JPH02189331A - 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂成形材料Info
- Publication number
- JPH02189331A JPH02189331A JP1042489A JP1042489A JPH02189331A JP H02189331 A JPH02189331 A JP H02189331A JP 1042489 A JP1042489 A JP 1042489A JP 1042489 A JP1042489 A JP 1042489A JP H02189331 A JPH02189331 A JP H02189331A
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- JP
- Japan
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- epoxy resin
- molding material
- moisture resistance
- resin molding
- semiconductor
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、半導体封止用エポキシ樹脂成形材料に関す
るものである。さらに詳しくは、この発明は、成形性お
よび耐湿性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂成形材料
に関するものである。
るものである。さらに詳しくは、この発明は、成形性お
よび耐湿性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂成形材料
に関するものである。
(従来の技術)・
半導体素子の封止用成形材料としては、従来より耐湿性
、耐熱性等の性能や、価格などの点においてエポキシ樹
脂を主成分とするものが広く使用されているが、近年で
は半導体素子の高密度化、高集積化によりパッケージの
超小型化、薄型化が進み、樹脂成形材料の成形性、耐湿
性の向上が重要な課題となっている。
、耐熱性等の性能や、価格などの点においてエポキシ樹
脂を主成分とするものが広く使用されているが、近年で
は半導体素子の高密度化、高集積化によりパッケージの
超小型化、薄型化が進み、樹脂成形材料の成形性、耐湿
性の向上が重要な課題となっている。
成形性としては、半導体封止の成形時にパリが生じない
こと等が要求され、この成形性の向上を図るために従来
よりリン系(TPP等)または第三級アミン系(DBU
等)等の硬化助剤が使用されてきている。
こと等が要求され、この成形性の向上を図るために従来
よりリン系(TPP等)または第三級アミン系(DBU
等)等の硬化助剤が使用されてきている。
また、耐湿性の向上を図るためには、半導体素子と封止
樹脂との間に発生する熱応力を低減させることが必要で
あることから、膨張係数や弾性率を低下させることが種
々の方法により試みられてきている。たとえば、官能基
としてエポキシ基を有する変性シリコーンオイル等のシ
リコーン系低応力改質剤を耐湿性付与剤として添加する
ことなどか試みられている。
樹脂との間に発生する熱応力を低減させることが必要で
あることから、膨張係数や弾性率を低下させることが種
々の方法により試みられてきている。たとえば、官能基
としてエポキシ基を有する変性シリコーンオイル等のシ
リコーン系低応力改質剤を耐湿性付与剤として添加する
ことなどか試みられている。
(発明か解決しようとする課題)
しかしなから、成形性と耐湿性の双方の向上を図るため
、これまでの硬化助剤と耐湿性付与剤とを併用しても、
耐湿性は良好なものとなるが、成形性は十分に向上した
ものとならず、成形時に多量のパリが発生していた。そ
のため、これまでの封止用成形材料は、超ミニパッケー
ジ用の封止に十分に適用できるものとはなっていないの
が実状である。
、これまでの硬化助剤と耐湿性付与剤とを併用しても、
耐湿性は良好なものとなるが、成形性は十分に向上した
ものとならず、成形時に多量のパリが発生していた。そ
のため、これまでの封止用成形材料は、超ミニパッケー
ジ用の封止に十分に適用できるものとはなっていないの
が実状である。
この発明は以上の通りの事情に鑑みてなされたものであ
り、従来の半導体素子の封止用成形材料の欠点を改善し
、良好な耐湿性を有し、かつ、パリの発生量が極めて少
なく、成形性にも優れ、超ミニバッゲージの封止にも好
適に使用することのできる半導体封止用成形材料を提供
することを目的としている。
り、従来の半導体素子の封止用成形材料の欠点を改善し
、良好な耐湿性を有し、かつ、パリの発生量が極めて少
なく、成形性にも優れ、超ミニバッゲージの封止にも好
適に使用することのできる半導体封止用成形材料を提供
することを目的としている。
(課題を解決するための手段)
この発明は、上記の課題を解決するしのとして、エポキ
シ樹脂系成形材料であって、硬化助剤として6−ジブチ
ルアミノ−1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウン
デセン−7またはその誘導体を配合してなることを特徴
とする半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を提供する。
シ樹脂系成形材料であって、硬化助剤として6−ジブチ
ルアミノ−1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウン
デセン−7またはその誘導体を配合してなることを特徴
とする半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を提供する。
以下、この発明の半導体封止用成形材料について詳関1
に説明する。
に説明する。
この発明の半導体封止用成形材料は、硬化助剤として、
6−ジブチルアミノ−1.8−ジアザビシクロ(5,4
,0)ウンデセンづまたはそのアルキル、アルケニル、
アミノ基置換等の誘導体を含有することにより耐湿性と
成形性の双方を向上させたものとなっている。
6−ジブチルアミノ−1.8−ジアザビシクロ(5,4
,0)ウンデセンづまたはそのアルキル、アルケニル、
アミノ基置換等の誘導体を含有することにより耐湿性と
成形性の双方を向上させたものとなっている。
この6−ジブチルアミノ−1.8−ジアザビシクロ(5
,4,0)ウンデセン−7類の半導体封止用成形材料に
対する添加量は触媒量でよく、その成形材料全体量の0
.02〜1(hvt% 、さらには0.05〜5wt%
とするのが好ましい。0.02vt%未満であると、添
加効果か少なく、また、10wt%を超えて添加しても
大きな効果はなく不経済となる。
,4,0)ウンデセン−7類の半導体封止用成形材料に
対する添加量は触媒量でよく、その成形材料全体量の0
.02〜1(hvt% 、さらには0.05〜5wt%
とするのが好ましい。0.02vt%未満であると、添
加効果か少なく、また、10wt%を超えて添加しても
大きな効果はなく不経済となる。
この発明の半導体封止用成形材料において、ベース樹脂
としては、耐湿性、耐熱性等の性能の良好なものとして
知られている従来公知のエポキシ樹脂等を適宜使用する
ことができる。このようなエポキシ樹脂としては、たと
えば、ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型
エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、脂環
式エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂などを例示す
ることができる。
としては、耐湿性、耐熱性等の性能の良好なものとして
知られている従来公知のエポキシ樹脂等を適宜使用する
ことができる。このようなエポキシ樹脂としては、たと
えば、ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型
エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、脂環
式エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂などを例示す
ることができる。
また、硬化剤としてもノボラック型フェノール樹脂など
従来より使用されているものを用いることができる。特
に、ノボラック型フェノール樹脂としては、1分子中に
2個以上のフェノール性水酸基を有するものを好適な硬
化剤として例示することができる。
従来より使用されているものを用いることができる。特
に、ノボラック型フェノール樹脂としては、1分子中に
2個以上のフェノール性水酸基を有するものを好適な硬
化剤として例示することができる。
さらに封止用樹脂としての特性を損なわない限り他の種
々の充填剤や添加剤を含有することができる。たとえば
、結晶性シリカや溶融シリカ等の充填剤、低応力改質剤
、難燃剤、硬化促進剤、離型剤、着色剤などを半導体素
子の種類、用途に応じて適宜配合することができる。
々の充填剤や添加剤を含有することができる。たとえば
、結晶性シリカや溶融シリカ等の充填剤、低応力改質剤
、難燃剤、硬化促進剤、離型剤、着色剤などを半導体素
子の種類、用途に応じて適宜配合することができる。
また、この発明の半導体封止用成形材料を用いて半導体
を封止する方法としては、従来と同様の方法を封止する
半導体素子等に応じて適宜採用することができる。
を封止する方法としては、従来と同様の方法を封止する
半導体素子等に応じて適宜採用することができる。
(作 用)
この発明の半導体封止用成形材料は、硬化助剤として、
6−ジブチルアミノ−1,8−ジアザビシクロ(5,4
,0)ウンデセン−7を含有するので、半導体素子の封
止の耐湿性を優れたものにすると共に、その成形性ら著
しく向上させることができる。
6−ジブチルアミノ−1,8−ジアザビシクロ(5,4
,0)ウンデセン−7を含有するので、半導体素子の封
止の耐湿性を優れたものにすると共に、その成形性ら著
しく向上させることができる。
(実施例)
以下、実施例を示して、この発明の半導体封止用成形材
料を具体的に説明する。
料を具体的に説明する。
実施例1
クレーゾールノボラック型エポキシ樹脂にフェノールノ
ボラック系硬化剤、結晶シリカ、その他添加剤を配合し
、これに硬化助剤として、6−ジブチルアミノ−1,8
−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセンづ(以下、
DBA−DBUと略記する)を1v4t%添加して半導
体封止用エポキシ樹脂成形材料を製造しな。
ボラック系硬化剤、結晶シリカ、その他添加剤を配合し
、これに硬化助剤として、6−ジブチルアミノ−1,8
−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセンづ(以下、
DBA−DBUと略記する)を1v4t%添加して半導
体封止用エポキシ樹脂成形材料を製造しな。
得られた半導体封止用エポキシ樹脂成形材料により半導
体素子を封止し、成形性と耐湿性を評価した。この場合
、複合耐湿性と成形性を評価する半導体素子としては、
耐湿性評価用の標準素子を用い、成形性は20μmのス
リットをしみ出ずバリの最大距離(nn)によって評価
し、また、耐湿性はPOTテスト(2ati、 15w
t°C、1001’t11%、 500時間)の不良数
によって評価した。
体素子を封止し、成形性と耐湿性を評価した。この場合
、複合耐湿性と成形性を評価する半導体素子としては、
耐湿性評価用の標準素子を用い、成形性は20μmのス
リットをしみ出ずバリの最大距離(nn)によって評価
し、また、耐湿性はPOTテスト(2ati、 15w
t°C、1001’t11%、 500時間)の不良数
によって評価した。
これらの評価結果は表1に示す通りであった。
後述の比較例との対比から明らかなように、この実施例
の封止は、これまでにない優れたパリ特性と十分な耐湿
性を示した。
の封止は、これまでにない優れたパリ特性と十分な耐湿
性を示した。
実施例2
硬化助剤としてDBA−DBUを4vt%添加し、実施
例1と同様に半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を製造
し、半導体素子を封止してその性質を評価した。
例1と同様に半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を製造
し、半導体素子を封止してその性質を評価した。
結果を表1に示す。
この実施例の封止においても、実施の11と同様に、極
めて優れたパリ特性と耐湿性を示した。
めて優れたパリ特性と耐湿性を示した。
比較例1
硬化助剤としてTPPを使用し、実施例1と同様に半導
体封止用エポキシ樹脂成形材料を製造し、半導体素子を
封止してその性質を評価した。
体封止用エポキシ樹脂成形材料を製造し、半導体素子を
封止してその性質を評価した。
結果を表1に示す。
この比較例の封正においては、耐湿性が著しく低下して
おり、また、パリ特性も実施例に比べて劣っていた。
おり、また、パリ特性も実施例に比べて劣っていた。
比較例2
硬化助剤としてDBUを使用し、実施例1と同様に半導
体封止用エポキシ樹脂成形材料を製造し、半導体素子を
封止してその性質を評価しな。
体封止用エポキシ樹脂成形材料を製造し、半導体素子を
封止してその性質を評価しな。
結果を表1に示す。
この比較例の封止においても耐湿性が著しく低下してお
り、また、パリ特性も十分なものではなかった。
り、また、パリ特性も十分なものではなかった。
比較例3
硬化助剤としてTPPを使用し、さらに耐湿性付与剤と
してエポキシ変性シリコンオイルを添加して実施例1と
同様に半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を製造し、半
導体素子を封止してその性質を評価しな。
してエポキシ変性シリコンオイルを添加して実施例1と
同様に半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を製造し、半
導体素子を封止してその性質を評価しな。
結果を表1に示す。
この比較例の封正においては、耐湿性は良好であったが
、パリ特性か著しく劣っていた。
、パリ特性か著しく劣っていた。
比較例4
硬化助剤として08tlを使用し、さらに耐湿性付与剤
としてエポキシ変性シリコンオイルを添加して実施例1
と同様に半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を製造し、
半導体素子を封止してその性質を評価した。
としてエポキシ変性シリコンオイルを添加して実施例1
と同様に半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を製造し、
半導体素子を封止してその性質を評価した。
結果を表1に示す。
この比較例の封止においても、耐湿性は良好であったが
、パリ特性が著しく劣っていた。
、パリ特性が著しく劣っていた。
(発明の効果)
この発明の半導体素子封止用エポキシ樹脂成形材料によ
れば、封止樹脂の耐湿性を向上させ、かつ、成形性も著
しく向上させることができ、特に、パリの発生量を極め
て少なくすることができる。
れば、封止樹脂の耐湿性を向上させ、かつ、成形性も著
しく向上させることができ、特に、パリの発生量を極め
て少なくすることができる。
このため、この発明の半導体封止用エポキシ樹脂成形材
料を用いることにより、パワートランジスタデバイスや
高@積化LSIの超ミニパッケージに対しても樹脂封止
を良好に行うことが可能となる。
料を用いることにより、パワートランジスタデバイスや
高@積化LSIの超ミニパッケージに対しても樹脂封止
を良好に行うことが可能となる。
Claims (2)
- (1) 硬化助剤として6−ジブチルアミノ−1、8−
ジアザビシクロ(5、4、0)ウンデセン−7またはそ
の誘導体を配合してなることを特徴とする半導体封止用
エポキシ樹脂成形材料。 - (2)6−ジブチルアミノ−1、8−ジアザビシクロ(
5、4、0)ウンデセン−7またはそのアルキル誘導体
を0.05〜5wt%配合した請求項(1)記載の半導
体封止用エポキシ樹脂成形材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1010424A JPH0733432B2 (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1010424A JPH0733432B2 (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02189331A true JPH02189331A (ja) | 1990-07-25 |
| JPH0733432B2 JPH0733432B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=11749773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1010424A Expired - Fee Related JPH0733432B2 (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0733432B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6495270B1 (en) | 1998-02-19 | 2002-12-17 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Compounds, hardening accelerator, resin composition, and electronic part device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6216484A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Sanapuro Kk | 新規アミジン,その製造法および使用法 |
-
1989
- 1989-01-19 JP JP1010424A patent/JPH0733432B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6216484A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Sanapuro Kk | 新規アミジン,その製造法および使用法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6495270B1 (en) | 1998-02-19 | 2002-12-17 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Compounds, hardening accelerator, resin composition, and electronic part device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0733432B2 (ja) | 1995-04-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |