JPH02185060A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH02185060A JPH02185060A JP571489A JP571489A JPH02185060A JP H02185060 A JPH02185060 A JP H02185060A JP 571489 A JP571489 A JP 571489A JP 571489 A JP571489 A JP 571489A JP H02185060 A JPH02185060 A JP H02185060A
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- JP
- Japan
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- copper
- lead frame
- silver
- resin
- semiconductor element
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- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ａｍ回路（ＩＣ）チップなどを搭載
する半導体用リードフレームの構造に関するものである
。
する半導体用リードフレームの構造に関するものである
。
この種の半導体装置用リードフレームは、第３図に示す
ように、所定数に区分されたリードフレーム素体として
のリードフレーム枠５と、このリードフレーム枠５の中
央部分に支持された半導体素子載置部６と、この半導体
素子載置部６に搭載される半導体素子（図示せず）の各
々の電極端子をワイヤ線を介して外部へ導出するための
外部接続用の複数のリード７を具備している。そしてこ
のリード７は、半導体素子載置部６の周辺にそれぞれ所
定の間隔をもって放射状に配設された内部リード部８と
、該内部リード部８の他端側に互いに連接して平行に配
設された外部リード部９により構成されている。また、
前記リード７の中間部分には、それらリードの離間位置
を安定に保つとともに、樹脂封止の際に当該樹脂が外部
へ漏出するのを防止するためにタイバーＩＯが一体に連
結されている。なお、第３図中、点線で囲まれた領域１
１は半導体封止用樹脂領域を示し、この樹脂領域１１内
に含まれる半導体素子載置部６の一部をなすリード片６
ａも通常内部リード部と称している。
ように、所定数に区分されたリードフレーム素体として
のリードフレーム枠５と、このリードフレーム枠５の中
央部分に支持された半導体素子載置部６と、この半導体
素子載置部６に搭載される半導体素子（図示せず）の各
々の電極端子をワイヤ線を介して外部へ導出するための
外部接続用の複数のリード７を具備している。そしてこ
のリード７は、半導体素子載置部６の周辺にそれぞれ所
定の間隔をもって放射状に配設された内部リード部８と
、該内部リード部８の他端側に互いに連接して平行に配
設された外部リード部９により構成されている。また、
前記リード７の中間部分には、それらリードの離間位置
を安定に保つとともに、樹脂封止の際に当該樹脂が外部
へ漏出するのを防止するためにタイバーＩＯが一体に連
結されている。なお、第３図中、点線で囲まれた領域１
１は半導体封止用樹脂領域を示し、この樹脂領域１１内
に含まれる半導体素子載置部６の一部をなすリード片６
ａも通常内部リード部と称している。
次に動作について説明する。半導体素子載置部６に半導
体素子（図示せず）をチップボンディングした後、該半
導体素子の各々の電極端子とり−ド７の内部リード部８
とのワイヤボンディングを行う０次いで通常樹脂封止工
程にて、半導体素子およびワイヤ線を含む内部リード部
８を樹脂封止した後、フレーム枠５およびタイバー１０
を切離すことにより、樹脂封止形半導体装置が完成され
る。
体素子（図示せず）をチップボンディングした後、該半
導体素子の各々の電極端子とり−ド７の内部リード部８
とのワイヤボンディングを行う０次いで通常樹脂封止工
程にて、半導体素子およびワイヤ線を含む内部リード部
８を樹脂封止した後、フレーム枠５およびタイバー１０
を切離すことにより、樹脂封止形半導体装置が完成され
る。
そして、近年このようなリードフレームにおいて、銅又
は銅合金系リードフレーム素材に直接、あるいは銅めっ
き皮膜を介してボンディングを行う技術が開発されてい
る。
は銅合金系リードフレーム素材に直接、あるいは銅めっ
き皮膜を介してボンディングを行う技術が開発されてい
る。
上記のような半導体装置用リードフレームにおいては、
チップボンディング以降の組立工程において受ける熱ス
トレスにより、銅表面に酸化皮膜が形成されて、ワイヤ
ボンディングが行えず、また、銅酸化皮膜は、銅母材と
の密着力が弱いために銅母材〜銅酸化皮膜間で剥離現象
が発生し、半導体装置の信頼性を低下させるという問題
点かあった。
チップボンディング以降の組立工程において受ける熱ス
トレスにより、銅表面に酸化皮膜が形成されて、ワイヤ
ボンディングが行えず、また、銅酸化皮膜は、銅母材と
の密着力が弱いために銅母材〜銅酸化皮膜間で剥離現象
が発生し、半導体装置の信頼性を低下させるという問題
点かあった。
また、銅酸化皮膜の生成を抑制する方法として、特開昭
６２−１６３３５３号に示されるように銅表面に銀皮膜
を形成する方法があるが、銀は樹脂との密着力が弱くて
樹脂を用いた場合のチップボンディングが行えず、また
、樹脂封止工程にて、リードフレームと樹脂との密着力
が弱く、半導体装置の信頼性を低下させるという問題点
があった。
６２−１６３３５３号に示されるように銅表面に銀皮膜
を形成する方法があるが、銀は樹脂との密着力が弱くて
樹脂を用いた場合のチップボンディングが行えず、また
、樹脂封止工程にて、リードフレームと樹脂との密着力
が弱く、半導体装置の信頼性を低下させるという問題点
があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、銅表面の酸化皮膜の生成を抑制するとともに
、樹脂との密着力が高く、信頼度の高い半導体装置を得
ることのできる半導体装置用リードフレームを提供する
ことを目的とする。
たもので、銅表面の酸化皮膜の生成を抑制するとともに
、樹脂との密着力が高く、信頼度の高い半導体装置を得
ることのできる半導体装置用リードフレームを提供する
ことを目的とする。
この発明に係る半導体装置用リードフレームは、銅また
は銅合金系のリードフレーム、あるいは表面に銅めっき
加工が施されたリードフレームであって、少なくとも半
導体素子を搭載する半導体装置部と、この半導体素子載
置部の周囲にそれぞれ所定の間隔をもって配設された複
数のリードとをリードフレーム枠に一体に連結してなる
ものにおいて、該リードフレームの表面に薄い銀皮膜を
形成して加熱することにより銅及び銀の相互拡散層を形
成したことを特徴とするものである。
は銅合金系のリードフレーム、あるいは表面に銅めっき
加工が施されたリードフレームであって、少なくとも半
導体素子を搭載する半導体装置部と、この半導体素子載
置部の周囲にそれぞれ所定の間隔をもって配設された複
数のリードとをリードフレーム枠に一体に連結してなる
ものにおいて、該リードフレームの表面に薄い銀皮膜を
形成して加熱することにより銅及び銀の相互拡散層を形
成したことを特徴とするものである。
この発明においては、銅表面に銀皮膜を形成することに
より銅酸化皮膜の生成を抑制するとともに、加熱による
銅及び銀の相互拡散層を設けることにより、チップボン
ディング用樹脂及び封止用樹脂との高い密着力を得るこ
とが出来る。
より銅酸化皮膜の生成を抑制するとともに、加熱による
銅及び銀の相互拡散層を設けることにより、チップボン
ディング用樹脂及び封止用樹脂との高い密着力を得るこ
とが出来る。
〔実施例〕 ′
以下この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は、本発明の一実施例による半導体リードフレー
ムの製造工程を示す概略断面フロー図である。
ムの製造工程を示す概略断面フロー図である。
この実施例による半導体装置用リードフレームは、まず
銅合金系からなるリードフレーム素材１（第１図ａ）の
表面上に銅めっき皮膜２を形成する（第１１Ｍｂ＞、次
いでその上から０．１μｍ以下の銀皮膜３を形成しく第
１図ｃ）、その後加熱により銅及び銀の相互拡散層４を
形成する（第１図ｄ）ものである。
銅合金系からなるリードフレーム素材１（第１図ａ）の
表面上に銅めっき皮膜２を形成する（第１１Ｍｂ＞、次
いでその上から０．１μｍ以下の銀皮膜３を形成しく第
１図ｃ）、その後加熱により銅及び銀の相互拡散層４を
形成する（第１図ｄ）ものである。
また第２図は、本実施例によるリードフレーム表面に銅
及び銀の相互拡散層を具備したリードフレーム並びに従
来の技術による銀皮膜を形成しない銅めっきのみのリー
ドフレーム及び銅表面に銀皮膜を形成しただけのリード
フレームに対する樹脂との密着強度を比較した図である
。
及び銀の相互拡散層を具備したリードフレーム並びに従
来の技術による銀皮膜を形成しない銅めっきのみのリー
ドフレーム及び銅表面に銀皮膜を形成しただけのリード
フレームに対する樹脂との密着強度を比較した図である
。
なお、第２図において、本実施例により得られる銅及び
銀の相互拡散層を設けたリードフレームの密着強度を１
００としたときの割合を示している。
銀の相互拡散層を設けたリードフレームの密着強度を１
００としたときの割合を示している。
すなわち第２図より、リードフレーム表面に銅及び銀の
相互拡散層を設けることにより、銅酸化皮膜の生成しに
くくかつ樹脂との密着力の強いことがわかる。
相互拡散層を設けることにより、銅酸化皮膜の生成しに
くくかつ樹脂との密着力の強いことがわかる。
以上のようにこの発明によれば、リードフレーム表面に
銅及び銀の相互拡散層を設けることにより、銅酸化皮膜
が生成しに＜＜、がっ樹脂との密着強度が高まり、信頼
性の高い樹脂封止形半導体装置が得られる効果がある。
銅及び銀の相互拡散層を設けることにより、銅酸化皮膜
が生成しに＜＜、がっ樹脂との密着強度が高まり、信頼
性の高い樹脂封止形半導体装置が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置用リード
フレームの製造工程を示す概略フロー断面図、第２図は
本発明のリードフレームの酸化皮膜生成の抑制並びに樹
脂との密着強度を示す比較図、第３図は半導体装置用リ
ードフレームの平面図である。 図中、１はリードフレーム素材、２は銅めっき皮膜、３
は銀皮膜、４は銅及び銀の相互拡散層、５はリードフレ
ーム枠、６は半導体素子載置部、７はリード、８は内部
リード、９は外部リード、１０はタイバー、１１は半導
体封止用樹脂領域を示す。
フレームの製造工程を示す概略フロー断面図、第２図は
本発明のリードフレームの酸化皮膜生成の抑制並びに樹
脂との密着強度を示す比較図、第３図は半導体装置用リ
ードフレームの平面図である。 図中、１はリードフレーム素材、２は銅めっき皮膜、３
は銀皮膜、４は銅及び銀の相互拡散層、５はリードフレ
ーム枠、６は半導体素子載置部、７はリード、８は内部
リード、９は外部リード、１０はタイバー、１１は半導
体封止用樹脂領域を示す。
Claims (1)
- 銅または銅合金系のリードフレーム、あるいは表面に銅
めっき加工が施されたリードフレームであって、少なく
とも半導体素子を搭載する半導体素子載置部と、この半
導体素子載置部の周囲にそれぞれ所定の間隔をもって配
設された複数のリードとをリードフレーム枠に一体に連
結してなる半導体装置用リードフレームにおいて、該リ
ードフレームの表面に薄い銀皮膜を形成した後加熱する
ことにより銅及び銀の相互拡散層を形成したことを特徴
とする半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP571489A JPH02185060A (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP571489A JPH02185060A (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02185060A true JPH02185060A (ja) | 1990-07-19 |
Family
ID=11618790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP571489A Pending JPH02185060A (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02185060A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5561320A (en) * | 1992-06-04 | 1996-10-01 | Texas Instruments Incorporated | Silver spot/palladium plate lead frame finish |
| DE19640256A1 (de) * | 1995-09-29 | 1997-04-03 | Dainippon Printing Co Ltd | Anschlußrahmen, Verfahren zur teilweisen Edelplattierung des Anschlußrahmens und Halbleitereinrichtung mit Anschlußrahmen |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63168043A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ム |
-
1989
- 1989-01-12 JP JP571489A patent/JPH02185060A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63168043A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ム |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5561320A (en) * | 1992-06-04 | 1996-10-01 | Texas Instruments Incorporated | Silver spot/palladium plate lead frame finish |
| DE19640256A1 (de) * | 1995-09-29 | 1997-04-03 | Dainippon Printing Co Ltd | Anschlußrahmen, Verfahren zur teilweisen Edelplattierung des Anschlußrahmens und Halbleitereinrichtung mit Anschlußrahmen |
| US6034422A (en) * | 1995-09-29 | 2000-03-07 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame, method for partial noble plating of said lead frame and semiconductor device having said lead frame |
| DE19640256B4 (de) * | 1995-09-29 | 2004-04-08 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Anschlußrahmen, Verfahren zur Edelmetallplattierung des Anschlußrahmens und Halbleitereinrichtung mit Anschlußrahmen |
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