JPH02177401A - ＳｒＴｉＯ↓３系電圧依存非直線抵抗体の製造方法 - Google Patents
ＳｒＴｉＯ↓３系電圧依存非直線抵抗体の製造方法Info
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- JPH02177401A JPH02177401A JP63329110A JP32911088A JPH02177401A JP H02177401 A JPH02177401 A JP H02177401A JP 63329110 A JP63329110 A JP 63329110A JP 32911088 A JP32911088 A JP 32911088A JP H02177401 A JPH02177401 A JP H02177401A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、Ｓ ｒ Ｔ ｉ Ｏａ系電圧依存非直線抵抗
体の製造方法に関し、更に詳細には、コンデンサ機能を
有するＳｒＴｉＯ３系電圧依存非直線抵抗体の！１造方
法に関する。
体の製造方法に関し、更に詳細には、コンデンサ機能を
有するＳｒＴｉＯ３系電圧依存非直線抵抗体の！１造方
法に関する。
（従来の技術）
従来から、サージ電圧を吸収する目的で、ＺｎＯ系の電
圧依存非直線抵抗体く以下、バリスタと称する）が用い
られてきた。
圧依存非直線抵抗体く以下、バリスタと称する）が用い
られてきた。
これに対して、最近、上記サージ電圧吸収機能に加えて
、高周波ノイズ吸収機能を有し、ノイズフィルタとして
も使用することが可能な５ｒＴｉＯ１系バリスタが開発
された。このＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏｓ系バリスタは、また
、上記２つの機催を有することにより、従来のＺｎＯ系
バリスタでは反応の遅れが見られた立ち上がりの早いパ
ルスに対しても、遅れを生ずることなく対応することが
できる。
、高周波ノイズ吸収機能を有し、ノイズフィルタとして
も使用することが可能な５ｒＴｉＯ１系バリスタが開発
された。このＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏｓ系バリスタは、また
、上記２つの機催を有することにより、従来のＺｎＯ系
バリスタでは反応の遅れが見られた立ち上がりの早いパ
ルスに対しても、遅れを生ずることなく対応することが
できる。
上記Ｓ ｒ Ｔ ｊ Ｏｓ系バリスタは、一般的には、
下記の如く製造される。
下記の如く製造される。
まず、主成分となる５ｒＴｉＯｓと種々の少量添加物と
を混合し、バインダを加えて成形した後、得られた成形
体を、少量のＨ２ガスを含むＮ２ガス雰囲気中で１３０
０〜１４５０℃で焼成して半導体磁器（−次焼結体）を
得る。さらに、上記半導体磁器（−次焼結体）を大気中
でｔｏｏｏｔ前後で熱処理することにより、上記半導体
磁器の粒界近傍に酸素を拡散させ、電圧依存非直線抵抗
体磁器を得る。得られた上記磁器の表面に、電極層を塗
布し、焼き付けてＳ ｒ Ｔ ｉＯ３系バリスタを得る
。
を混合し、バインダを加えて成形した後、得られた成形
体を、少量のＨ２ガスを含むＮ２ガス雰囲気中で１３０
０〜１４５０℃で焼成して半導体磁器（−次焼結体）を
得る。さらに、上記半導体磁器（−次焼結体）を大気中
でｔｏｏｏｔ前後で熱処理することにより、上記半導体
磁器の粒界近傍に酸素を拡散させ、電圧依存非直線抵抗
体磁器を得る。得られた上記磁器の表面に、電極層を塗
布し、焼き付けてＳ ｒ Ｔ ｉＯ３系バリスタを得る
。
このようにして製造される５ｒＴｉ○、系バリスタを、
上記の如くサージ電圧吸収機能を存するノイズフィルタ
として用いるためには、低バリスタ電圧Ｖｌ−Ａ（電圧
依存非直線抵抗体磁器の表面に形成された一対の電極間
に、電流１ｍＡが流れる際の両電極間の電圧値）、高α
値（非直線ｔ＠数）、および高い静電容量値が必要とさ
れる。
上記の如くサージ電圧吸収機能を存するノイズフィルタ
として用いるためには、低バリスタ電圧Ｖｌ−Ａ（電圧
依存非直線抵抗体磁器の表面に形成された一対の電極間
に、電流１ｍＡが流れる際の両電極間の電圧値）、高α
値（非直線ｔ＠数）、および高い静電容量値が必要とさ
れる。
ところが、上記半導体磁器（−次焼結体）を大気中で熱
処理した場合、磁器内部への酸素の拡散に伴って、バリ
スタ電圧Ｖｌ−Ａ （Ｖ）が増大し、静電容量が減少
し、α値が一定の値まで増加した後、再び減少してしま
う。そこで、従来は、できるだけ高α値を得られるよう
に、高い温度で長時間の熱処理をしていた。
処理した場合、磁器内部への酸素の拡散に伴って、バリ
スタ電圧Ｖｌ−Ａ （Ｖ）が増大し、静電容量が減少
し、α値が一定の値まで増加した後、再び減少してしま
う。そこで、従来は、できるだけ高α値を得られるよう
に、高い温度で長時間の熱処理をしていた。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記従来の製造工程では、高いα値を得
るために、高い温度で長時間の熱処理をしていたため、
上記磁器の結晶粒界近傍への酸素の拡散とともに、結晶
粒子内部へも酸化が進行してしまい、バリスタ電圧Ｖ１
ｍＡが増大するとともに、静電容量が減少して、満足で
きる特性が得られなかった。
るために、高い温度で長時間の熱処理をしていたため、
上記磁器の結晶粒界近傍への酸素の拡散とともに、結晶
粒子内部へも酸化が進行してしまい、バリスタ電圧Ｖ１
ｍＡが増大するとともに、静電容量が減少して、満足で
きる特性が得られなかった。
そこで、本発明は、上記従来の問題点を改善して、高い
α値と、低いバリスタ電圧ｖ１ＭＡと、大きな静電容量
を持つＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏｓ系バリスタを製造すること
のできるＳ ｒ Ｔ ｊ Ｏｓ系電圧依存非直線抵抗体
の製造方法を提供することを目的とするものである。
α値と、低いバリスタ電圧ｖ１ＭＡと、大きな静電容量
を持つＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏｓ系バリスタを製造すること
のできるＳ ｒ Ｔ ｊ Ｏｓ系電圧依存非直線抵抗体
の製造方法を提供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明は、半導体磁器を得る工程と、得られた半導体磁
器を熱処理により再酸化させる工程とを有するＳ ｒ
Ｔ ｉ Ｏｓ系電圧依存非直線抵抗体の製造方法におい
て、上記熱処理を、大気に比べ酸素分圧の高い雰囲気中
で行うことを特徴とするものである。
器を熱処理により再酸化させる工程とを有するＳ ｒ
Ｔ ｉ Ｏｓ系電圧依存非直線抵抗体の製造方法におい
て、上記熱処理を、大気に比べ酸素分圧の高い雰囲気中
で行うことを特徴とするものである。
な右、上記雰囲気の酸素分圧は、例えば、０゜３〜１０
０ ｋ ｇ ｆ／ｃｍ”に設定される。
０ ｋ ｇ ｆ／ｃｍ”に設定される。
（作用）
本発明のＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏｓ系電圧依存非直線抵抗体
の製造方法においては、半導体磁器の再酸化熱処理を、
大気に比べ酸素分圧の高い雰囲気中で行うことにより、
結晶粒子内部まで酸化するような高い温度で長時間熱処
理することなしに、上記磁器の結晶粒界近傍のみに酸素
を拡散させることができる。
の製造方法においては、半導体磁器の再酸化熱処理を、
大気に比べ酸素分圧の高い雰囲気中で行うことにより、
結晶粒子内部まで酸化するような高い温度で長時間熱処
理することなしに、上記磁器の結晶粒界近傍のみに酸素
を拡散させることができる。
（実施例）
支胤透ユ
純度９９．５％のＳ ｒ ＣＯｓ粉末１４７．６２８１
純度９９．５％のＴ ｉ Ｏ＊粉末７９．９ｇを秤量し
、これをボールミルでｌ０時間撹拌した。
純度９９．５％のＴ ｉ Ｏ＊粉末７９．９ｇを秤量し
、これをボールミルでｌ０時間撹拌した。
これを第１ｔ分とし、第１成分１００モル部に対し、純
度９９．５％（ＤＷＯｓ ’ｍ末ヲ２ 、 ５ ％ ル
部、純度９９．０％のＮａＦ粉末を０．５モル部、純度
９９．０％のＡ Ｉ ２０ ｓ粉末を０．３モル部、純
度９９．０％のＢｉ２５ｓ粉末を０．５モル部を秤量し
、１言置機で２０時間攪拌した。
度９９．５％（ＤＷＯｓ ’ｍ末ヲ２ 、 ５ ％ ル
部、純度９９．０％のＮａＦ粉末を０．５モル部、純度
９９．０％のＡ Ｉ ２０ ｓ粉末を０．３モル部、純
度９９．０％のＢｉ２５ｓ粉末を０．５モル部を秤量し
、１言置機で２０時間攪拌した。
これを油圧プレスによって円板状に成形し、得られた成
形物をＮ２雰囲気中で１４５０℃の温度で４時間保持し
、全所要時間１２時間の焼成プロファイルで焼成し、直
径５．５ｍｍφ、厚さ０゜８ｍｍの一次焼結体を辱た。
形物をＮ２雰囲気中で１４５０℃の温度で４時間保持し
、全所要時間１２時間の焼成プロファイルで焼成し、直
径５．５ｍｍφ、厚さ０゜８ｍｍの一次焼結体を辱た。
次に、純度９９．５％の酸素と純度９９．５％の窒素に
より、酸素分圧０．３ｋｇｆ／ｃｍ”の混合ガスを作成
し、そのガス雰囲気下１１５０℃で１８０分保持するプ
ロファイルで熱処理した。
より、酸素分圧０．３ｋｇｆ／ｃｍ”の混合ガスを作成
し、そのガス雰囲気下１１５０℃で１８０分保持するプ
ロファイルで熱処理した。
熱処理後の試料の表裏面に、直径５．Ｏｍｍの円板状に
銀ペーストを塗布し、７５０℃で焼き付けして電極を形
成した。各焼結体についてバリスタ電圧ｖ１．Ａ Ｃｖ
〕を測定し、さらに、バリスタ電圧■１゜−Ａ（ｖ）を
測定し、得られた結果より、次式に従って電圧非直線指
数αを算出した。
銀ペーストを塗布し、７５０℃で焼き付けして電極を形
成した。各焼結体についてバリスタ電圧ｖ１．Ａ Ｃｖ
〕を測定し、さらに、バリスタ電圧■１゜−Ａ（ｖ）を
測定し、得られた結果より、次式に従って電圧非直線指
数αを算出した。
ａ ＝ ｌｏｇ（１０”、 ｌ）／ｌｏｇ（Ｖ １Ｏａ
Ａ÷ｖＩＩＩＡ）また、静電容量Ｃとｔａｎδを周波数
１ ｋＨｚで測定した。結果を第１表に示す。
Ａ÷ｖＩＩＩＡ）また、静電容量Ｃとｔａｎδを周波数
１ ｋＨｚで測定した。結果を第１表に示す。
塞１目江ｚｌピＬ旦
実施例１と同じ一次焼結体を表で示した条件下で酸化焼
成した。
成した。
１ｋｇｆ／ｃｍ”以下の酸素分圧については、純度９９
．５％の酸素と純度９９．５％の窒素によって調整し、
また、１ｋｇｆ／ｃｍ”より高い酸素分圧については、
純度９９．５％の酸素の加圧によって調整した。
．５％の酸素と純度９９．５％の窒素によって調整し、
また、１ｋｇｆ／ｃｍ”より高い酸素分圧については、
純度９９．５％の酸素の加圧によって調整した。
実施例２乃至５で得られた試料についても、実施例１と
同じ方法でバリスタ特性、コンデンサ特性の測定を行っ
た。結果を第１表に示す。
同じ方法でバリスタ特性、コンデンサ特性の測定を行っ
た。結果を第１表に示す。
本発明の効果をｔ’ａｍするため、第１表に示すように
、酸化処理雰囲気の酸素分圧および焼成温度を変えて、
比較例１乃至２とした。この比較例１乃至２についても
、同様にしてバリスタ特性、コンデンサ特性の測定を行
った。結果を第１表に示す。
、酸化処理雰囲気の酸素分圧および焼成温度を変えて、
比較例１乃至２とした。この比較例１乃至２についても
、同様にしてバリスタ特性、コンデンサ特性の測定を行
った。結果を第１表に示す。
（以下余白）
実施例１〜３、比較例１は、焼成温度を一定にし、酸素
分圧を変えたものであるが、上記の測定の結果、通常の
大気焼成（比較例１）に比べ高い酸素分圧下で焼成する
ことにより、実施例のものは、短時間で同等のバリスタ
電圧ｖｔａＡを得ることができ、α値、静電容量も向上
した。
分圧を変えたものであるが、上記の測定の結果、通常の
大気焼成（比較例１）に比べ高い酸素分圧下で焼成する
ことにより、実施例のものは、短時間で同等のバリスタ
電圧ｖｔａＡを得ることができ、α値、静電容量も向上
した。
（発明の効果）
上記したように、本発明によれば、−次焼結体を酸素分
圧の高い雰囲気下で再酸化することにより、短時間で、
優れたα値と大きな静電容量を有し、かつ従来と同等の
バリスタ電圧Ｖ＋ａ＾をもつ５ｒＴｉＯｓ系電圧依存非
直線抵抗体を製造することができる。
圧の高い雰囲気下で再酸化することにより、短時間で、
優れたα値と大きな静電容量を有し、かつ従来と同等の
バリスタ電圧Ｖ＋ａ＾をもつ５ｒＴｉＯｓ系電圧依存非
直線抵抗体を製造することができる。
Claims (2)
- （１）半導体磁器を得る工程と、得られた半導体磁器を
熱処理により再酸化させる工程とを有するＳｒＴｉＯ＿
３系電圧依存非直線抵抗体の製造方法において、前記熱
処理を、大気に比べ酸素分圧の高い雰囲気中で行うこと
を特徴とするＳｒＴｉＯ＿３系電圧依存非直線抵抗体の
製造方法。 - （２）前記雰囲気の酸素分圧が、０．３〜１００ｋｇｆ
／ｃｍ＾２であることを特徴とする請求項第１項記載の
ＳｒＴｉＯ＿３系電圧依存非直線抵抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63329110A JPH02177401A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | ＳｒＴｉＯ↓３系電圧依存非直線抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63329110A JPH02177401A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | ＳｒＴｉＯ↓３系電圧依存非直線抵抗体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02177401A true JPH02177401A (ja) | 1990-07-10 |
Family
ID=18217723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63329110A Pending JPH02177401A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | ＳｒＴｉＯ↓３系電圧依存非直線抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02177401A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7666332B2 (en) * | 2005-05-30 | 2010-02-23 | Asahi Glass Company, Limited | Process for producing optical glass element |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP63329110A patent/JPH02177401A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7666332B2 (en) * | 2005-05-30 | 2010-02-23 | Asahi Glass Company, Limited | Process for producing optical glass element |
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