JPH02174261A - 赤外線撮像素子の製造方法 - Google Patents
赤外線撮像素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH02174261A JPH02174261A JP63327598A JP32759888A JPH02174261A JP H02174261 A JPH02174261 A JP H02174261A JP 63327598 A JP63327598 A JP 63327598A JP 32759888 A JP32759888 A JP 32759888A JP H02174261 A JPH02174261 A JP H02174261A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ccd
- window
- signal electrode
- bumps
- bandgap semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、赤外線像を形成する赤外線撮像素子の製造方
法に関する。
法に関する。
（従来の技術）
従来の赤外線撮像素子の例を第２図に示す。この第２図
に示す構造はＣｄＴｅ基板１０上のＰ形ＣｄＨｇＴｅ
（以下ＣＭＴと略記）エピタキシャル層１１にイオン注
入法でＮ領域１２を形成したフォトダイオードアレイと
、５ｔ−ＣＣＤ１３をＩｎバンプ１４で圧着接合したも
のである。１５はＩｎ信号電極、１６はパッシベーショ
ン用陽極硫化膜（ＣｄＳ）、そして１７はＺｎＳ表面保
護膜である。このフォトダイオードに裏面ＣｄＴｅ基板
から赤外線が入射するとＣＭＴ中に電子正孔対が発生し
、これらが信号電荷としてＰＮ接合の空乏層領域を通過
することにより、Ｉｎ信号電極とＩｎバンプを経由して
Ｓ １−ＣＯＤの電荷注入領域１８へ信号電流が送り込
まれる。１９はアース接地を表している。
に示す構造はＣｄＴｅ基板１０上のＰ形ＣｄＨｇＴｅ
（以下ＣＭＴと略記）エピタキシャル層１１にイオン注
入法でＮ領域１２を形成したフォトダイオードアレイと
、５ｔ−ＣＣＤ１３をＩｎバンプ１４で圧着接合したも
のである。１５はＩｎ信号電極、１６はパッシベーショ
ン用陽極硫化膜（ＣｄＳ）、そして１７はＺｎＳ表面保
護膜である。このフォトダイオードに裏面ＣｄＴｅ基板
から赤外線が入射するとＣＭＴ中に電子正孔対が発生し
、これらが信号電荷としてＰＮ接合の空乏層領域を通過
することにより、Ｉｎ信号電極とＩｎバンプを経由して
Ｓ １−ＣＯＤの電荷注入領域１８へ信号電流が送り込
まれる。１９はアース接地を表している。
この様にして赤外線画像の映像信号が得られる。
（発明が解決しようとする課題）
第２図に示した従来の赤外線固体撮像素子は、以下に述
べるような問題点がある。Ｉｎバンプは圧着接合の際、
図に示す様に先端部が広がり隣接するバンプ同士が接触
する確率が高い。これは画素間のクロストークとなり好
ましくない。
べるような問題点がある。Ｉｎバンプは圧着接合の際、
図に示す様に先端部が広がり隣接するバンプ同士が接触
する確率が高い。これは画素間のクロストークとなり好
ましくない。
本発明は上記のごとき問題を解決し、画素間のクロスト
ークが生じにくい赤外線固体撮像素子の製造方法を提供
することを目的とする。
ークが生じにくい赤外線固体撮像素子の製造方法を提供
することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明にかかる赤外線固体撮像素子の製造方法は、赤外
線フォトダイオードアレイを形成するエピタキシャルウ
ェーハの最上部にある広禁制帯半導体薄膜を、階段状に
多重エツチングして窓を開け、その上からイオン注入と
信号電極を形成し、そしてＩｎバンプによりＳ １−Ｃ
ＯＤとの圧着接合を行う。
線フォトダイオードアレイを形成するエピタキシャルウ
ェーハの最上部にある広禁制帯半導体薄膜を、階段状に
多重エツチングして窓を開け、その上からイオン注入と
信号電極を形成し、そしてＩｎバンプによりＳ １−Ｃ
ＯＤとの圧着接合を行う。
（作 用）
ウェーハ最上層の広禁制帯半導体膜断面が、階段状にエ
ツチングされているので、Ｉｎバンプ先端部の圧着接合
時の広がりが抑制される。したがってバンプ間の接触に
よるクロストークが発生しにくい。
ツチングされているので、Ｉｎバンプ先端部の圧着接合
時の広がりが抑制される。したがってバンプ間の接触に
よるクロストークが発生しにくい。
（実施例）
本発明の実施例を第１図を用いて説明する。赤外線フォ
トダイオードアレイを構成するウェーハは、ＣｄＴｅの
広禁制帯半導体基板１上にＰ形の狭禁制帯半導体ＣＭＴ
層２と広禁制帯半導体ＣｄＴｅ薄膜層３を、連続的にエ
ピタキシャル成長させたものである。まず最上部の広禁
制帯半導体ＣｄＴｅ薄膜層を、階段状に多重エツチング
して窓を開け、その大きさよりやや広くイオン注入して
Ｎ領域４を形成する。続いてＩｎ信号電極５を真空蒸着
して、５ｔ−ＣＣＤ（電荷転送素子）６への信号電流注
入口とする。一方、５ｉ−ＣＣＤの電荷注入領域７の上
にＩｎバンプ８を形成して、図に示す様にフォトダイオ
ードアレイと圧着接合する。
トダイオードアレイを構成するウェーハは、ＣｄＴｅの
広禁制帯半導体基板１上にＰ形の狭禁制帯半導体ＣＭＴ
層２と広禁制帯半導体ＣｄＴｅ薄膜層３を、連続的にエ
ピタキシャル成長させたものである。まず最上部の広禁
制帯半導体ＣｄＴｅ薄膜層を、階段状に多重エツチング
して窓を開け、その大きさよりやや広くイオン注入して
Ｎ領域４を形成する。続いてＩｎ信号電極５を真空蒸着
して、５ｔ−ＣＣＤ（電荷転送素子）６への信号電流注
入口とする。一方、５ｉ−ＣＣＤの電荷注入領域７の上
にＩｎバンプ８を形成して、図に示す様にフォトダイオ
ードアレイと圧着接合する。
このような構造において、赤外線が裏面（ＣｄＴｅ基板
１側）から入射すると、赤外線はＣｄＴｅ基板を透過し
Ｐ形ＣＭＴ層２中で吸収される。ここで電子正孔対が発
生して、少数キャリアである電子がＰＮ接合領域（空乏
層領域）へ流れ込む。信号電流はＩｎ電極とＩｎバンプ
を経て、５Ｌ−ＣＯＤへ入力され画像信号が形成される
。
１側）から入射すると、赤外線はＣｄＴｅ基板を透過し
Ｐ形ＣＭＴ層２中で吸収される。ここで電子正孔対が発
生して、少数キャリアである電子がＰＮ接合領域（空乏
層領域）へ流れ込む。信号電流はＩｎ電極とＩｎバンプ
を経て、５Ｌ−ＣＯＤへ入力され画像信号が形成される
。
図中、９はアース接地を表している。
本発明は、上記した実施例に限られるものではない。例
えば、広禁制帯半導体基板としてＣｄＴｅ以外にＧａＡ
ｓ％ＣｄＺｎＴｅ、ＺｎＴｅを、狭禁制帯半導体層とし
てＣＭＴ以外にＨｇＺｎ用いることが可能である。また
広禁制帯半導体薄膜３として、ＣｄＴｅ以外にＨｇ組成
比の小さいＣＭＴやＺｎＴｅを用いることができる。
えば、広禁制帯半導体基板としてＣｄＴｅ以外にＧａＡ
ｓ％ＣｄＺｎＴｅ、ＺｎＴｅを、狭禁制帯半導体層とし
てＣＭＴ以外にＨｇＺｎ用いることが可能である。また
広禁制帯半導体薄膜３として、ＣｄＴｅ以外にＨｇ組成
比の小さいＣＭＴやＺｎＴｅを用いることができる。
本発明の方法によって得られた赤外線固体撮像素子は、
Ｉｎパン１間の接触によるクロストーク発生が大幅に減
少する。
Ｉｎパン１間の接触によるクロストーク発生が大幅に減
少する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための断面構造図
を表す。第２図は、従来例を説明するための同様な図で
ある。 １ ： ＣｄＴｅ広禁制帯半導体基板、２二Ｐ形の狭禁
制帯半導体ＣＭＴ層、 ３：広禁制帯半導体ＣｄＴｅ薄膜層、 ４：Ｎ領域、 ５：信号電極、 ６ ： Ｓ １−ＣＣＤ。 ７：電荷注入領域、 ８：Ｉｎバンプ。 ネ 外 媒
を表す。第２図は、従来例を説明するための同様な図で
ある。 １ ： ＣｄＴｅ広禁制帯半導体基板、２二Ｐ形の狭禁
制帯半導体ＣＭＴ層、 ３：広禁制帯半導体ＣｄＴｅ薄膜層、 ４：Ｎ領域、 ５：信号電極、 ６ ： Ｓ １−ＣＣＤ。 ７：電荷注入領域、 ８：Ｉｎバンプ。 ネ 外 媒
Claims (1)
- 所望波長領域の赤外光を透過する広禁制帯半導体基板上
に、赤外光を吸収する狭禁制帯半導体膜および表面を安
定化する広禁制帯半導体薄膜を連続的にエピタキシャル
成長させたウェーハを用いて、前記広禁制帯薄膜を階段
状に多重エッチングして狭禁制帯半導体膜層に窓を開け
、次にイオン注入と信号電極形成を行い、さらに導電性
バンプにより電荷転送素子の各画素電極との密着接続す
ることを特徴とする赤外線撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63327598A JPH02174261A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 赤外線撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63327598A JPH02174261A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 赤外線撮像素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02174261A true JPH02174261A (ja) | 1990-07-05 |
Family
ID=18200851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63327598A Pending JPH02174261A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 赤外線撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02174261A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08322826A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｘ線撮像装置 |
-
1988
- 1988-12-27 JP JP63327598A patent/JPH02174261A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08322826A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｘ線撮像装置 |
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