JPH02186833A - ラインメモリ - Google Patents

ラインメモリ

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Publication number
JPH02186833A
JPH02186833A JP1006628A JP662889A JPH02186833A JP H02186833 A JPH02186833 A JP H02186833A JP 1006628 A JP1006628 A JP 1006628A JP 662889 A JP662889 A JP 662889A JP H02186833 A JPH02186833 A JP H02186833A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
cell array
generation circuit
memory cell
supplied
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1006628A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuaki Suga
須賀 伸晃
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP1006628A priority Critical patent/JPH02186833A/ja
Publication of JPH02186833A publication Critical patent/JPH02186833A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、例えば有料放送において映像信号をスクラ
ンブルするのに使用して好適なラインメモリに関する。
[従来の技術] 近年、ディジタル信号処理技術の発展により、画像処理
用のデュアルポートメモ1八 フレームメモリ等、用途
別のメモリが種々開発されている。
ラインメモリもそのひとつであり、このラインメモリは
映像信号の1水平走査間間分のデータを記憶するための
メモリである。
第3図は、従来のラインメモリの構成を示すものである
。同図において、 lは映像信号の1水平走査問間分の
データを記憶できるメモリセルアレイ、2はメモリセル
アレイlにnピッI・(nは正の整Fi)のデータDi
l〜D目1を書き込むための人力バッファ、3はカウン
タて構成され書き込みアドレスを発生させるための書き
込みアドレス発生回路、4はメモリセルアレイ1からn
ヒツトのデータDol−Donを読み出すための出力バ
ッフ7.5はカウンタで構成され読み出しアドレスを発
生させるための読み出しアドレス発生回路である。
以上の構成において、メモリセルアレイ1への書き込み
は、以下のようにして行なわれる。
すなわち、書き込みアドレス発生回路3に書き込みリセ
ット信号n(第4図Bに図示)が供給されてその内のカ
ウンタが「o」にリセットされると共に、書き込みアト
しス発生回yδ3に書き込みクロック’、V CI((
第4図Aに図示)が供給されて書き込みアドレスが順次
インクリメントされる(第4図Cに図示)。
また、大力バッファ2には、書き込みイネーブル信号v
rF−が供給されると共に、書き込みクロック〜VCK
が供給され、nビットのデータDil〜D11は入力ハ
ッフ72を介してメモリセルアレイ1に順次供給される
これにより、メモリセルアレイ1にはアドレス「O」よ
り11ビットのデータDil−Dinが順次書き込まれ
る。
一方、メモリセルアレイ1からの読み出しは、以下のよ
うにして1テなわれる。
すなわち、読み出しアドレス発生回路5に読み出しリセ
ット信号rTT下<第5図Bに図示)が供給されてその
内のカウンタが「0」にリセットされると共に、この読
み出しアドレス発生回路5に読み出しクロックRCK 
(第5図Aに図示)が供給されて読み出しアドレスが1
111次インクリメントされる(第5図Cに図示〉。
また、出力バッフ74には、読み出しイネーブル信号■
Tが供給されると共に、読み出しクロックRCKが供給
され、メモリセルアレイ1からのnビットのデータDo
t〜Donは出力バッフ74を介して順次出力される。
これにより、メモリセルアレイlからはアドレス「0」
よりnヒツトのデータDot〜Donが順次読み出され
る。
なお、書き込みおよび読み出しは非同朋で(テなわれる
このようなラインメモリは、例えばテレビジョン受像機
、ビデオテープレコーダのシステムにおけるライン遅延
、時間軸変換用メモリ、あるいは多入力信号の面間合わ
せ用メモリとして防用されている。
[発明が解決しようとする課題] ところで、第3図例のラインメモリでは、メモノの途中
のアドレスから読み出しを始めることができないため、
映@信号の1水平走査問間分のデータを任意の部分て切
って左右を入れ換えるということができなかった。
そこで、この発明では、任意のアドレスから読み出しを
始めることができるラインメモリを提供することを目的
とするものである。
[課題を解決するための手段] この発明は、書き込みアドレス発生回路と、読み出しア
トトス発生回路と、映Is 13号の1水平走査問間分
のデータを記憶できろメモリセルアレイとを有してなる
ラインメモリであって、読み出しアドレス発生回路に、
外部より開始アドレスを設定できる開始アドレス設定手
段が設けられるものである。
[作 用] 上述構成においては、読み出しアドレス発生回路5に、
開始アドレス設定手段によって外部より開始アドレスを
設定できるので、任意のアドレスから読み出しを始める
ことができるようになる。
[実 施 例] 以下、第1図を参〇?シながら、この発明の一実施例に
ついて説明する。この第1図において、第3図と対応す
る部分には同一符号を1寸し、その詳細説明は省略する
本例においては、読み出しアドレス発生回路5は初IJ
II直を人力することができるカウンタをもって構成さ
れる。この読み出しアドレス発生口¥85には読み出し
アドレスの初門値A1〜Am(mは正の整数〉が外部よ
り供給されると共に、この初間値Al−Amはロー1”
 18号ffが供給されることによって人力されてカウ
ンタにセットされる。
また、この読み出しアドレス発生口Y85で発生される
読み出しアドレスは、メモリセルアレイlの最終アドレ
スまで進むと「0」に戻り、それ以降は再びインクリメ
ントされるように構成される。
その他は第3図(クリと同様に構成される。
以Eの構成において、メモリセルアレイ1への書き込み
は、第3図例と同様に以下のようにして1テなわれる。
すなわち、書き込みアドレス発生回路3に書き込みリセ
ット信号FyTI(第4図Bに図示)が1共給されてそ
の内のカウンタが「0」にリセットされると共に、書き
込みアドレス発生回路3に書き込みクロックWCI((
第4図Aに図示)が供給されて書き込みアドレスが順次
インクリメントされる(第4図Cに図示)。
また、人力バッフ72には、書き込みイネーブル信号7
1が供給されると共に、書き込みクロックWCKが供給
され、nビットのデータDil−D11は人力バッファ
2を介してメモリセルアレイ】に順次供給される。
これにより、メモリセルアレイlにはアドレス「0」よ
りnビット・のデータDil〜Dinが順次書き込まれ
ろ。
一方、メモリセルアレイlからの読み出しは、以下のよ
うにして行なわれるや すなわち、読み出しアドレス発生回路5にロード1言号
「1(第2図Bに図示)が供給されることにより、初期
値A1〜Am  (第2図Cに図示)が人力されてカウ
ンタにセットされる。これにより、読み出し開始アドレ
スは初期値A1〜Amで指定される「x」 (0≦X≦
2″′−1)となる。そして、読み出しアドレス発生回
路5に読み出しり0ツクRCK (第2図Aに図示)が
供給されて読み出しアドレスが順次インクリメントされ
る(第2図りに図示)。この書き込みアドレスはメモリ
セルアレイlの最終アドレス2−1となると「0」に戻
り、再びインクリメントされていく。
また、出力バッファ4には、読み出しイネーブル信号W
■が供給されると共に、読み出しクロックRCKが供給
され、メモリセルアレイ1からのnビットのデータDo
t〜Donは出力バッファ4を介して順次出力される。
これにより、メモリセルアレイ1からはアドレスr X
 JよりnビットのデータD ol〜D onが111
6次読み出される。
このように本例によれば、メモリセルアレイ】にはアド
レス「0」よりnビットのデータDil〜Dinが順次
書き込まれると共に、このメモリセルアレイ1からはア
ドレスrXJよりnビットのデータD ol= D O
nが順次読み出されるので、アドレス「x」を指定する
初期値Al−Amを変更することにより、映像信号の1
水平走査間間分のデータを任意の部分で切って左右を入
れ換えたデータを74ることができる。
なお、X=Oに設定すれば、第3図例と同様の動作をす
ることは明らかである。
[発明の効果] 以上説明し・たように、この発明によれば、読み出しア
ドレス発生回路に、開始アドレス設定手段によって外部
より開始アドレスを設定できるので、任意の7トレスか
ら読み出しを始めることができる。したがって、開始ア
ドレスを変更することにより映RIrs号の1水平走査
期間分のデータを任意の部分で切って左右を入れ換えた
データを得ることができ、例えば有料放送において映像
信号をスクランブルするのに使用して好適なものとなる
2図はその説明のための図、第3図は従来例の構成図、
第4図および第5図はその説明のための図である。
・メモリセルアレイ ◆人力バッファ ・書き込みアドレス発生回路 一出力ハッフ7 ・読み出しアドレス発生回路

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)書き込みアドレス発生回路と、読み出しアドレス
    発生回路と、映像信号の1水平走査期間分のデータを記
    憶できるメモリセルアレイとを有してなるラインメモリ
    において、 上記読み出しアドレス発生回路に、外部より開始アドレ
    スを設定できる開始アドレス設定手段が設けられること
    を特徴とするラインメモリ。
JP1006628A 1989-01-13 1989-01-13 ラインメモリ Pending JPH02186833A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1006628A JPH02186833A (ja) 1989-01-13 1989-01-13 ラインメモリ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1006628A JPH02186833A (ja) 1989-01-13 1989-01-13 ラインメモリ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02186833A true JPH02186833A (ja) 1990-07-23

Family

ID=11643625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1006628A Pending JPH02186833A (ja) 1989-01-13 1989-01-13 ラインメモリ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02186833A (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61117789A (ja) * 1984-11-13 1986-06-05 Nec Corp 半導体メモリ
JPS637594A (ja) * 1986-06-26 1988-01-13 Sony Corp 映像記憶装置
JPS637593A (ja) * 1986-06-26 1988-01-13 Sony Corp 周波数変換回路及び周波数変換方法
JPS63136395A (ja) * 1986-11-28 1988-06-08 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
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