JPH02188427A - 無機組成物 - Google Patents
無機組成物Info
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- JPH02188427A JPH02188427A JP1035489A JP1035489A JPH02188427A JP H02188427 A JPH02188427 A JP H02188427A JP 1035489 A JP1035489 A JP 1035489A JP 1035489 A JP1035489 A JP 1035489A JP H02188427 A JPH02188427 A JP H02188427A
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、広い分野で利用されている誘電体材料の一種
である、少なくとも二種のアルカリ土類金属を含むチタ
ン酸系ペロブスカイトである無機組成物に関する。
である、少なくとも二種のアルカリ土類金属を含むチタ
ン酸系ペロブスカイトである無機組成物に関する。
〈従来の技術〉
一般に、ペロブスカイト構造を有する無機組成物とは、
チタン酸カルシウム鉱(ペロブスカイト)と同様な結晶
構造を有する組成物をいい、このような組成物を成形し
、焼結することにより、誘電性、圧電性、半導体性、絶
縁性、焦電性といった電気的機能をもった電子セラミッ
クスが得られる。
チタン酸カルシウム鉱(ペロブスカイト)と同様な結晶
構造を有する組成物をいい、このような組成物を成形し
、焼結することにより、誘電性、圧電性、半導体性、絶
縁性、焦電性といった電気的機能をもった電子セラミッ
クスが得られる。
近年、コンデンサ、サーミスタ等として、電子機器等に
大量に使用されているものである。
大量に使用されているものである。
従来、ペロブスカイト構造を有する無機組成物は、−膜
内には、−1CaSSrs Ba5Pb等の炭酸塩また
は酸化物と、’1SZr、 Sn等の酸化物を混合し、
1000℃程度の温度で仮焼した後、湿式粉砕し、濾過
、乾燥して製造されている。
内には、−1CaSSrs Ba5Pb等の炭酸塩また
は酸化物と、’1SZr、 Sn等の酸化物を混合し、
1000℃程度の温度で仮焼した後、湿式粉砕し、濾過
、乾燥して製造されている。
〈発明が解決しようとする課題〉
仮焼法によってペロブスカイト構造を有する無機組成物
を製造する場合、上記数種類のアルカリ土類金属等の炭
酸塩または酸化物の粉末原料とTi等の酸化物の粉末原
料とを、乾式または湿式法で混合する。しかし、均一組
成の原料粉末は得難い。
を製造する場合、上記数種類のアルカリ土類金属等の炭
酸塩または酸化物の粉末原料とTi等の酸化物の粉末原
料とを、乾式または湿式法で混合する。しかし、均一組
成の原料粉末は得難い。
【δて、混合物の化学反応を完了させるためには、どう
しても仮焼時の焼成温度を高く設定する必要があり、こ
のため仮焼物の粒径が粗大化してしまうという問題があ
る。
しても仮焼時の焼成温度を高く設定する必要があり、こ
のため仮焼物の粒径が粗大化してしまうという問題があ
る。
本発明者等は、仮焼法によってペロブスカイト構造を有
する無機組成物を製造する場合における上記問題を解決
するために、アルカリ土類金属のうち、Ba SSr
s Caの中から選ばれた少なくとも二種を含む炭酸塩
に関し、特願昭62−1131841号等に開示される
、二種または三種のアルカリ土類金属炭酸化合物の混合
物とは異なる新規なアルカリ土類金属炭酸化合物と、チ
タン化合物とを混合して焼成することによりペロブスカ
イトを製造すると、仮焼時の化学反応は、相当するそれ
ぞれの粉末原料を使用した混合物を焼成する場合に比べ
て約50℃程度低温で完了するという知見を得た。
する無機組成物を製造する場合における上記問題を解決
するために、アルカリ土類金属のうち、Ba SSr
s Caの中から選ばれた少なくとも二種を含む炭酸塩
に関し、特願昭62−1131841号等に開示される
、二種または三種のアルカリ土類金属炭酸化合物の混合
物とは異なる新規なアルカリ土類金属炭酸化合物と、チ
タン化合物とを混合して焼成することによりペロブスカ
イトを製造すると、仮焼時の化学反応は、相当するそれ
ぞれの粉末原料を使用した混合物を焼成する場合に比べ
て約50℃程度低温で完了するという知見を得た。
本発明は、上記知見に基きなされたものであって、その
目的とするところは、低温で仮焼し得るため、例えばセ
ラミック誘電体材料として用いて好適な微細な粒径を有
する無機組成物を提供することにある。
目的とするところは、低温で仮焼し得るため、例えばセ
ラミック誘電体材料として用いて好適な微細な粒径を有
する無機組成物を提供することにある。
く課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するための本発明に係る無機組成物は、
下記一般式(1)で表される化合物とチタン化合物とを
仮焼することにより得られる下記一般式(2)で表され
るペロブスカイト構造を有するものである。
下記一般式(1)で表される化合物とチタン化合物とを
仮焼することにより得られる下記一般式(2)で表され
るペロブスカイト構造を有するものである。
Ba M CO3・”(1)
1−x
Ba M Tie3=42)
l−x
但し、上記一般式(1) (2)中、Mはストロンチウ
ム(Sr )および/またはカルシウム(Ca)、Xは
0以上1未満である。
ム(Sr )および/またはカルシウム(Ca)、Xは
0以上1未満である。
上記チタン化合物としては、酸化チタンの他、加熱する
ことにより酸化チタンを生成する各種チタン酸、四塩化
チタン、硫酸チタン、硫酸チタニル(TL OS O&
)等が挙げられる。
ことにより酸化チタンを生成する各種チタン酸、四塩化
チタン、硫酸チタン、硫酸チタニル(TL OS O&
)等が挙げられる。
また、四塩化チタン、硫酸チタン等の水溶液にアンモニ
ア水、苛性アルカリ、炭酸アルカリ等を添加して中和し
、沈澱を生成せしめ、それを加熱分解することによって
得られる酸化チタンも本発明に係る無機組成物の製造に
おいて好適に用い得るものである。
ア水、苛性アルカリ、炭酸アルカリ等を添加して中和し
、沈澱を生成せしめ、それを加熱分解することによって
得られる酸化チタンも本発明に係る無機組成物の製造に
おいて好適に用い得るものである。
〈実施例〉
以下、本発明を実施例に基づいてより詳細に説明する。
なお、本発明は下記実施例により同等限定されるもので
はない。
はない。
(実施例1)
特願昭62−161841号等でいう、高純度炭酸バリ
ウム・ストロンチウム、Ba Sr CO30
,500,50 17,25g’ (強熱減量引き換算重量、以下におい
ても、同様)、高純度酸化チタン(堺化学工業社製)7
.99gおよび純水15011を、酸化ジルコニウムボ
ールを備えたポリエチレン製のボールミルにて湿式混合
した。その後、この混合物スラリーを濾過、乾燥した後
、温度1030℃で2時間仮焼した。この焼成物を前記
ボールミル中で再度湿式粉砕した後、濾過、乾燥して微
粒子粉末を得た。
ウム・ストロンチウム、Ba Sr CO30
,500,50 17,25g’ (強熱減量引き換算重量、以下におい
ても、同様)、高純度酸化チタン(堺化学工業社製)7
.99gおよび純水15011を、酸化ジルコニウムボ
ールを備えたポリエチレン製のボールミルにて湿式混合
した。その後、この混合物スラリーを濾過、乾燥した後
、温度1030℃で2時間仮焼した。この焼成物を前記
ボールミル中で再度湿式粉砕した後、濾過、乾燥して微
粒子粉末を得た。
上記操作により得られた微粒子粉末をX線回折(銅ター
ゲツト、ニッケルフィルタ)により分析した結果を第1
図に示す。第1図は、縦軸にCPS (Count P
er 5econd)を、また横軸に2θ(度)をとっ
て示したものである(以下の第2図〜第6図においても
同様である)。同図に示すX線回折パターンより、この
微粒子は、立方晶系ペロブスカイト相の単相Ba
Sr TcOxであることが確0.50 0.50 認できた(X−0,50は化学分析結果による)。
ゲツト、ニッケルフィルタ)により分析した結果を第1
図に示す。第1図は、縦軸にCPS (Count P
er 5econd)を、また横軸に2θ(度)をとっ
て示したものである(以下の第2図〜第6図においても
同様である)。同図に示すX線回折パターンより、この
微粒子は、立方晶系ペロブスカイト相の単相Ba
Sr TcOxであることが確0.50 0.50 認できた(X−0,50は化学分析結果による)。
また、上記微粒子の透過型電子顕微鏡写真(倍率: 1
000倍)を第7図に示す。同図に示す顕微鏡写真から
、上記微粉末は粒径が0.7μ山前後で、かなり均一な
微粒子からなることが分かった。
000倍)を第7図に示す。同図に示す顕微鏡写真から
、上記微粉末は粒径が0.7μ山前後で、かなり均一な
微粒子からなることが分かった。
さらに、仮焼前の混合粉末を用いて、重量減と温度との
関係を求め、第9図に実線で示した。
関係を求め、第9図に実線で示した。
(実施例2)
実施例1と同様の方法で、高純度炭酸ストロンチウム・
カルシウムSr Ca CO314,050,
850,15 gと高純度酸化チタン7.99gおよび純水15011
を用いて仮焼物の微粒子粉末を得た。
カルシウムSr Ca CO314,050,
850,15 gと高純度酸化チタン7.99gおよび純水15011
を用いて仮焼物の微粒子粉末を得た。
仮焼は900℃の温度で2時間行った。
上記操作により得られた微粒子粉末は、第3図に示すX
線回折分析結果から立方晶系ペロブスカイト相の単相S
r Ca TL 03であることが確認011
5 0.15 できた。その粒子径は、約0.5μmであった。
線回折分析結果から立方晶系ペロブスカイト相の単相S
r Ca TL 03であることが確認011
5 0.15 できた。その粒子径は、約0.5μmであった。
さらに、仮焼前の混合粉末を用いて重量減と温度との関
係を求め、第10図に実線で示した。
係を求め、第10図に実線で示した。
(実施例3)
実施例1と同様の方法で、高純度炭酸バリウム・ストロ
ンチウム・カルシウム Ba Sr Ca CO316,80gと
高純度酸0.60 0.20 0.20 化チタン7.99gおよび純水150 IIを用いて仮
焼物の微粒子粉末を得た。
ンチウム・カルシウム Ba Sr Ca CO316,80gと
高純度酸0.60 0.20 0.20 化チタン7.99gおよび純水150 IIを用いて仮
焼物の微粒子粉末を得た。
仮焼は1000℃の温度で2時間行った。
上記操作により得られた微粒子粉末は、第5図に示すX
線回折分析結果からペロブスカイト構造のBa S
r Ca Ti 03であることが確認でき0
.60 0.20 0.20 た。その粒子径は、約0.7μ履であった。
線回折分析結果からペロブスカイト構造のBa S
r Ca Ti 03であることが確認でき0
.60 0.20 0.20 た。その粒子径は、約0.7μ履であった。
さらに、仮焼前の混合粉末を用いて重量減と温度との関
係を求め、第11図に実線で示した。
係を求め、第11図に実線で示した。
(比較例1)
実施例1において用いたBa Sr CXJs
に対0.50 0.50 応する単一の炭酸化合物すなわち高純度炭酸バリウム(
堺化学工業社製)9.87gと高純度炭酸ストロンチウ
ム(堺化学工業社製)7.38gと高純度酸化チタン7
.99gおよび純水15011を用いて実施例1と同様
にして、比較試験を行った。仮焼は第9図に破線で示す
加熱減量測定結果より、1100℃の温度で2時間行っ
た。
に対0.50 0.50 応する単一の炭酸化合物すなわち高純度炭酸バリウム(
堺化学工業社製)9.87gと高純度炭酸ストロンチウ
ム(堺化学工業社製)7.38gと高純度酸化チタン7
.99gおよび純水15011を用いて実施例1と同様
にして、比較試験を行った。仮焼は第9図に破線で示す
加熱減量測定結果より、1100℃の温度で2時間行っ
た。
また、第2図に示すX線回折分析結果から、実施例1と
同じく立方晶系ペロブスカイト相であることが確認でき
た。
同じく立方晶系ペロブスカイト相であることが確認でき
た。
さらに、′s8図に示す電子顕微鏡写真(倍率:100
0倍)より、粒子径は約1.1μlで実施例1と比較し
て若干粗大化していることが分かった。
0倍)より、粒子径は約1.1μlで実施例1と比較し
て若干粗大化していることが分かった。
(比較例2)
比較例1と同様にして、実施例2に対する比較試験を行
った。
った。
原料として、高純度炭酸ストロンチウム12.55g、
高純度炭酸カルシウム(日本石灰工業所社製)1.50
g、高純度酸化チタン7.99gおよび純水150 x
lを用いた。
高純度炭酸カルシウム(日本石灰工業所社製)1.50
g、高純度酸化チタン7.99gおよび純水150 x
lを用いた。
仮焼は、第10図に破線で示す加熱減量測定結果より、
950℃の温度で2時間行った。
950℃の温度で2時間行った。
第4図に示すX線回折分析結果は、実施例2で得られた
第3図に示す結果と同一であることが確認できた。また
、その粒子径は、約1.0μmであった。
第3図に示す結果と同一であることが確認できた。また
、その粒子径は、約1.0μmであった。
(比較例3)
比較例1と同様にして、実施例3に対する比較試験を行
った。
った。
原料として、BaCO311、84g 5SrCO32
,95g5CaCO32,00g1丁、827.99g
および純水15011を用いた。
,95g5CaCO32,00g1丁、827.99g
および純水15011を用いた。
仮焼は、第11図に示す加熱域ff1i9J定結果より
、1070℃の温度で2時間行った。
、1070℃の温度で2時間行った。
第6図に示すX線回折分析結果は、実施例3で得られた
第5図に示す結果と同一であることが確認できた。また
、その粒子径は、約1.5μmであった。
第5図に示す結果と同一であることが確認できた。また
、その粒子径は、約1.5μmであった。
以上の実施例1〜3および比較例1〜3より、本発明に
係る、上記特願昭82−1[11B41等による二種ま
たは三種のアルカリ土類金属を含むチタン酸塩であるペ
ロブスカイト構造の無機組成物は、予期し得ないことに
、対応するアルカリ土類金属の単一の炭酸化合物の二種
または三種の混合物を用いて同様に製造する無機組成物
よりも約50℃低温で焼成することにより得られ、粒径
の小さい緻密な焼結体が得られることが分かった。
係る、上記特願昭82−1[11B41等による二種ま
たは三種のアルカリ土類金属を含むチタン酸塩であるペ
ロブスカイト構造の無機組成物は、予期し得ないことに
、対応するアルカリ土類金属の単一の炭酸化合物の二種
または三種の混合物を用いて同様に製造する無機組成物
よりも約50℃低温で焼成することにより得られ、粒径
の小さい緻密な焼結体が得られることが分かった。
従って、本発明に係る無機組成物を用いることによって
、セラミックHalt体の製造において、優れた電気特
性が期待される上に、熱エネルギーの節減により製造費
用を低廉化することが可能になる。
、セラミックHalt体の製造において、優れた電気特
性が期待される上に、熱エネルギーの節減により製造費
用を低廉化することが可能になる。
また、本発明に係る無機組成物に他の成分を加えも良い
。例えば、陽、Y等をドープすることにより半導体化さ
せることができる。また、101St 02等のいわゆ
る鉱化剤を加えても良い。
。例えば、陽、Y等をドープすることにより半導体化さ
せることができる。また、101St 02等のいわゆ
る鉱化剤を加えても良い。
さらに、上記一般式口(Ba M TLOx)中
の 1−x Mを一1円等の21aliの元素で置換することができ
、またT、の全部または一部をZr s ST1等の4
価の元素で置換し得ることは、周知の通りである。
の 1−x Mを一1円等の21aliの元素で置換することができ
、またT、の全部または一部をZr s ST1等の4
価の元素で置換し得ることは、周知の通りである。
〈発明の効果〉
以上詳述したように、本発明に係る無機組成物は、従来
の無機組成物に比べ低温で仮焼して得られるため、例え
ばセラミック誘電体材料として好適に用いられるべき微
細な粒径を有する等、本発明は優れた特有の効果を奏す
る。
の無機組成物に比べ低温で仮焼して得られるため、例え
ばセラミック誘電体材料として好適に用いられるべき微
細な粒径を有する等、本発明は優れた特有の効果を奏す
る。
第1図、第3図および第5図は本発明に係る無機組成物
のX線回折図、また第2図、第4図および第6図は各々
対応する比較試験生成組成物のX線回折図、第7図は本
発明に係る無機組成物の透過型電子顕微鏡写真、第8図
は対応する比較試験生成組成物の透過型電子顕微鏡写真
、第9図〜第11図は本発明に係る無機組成物および対
応する比較試験生成組成物についての温度と重量減との
関係を示すグラフである。 特許出願人 堺化学工業株式会社 X 7QOg。 第 図 x+0,000 第 図 温度(”C) 第10図 第 11図 書(方式)(2版記号なし 6゜ 補正の対象 平成1年5月24日 明細書中、発明の詳細な説明 および図面の簡単な説明の各欄 2、発明の名称 平成1年 第10354号 7゜ 補正の内容 (1)明細書中筒6頁第7行〜第8行の「上記微粒子・
・・・・・・・・1000倍)を」の記載を「上記微粒
子の粒子構造を示す透過型電子顕微鏡写真(倍率: 1
000倍)を」と訂正する。 (2同書第8頁第10行〜第11行の「示す・・・・・
・・・・1000倍)より」の記載を「示す粒子構造の
電子顕微鏡写真(倍率:1000倍)より」と訂正する
。 (3)同書第11頁第10行〜第12行の[無機組成物
の・・・・・・・・・電子顕36補正をする者 事件との関係
のX線回折図、また第2図、第4図および第6図は各々
対応する比較試験生成組成物のX線回折図、第7図は本
発明に係る無機組成物の透過型電子顕微鏡写真、第8図
は対応する比較試験生成組成物の透過型電子顕微鏡写真
、第9図〜第11図は本発明に係る無機組成物および対
応する比較試験生成組成物についての温度と重量減との
関係を示すグラフである。 特許出願人 堺化学工業株式会社 X 7QOg。 第 図 x+0,000 第 図 温度(”C) 第10図 第 11図 書(方式)(2版記号なし 6゜ 補正の対象 平成1年5月24日 明細書中、発明の詳細な説明 および図面の簡単な説明の各欄 2、発明の名称 平成1年 第10354号 7゜ 補正の内容 (1)明細書中筒6頁第7行〜第8行の「上記微粒子・
・・・・・・・・1000倍)を」の記載を「上記微粒
子の粒子構造を示す透過型電子顕微鏡写真(倍率: 1
000倍)を」と訂正する。 (2同書第8頁第10行〜第11行の「示す・・・・・
・・・・1000倍)より」の記載を「示す粒子構造の
電子顕微鏡写真(倍率:1000倍)より」と訂正する
。 (3)同書第11頁第10行〜第12行の[無機組成物
の・・・・・・・・・電子顕36補正をする者 事件との関係
Claims (1)
- 1. 下記一般式(1)で表される化合物とチタン化合
物とを仮焼することにより得られ る下記一般式(2)で表されるペロブスカイト構造を有
する無機組成物。 Ba_XM_1_−_XCO_3・・・(1)Ba_X
M_1_−_XTiO_3・・・(2)但し、上記一般
式(1)(2)中、Mはストロンチウム(Sr)および
/またはカルシウ ム(Ca)、Xは0以上1未満である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1035489A JPH02188427A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 無機組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1035489A JPH02188427A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 無機組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02188427A true JPH02188427A (ja) | 1990-07-24 |
Family
ID=11747844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1035489A Pending JPH02188427A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 無機組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02188427A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5314651A (en) * | 1992-05-29 | 1994-05-24 | Texas Instruments Incorporated | Fine-grain pyroelectric detector material and method |
| US5566046A (en) * | 1994-02-18 | 1996-10-15 | Texas Instruments Incorporated | Microelectronic device with capacitors having fine-grain dielectric material |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01167227A (ja) * | 1987-12-23 | 1989-06-30 | Nippon Chem Ind Co Ltd | チタン系ペロブスカイト型セラミック原料の製造法 |
-
1989
- 1989-01-18 JP JP1035489A patent/JPH02188427A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01167227A (ja) * | 1987-12-23 | 1989-06-30 | Nippon Chem Ind Co Ltd | チタン系ペロブスカイト型セラミック原料の製造法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5314651A (en) * | 1992-05-29 | 1994-05-24 | Texas Instruments Incorporated | Fine-grain pyroelectric detector material and method |
| US5566046A (en) * | 1994-02-18 | 1996-10-15 | Texas Instruments Incorporated | Microelectronic device with capacitors having fine-grain dielectric material |
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