JPH0524648B2 - - Google Patents
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- JPH0524648B2 JPH0524648B2 JP8177189A JP8177189A JPH0524648B2 JP H0524648 B2 JPH0524648 B2 JP H0524648B2 JP 8177189 A JP8177189 A JP 8177189A JP 8177189 A JP8177189 A JP 8177189A JP H0524648 B2 JPH0524648 B2 JP H0524648B2
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- semiconductor
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、表面再酸化型半導体磁器コンデンサ
の製造方法に関する。 〔従来の技術〕 表面再酸化型半導体磁器コンデンサは、一般的
には、次の工程により製造される。 例えば、BaTiO3を主成分とする原材料を混
合した後、バインダー等を添加して混練し、シ
ート状に押し出し成形し、得られたシートを打
ち抜いて円板状の成形体を得る。 上記成形体を複数枚重ねてサヤ詰めし、大気
中で焼成したのち、得られた焼結体を還元性雰
囲気中で熱処理して半導体磁器を得る。 上記半導体磁器を、大気中で再び熱処理して
表面を再酸化し、表面再酸化型半導体磁器を得
る。 上記表面再酸化型半導体磁器の両主面の互い
に対向する位置に、それぞれAg電極層を形成
して表面再酸化型半導体磁器コンデンサを得
る。 上記製造方法により製造される表面再酸化型半
導体磁器コンデンサにおいては、半導体磁器を再
び大気中で熱処理する際の該半導体磁器の表面へ
の酸素供給の度合い及び熱処理温度の条件等によ
り、上記半導体磁器の表面層部分での酸素拡散の
度合が大きく異なり、これにより、その静電容量
Ｃ〔nF〕、誘電損失tanδ〔％〕、絶縁抵抗IR〔MΩ〕
等の特性が大きく影響変動する。 このような観点から従来は、酸素拡散の度合い
が個々の半導体磁器毎にばらつくことのないよ
う、アルミナ、あるいはジルコニア等の耐火物か
らなる焼成用サヤの上に、直接あるいは上記耐火
物からなるセツターを介して、互いに重ならない
ように上記半導体磁器を平詰めしたのち、これら
のサヤを複数段重ねて大気中で熱処理するのが一
般的であつた。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、上記従来の製造方法では、耐火
物製の焼成用サヤあるいはセツターの上に、互い
に重ならないように半導体磁器を平詰めして熱処
理していたため、ひとサヤ当たりに処理できる半
導体磁器の数が少なく、熱効率、処理効率ともに
低かつた。 また、ひとサヤ当たりの処理量を増やすため
に、上記半導体磁器を複数枚重ねて熱処理するこ
とも検討されているが、半導体磁器毎に特性が大
きくばらつき、誘電損失の増加や、絶縁抵抗の低
下が否めなかつた。 本発明の目的は、上記従来の問題点を解決し
て、特性バラツキの増加や特性の悪化等を生ずる
ことなく、表面再酸化型半導体磁器コンデンサを
効率良く得ることが可能な製造方法を提供するこ
とにある。 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、半導体磁器の原材料を混合したのち
成形して得られた成形体を大気中で焼成し、還元
性雰囲気中で熱処理したのち再び大気中で熱処理
して表面を再酸化し、得られた表面再酸化型半導
体磁器の表面に一対の電極層を形成してなる表面
再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法におい
て、上記半導体磁器を再び大気中で熱処理する際
に、該熱処理しようとする半導体磁器と同一又は
それよりも大きいサイズの板状のスペーサーを準
備し、上記半導体磁器を上記スペーサーで挟むよ
うにして上記半導体磁器と上記スペーサーとを交
互に重ね合せ、この状態で熱処理することを特徴
とするものである。 なお、上記スペーサーは、アルミナ、ジルコニ
ア、マグネシア、あるいはこれらの混合組成物を
焼成して得られた耐火物で形成することが望まし
い。 〔作用〕 本発明の表面再酸化型半導体磁器コンデンサの
製造方法においては、上記したように、半導体磁
器の両側面を上記スペーサーで挟むようにして、
上記半導体磁器と上記スペーサーとを交互に重ね
合せ、この状態で再酸化のための熱処理を行なう
ようにしたので、各半導体磁器への熱伝導および
酸素拡散が均一に行われる。 〔実施例〕 次に、本発明の表面再酸化型半導体磁器コンデ
ンサの実施例を比較例と共に説明する。 先ず、BaTiO3 92mol％、CeO2 5mol％、
TiO2 3mol％、の組成比からなる半導体磁器の
原料粉末を混合し、バインダーとしてメチルセル
ロース7wt％と、可塑剤としてグリセリンの10wt
％水溶液を添加し、0.6mmの厚さのシート状に押
し出し成形した。次いで、上記シートを10mmφの
円板形状に打ち抜き、得られた成形体をアルミナ
磁器製の焼成用サヤに詰めた後、大気中1300℃で
焼成して焼結体を得た。次に、上記焼結体を再び
焼成用サヤに詰め、H2 10vol％、N2 90vol％の
還元雰囲気中1000℃で２時間熱処理し、半導体磁
器を得た。この後、上記で得られた半導体磁器を
用いて、第１表に示す実施例１〜４及び比較例１
〜３の条件で再び大気中、900℃で、２時間熱処
理して表面再酸化型半導体磁器を得た。上記で得
られた表面再酸化型半導体磁器の両主面にそれぞ
れ６mmφの円形にAg電極材料ペーストを塗布し、
800℃で10分間焼き付け処理して表面再酸化型半
導体磁器コンデンサ試料を得た。 このようにして得られたコンデンサ試料各500
個について、測定周波数1KHz、測定電圧0.1Vで
静電容量Ｃ〔nF〕、誘電損失tanδ〔％〕、および直
流50Vの電圧を15秒印加した後の絶縁抵抗IR
〔MΩ〕を測定し、平均値、バラツキ（3σ／
ｘ）、およびひとサヤ当たりの処理量の比すなわ
ち処理能力比を求めて、その結果を第２表に示し
た。 第２表に示される通り、本発明の実施例１〜４
で得られた試料はいずれも、静電容量、誘電損
失、絶縁抵抗ともに比較例１に示す従来の平詰め
方法による試料と同等の特性を有し、また静電容
量、誘電損失では、比較例２〜３で得られた試料
よりもバラツキが小さかつた。また、ひとサヤ当
たりの処理量の点では、従来の平詰め方法に比べ
て７倍以上の処理量であつた。 上記実施例では、スペーサーとしてアルミナあ
るいはジルコニアを用いたが、本発明はこれに限
定されるものではなく、焼結可能な金属あるいは
金属の酸化物、炭化物、窒化物のうち、被熱処理
物と同一組成のものを除けば種々選択して用いる
ことが可能である。 また、上記スペーサーの空〓率を調整すること
により、半導体磁器表面への酸素供給の度合を調
整することも可能である。
の製造方法に関する。 〔従来の技術〕 表面再酸化型半導体磁器コンデンサは、一般的
には、次の工程により製造される。 例えば、BaTiO3を主成分とする原材料を混
合した後、バインダー等を添加して混練し、シ
ート状に押し出し成形し、得られたシートを打
ち抜いて円板状の成形体を得る。 上記成形体を複数枚重ねてサヤ詰めし、大気
中で焼成したのち、得られた焼結体を還元性雰
囲気中で熱処理して半導体磁器を得る。 上記半導体磁器を、大気中で再び熱処理して
表面を再酸化し、表面再酸化型半導体磁器を得
る。 上記表面再酸化型半導体磁器の両主面の互い
に対向する位置に、それぞれAg電極層を形成
して表面再酸化型半導体磁器コンデンサを得
る。 上記製造方法により製造される表面再酸化型半
導体磁器コンデンサにおいては、半導体磁器を再
び大気中で熱処理する際の該半導体磁器の表面へ
の酸素供給の度合い及び熱処理温度の条件等によ
り、上記半導体磁器の表面層部分での酸素拡散の
度合が大きく異なり、これにより、その静電容量
Ｃ〔nF〕、誘電損失tanδ〔％〕、絶縁抵抗IR〔MΩ〕
等の特性が大きく影響変動する。 このような観点から従来は、酸素拡散の度合い
が個々の半導体磁器毎にばらつくことのないよ
う、アルミナ、あるいはジルコニア等の耐火物か
らなる焼成用サヤの上に、直接あるいは上記耐火
物からなるセツターを介して、互いに重ならない
ように上記半導体磁器を平詰めしたのち、これら
のサヤを複数段重ねて大気中で熱処理するのが一
般的であつた。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、上記従来の製造方法では、耐火
物製の焼成用サヤあるいはセツターの上に、互い
に重ならないように半導体磁器を平詰めして熱処
理していたため、ひとサヤ当たりに処理できる半
導体磁器の数が少なく、熱効率、処理効率ともに
低かつた。 また、ひとサヤ当たりの処理量を増やすため
に、上記半導体磁器を複数枚重ねて熱処理するこ
とも検討されているが、半導体磁器毎に特性が大
きくばらつき、誘電損失の増加や、絶縁抵抗の低
下が否めなかつた。 本発明の目的は、上記従来の問題点を解決し
て、特性バラツキの増加や特性の悪化等を生ずる
ことなく、表面再酸化型半導体磁器コンデンサを
効率良く得ることが可能な製造方法を提供するこ
とにある。 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、半導体磁器の原材料を混合したのち
成形して得られた成形体を大気中で焼成し、還元
性雰囲気中で熱処理したのち再び大気中で熱処理
して表面を再酸化し、得られた表面再酸化型半導
体磁器の表面に一対の電極層を形成してなる表面
再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法におい
て、上記半導体磁器を再び大気中で熱処理する際
に、該熱処理しようとする半導体磁器と同一又は
それよりも大きいサイズの板状のスペーサーを準
備し、上記半導体磁器を上記スペーサーで挟むよ
うにして上記半導体磁器と上記スペーサーとを交
互に重ね合せ、この状態で熱処理することを特徴
とするものである。 なお、上記スペーサーは、アルミナ、ジルコニ
ア、マグネシア、あるいはこれらの混合組成物を
焼成して得られた耐火物で形成することが望まし
い。 〔作用〕 本発明の表面再酸化型半導体磁器コンデンサの
製造方法においては、上記したように、半導体磁
器の両側面を上記スペーサーで挟むようにして、
上記半導体磁器と上記スペーサーとを交互に重ね
合せ、この状態で再酸化のための熱処理を行なう
ようにしたので、各半導体磁器への熱伝導および
酸素拡散が均一に行われる。 〔実施例〕 次に、本発明の表面再酸化型半導体磁器コンデ
ンサの実施例を比較例と共に説明する。 先ず、BaTiO3 92mol％、CeO2 5mol％、
TiO2 3mol％、の組成比からなる半導体磁器の
原料粉末を混合し、バインダーとしてメチルセル
ロース7wt％と、可塑剤としてグリセリンの10wt
％水溶液を添加し、0.6mmの厚さのシート状に押
し出し成形した。次いで、上記シートを10mmφの
円板形状に打ち抜き、得られた成形体をアルミナ
磁器製の焼成用サヤに詰めた後、大気中1300℃で
焼成して焼結体を得た。次に、上記焼結体を再び
焼成用サヤに詰め、H2 10vol％、N2 90vol％の
還元雰囲気中1000℃で２時間熱処理し、半導体磁
器を得た。この後、上記で得られた半導体磁器を
用いて、第１表に示す実施例１〜４及び比較例１
〜３の条件で再び大気中、900℃で、２時間熱処
理して表面再酸化型半導体磁器を得た。上記で得
られた表面再酸化型半導体磁器の両主面にそれぞ
れ６mmφの円形にAg電極材料ペーストを塗布し、
800℃で10分間焼き付け処理して表面再酸化型半
導体磁器コンデンサ試料を得た。 このようにして得られたコンデンサ試料各500
個について、測定周波数1KHz、測定電圧0.1Vで
静電容量Ｃ〔nF〕、誘電損失tanδ〔％〕、および直
流50Vの電圧を15秒印加した後の絶縁抵抗IR
〔MΩ〕を測定し、平均値、バラツキ（3σ／
ｘ）、およびひとサヤ当たりの処理量の比すなわ
ち処理能力比を求めて、その結果を第２表に示し
た。 第２表に示される通り、本発明の実施例１〜４
で得られた試料はいずれも、静電容量、誘電損
失、絶縁抵抗ともに比較例１に示す従来の平詰め
方法による試料と同等の特性を有し、また静電容
量、誘電損失では、比較例２〜３で得られた試料
よりもバラツキが小さかつた。また、ひとサヤ当
たりの処理量の点では、従来の平詰め方法に比べ
て７倍以上の処理量であつた。 上記実施例では、スペーサーとしてアルミナあ
るいはジルコニアを用いたが、本発明はこれに限
定されるものではなく、焼結可能な金属あるいは
金属の酸化物、炭化物、窒化物のうち、被熱処理
物と同一組成のものを除けば種々選択して用いる
ことが可能である。 また、上記スペーサーの空〓率を調整すること
により、半導体磁器表面への酸素供給の度合を調
整することも可能である。
【表】
【表】
本発明によれば、上記実施例の結果に示される
通り、特性バラツキの増加や特性の悪化等を生ず
ることなく、表面再酸化型半導体磁器コンデンサ
を効率良く製造することができる。
通り、特性バラツキの増加や特性の悪化等を生ず
ることなく、表面再酸化型半導体磁器コンデンサ
を効率良く製造することができる。
Claims (1)
- １ 半導体磁器の原材料を混合したのち成形し、
得られた成形体を大気中で焼成し、還元性雰囲気
中で熱処理したのち再び大気中で熱処理して表面
を再酸化し、得られた表面再酸化型半導体磁器の
表面に一対の電極層を形成してなる表面再酸化型
半導体磁器コンデンサの製造方法において、前記
半導体磁器を再び大気中で熱処理する際に、該半
導体磁器と同一又はそれよりも大きいサイズの板
状のスペーサーを準備し、前記半導体磁器を上記
スペーサで挟むようにして前記半導体磁器と前記
スペーサーとを交互に重ね合せ、この状態で熱処
理することを特徴とする表面再酸化型半導体磁器
コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8177189A JPH02260510A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8177189A JPH02260510A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260510A JPH02260510A (ja) | 1990-10-23 |
| JPH0524648B2 true JPH0524648B2 (ja) | 1993-04-08 |
Family
ID=13755735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8177189A Granted JPH02260510A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02260510A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001130957A (ja) * | 1999-11-02 | 2001-05-15 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体磁器、半導体磁器の製造方法およびサーミスタ |
| CN114394415B (zh) * | 2021-12-28 | 2023-12-12 | 赤壁市万皇智能设备有限公司 | 一种基于agv自动搬运系统的fpc自动化生产线 |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP8177189A patent/JPH02260510A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02260510A (ja) | 1990-10-23 |
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