JPH02187079A - ホトダイオード - Google Patents
ホトダイオードInfo
- Publication number
- JPH02187079A JPH02187079A JP1007077A JP707789A JPH02187079A JP H02187079 A JPH02187079 A JP H02187079A JP 1007077 A JP1007077 A JP 1007077A JP 707789 A JP707789 A JP 707789A JP H02187079 A JPH02187079 A JP H02187079A
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- JP
- Japan
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- type
- light
- semiconductor substrate
- layer
- epitaxial layer
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野ン
本発明は、コンパクトディスク（ＣＤ、）、カメラ等に
用いられる多分割受光素子含有するホトダイオードの改
良に関するものである。
用いられる多分割受光素子含有するホトダイオードの改
良に関するものである。
（従来の技術〉
従来ＣＤ用、カメラ用等の受光素子には、多分割型のも
のが用いられ、光電変換のためにはＰＮ接合が利用され
ている。この受光素子と他の回路（例えばレーザーダイ
オード、ＩＣ等）とは、同一基台上で結線し、単一電源
にて駆動する場合には、受光素子と基台との間を電気的
に分離する必要がある。
のが用いられ、光電変換のためにはＰＮ接合が利用され
ている。この受光素子と他の回路（例えばレーザーダイ
オード、ＩＣ等）とは、同一基台上で結線し、単一電源
にて駆動する場合には、受光素子と基台との間を電気的
に分離する必要がある。
以下、例えばＣＤのレーザーピックアップ用の多分割受
光素子を一例として説明する。第５図は従来の単一電源
で使用するレーザーピックアップの一例の説明図である
。同図において、基台３の側面にレーザーダイオード２
を設け、その発光面からのレーザ光は、ＣＤ５の表面の
ビットで反射し、基台３の上面に設けられたＰ” ／Ｎ
−型多分割受光素子１によって受光され光ｇｔ変換され
る。図においてはＰ＋の電極が２個であるから、受光素
子は２個である０受光素子１とレーザダイオード２とは
、単一電源を用いるため、受光素子１１−１ｍ、絶縁シ
ート４を介して基台３に結合されている。
光素子を一例として説明する。第５図は従来の単一電源
で使用するレーザーピックアップの一例の説明図である
。同図において、基台３の側面にレーザーダイオード２
を設け、その発光面からのレーザ光は、ＣＤ５の表面の
ビットで反射し、基台３の上面に設けられたＰ” ／Ｎ
−型多分割受光素子１によって受光され光ｇｔ変換され
る。図においてはＰ＋の電極が２個であるから、受光素
子は２個である０受光素子１とレーザダイオード２とは
、単一電源を用いるため、受光素子１１−１ｍ、絶縁シ
ート４を介して基台３に結合されている。
このように、多分割受光素子をレーザダイオードと同一
基台上に配置し、且つ単一電源によって駆動するレーザ
ピックアップにおいて、前記の絶縁シートは必要不可欠
であるが、効率よく受光する位置に受光素子を配置しな
ければならないため、絶縁シートの厚さ９位置等アセン
ブリ工程が複雑化する。
基台上に配置し、且つ単一電源によって駆動するレーザ
ピックアップにおいて、前記の絶縁シートは必要不可欠
であるが、効率よく受光する位置に受光素子を配置しな
ければならないため、絶縁シートの厚さ９位置等アセン
ブリ工程が複雑化する。
この間Ｍを解決する九め、第４図に示されるような受光
素子６を、第５図の受光素子ｌに代えて基台３の上面に
、絶縁シートを省略して取付ける方法がある。第２図は
そのような受光素子の略断面図である。Ｐ″″型半導体
基板１８の表面にＮ″′型エピタキシャル１２０全形成
し、その表面の２個所にＰ＋型受光拡散層１６．１６’
ｉ形成し、側面にもＰ＋型拡散層１４．１４を形成しで
ある。
素子６を、第５図の受光素子ｌに代えて基台３の上面に
、絶縁シートを省略して取付ける方法がある。第２図は
そのような受光素子の略断面図である。Ｐ″″型半導体
基板１８の表面にＮ″′型エピタキシャル１２０全形成
し、その表面の２個所にＰ＋型受光拡散層１６．１６’
ｉ形成し、側面にもＰ＋型拡散層１４．１４を形成しで
ある。
さらにその表面の一部にＮ” ｆｆｉ拡散層１５を形成
し、それらの表面を酸化膜１１で被覆し、Ｎ“型拡散層
１５から一方の電極１２を取り出し、Ｐ＋型拡散層１６
．１６から他方の電極１３．１３金取り出している。Ｐ
型拡散層１６．１６はその間のＮ−型エピタキシャル
層１７によって隔離され、２個のホトダイオードよりな
るＰ”Ｎ−多分割受光素子が形成されている。
し、それらの表面を酸化膜１１で被覆し、Ｎ“型拡散層
１５から一方の電極１２を取り出し、Ｐ＋型拡散層１６
．１６から他方の電極１３．１３金取り出している。Ｐ
型拡散層１６．１６はその間のＮ−型エピタキシャル
層１７によって隔離され、２個のホトダイオードよりな
るＰ”Ｎ−多分割受光素子が形成されている。
これらの受光素子は、側面のＰｆｉ拡散層１４゜１４及
びＰ″″型半導体基板１８とＮ′″型エピタキシャル層
２０によるアイソレージランダイオードによって、Ｐ＋
型受光拡散層１６．１６はＰ−型半導体基板１８と電気
的に絶縁され、絶縁シートの不必要なレーザピックアッ
プが構成される。
びＰ″″型半導体基板１８とＮ′″型エピタキシャル層
２０によるアイソレージランダイオードによって、Ｐ＋
型受光拡散層１６．１６はＰ−型半導体基板１８と電気
的に絶縁され、絶縁シートの不必要なレーザピックアッ
プが構成される。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、前記の構造では、光によりＮ−型エピタ
キシャル層２０で生成したキャリアは、上部のＰ“Ｎ−
型多分割受光素子と下部及び側面のアイソレージランダ
イオードとの光出力になるが、アイソレージ１ンダイオ
ードの方が通常面積が大きいため、その光出力が多分割
受光素子の光出力より大きくなる。更にＰ−型半導体基
板１８でもキャリアが生成することがあり、その場合は
双方の光出力の差は更に大きくなる。第３図に示される
ような結線で使用した場合、 １＋ｓ：Ｉｔ＋１２＋−１１ ここで、■は全電流 Ｉｔ、Ｉ２・・・それぞれの受光素子に生成される電流 １１・・・アイソレージランダイオードに生成される電
流 となる。
キシャル層２０で生成したキャリアは、上部のＰ“Ｎ−
型多分割受光素子と下部及び側面のアイソレージランダ
イオードとの光出力になるが、アイソレージ１ンダイオ
ードの方が通常面積が大きいため、その光出力が多分割
受光素子の光出力より大きくなる。更にＰ−型半導体基
板１８でもキャリアが生成することがあり、その場合は
双方の光出力の差は更に大きくなる。第３図に示される
ような結線で使用した場合、 １＋ｓ：Ｉｔ＋１２＋−１１ ここで、■は全電流 Ｉｔ、Ｉ２・・・それぞれの受光素子に生成される電流 １１・・・アイソレージランダイオードに生成される電
流 となる。
本発明は、この問題を解決したレーザピックアップ等に
有用な、アイソレージ１ンダイオード付ＰＮｆｉ多分割
受元素子金得ることを目的とするものである。
有用な、アイソレージ１ンダイオード付ＰＮｆｉ多分割
受元素子金得ることを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明においては、前記の問題を解決するため、たとえ
ばＰ″″を半導体基板１８の表面に選択的にＮ＋Ｕ埋込
み拡散層を設け、その表面にＮ−型エピタキシャル層２
０を成長させた。
ばＰ″″を半導体基板１８の表面に選択的にＮ＋Ｕ埋込
み拡散層を設け、その表面にＮ−型エピタキシャル層２
０を成長させた。
（作用）
本発明は、以上のような構造であるから、適切な厚さの
Ｎ−型エピタキシャル層２０で生成したキャリアは、Ｎ
型埋込み拡散層による電位の之め、Ｂ Ｓ Ｅ （Ｂ
ａｃｋ ５ｕｒｆａｅｅ Ｅｆｆｅｃｔ）効果によって
反射され、更にＰ−型半導体基板１８に生成し九キャリ
アは、上記Ｎ 型埋込み拡散層による電位によりトラッ
プされて、アイソレージランダイオードの光出力を低下
させる。
Ｎ−型エピタキシャル層２０で生成したキャリアは、Ｎ
型埋込み拡散層による電位の之め、Ｂ Ｓ Ｅ （Ｂ
ａｃｋ ５ｕｒｆａｅｅ Ｅｆｆｅｃｔ）効果によって
反射され、更にＰ−型半導体基板１８に生成し九キャリ
アは、上記Ｎ 型埋込み拡散層による電位によりトラッ
プされて、アイソレージランダイオードの光出力を低下
させる。
（実施例）
第１因は本発明の一実施例の略断面図である。
Ｐ−型半導体基板１８の表面に、選択的にＮ＋埋込み拡
散層１９會形成し、その上に約３０μ喝の厚さのＮ−型
エピタキシャル層２ｏ全成長させる。
散層１９會形成し、その上に約３０μ喝の厚さのＮ−型
エピタキシャル層２ｏ全成長させる。
レーザダイオードから発光される光の波長が約７８０
ｎｍの場合、Ｎ−盤エピタキシャル層２０の厚さが約３
０μｍであれば、大部分の光がこの層で吸収されてキャ
リアが発生する。次に、その表面の一部にＰ＋型受光拡
散層１６．１６’ｉ形成し、側面には素子分離用のＰ＋
型拡散層１４゜１４を形成する。第１図の場合はＰ＋型
受光拡散層１６゜１６の間は、Ｎ−型エピタキシャル層
１７で分割され、受光素子は２個形成されている。必要
に厄じて受光素子の数を多くすることができる。
ｎｍの場合、Ｎ−盤エピタキシャル層２０の厚さが約３
０μｍであれば、大部分の光がこの層で吸収されてキャ
リアが発生する。次に、その表面の一部にＰ＋型受光拡
散層１６．１６’ｉ形成し、側面には素子分離用のＰ＋
型拡散層１４゜１４を形成する。第１図の場合はＰ＋型
受光拡散層１６゜１６の間は、Ｎ−型エピタキシャル層
１７で分割され、受光素子は２個形成されている。必要
に厄じて受光素子の数を多くすることができる。
その後、カソード用のＮゝ型拡散層ＩＱ−形成し、それ
らの表面に酸化膜１１ｉ設は次後、所望の個所に孔を明
けてＡＩ金蒸着することにより、Ｎ＋型型数散層１５ら
一方の電極１２會取り出しｐ＋型型光光拡散層１６１６
から他方の電極１３，１３１−泡り出丁。Ｎ＋＋埋込み
拡散層１９に関する以外は、第２因の従来例と同様であ
って、同一の部分は同一の符号で表わされている。
らの表面に酸化膜１１ｉ設は次後、所望の個所に孔を明
けてＡＩ金蒸着することにより、Ｎ＋型型数散層１５ら
一方の電極１２會取り出しｐ＋型型光光拡散層１６１６
から他方の電極１３，１３１−泡り出丁。Ｎ＋＋埋込み
拡散層１９に関する以外は、第２因の従来例と同様であ
って、同一の部分は同一の符号で表わされている。
（発明の効果）
本発明によれば、適切な厚さのＮ−型エピタキシャル層
２０を設け、その下面にＮ＋＋埋込み拡散層１９を設け
であるから、アイソレージ冒ンダイオードに流れるキャ
リアを減少して、その光出力を、多分割受光素子の光出
力の１／ＩＯ程度にすることができる。従って、多分割
受光素子の効率を向上することができる。
２０を設け、その下面にＮ＋＋埋込み拡散層１９を設け
であるから、アイソレージ冒ンダイオードに流れるキャ
リアを減少して、その光出力を、多分割受光素子の光出
力の１／ＩＯ程度にすることができる。従って、多分割
受光素子の効率を向上することができる。
第１図は本発明の一実施例の略断面図、第２図は従来の
一例の略断面図、第３図は結線の一例會示す配線図、第
４図はレーザピックアップの構成の一例の説明図、第５
図はレーザピックアップの構成の他の例の説明図である
。 １１・・・酸化膜、１２・・・電極、１３・・・電極、
１４＋ ・・・Ｐ 型拡散層、１５・・・Ｎ 型拡散層、１６・
・、ｐ ＋型費光拡散層、１８・・・Ｐ−型半導体基板
、１９・・・Ｎ＋＋埋込み拡散層、２０・・・Ｎ−型エ
ピタキシャル層。 Ｃ・ 第 図
一例の略断面図、第３図は結線の一例會示す配線図、第
４図はレーザピックアップの構成の一例の説明図、第５
図はレーザピックアップの構成の他の例の説明図である
。 １１・・・酸化膜、１２・・・電極、１３・・・電極、
１４＋ ・・・Ｐ 型拡散層、１５・・・Ｎ 型拡散層、１６・
・、ｐ ＋型費光拡散層、１８・・・Ｐ−型半導体基板
、１９・・・Ｎ＋＋埋込み拡散層、２０・・・Ｎ−型エ
ピタキシャル層。 Ｃ・ 第 図
Claims (1)
- １、第一の導電型の半導体基板と、その表面に選択的に
形成された第二の導電型の埋込み層と、その表面に成長
された第二の導電型のエピタキシャル層と、該エピタキ
シャル層の表面に形成された複数の第一の導電型の受光
拡散層とよりなり、前記の受光拡散層と前記のエピタキ
シャル層とによって形成される受光素子は半導体基板と
電気的に分離されていることを特徴とするホトダイオー
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1007077A JPH02187079A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | ホトダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1007077A JPH02187079A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | ホトダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02187079A true JPH02187079A (ja) | 1990-07-23 |
Family
ID=11656021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1007077A Pending JPH02187079A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | ホトダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02187079A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0818093A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Sony Corp | 半導体受光素子及び半導体装置並びにそれらの作製方法 |
-
1989
- 1989-01-13 JP JP1007077A patent/JPH02187079A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0818093A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Sony Corp | 半導体受光素子及び半導体装置並びにそれらの作製方法 |
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