンプ型電極間の高さばらつきを低減させ、なおか
っ、半田と実装基板の接触面積を広くして、高い実装安
定性を得ることを目的とする。
め、バンプ型電極間の高さばらつきを低減させ、なおか
っ、半田と実装基板の接触面積を広くして、高い実装安
定性を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段］
上述の！１２題を解決するため１本発明の半導体装置お
よびその製造方法は、電極パッド上に、拡散バリア金属
、スペーサー金属、半田を順次形成する第１の工程と、
前記第１の工程のバンプ型電極を半田リフロー処理によ
り、半田を溶融し、その表面弓長力により、球状のバン
プ型Ｍ極を得る第２の工程と、半田リフロー処理後、バ
ンプ型電極の上方から機械的圧力を加えることにより、
上部が平坦平滑な形状となる第３の工程を含むことを特
徴とする。
よびその製造方法は、電極パッド上に、拡散バリア金属
、スペーサー金属、半田を順次形成する第１の工程と、
前記第１の工程のバンプ型電極を半田リフロー処理によ
り、半田を溶融し、その表面弓長力により、球状のバン
プ型Ｍ極を得る第２の工程と、半田リフロー処理後、バ
ンプ型電極の上方から機械的圧力を加えることにより、
上部が平坦平滑な形状となる第３の工程を含むことを特
徴とする。
【作 用１
本発明の半導体およびその製造方法を用いることにより
、バンプ型′？ｌｔｔ！ｉの高さばらつきを低減し、実
装の際の、半田と実装基板の接合を安定化させることが
可能となる。
、バンプ型′？ｌｔｔ！ｉの高さばらつきを低減し、実
装の際の、半田と実装基板の接合を安定化させることが
可能となる。
［実 施 例］
本発明の半導体装置、特に、電極パッド上のバンプ型Ｔ
、極は、基本的に、第１図（ａ）〜（ｃ）に示す製造工
程をとる。まず、従来の方法では、第２図（ａ）に示す
ように、バンプ型電極は、集積回路基板ｌの電極パッド
上に、拡散バリア金属２、スペーサー金属３、半田４か
ら成り、スペーサー金属３と半田４はメツキにより形成
されるため、キノコのような形状となる。この形状では
。
、極は、基本的に、第１図（ａ）〜（ｃ）に示す製造工
程をとる。まず、従来の方法では、第２図（ａ）に示す
ように、バンプ型電極は、集積回路基板ｌの電極パッド
上に、拡散バリア金属２、スペーサー金属３、半田４か
ら成り、スペーサー金属３と半田４はメツキにより形成
されるため、キノコのような形状となる。この形状では
。
バンプ型電極の高さが低いため、半田リフロー処理によ
り半田を溶融し、その表面張力により第２図（ｂ）のよ
うな形状を得る。本発明はこの工程の次に、第１図（ａ
）、（ｂ）に示すように、バンプ型電極の上部に機械的
圧力を上方から加えることにより、第１図（Ｃ）のよう
な形状を得るものである。この上方から加λる圧力であ
るが、半田がつぶれすぎて半田の高さが失われないよう
にすることや、バンプ型電極のつけ根の電極パッドにあ
まり大きな加重がかからないようにすることを考慮する
必要があるが、１つのバンプ型電極あたり７〜８グラム
重程度の圧力を加えればよい。
り半田を溶融し、その表面張力により第２図（ｂ）のよ
うな形状を得る。本発明はこの工程の次に、第１図（ａ
）、（ｂ）に示すように、バンプ型電極の上部に機械的
圧力を上方から加えることにより、第１図（Ｃ）のよう
な形状を得るものである。この上方から加λる圧力であ
るが、半田がつぶれすぎて半田の高さが失われないよう
にすることや、バンプ型電極のつけ根の電極パッドにあ
まり大きな加重がかからないようにすることを考慮する
必要があるが、１つのバンプ型電極あたり７〜８グラム
重程度の圧力を加えればよい。
また、機械的圧力を加えるためのツールの材質であるが
、これについては、半田が看きにくい材質であればよく
、石英やガラスがよい。
、これについては、半田が看きにくい材質であればよく
、石英やガラスがよい。
上述の製造工程、すなわち、半田リフロー後、集積回路
基板と平行に配置したツールを用いて、上方から圧力を
加＾る工程を従来の製造工程に加えることにより、第１
図（Ｃ）のような形状のバンプ型電極が得られる。これ
により、バンプ型電極間の高さばらつきが低減され、高
い実装安定性を得ることができる。
基板と平行に配置したツールを用いて、上方から圧力を
加＾る工程を従来の製造工程に加えることにより、第１
図（Ｃ）のような形状のバンプ型電極が得られる。これ
により、バンプ型電極間の高さばらつきが低減され、高
い実装安定性を得ることができる。
実施例では、バンプ型ｆｆｉ極の上方から圧力を加＾る
際、ツールに温度を与λずに用いたが、ある適当な温度
を与えたツールを用いて加圧する方法もある。この場合
、上方から加＾る圧力を小さくすることができ、バンプ
型Ｍ極のっけ根の電極パッドへの加重が軽減される。
際、ツールに温度を与λずに用いたが、ある適当な温度
を与えたツールを用いて加圧する方法もある。この場合
、上方から加＾る圧力を小さくすることができ、バンプ
型Ｍ極のっけ根の電極パッドへの加重が軽減される。
［発明の効果］
本発明は、半導体装置、特に、バンプ型１ｒ１極におい
て、半田リフロー処理の後で、半田上部に上方から４１
Ｉｈ＆的な圧力を印加する工程を加重ることにより、半
田の上部が平坦化される。これにより、バンプ型電極間
の高さばらつきが低減され。
て、半田リフロー処理の後で、半田上部に上方から４１
Ｉｈ＆的な圧力を印加する工程を加重ることにより、半
田の上部が平坦化される。これにより、バンプ型電極間
の高さばらつきが低減され。
かつ、半田と実装基板の接触面積が広くなることにより
、高い実装安定性を得ることができる。
、高い実装安定性を得ることができる。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は、本発明の実施例による半導体
装置およびその製造工程毎の断面図である。 第２図（ａ）、（ｂ）は、従来の半導体装置８よびその
製造工程毎の断面図である。 ・集積回路基板 ・拡散バリア金３ ・スペーサー金属 ・半田 ・リフロー後の半田 ・ガラス 出願人 セイコーエプソン株式会社
装置およびその製造工程毎の断面図である。 第２図（ａ）、（ｂ）は、従来の半導体装置８よびその
製造工程毎の断面図である。 ・集積回路基板 ・拡散バリア金３ ・スペーサー金属 ・半田 ・リフロー後の半田 ・ガラス 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (2)
- （１）電極パッド上に拡散バリア金属、スペーサー金属
、半田金属を有する半導体装置において、前記半田金属
が球状で、上部が平坦平滑な形状であることを特徴とす
る半導体装置。 - （２）半導体装置において、電極パッド上に、拡散バリ
ア金属、スペーサー金属、半田を順次形成する第１の工
程と、前記第１の工程のバンプ型電極を半田リフロー処
理により、半田を溶融し、その表面張力により、球状の
バンプ型電極を得る第２の工程と、半田リフロー処理後
、バンプ型電極の上方から機械的圧力を加えることによ
り、上部が平坦平滑な形状となる第３の工程を含むこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63329649A JPH02174232A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63329649A JPH02174232A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02174232A true JPH02174232A (ja) | 1990-07-05 |
Family
ID=18223704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63329649A Pending JPH02174232A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02174232A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05335311A (ja) * | 1992-06-02 | 1993-12-17 | Nec Corp | フリップチップ半導体装置及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-12-27 JP JP63329649A patent/JPH02174232A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05335311A (ja) * | 1992-06-02 | 1993-12-17 | Nec Corp | フリップチップ半導体装置及びその製造方法 |
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