JPH02192047A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、光磁気記録媒体に関し、さらに詳しくけ優れ
た耐酸化性、を有するとともに優れたＣ／Ｎ比を有する
ような光磁気記録媒体に関する。

発明の技術的背景 鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウム（Ｔｂ）、
ガドリニウム（Ｇｄ）などの希土類元素との合金からな
る非晶質薄膜は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し
、一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化方向とは
逆向きの小さな反転磁区を形成することができることが
知られている。

この反転磁区の有無を「１」、「０」に対応させること
によって、上記のような非晶質薄膜にデジタル信号を記
録させることが可能となる。

このような光磁気記録媒体として用いられる遷移金属と
希土類元素とからなる非晶質薄膜としては、たとえば特
公昭５７−２０６９１号公報に１５〜３０原子％のＴｂ
を含むＴｂ−Ｆｅ系合金非晶質薄膜が開示されている。

またＴ　ｂ−Ｆ　ｅに第３の金属を添加してなる合金非
晶質薄膜も光磁気記録媒体として用いられている。さら
にＴ　ｂ−Ｃｏ系、Ｔ　ｂ−Ｆ　ｅ−Ｃｏ系などの光磁
気記録媒体も知られている。

これらの合金非晶質薄膜からなる光磁気記録媒体は、優
れた記録再生特性を有しているが、使用時にこの非晶質
薄膜は酸化を受けてその特性が経時的に変化してしまう
という実用上の大きな問題点があった。

このような遷移金属と希土類元素とを含む合金非晶質薄
膜からなる光磁気記録媒体の酸化劣化のメカニズムは、
たとえば日本応用磁気学会誌第９巻、Ｎｏ、２、第９３
〜９６頁で検討されており、以下のような３つのタイプ
があることが報告されている。

イ）孔食 孔食とは合金非晶質薄膜にピンホールが発生することを
意味するが、この腐食は、主として高湿雰囲気下で進行
し、たとえばＴ　ｂ−Ｆ　ｅ系、ＴｂＣｏ系などで著し
く進行する。

口）表面酸化 合金非晶質薄膜に表面酸化層が形成され、カー回転角θ
ｋが経時的に変化し、ついにはカー回転角θｋが減少し
てしまう。

ハ）希土類金属の選択酸化 合金非晶質薄膜中の希土類金属が選択的に酸化され、保
磁力Ｈｃが経時的に大きく変化してしまう。

上記のような合金非晶質薄膜の酸化劣化を防止するため
、従来、種々の方法が試みられている。

たとえば、合金非晶質薄膜を、８１３Ｎ４、ＳｉＯ，Ｓ
ｉＯ、ＡＡ’Ｎなどの酸化防止保護膜でサンドイッチし
たような３層構造にする方法が検討されている。ところ
がこの酸化防止保護膜は高価であるとともに形成するの
に手間がかかり、またこの保護膜を形成しても必ずしも
合金非晶質薄膜の酸化劣化を充分には防止することがで
きないという問題点があった。

また、Ｔ　ｂ−Ｆ　ｅ系、Ｔｂ−Ｃ＋＋系などの合金非
晶質薄膜中に、この薄膜の耐酸化性を向上させるために
、第３の金属を添加する方法が種々試みられている。

たとえば上述した日本応用磁気学会誌では、Ｔ　ｂ−Ｆ
　ｅあるいはＴ　ｂ−ＣＯに、Ｃｏ　、Ｎｉ　　ｐｌ、
ＡＩ、Ｃｒ、Ｔｉなどの第３金属を３．５原子％までの
量で添加することによって、Ｔｂ−Ｆｅ系あるいはＴｂ
−Ｃｏ系の合金非晶質薄膜の耐酸化性を向上させる試み
がなされている。そしてＴｂ−ＦｅあるいはＴ　ｂ−Ｃ
ｏにＣｏ、Ｎｉ、Ｐｔを少量添加した場合には、表面酸
化の防止および孔食の防止には有効であるが、この合金
非晶質薄膜中の希土類金属であるＴｂの選択酸化の防止
には効果がないと報告されている。このことは、Ｔｂ−
ＦｅあるいはＴｂ−Ｃｏに少量のＣｏ　、Ｎｉ　　Ｐｊ
を添加した場合には、得られる合金非晶質薄膜では、Ｔ
ｂが選択酸化されてしまい、保磁力Ｈｃが経時的に大き
く変化してしまうことを意味している。したかってＴ　
ｂ−Ｆ　ｅあるいはＴｂ−Ｃｏに３．５原子％までの少
量のＣｏ　、Ｎｉ　　Ｐｊを添加しても、得られる合金
非晶質薄膜の耐酸化性は充分には改善されていない。

また第９回日本応用磁気学会学術講演概要集（１９８５
年１１月）の第２０９頁には、やはり合金非晶質薄膜の
耐酸化性を向上させる目的で、Ｔ　ｂ−Ｆ　ｅあるいは
Ｔ　ｂ−Ｆ　ｅ−ＣＯに、ＰＩ、ＡＩ。

Ｃｒ、Ｔｉを１０原子％までの量で添加してなる合金非
晶質薄膜が教示されている。ところがＴｂ−Ｆｅあるい
はＴ　ｂ−Ｆ　ｅ−Ｃｏに１０原子％までの量のＰｔ、
ＡＩ、Ｃｒ、Ｔｉを添加しても、表面酸化および孔食は
かなり効果的に防止できるものの、得られる合金非晶質
薄膜中のＴｂの選択酸化に対する酸化防止性は充分では
なく、やはり時間の経過とともに保磁力Ｈｃが大きく変
化し、ついには保磁力Ｈｃが大きく低下してしまうとい
う問題点は依然としてあった。

さらにまた、特開昭５８−７゛８０６号公報には、Ｐｊ
　Ｃｏなる組成を有し、ＰＩが１０〜３０原子％の量で
含まれている多結晶薄膜からなる磁気薄膜材料が開示さ
れている。

ところがこのＰｉ　Ｃｏなる組成を有する多結晶薄膜は
、多結晶であるため、成膜後にアニール処理などの熱処
理が必要であり、また結晶間の粒界部分がノイズ信号と
して発生することがあり、さらにこの多結晶薄膜はキュ
リー点が高いという問題点があった。

このような問題点を解決するため、本発明者らは、特願
昭６２−９４７９９号において、（ｉ）ＦｅまたはＧｏ
などの３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種と、（
ｉｉ）ＰｔまたはＰｄなどの耐腐食性金属と、（ｉｉｉ
　）希土類から選ばれる少なくとも１種の元素とからな
る、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜を
提案した。

この非晶質合金薄膜は、耐酸化性に優れているため、膜
厚を薄くすることができ、反りあるいは膜割れが生じに
くい光磁気記録媒体を得ることができる。

ところで上記のような耐酸化性に優れ、膜厚を薄くする
ことができる非晶質合金薄膜からなる光磁気記録膜に、
従来から用いられているアルミニウム、金などからなる
反射膜を設けた構成の光磁気記録媒体は、優れた感度（
ｃ／Ｎ比）を有しているが、さらに優れた感度を有する
光磁気記録媒体の出現が望まれている。

本発明者らは、上記のような点に鑑みて鋭意研究したと
ころ、光磁気記録媒体に特定の合金金属からなる反射膜
を設ければ、優れたＣ／Ｎ比を有する光磁気記録媒体が
得られることを見出して本発明を完成するに至った。

発明の目的 本発明は、上記のような点に鑑みて完成されたものであ
って、耐酸化性に優れているため光磁気記録膜を薄くす
ることが可能であって、光磁気記録媒体に反りあるいは
膜割れが生じに＜＜、シがも優れたＣ／Ｎ比を有し、そ
の上経時的に保磁力が変化したりあるいはカー回転角が
変化することがなく、さらに反射率も高い光磁気記録媒
体を提供することを目的としている。

発明の概要 本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上に（Ｉ）光磁気
記録膜と（ＩＩ）反射膜とが順次積層されてなる光磁気
記録媒体において、（Ｉ）光磁気記録膜は、 ［Ｐｄ　　Ｐｌｌ−８］、［ＲＥ　　ＴＭ　　　］ａ　
　　　　　　　　　　ｘ　　　　Ｌｘ　　１−ｙ（式中
、ＲＥは少なくとも５０原子％以上がＴｂおよび／また
はＤｙであり、残部がＮｄ　、　Ｇｄ　。

Ｃｅ　　Ｅｕ、Ｐｔ　　ＨｏＳＴｍ、Ｓｍであり、ＴＭ
はＦｅおよび／またはＣｏであり、０≦ａ≦１．０．２
＜ｘ＜Ｑ、７．０．０５≦ｙ≦０．３である）で表わさ
れる膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜か
らなり、 （ＩＩ）反射膜は、反射率が５０％以上であり、熱伝導
率が２Ｊ／ｃｍ−ｓｅｃｓＫ以下であり、（８）鉄を主
成分として、かつ銅、クロム、モリブデン、シリコンお
よびニッケルの少なくとも１種を含有する鉄合金、 （ｂ）銅を主成分として、かつアルミニウム、シリコン
、スズ、亜鉛およびニッケルの少なくとも１種を含有す
る銅合金、 （ｃ）鉛を主成分として、かつ銅、ビスマス、テルルお
よびスズの少なくとも１種を含有する鉛合金または （ｄ）ステンレス系合金、 からなることを特徴としている。

本発明に係る光磁気記録媒体では、基板上に、特定の組
成を有する非晶質合金薄膜からなる（Ｉ）光磁気記録膜
と、反射率５０％以上、熱伝導率２Ｊ／ａｌＩ−８ｅＣ
−に以下の上記のような合金からなる（ＩＩ）反射膜と
が順次積層された構成を有しており、耐酸化性に優れて
いるため光磁気記録膜を薄くすることが可能であって、
光磁気記録媒体に反りあるいは膜割れが生じにくく、し
かも優れたＣ／Ｎ比を有し、その上優れた光磁気光学特
性を有し、経時的に保持力が変化したりあるいはカー回
転角が変化することがなく、さらに反射率も高い。

発明の詳細な説明 以下本発明に係る光磁気記録媒体について具体的に説明
する。

本発明に係る光磁気記録媒体１は、第１図に断面図を示
すように、透明基板などの基板２上に、光磁気記録膜３
と反射膜４とがこの順序で積層された構成を有している
。

また第２図に示すように基板２と光磁気記録膜３との間
に、エンハンス膜５が設けられた構造を有していてもよ
い。

基板２は、透明基板であることが好ましく、具体的には
ガラスやアルミニウム等の無機材料の他に、ポリメチル
メタクリレート、ポリカーボネート、ポリカーボネート
とポリスチレンのポリマーアロイ、米国特許第４６１４
７７８号明細書に示されるような非晶質ポリオレフィン
、ポリ４−メチルーｌ−ペンテン、エポキシ樹脂、ポリ
エーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエーテルイ
ミド、エチレン・テトラシクロドデセン共重合体等の有
機材料の使用できる。

本発明で用いられる膜面に垂直な磁化容易軸を有する光
磁気記録膜３は、 ［Ｐｄ　　Ｐｌ　　　］　　　［ＲＥ　　ＴＭ　　　］
ａ　　　ｈａ　　ｙ　　　　Ｘ　　　ＬＸ　　ｂｙ・・
・［Ｉ］ （式中、ＲＥは少なくとも５０原子％以上がＴｂおよび
／またはＤｙであり、残部がＮｄ　、　Ｇｄ　。

Ｃｅ、Ｅｕ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｓｍであり、ＴＭはＦｅおよ
び／またはＣｏであり、０≦ａ≦１．０．２＜ｘ＜０．
７．０．０５≦ｙ≦０．３である）で表わされる。

さらに本発明で用いられる特に好ましい膜面に垂直な磁
化容易軸を有する光磁気記録膜は、上記式において０．
２５＜ｘ＜０．６であり、ＲＥの少なくとも８０原子％
以上好ましくは９０原子％以上がＴｂおよび／またはＤ
Ｙであり、残部がＮｄ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｅｕ５Ｐｒ、Ｈｏ
またはＳｍである光磁気記録膜である。

次にこのような好ましい光磁気記録膜について具体的に
説明する。

（ｉ）上記式においてＴＭは、ＦｅまたはＣｏあるいは
この両者である。このようなＴＭは、光磁気記録膜を上
記式［Ｉ］で表わした場合に、工Ｘ（ただし０．２＜ｘ
’＜０．７、好ましくは０．２．５＜ｘ≦０．６である
）で示されるような量で存在している。

ＴＭとしては、Ｆｅ　とＣｏ　とがともに存在している
ことが好ましく、とくにこのＴＭとしては、Ｆｅが９０
〜３５原子％の量で、そしてＣｏが１０〜６５原子％の
量で存在していることが好ましい。

なおＴＭとして、５原子％以下好ましくは３原子％以下
のＮｉを含んでいてもよい。

（ｉｉ　）本発明で用いられる光磁気記録膜は、Ｐｄあ
るいはＰｄとＰＩとの両者を含んでいる。

Ｐｄ、あるいはＰｔｌとＰｌとの両者は、光磁気記録膜
中に１５原子％以上で３０原子％以下好ましくは１０原
子％以上で２５原子％以下の量で存在している。

またＰｄとＰＩとは、これらの含有割合をＰｄ　　Ｐｊ
　　　で表わした場合に、０≦ａ≦１でａ　　　ト８ ある。Ｐｄの含有割合が０．２＜ａ≦１であると、経済
性に優れた光磁気記録膜が得られる。

このＰｄあるいはＰｄとＰＩとの両者の含有量が５原子
％未満であると、反射膜を積層しても得られる光磁気記
録膜の耐酸化性が充分には改善されず、経時的に保磁力
Ｈｃが大きく変化したりするため好ましくない。

また、３０原子％を越えて存在する場合には、得られた
光磁気記録膜のキュリー点が室温以下となり、光磁気記
録しにくくなる傾向もあるため好ましくない。

（ｉｉｉ　）本発明で用いられる光磁気記録膜は、上記
（ｉ）および（ｉｉ　）に加えて、少なくとも１種の希
土類元素（ＲＥ）を含んで構成されている。

このＲＥとしては、その５０原子％以上がＴｂおよび／
またはＤＹであり、残部がＮｄ　、　Ｇｄ　。

Ｃｅ、Ｅｕ、Ｐ＋、ＨｏまたはＳｍである。好ましくは
ＲＥの８０原子％以上がＴｂであり、残部がＤｙ、、、
Ｎｄ、Ｇｄ５Ｃｅ、ＥｕＸＰｒ、ＨｏまたはＳｍである
。さらに好ましくは、ＲＥの９０原子％以上特に好まし
くは９５原子％以上がＴｂであり、残部がＤｙ　、　Ｎ
ｄ　、　Ｇｄ　、％Ｃｅ　、　Ｅｕ　。

Ｐｒ、ＨｏまたはＳｍである。

上記のような希土類元素ＲＥは、光磁気記録膜を上記式
［Ｉ］で表わした場合に、０．２＜ｘ＜０．７好ましく
は０．２５＜ｘ＜０．６０であるような量で存在してい
る。

膜厚は１００〜６００人好ましくは１００〜４００人程
度であり、Ｘ値は良好な角形ループを示し、保磁力がＩ
ＫＯｅ以上となるために、好ましくは０．２５よりも大
きいことが望ましく、また０、６未満であることが望ま
しい。

上記のような組成を有する光磁気記録膜は、膜面に垂直
な磁化容易軸を有し、多くはカー・ヒステリシスが良好
な角形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な光
磁気記録膜となることがＶＳＭ測定（振動試料型磁力計
）などにより確かめられる。

ここでＸ≦０．２、Ｘ≧０．７であると、カーヒステリ
シスが良好な角形ループを示さなくなる傾向がある。

なお本明細書において、カー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すとは、最大外部磁場におけるカー回転角
である飽和カー回転角（θに１）と外部磁場ゼロにおけ
るカー回転角である残留カー回転角（θに２）との比θ
に２／θｋｌが０．８以上であることを意味している。

また上記のような本発明で用いられる光磁気記録膜は、
優れた耐酸化性を有し、第３図に示すようにＰ　ｄ　１
ｏＰ　ｔ＋ｏＴ　ｂ　３５Ｆ　！　２５ＣＯ２０なる組
成を有する光磁気記録膜は、たとえば８５℃、相対湿度
８５％の環境下に２４０時間以上保持しても、その保磁
力はほとんど変化しない。これに対して、Ｐｄあるいは
ＰｄとＰＩとの両者を含まないＴｂ　　Ｃｏ　　あるい
はＴｂ２５Ｆｅ６６Ｃ０９なる組成を有する光磁気記録
膜は、８５℃、相対湿度８５％の環境下に保持すると、
その保磁力は経時的に大きく変化してしまう。さらにこ
の環境試験を１０００時間続けると、ＰｄあるいはＰｄ
とｐｔとの両者を含有する系はやはりその保磁力がほと
んど変化しない。これらのことより、ＰｄあるいはＰｔ
ｌとＰＩとの両者を含む系は、希土類の選択酸化を抑制
することがわかる。

また、環境試験後におけるθにの変化も小さいことから
表面酸化が防止されていること、ならびに、顕微鏡によ
る膜表面の観察から孔食の発生も抑制されていることが
わかる。

また、Ｐ　ｄ　１２Ｐ　ｌ　６Ｔｂ　３４Ｆ　ｅ　２７
ＣＯ２１、Ｐ　ｄ　５Ｐ　ｔ　ｔｓＴｂ　３６Ｆ　ｅ　
２５ＣＯ１９などの組成を有する光磁気記録膜も同様に
優れた耐酸化性を有し、その保磁力はほとんど変化しな
い。

このように本発明で用いられる光磁気記録膜は、耐酸化
性に著しく優れており、したがってこの光磁気記録膜を
使用する際に、必ずしも酸化防止保護膜を光磁気記録膜
上に設ける必要はないという優れた特性を有している。

本発明で用いられる光磁気記録膜では、その他に種々の
元素を添加して、キュリー温度や補償温度あるいはＨｃ
やθにの改善あるいは低コスト化を計ってもよい。これ
らの元素は、希土類元素に対してたとえば５０原子％未
満の割合で置換可能である。

併用できる他の元素の例としては、 （Ｉ）Ｆｅ　、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素具体的には、Ｓ
ｃ、Ｔｉ　　Ｖ、Ｃｒ　　Ｍｎ。

Ｎｉ　　　Ｃｕ　、Ｚｎが用いられる。

これらのうち、Ｔｉ　　　Ｎｉ　、Ｃｕ　ＳＺｎなどが
好ましく用いられる。

（ＩＩ）４ｄ遷移元素 具体的には、Ｙ、Ｚ＋　　Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ。

Ｒｕ　、Ｒｈ　、Ａｇ　ＳＣｄが用いられる。

このうちＺｒ５Ｎｂが好ましく用いられる。

（ｍ）ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 具体的には、ＨＩ　　Ｔａ　、Ｗ、Ｒｅ、、Ｏｓ１丁、
Ａｕ　ＳＨｇが用いられる。

このうちＴａが好ましく用いられる。

（ＴＶ）ＩＵＢ族元素 具体的には、ＢＳＡＡ’％　Ｇａ　、Ｉｎ　、Ｔ＃が用
いられる。

このうちＢ、ＡＩ、Ｇａが好ましく用いられる。

（Ｖ）ＩＶＢ族元素 具体的には、Ｃ，Ｓｉ　　Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが用いられ
る。

このうち、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが好ましく用いられ
る。

（Ｖｌ）ＶＢ族元素 具体的には、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉが用いられる。

このうちｓｂが好ましく用いられる。

（■）ＶＩＢ族元素 具体的には、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏが用いられる。

このうちＴｅが好ましく用いられる。

本発明に係る光磁気記録媒体１では、上記のような光磁
気記録膜３上に、反射膜４が設けられている。

この反射膜４は、反射率が５０％以上好ましくは７０％
以上であり、熱伝導率が２Ｊ／Ｃｍ−８ｅＣ−に以下好
ましくはＩＪ／Ｃ［１Ｉ−８ｅＣ−に以下である下記の
ような合金から構成されている。

（ａ）鉄合金 本発明で用いられる鉄合金は、鉄を主成分とし、かつ銅
、クロム、モリブデン、シリコンおよびニッケルからな
る群から選択される少なくとも１種を含有している。

このような反射膜を構成する鉄合金としては、具体的に
は下記のような鉄合金を用いることができる。

Ｆ　ｅ−Ｃｒ−Ｎ　ｉ系合金（１９〜２０原子％Ｃｒ。

２２〜２４原子％Ｎｉ、２〜３原子％ＭＯ１１〜１．７
５原子％Ｃｕ、１〜３．２５原子％５Ｏ１０７原子％Ｃ
１残部Ｆｅ、あるいは２０原子％Ｃｒ、２９原子％Ｎｉ
、２原子％ＭＯ１４原子％Ｃｕ、１原子％Ｓｉ　　Ｏ，
０７原子％Ｃ１残部Ｆｅ、もしくは２５原子％Ｃｒ、３
５原子％Ｎ５原子％Ｍｏ、０．２〜０．５原子％Ｃ１残
部Ｆｅ） Ｆ　ｅ−Ｃｒ系合金（４〜１０原子％Ｃ＋、０．５〜１
．５原子％ＭＯ１残部Ｆｅ） （ｂ）銅合金 本発明で用いられる銅合金は、銅を主成分とし、かつア
ルミニウム、シリコン、スズ、亜鉛およびニッケルから
なる群から選択される少なくとも１種を含有している。

このような反射膜を構成する銅合金としては、具体的に
は下記のような銅合金を用いることができる。

Ｃｕ−Ａｌ系合金（８，５〜１１１１原子Ｉｌ、０〜４
原子％Ｆｅ、残部Ｃｕ） Ｃｕ−Ｓｉ系合金（１〜４原子％Ｓｉ、Ｑ〜１原子％Ｍ
ｎ、Ｏ〜１．７５原子％Ｓｎ、０．１原子％Ｚｎ、残部
Ｃｕ） Ｃｕ−８ｎ系合金（４〜１２原子％５ｎＯ１２５原子％
以下のｐｂまたはＺｎ、残部Ｃｕ）Ｃｕ−３ｎ−Ｚ　ｎ
系合金（２０原子％以下Ｓｎ。

１７原子％以下Ｚｎ　　（Ｚｎ　＜Ｓｎ　）　、少量の
ｐｂ、残部Ｃｕ） Ｃｕ−Ｚ　ｎ系合金（１７原子％以下Ｚｎ、残部Ｃｕ） Ｃｕ−Ｎ　ｉ系合金（８０原子％Ｃｕ、２０原子％Ｎｉ
あるいは７５原子％Ｃｕ、２０原子％Ｎｉ。

５原子％Ｚｎ、あるいは７０原子％Ｃｕ、３０原子％Ｎ
１） （ｃ）鉛合金 本発明で用いられる鉛合金は、鉛を主成分とし、かつ銅
、ビスマス、テルルおよびスズからなる群から選択され
る少なくとも１種を含有している。

このような反射膜を構成する鉛合金としては、具体的に
は下記のような鉛合金を用いることができる。

Ｐ　ｂ−Ｃｕ−Ｂ　ｉ−Ｔ　ｅ系合金（９９，８５原子
％ｐｂ、最高０．０８５原子％まで（７）Ｃｕ　、最高
０．００５原子％までのＢｉ　　Ｏ，０５原子％Ｔｅ） Ｐ　ｂ−Ｃｕ−Ｂ　ｉ系合金（９９原子％Ｐｂ、最高０
．０８原子％までのＣｕ、最高０．００５原子％までの
Ｂｉ） Ｐ　ｂ−８ｎ系合金（４〜１ｏ原子％Ｓｎ　　残部ｐｂ
） （ｄ）ステンレス系合金 本発明で用いられるステンレス系合金は、鉄を主成分と
し、かつクロム、ニッケル、モリブデンおよび炭素から
なる群がら選択される少なくとも１種を含有している。

このような反射膜を構成するステンレス系合金としては
、具体的には下記のようなステンレス系合金を用いるこ
とができる。

（ｉ）Ｃｒ　　：１６〜２０原子％、 Ｎｉ：１０〜１６原子％、 ＭＯ：２〜４原子％、 Ｃ：０．１原子％、残部Ｆｅ （ｉｉ）　Ｃｒ　　：　１０〜１６原子％、Ｎｉ：１７
〜１９原子％、 Ｍｏ　　：　１．２〜２．７５原子％、Ｃｕ　　二１．
０〜２．５原子％、 Ｃ：０．０８原子％、残部Ｆｅ （ｉｉｉ）　Ｃｒ　　：　２２〜２４原子％、Ｎｉ：１
２〜１５原子％、 Ｃ：０．１原子％、残部Ｆｅ （ｉＶ）　Ｃｔ　　：　２４〜２６原子％、Ｎｉ：１９
〜２２原子％、 Ｃ：Ｑ、ｌ原子％、残部Ｆｅ このようなニッケル合金からなる反射膜４を有する光磁
気記録媒体は、アルミニウム、金などからなる反射膜を
有する光磁気記録媒体と比較して、優れたＣ／Ｎ比を有
している。

すなわち、アルミニウムなどの熱伝導率が大きな反射膜
を用いると、レーザービームを照射して光磁気記録膜に
ピットを形成する場合に、レーザービームから光磁気記
録膜に得られた熱エネルギーがこの反射膜を伝わって拡
散するため、大きな記録レーザーパワーを必要とする。

さらに、光磁気記録膜に形成されるビットの形状は大き
くなったり、形状が乱れたりしてしまう。その他、反射
膜の膜厚に対する記録パワー依存性が大きくなりすぎて
しまう。

また一方低い熱伝導率で高い反射率を有するニッケル系
合金からなる反射膜４を設けることによって、光磁気記
録膜の膜厚を薄くしても、高いカー回転角、反射率を得
ることができる。

このような反射膜４の膜厚は、１００〜４０００人好ま
しくは２００〜２０００人程度である。

また光磁気記録膜３と反射膜との合計膜厚は３００〜４
６００人好ましくは３５０〜２４００人程度である。

本発明に係る光磁気記録媒体１では、上記のように基板
２と光磁気記録膜３との間にエンハンス膜５が設けられ
ていてもよく、エンハンス膜５は、基板の屈折率よりも
大きな屈折率を有する透明膜であれば用いることができ
る。

このようなエンハンス膜としては、Ｚｎ　Ｓ。

Ｚｎ　Ｓｅ　、Ｃｄ　Ｓ、Ｓｉ　　Ｎ　　、％Ｓｉ　Ｎ
ｘ　　（０＜ｘ＜４／３）　、Ｓｉ　　Ａｊ＋　Ｎなど
を用いることができる。このエンハンス膜の膜厚は、１
００〜１０００人好ましくは３００〜８５０人程度であ
る。

次に、本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法について
説明する。

基板温度を室温程度に保ち、非晶質合金薄膜を構成する
各元素からなるチップを所定割合で配置した複合ターゲ
ット、または所定割合の組成を有する合金ターゲットを
用い、スパッタリング法あるいは電子ビーム蒸着法など
の従来公知の成膜条件を採用して、この基板（基板は固
定していてもよく、また自転していてもよい）上に所定
組成の非晶質合金薄膜を被着させ、次いでこの上に反射
膜を上記と同様にして被着させることによって、本発明
に係る光磁気記録媒体を製造することができる。

このように本発明に係る光磁気記録媒体は、常温での成
膜が可能であり、膜面に垂直な磁化容易軸を持たせるた
めに成膜後にアニール処理などの熱処理をする必要がな
い。

なお必要に応じては、基板温度を５０〜６００℃に加熱
しながらまたは一５０℃まで冷却しながら、基板上に非
晶質合金薄膜を形成することもできる。

またスパッタリング時に、基板を負電位になるようにバ
イアスすることもできる。このようにすると、電界で加
速されたアルゴンなどの不活性ガスイオンはターゲット
物質ばかりでなく成膜されつつある垂直磁化膜をもたた
くことになり、優れた特性を有する垂直磁化膜が得られ
ることがある。

発明の効果 本発明に係る光磁気記録媒体では、基板上に、特定の組
成を有する非晶質合金薄膜からなる（Ｉ）光磁気記録膜
と、反射率５０％以上、熱伝導率２Ｊ／ｃｍ−８ｅＣ−
に以下の上記のような合金からなる（ＩＩ）反射膜とが
順次積層されて構成を有しており、耐酸化性に優れてい
るため光磁気記録膜を薄くすることが可能であって、光
磁気記録媒体に反りあるいは膜割れが生じにくく、しか
も優れたＣ／Ｎ比を有し、経時的に保磁力が変化したり
あるいはカー回転角が変化することがなく、さらに反射
率も高い。

以下本発明を実施例によって説明するが、本発明は、こ
れら実施例に限定されるものではない。

実施例１ エチレン・テトラシクロドデセン共重合体（エチレン含
量６０モル％、テトラシクロドデセン含量４０モル％）
からなる非晶質ポリオレフィン製ディスク基板上に、ス
パッタ法によってエンハンス層として７００人のＳｉＮ
ｘ、光磁気記録層として３００人のＰ　ｄ　ＩＯＰ　Ｉ
　ｐ、　Ｔｂ　３４Ｆ　ｅ　３８Ｃ０１０１反射層とし
て７００人のＮ　：　８０　ＣＴ　２０を遂次積層形成
し、光磁気ディスクを作成した。

このディスクの記録再生特性を記録周波数ＩＭＨｚ　　
（Ｄｕｔｙ比５０％）、線速５．４ｍ／ｓにて評価した
。

その結果、最適記録レーザーパワーは３．５ｍＷであり
、Ｃ／Ｎは５０ｄＢ（再生レーザパワーは１．０ｍＷ）
であった。

実施例２〜７ 実施例１と同様にして、表１に示すような組成および構
造を有する光磁気ディスクを作成し、実施例１と同様に
して評価を行なった。

結果を表１に示す。

Ｄ

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、本発明に係る光磁気記録媒体の
断面図である。 また第３図は、本発明に係る（　Ｐ　ｄ　＋ｏＰ　ｌ　
１゜Ｔ　ｂ　３ｓ　Ｆ　ｅ　２５　ＣＯ２０）の保磁力
の変化および比較例に係るＴｂ　　ＣＯおよびＴｂ２５
Ｆｅ６６Ｃ０９の保磁力の変化を示す図−である。 １・・・光磁気記録媒体　　　２・・・基板３・・・光
磁気記録膜　　　　４・・・反射膜５・・・エンハンス
膜

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に（ I ）光磁気記録膜と（II）反射膜とが
   順次積層されてなる光磁気記録媒体において、（ I ）
   光磁気記録膜は、 ［Ｐｄ＿ａＰｔ＿１＿−＿ａ］＿ｙ［ＲＥ＿ｘＴＭ＿１
   ＿−＿ｘ］＿１＿−＿ｙ（式中、ＲＥは少なくとも５０
   原子％以上がＴｂおよび／またはＤｙであり、残部がＮ
   ｄ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｓｍであり
   、ＴＭはＦｅおよび／またはＣｏであり、０≦ａ≦１、
   ０．２＜ｘ＜０．７、０．０５≦ｙ≦０．３である）で
   表わされる膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金
   薄膜からなり、 （II）反射膜は、反射率が５０％以上であり、熱伝導率
   が２Ｊ／ｃｍ・ｓｅｃ・Ｋ以下であり、下記の合金から
   なることを特徴とする光磁気記録媒体：（ａ）鉄を主成
   分として、かつ銅、クロム、モリブデン、シリコンおよ
   びニッケルの少なくとも１種を含有する鉄合金、 （ｂ）銅を主成分として、かつアルミニウム、シリコン
   、スズ、亜鉛およびニッケルの少なくとも１種を含有す
   る銅合金、 （ｃ）鉛を主成分として、かつ銅、ビスマス、テルルお
   よびスズの少なくとも１種を含有する鉛合金または （ｄ）ステンレス系合金。