JPH02177349A - 半導体装置用容器 - Google Patents
半導体装置用容器Info
- Publication number
- JPH02177349A JPH02177349A JP63334803A JP33480388A JPH02177349A JP H02177349 A JPH02177349 A JP H02177349A JP 63334803 A JP63334803 A JP 63334803A JP 33480388 A JP33480388 A JP 33480388A JP H02177349 A JPH02177349 A JP H02177349A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- cap
- ring
- semiconductor device
- sealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
- B81C1/00269—Bonding of solid lids or wafers to the substrate
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用容器に関し、特にキャップが封止
材を用いて封止される半導体装置用容器に関する。
材を用いて封止される半導体装置用容器に関する。
通常、半導体装置用容器のキャップ封止は封止材として
金−錫共晶ろうのような金糸ろう材を用いて行なわれて
いる。このように金糸ろう材を使用するためには封止部
に金めつきを施す必要がある。封止部に金めつきを施す
なめに、従来、第５図に示すように封止部８と内部メタ
ライズ層４とをスルーホール３を介して導通させている
。
金−錫共晶ろうのような金糸ろう材を用いて行なわれて
いる。このように金糸ろう材を使用するためには封止部
に金めつきを施す必要がある。封止部に金めつきを施す
なめに、従来、第５図に示すように封止部８と内部メタ
ライズ層４とをスルーホール３を介して導通させている
。
ところが上述したように封止部と内部メタライズ層とを
スルーホールにより導通するものではキャップ封止を行
なう際にろう材５がスルーホールを伝わって内部に流れ
込み、第６図に示すように内部メタライズＭ４にボンデ
ィングされた金ワイヤ９を溶かし、このために断線を起
こし易いという欠点があった。
スルーホールにより導通するものではキャップ封止を行
なう際にろう材５がスルーホールを伝わって内部に流れ
込み、第６図に示すように内部メタライズＭ４にボンデ
ィングされた金ワイヤ９を溶かし、このために断線を起
こし易いという欠点があった。
また、内部へのろう材の流れ込みを防止するなめに封止
部とメタライズ層との導通を容器外部にとるものく第７
図）も行われているが、このような容器では封止の際に
ろう材が外部に流れ出し。
部とメタライズ層との導通を容器外部にとるものく第７
図）も行われているが、このような容器では封止の際に
ろう材が外部に流れ出し。
外観を損なうという欠点があった。
本発明は、半導体素子を収納するキャビティを有し、キ
ャップが封止材を用いて封止される半導体装置用容器に
おいて、キャップ封止部に前記キャビティの外形より小
さい穴を有するリングが設けられているというものであ
る。
ャップが封止材を用いて封止される半導体装置用容器に
おいて、キャップ封止部に前記キャビティの外形より小
さい穴を有するリングが設けられているというものであ
る。
次に本発明の実施例につき図面を参照して詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図はそのｘ−
ｘ’線断面図である。
ｘ’線断面図である。
この半導体装置用容器ではキャップ封止部と内部メタラ
イズ層４がスルーホール３にて導通されているのは第５
図の従来例と同様であるが、キャップ封止部にはｍ壁の
内側に突出する形状の４２合金製のリング２（キャビテ
ィの外形より小さな穴を有している）が銀ろうで接合さ
れている。
イズ層４がスルーホール３にて導通されているのは第５
図の従来例と同様であるが、キャップ封止部にはｍ壁の
内側に突出する形状の４２合金製のリング２（キャビテ
ィの外形より小さな穴を有している）が銀ろうで接合さ
れている。
この半導体装置用容器がキャップ封止された状態を断面
図で示したものが第３図である。第３図に示すようにこ
のような形状の容器では側壁より内側に突出したリング
が堤防となり、スルーホールを伝わってろう材５ （Ａ
ｕ−３ｎ）が内部メタライズパターンまで流れるのを防
止する。
図で示したものが第３図である。第３図に示すようにこ
のような形状の容器では側壁より内側に突出したリング
が堤防となり、スルーホールを伝わってろう材５ （Ａ
ｕ−３ｎ）が内部メタライズパターンまで流れるのを防
止する。
従来の構造の容器と本発明による構造の容器との内部へ
のろう流れ発生数を比較した実験結果を表に示す。
のろう流れ発生数を比較した実験結果を表に示す。
次に本発明の第２の′実施例につき図面を参照して説明
する。
する。
第７図の従来例では４個の側壁のうち２個が金属ででき
ており、これがセラミックと銀−銅ろう材等によりろう
付され、容器を形成している。このような構造の容器に
おいても第１の実施例と同様、側壁を伝わってキャップ
封止時のろう材が容器内部に流れ込む恐れがある。さら
に、このような容器においては金属側壁とセラミックと
をろう付する際の位置ずれ等によりキャップ封止部に段
差を生じ、キャップ封止の際に気密不良を生じ易い。
ており、これがセラミックと銀−銅ろう材等によりろう
付され、容器を形成している。このような構造の容器に
おいても第１の実施例と同様、側壁を伝わってキャップ
封止時のろう材が容器内部に流れ込む恐れがある。さら
に、このような容器においては金属側壁とセラミックと
をろう付する際の位置ずれ等によりキャップ封止部に段
差を生じ、キャップ封止の際に気密不良を生じ易い。
そこで第４図においてはキャップ封止部に側壁の内側に
突出する形状のリングを設けている。このリングを設け
ることにより第１の実施例と同様、キャップ封止時の内
部へのろう流れを防止できる。また、リングによりキャ
ップ封止部の段差がなくなるため、キャップ封止後の気
密不良を防止することができる。
突出する形状のリングを設けている。このリングを設け
ることにより第１の実施例と同様、キャップ封止時の内
部へのろう流れを防止できる。また、リングによりキャ
ップ封止部の段差がなくなるため、キャップ封止後の気
密不良を防止することができる。
以上説明したように、本発明はキャップ封止部に容器内
部の側壁により内側に突出する形状のリングを設けるこ
とによりキャップの封止材が容器内部に流れ込むのを防
ぐことができ、半導体装置の歩留まりが向上する効果が
ある。
部の側壁により内側に突出する形状のリングを設けるこ
とによりキャップの封止材が容器内部に流れ込むのを防
ぐことができ、半導体装置の歩留まりが向上する効果が
ある。
なお、実施例においてはキャップ封止を金錫ろう材によ
り封止する例について説明したが、他の封止材、例えば
低融点ガラス等を用いて封止する場合においても本発明
により内部への封止材の流れ込みを防止する同様の効果
が得られることは明らかである。
り封止する例について説明したが、他の封止材、例えば
低融点ガラス等を用いて封止する場合においても本発明
により内部への封止材の流れ込みを防止する同様の効果
が得られることは明らかである。
第１図は本発明の第１の実施例の斜視図、第２図は第１
図のｘ−ｘ′線断面図、第３図は第１図の半導体容器に
キャップ封止した状態を示す断面図、第４図は本発明の
第２の実施例の斜視図、第５図は従来の半導体装置用容
器の断面図、第６図は第５図の半導体装置用容器にキャ
ップ封止した状態を示す断面図、第７図は第５図と異な
る構造の従来の半導体装置用容器の斜視図である。 １・・・セラミック、２・・・リング、３・・・スルー
ホール、４・・・内部メタライズ層、５・・・ろう材、
６山キヤツプ、７・・・金属側壁、８・・・キャップ封
止部、９・・・金ワイヤ。
図のｘ−ｘ′線断面図、第３図は第１図の半導体容器に
キャップ封止した状態を示す断面図、第４図は本発明の
第２の実施例の斜視図、第５図は従来の半導体装置用容
器の断面図、第６図は第５図の半導体装置用容器にキャ
ップ封止した状態を示す断面図、第７図は第５図と異な
る構造の従来の半導体装置用容器の斜視図である。 １・・・セラミック、２・・・リング、３・・・スルー
ホール、４・・・内部メタライズ層、５・・・ろう材、
６山キヤツプ、７・・・金属側壁、８・・・キャップ封
止部、９・・・金ワイヤ。
Claims (1)
- 半導体素子を収納するキャビティを有し、キャップが封
止材を用いて封止される半導体装置用容器において、キ
ャップ封止部に前記キャビティの外形より小さい穴を有
するリングが設けられていることを特徴とする半導体装
置用容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63334803A JP2725337B2 (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 半導体装置用容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63334803A JP2725337B2 (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 半導体装置用容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02177349A true JPH02177349A (ja) | 1990-07-10 |
| JP2725337B2 JP2725337B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=18281404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63334803A Expired - Lifetime JP2725337B2 (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 半導体装置用容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2725337B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50151068A (ja) * | 1974-05-22 | 1975-12-04 | ||
| JPS61232641A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-16 | Nec Corp | 半導体容器 |
| JPS63159841U (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-19 |
-
1988
- 1988-12-27 JP JP63334803A patent/JP2725337B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50151068A (ja) * | 1974-05-22 | 1975-12-04 | ||
| JPS61232641A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-16 | Nec Corp | 半導体容器 |
| JPS63159841U (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-19 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2725337B2 (ja) | 1998-03-11 |
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