JPH02192048A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、光磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは、優
れた耐酸化性を有するとともに、エンハンス膜を薄く形
成することが可能であって、基板に反りが生じたり、膜
剥離が生じたりすることがなく、生産性に優れた光磁気
記録媒体に関する。

発明の技術的背景 鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウム（Ｔｂ）、
ガドリニウム（Ｇｄ）などの希土類元素との合金からな
る非晶質薄膜は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し
、一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化方向とは
逆向きの小−さな反転磁区を形成することができること
が知られている。

この反転磁区の有無を「１」、「０」に対応させること
によって、上記のような非晶質薄膜にデジタル信号を記
録させることが可能となる。

このような光磁気記録媒体として用いられる遷移金属と
希土類元素とからなる非晶質薄膜としては、たとえば特
公昭５７−２０６９１号公報に１５〜３０原子％のＴｂ
を含むＴ　ｂ−Ｆ　ｅ系合金非晶質薄膜が開示されてい
る。またＴ　ｂ−Ｆ　ｅに第３の金属を添加してなる合
金非晶質薄膜も光磁気記録媒体として用いられている。

さらにＴｂ−Ｃｏ系、Ｔ　ｂ−Ｆ　ｅ−Ｃｏ系などの光
磁気記録媒体も知られている。

これらの合金非晶質薄膜からなる光磁気記録媒体は、優
れた記録再生特性を有しているが、使用時にこの非晶質
薄膜は酸化を受けてその特性が経時的に変化してしまう
という実用上の大きな問題点があった。

このような遷移金属と希土類元素とを含む合金非晶質薄
膜からなる光磁気記録媒体の酸化劣化のメカニズムは、
たとえば日本応用磁気学会誌第９巻、Ｎｏ、２、第９３
〜９６頁で検討されており、以下のような３つのタイプ
があることが報告されている。

イ）孔食 孔食とは合金非晶質薄膜にピンホールが発生することを
意味するが、この腐食は、主として高湿雰囲気下で進行
し、たとえばＴ　ｂ−Ｆ　ｅ系、ＴｂＣｏ系などで著し
く進行する。

口）表面酸化 合金非晶質薄膜に表面酸化層が形成され、カー回転角θ
ｋが経時的に変化し、ついにはカー回転角θｋが減少し
てしまう。

ハ）希土類金属の選択酸化 合金非晶質薄膜中の希土類金属が選択的に酸化され、保
磁力Ｈｃが経時的に大きく変化してしまう。

上記のような合金非晶質薄膜の酸化劣化を防止するため
、従来、種々の方法が試みられている。

たとえば、合金非晶質薄膜上に、５１３Ｎ４、ＳｉＯ，
ＳｉＯｓＡｊ＋Ｎなどの酸化防止保護膜を設けてなる光
磁気記録媒体が検討されている。

ところがこの酸化防止保護膜は高価であるとともに形成
するのに手間がかかり、またこの保護膜を形成しても必
ずしも合金非晶質薄膜の酸化劣化を充分には防止するこ
とができないという問題点があった。

また、Ｔｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｃｏ系などの合金非晶質薄
膜中に、この薄膜の耐酸化性を向上させるために、第３
の金属を添加する方法が種々試みられている。

たとえば上述した日本応用磁気学会誌では、Ｔｂ−Ｆｅ
あるいはＴｂ−Ｃｏに、Ｃｏ　−、Ｎ　ｉ　Ｎ　Ｐ　ｌ
　。

ＡＩ、Ｃｒ　、Ｔｉなどの第３金属を３．５原子％まで
の量で添加することによって、Ｔｂ−Ｆｅ系あるいはＴ
　ｂ−Ｃｏ系の合金非晶質薄膜の耐酸化性を向上させる
試みがなされている。そしてＴｂ−ＦｅあるいはＴｂ−
ＣｏにＣｏ　、Ｎｉ　　ＰＩを少量添加した場合には、
表面酸化の防止および孔食の防止には有効であるが、こ
の合金非晶質薄膜中の布上類金属であるＴｂの選択酸化
の防止には効果がないと報告されている。このことは、
Ｔｂ−ＦｅあるいはＴｂ−Ｃｏに少量のＣ０１Ｎｉ、％
Ｐｔを添加した場合には、得られる合金非晶質薄膜では
、Ｔｂが選択酸化されてしまい、保磁力Ｈｃが経時的に
大きく変化してしまうことを意味している。したかって
Ｔｂ−ＦｅあるいはＴｂ−Ｃｏに３．５原子％までの少
量のＣｏ、Ｎｉ、Ｐｊを添加しても、得られる合金非晶
質薄膜の耐酸化性は充分には改善されていない。

また第９回日本応用磁気学会学術講演概要集（１９８５
年１１月）の第２０９頁には、やはり合金非晶質薄膜の
耐酸化性を向上させる目的で、Ｔｂ−ＦｅあるいはＴ　
ｂ−Ｆ　ｅ−Ｃｏに、ＰＩＳＡＡ。

Ｃｔ、Ｔｉを１０原子％までの量で添加してなる合金非
晶質薄膜が教示されている。ところがＴｂ−Ｆｅあるい
はＴ　ｂ−Ｆ　ｅ−Ｃｏに１０原子％までの量のＰｔ　
、ＡＡ、Ｃｒ　ＳＴｉを添加しても、表面酸化および孔
食はかなり効果的に防止できるものの、得られる合金非
晶質薄膜中のＴｂの選択酸化に対する酸化防止性は充分
ではなく、やはり時間の経過とともに保磁力Ｈｃが大き
く変化し、ついには保磁力Ｈｃが大きく低下してしまう
という問題点は依然としてあった。

さらにまた、特開昭５８−７８０６号公報には、Ｐｔ　
Ｃｏなる組成を有し、Ｐｔが１０〜３ｏ原子％の量で含
まれている多結晶薄膜からなる磁気薄膜材料が開示され
ている。

ところがこのＰｔ　Ｃｏなる組成を有する多結晶薄膜は
、多結晶であるため、成膜後にアニール処理などの熱処
理が必要であり、また結晶間の粒界部分がノイズ信号と
して発生することがあり、さらにこの多結晶薄膜はキュ
リー点が高いという問題点があった。

このような問題点を解決するため、本発明者らは、特願
昭６２−９４７９９号において、（ｉ）ＦｅまたはＧｏ
などの３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種と、（
ｉｉ）ＰｔまたはＰｄなどの耐腐食性金属と、（ｉｉｉ
　）希土類から選ばれる少なくとも１種の元素とからな
る、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜を
提案した。

この非晶質合金薄膜は、耐酸化性に優れているため、膜
厚を薄くすることができ、反りあるいは膜割れが生じに
くい光磁気記録媒体を得ることができる。

ところで上記のような耐酸化性に優れ、膜厚を薄くする
ことができる非晶質合金薄膜からなる光磁気記録膜と、
基板との間に従来公知の５１３Ｎ４などのエンハンス膜
を設けて光磁気記録媒体は、充分なエンハンス効果を得
るためには、エンハンス膜を８５０Å以上の膜厚で設け
なければならず、このため基板に反りが生じたり、膜剥
離が生じたりしやすく、また生産性の面で劣ってしまう
という問題点があることが、本発明者らによって見出さ
れた。

本発明者らは、上記のような点に鑑みて鋭意研究したと
ころ、基板と光磁気記録媒体との間に特定の組成を有す
る窒化ケイ素からなるエンハンス膜を設ければ、上記の
問題点が一挙に解決することを見出して本発明を完成す
るに至った。

発明の目的 本発明は、上記のような点に鑑みて完成されたものであ
って、耐酸化性に優れた光磁気記録膜を有するとともに
、エンハンス膜を薄く形成することが可能であって、基
板に反りが生じたり、膜剥離が生じたりすることがなく
、生産性に優れた光磁気記録媒体を提供することを目的
としている。

発明の概要 本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも
（Ｉ）エンハンス膜と（ＩＩ）光磁気記録膜とを有する
光磁気記録媒体において、（Ｉ）エンハンス膜は、屈折
率ｎが１．９以上であるＳｉＮ　　（ただしＱ＜ｘ＜１
．３３）で表わされる窒化ケイ素膜からなり、 （ＩＩ）光磁気記録膜は、 ［Ｐｄ　　ＰＩ　　　］　　　［ＲＥ　　ＴＭ　　　］
ａ　　　ｌａ　　ｙ　　　　Ｘ　　　ＬＸ　　１−ｙ（
式中、ＲＥは少なくとも５０原子％以上がＴｂおよび／
またはＤ！であり、残部がＮｄ　、　Ｇｄ　。

Ｃｅ　　Ｅｕ、Ｐｒ、ＨＯＴｍ５５ｍであり、ＴＭはＦ
ｅおよび／またはＣｏであり、０≦ａ≦１．０．２＜ｘ
＜０．７．０．０５≦ｙ≦０．３である）で表わされる
膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜からな
ることを特徴としている。

本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも
（Ｉ）エンハンス膜と（ＩＩ）光磁気記録膜とを有し、
この（Ｉ）エンハンス膜は特定組成の窒化ケイ素からな
り、また（ＩＩ）光磁気記録膜も特定の組成を有してい
るので、耐酸化性に優れた光磁気記録膜を有するととも
に、エンハンス膜を薄く形成することが可能であって、
基板に反りが生じたり、膜剥離が生じたりすることがな
く、生産性に優れている。

発明の詳細な説明 以下本発明に係る光磁気記録媒体について具体的に説明
する。

本発明に係る光磁気記録媒体１は、第１図に断面図を示
すように、透明基板などの基板２上に、エンハンス膜３
と光磁気記録膜４とがこの順序で積層された構成を有し
ている。

また第２図に示すように、光磁気記録膜４上に、反射膜
５が設けられた構造を有していてもよい。

基板２は、透明基板であることが好ましく、具体的には
ガラスやアルミニウム等の無機材料の他に、ポリメチル
メタクリレート、ポリカーボネート、ポリカーボネート
とポリスチレンのポリマーアロイ、米国特許第４６１４
７７８号明細書に示されるような非晶質ポリオレフィン
、ポリ４−メチル−１−ペンテン、エポキシ樹脂、ポリ
エーテルサルホフォン、ポリサルフォン、ポリエーテル
イミド、エチレン・テトラシクロドデセン共重合体等の
有機材料を使用できる。

このような基板２上に、エンハンス膜３が設けられてい
る。

このエンハンス膜は、ＳｉＮ　　（ただし０＜ｘ＜１．
３３好ましくは０．５＜ｘ＜１．３３さらに好ましくは
０．７＜ｘ＜１．３）なる組成を有しており、その屈折
率ｎは１．９以上好ましくは２．０〜３．６であり、さ
らに好ましくは２．１〜３．０であり、特に好ましくは
２．２〜２．７である。このＸ値はＥＳＣ’Ａで元素分
析することにより求めた。エンハンス膜３の屈折率ｎが
１．９以上であると、エンハンス膜の膜厚を薄くでき、
このため基板に反りや膜剥離が生じないだけでなく、ま
た生産性もあるため好ましい。

上記のようなエンハンス膜３の膜厚は、８００人未満好
ましくは７００人未満さらに好ましくは６５０人未満特
に好ましくは３００〜６５０人であることが望ましい。

このようなエンハンス膜３は、ターゲットとしてＳｉ３
Ｎ４およびＳｌを用い、この両者を同時にスパッタリン
グすることにより、基板２上に成膜することができる。

本発明に係る光磁気記録媒体１は、上記のようなＳｉ　
Ｎ　　（０＜ｘ＜１．３３）なる組成を有し、屈折率が
１．９以上であるエンハンス膜３を有しているため、エ
ンハンス膜を薄（形成することができ、このため基板に
反りが生じたり、膜剥離が生じたりすることがなく、し
たがって生産性にも優れている。

本発明に係る光磁気記録媒体１は、上記のようなエンハ
ンス膜３上に、膜面に垂直な磁化容易軸を有する光磁気
記録膜４を有している。

この光磁気記録膜４は、 ［Ｐｄ　　Ｐｔ　　］　　　［ＲＥ　　ＴＭ　　　］ａ
　　　ｌａ　　ｙ　　　　Ｘ　　　ｌ−ｘ　　１−ｙ・
・・［１］ （式中、ＲＥは少なくとも５０原子％以上がＴｂおよび
／またはＤＹであり、残部がＮｄ　、　Ｇｄ　。

Ｃｅ５Ｅｕ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｓｍであり、ＴＭはＦｅおよ
び／またはＣＯであり、０≦ａ≦１．０．２＜ｘ＜０．
７．０．０５≦ｙ≦０．３である）で表わされる。

さらに本発明で用いられる特に好ましい膜面に垂直な磁
化容易軸を有する光磁気記録膜は、上記式において０．
２５＜ｘ＜０．６であり、ＲＥの少なくとも８０原子％
以上好ましくは９ｏ原子％以上がＴｂであり、残部がＤ
Ｖ　、　Ｎｄ　、　Ｇｄ　。

Ｃｅ　−Ｉ　Ｅ　ｕ　％　Ｐ　ｔ　％　ＨｏまたはＳｍ
である光磁気記録膜である。

次にこのような好ましい光磁気記録膜について具体的に
説明する。

（ｉ）上記式においてＴＭは、ＦｅまたはＣｏあるいは
この両者である。このようなＴＭは、光磁気記録膜を上
記式［Ｉ］で表わした場合に、ＩＸ（ただし０．２＜ｘ
＜０．７、好ましくは０．２５＜ｘ＜Ｑ、５である）で
示されるような量で存在している。

ＴＭとしては、ＦｅとＣｏとがともに存在していること
が好ましく、とくにこのＴＭとしては、Ｆｅが１００〜
３５原子％の量で、そしてＣｏがＯ〜６５原子％の量で
存在していることが好ましい。さらに好ましくはＦｅが
１００〜７ｏ原子％の量で、そしてＣｏがＯ〜３ｏ原子
％の量で存在している。

なおＴＭとして、５原子％以下好ましくは３原子％以下
のＮｉを含んでいてもよい。

（ｉｔ　）本発明で用いられる光磁気記録膜は、Ｐｄあ
るいはＰｌまたはＰｄとＰ（との両者を含んでいる。

ＰｄあるいはＰＩまたはＰｄとＰＩとの両者は、光磁気
記録膜中に５〜３０原子％好ましくは１０原子％を超え
、３０原子％の量で存在している。

またＰｄとＰＩ　とは、これらの含有割合をＰ［ｌ　　
Ｐｉ　　　で表わした場合に、０≦ａ≦１でａ　　　　
ｌ−ａ あり、Ｐｄの含有割合が０．２＜ａ≦１であると、経済
性に優れた光磁気記録膜が得られる。

このＰｄあるいはＰＩまたはＰｄとＰＩの両者の含有量
が５以下％〜３０原子％、特に１０原子％を超え、３０
原子％の範囲で存在すると得られる光磁気記録膜の耐酸
化性が優れ、経時的に保磁力Ｈｃが大きく変化せず、ま
た小さなバイアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られる
という利点がある。

（ｉｉｉ　）本発明で用いられる光磁気記録膜は、上記
（ｉ）および（ｉｉ　）に加えて、少なくとも１種の希
土類元素（ＲＥ）を含んで構成されている。

このＲＥとしては、その５０原子％以上がＴｂおよび／
またはＤｙであり、残部がＮｄ　、　Ｇｄ　。

Ｃｅ、Ｅｕ５Ｐｒ、ＨｏまたはＳｍである。好ましくは
ＲＥの８０原子％以上がＴｂであり、残部がＤｙ、Ｎｄ
ｓ　Ｇｄ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｐｒ、ＨｏまたはＳｍである。

さらに好ましくは、ＲＥの９０原子％以上特に好ましく
は９５以下％以上がＴｂであり、残部がＤｙ、Ｎｄ、Ｇ
ｄ、Ｃｅ、ＳＥｕ。

Ｐ＋Ｓ’ＨｏまたはＳｍである。

上記のような希土類元素ＲＥは、光磁気記録膜を上記式
［Ｉ］で表わした場合に、０．２＜ｘ＜０．７好ましく
は０．２５＜ｘ＜０．６であるような量で存在している
。

そして膜厚は２００〜５０００人好ましくは２００〜３
０００人程度であり、Ｘ値は０．２より大きく、そして
良好な角形ループを示し、保磁力がＩ　ＫＯｅ以上とな
るために、好ましくは０．２５よりも大きいことが望ま
しく、また０、６以下であることが望ましい。

上記のような組成を有する光磁気記録膜は、膜面に垂直
な磁化容易軸を有し、多くはカー・ヒステリシスが良好
な角形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な光
磁気記録膜となることがＶＳＭ測定（振動試料型磁力計
）などにより確かめられる。

ここでｘ＜０．２．０．７＜ｘであると、カーヒステリ
シスが良好な角形ループを示さなくなる傾向がある。

なお本明細書において、カー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すとは、最大外部磁場におけるカー回転角
である飽和カー回転角（θに、）と外部磁場ゼロにおけ
るカー回転角である残留カー回転角（θｋ　）との比θ
に２／θｋｌが０．８以上であることを意味している。

また上記のような本発明で用いられる光磁気記録膜は、
優れた耐酸化性を有し、第３図に示すようにＰ　Ｉ　２
０Ｔ　ｂ　３５Ｆ　ｅ　２５Ｃ０２０なる組成を有する
光磁気記録膜は、たとえば８５℃、相対湿度８５％の環
境下に２４０時間以上保持しても、その保磁力はほとん
ど変化しない。またＰ　ｄ　１ｏＰ　ｔ　ｔ。

Ｔ　ｂ　３ｓＦ　ｅ　２５．Ｃ０２０なる組成を有する
光磁気記録膜も８５℃、相対湿度８５％の環境下に２４
０時間以上保持しても同様にその保磁力はほとんど変化
しない。これに対して、ＰｄあるいはＰＩまたはＰｄと
ＰＩとの両者を含まないＴ　ｂ　２５　Ｃ０７５あるい
はＴ　ｂ　２５Ｆ　ｅ　６６ＣＯ９なる組成を有する光
磁気記録膜は、８５℃、相対湿度８５％の環境下に保持
すると、その保磁力は経時的に大きく変化してしまう。

さらにこの環境試験を１０００時間続けても、Ｐｄある
いはＰＩまたはＰｄとＰｌとの両者を含有する系はやは
りその保磁力がほとんど変化しない。これらのことより
、ＰｄあるいはＰｔまたはＰｄとＰｉとの両者を含む系
は、希土類の選択酸化を抑制することがわかる。

また、環境試験後におけるθにの変化も小さいことから
表面酸化が防止されていること、ならびに、顕微鏡によ
る膜表面の観察から孔食の発生も抑制されていることが
わかる。

このように本発明で用いられる光磁気記録膜は、耐酸化
性に著しく優れており、したがってこの光磁気記録膜を
使用する際に、必ずしも酸化防止保護膜を光磁気記録膜
上に設ける必要はないという優れた特性を有している。

上記のような本発明で用いられる光磁気記録膜の別の特
長は、反射率Ｒが大きいことである。

般に、光磁気記録膜を光磁気記録に利用する場合、非晶
質であるので結晶粒界による媒体雑音を考慮する必要が
なく、光検出器のショット雑音が問題となる。この場合
、Ｃ／ＮｏＣＲθにの関係を有することがらＣ／Ｎを向
上するには、Ｒまたはθにの少なくともいずれか一方の
値を向上すればよい。

したがって、本発明で用いられる光磁気記録膜のＲが大
きいということは、光磁気記録におけるＣ／Ｎを向上せ
しめる利点を有する。

本発明で用いられる光磁気記録膜では、その他に種々の
元素を添加して、キュリー温度や補償温度あるいはＨｃ
やθにの改善あるいは低コスト化を計ってもよい。これ
らの元素は、希土類元素に対してたとえば５０原子％未
満の割合で置換可能である。

併用できる他の元素の例としては、 （Ｉ）Ｆｅ　、ＣＯ以外の３ｄ遷移元素具体的には、Ｓ
ｃ、Ｔｉ　　Ｖ、Ｃ＋ＭｎＮｉ　　　Ｃｕ　、Ｚｎが用
いられる。

これらのうち、Ｔ＋　ｚ　Ｎ＋　％　Ｃｕ　Ｎ　Ｚｎな
どが好ましく用いられる。

（ＩＩ）４ｄ遷移元素 具体的には、ＹＸＺｒ、Ｎｂ、Ｍｏ　　Ｔｃ。

Ｒｕ　、％Ｒｈ　、Ａｇ　Ｎ　Ｃｄが用いられる。

このうちｚ「、Ｎｂが好ましく用いられる。

（Ｉ［Ｉ）ＰＩ以外の５ｄ遷移元素 具体的には、Ｈｆ　　Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ　　０ｓＩｒ、Ａ
ｕ、Ｈｇが用いられる。

このうちＴ８が好ましく用いられる。

（ＩＶ）ＩＩＩＢ族元素 具体的には、Ｂ、　ＡＩ！、Ｇａ　、　　）ｎ　、　Ｔ
ｌ！が用いられる。

このうちＢ、ＡＡ　、Ｇａが好ましく用いられる。

（Ｖ）ＩＶＢＶＢ族 元素的には、Ｃ，Ｓｉ　　Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが用いられ
る。

このうち、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが好ましく用いられ
る。

（ＶＩ）ＶＢ族元素 具体的には、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉが用いられる。

このうちｓｂが好ましく用いられる。

（■）ＶＩＢ族元素 具体的には、Ｓ、Ｓｅ　、Ｔｃ、Ｐｏが用いられる。

このうちＴｅが好ましく用いられる。

本発明に係る光磁気記録媒体１では、上記のような光磁
気記録膜４上に、反射膜５が設けられていてもよい。

この反射膜５は、反射率が５０％以上好ましくは７０％
以上であり、熱伝導率が２　Ｊ　７ｃｍ−ｓｅｃ・Ｋ以
下好ましくは１１７０ｍ−８ｅｃ−に以下であるニッケ
ル合金、鉄合金、銅合金、鉛合金、ステンレス系合金か
ら構成されていることが好ましい。

（ａＪ　ニッケル合金 ニッケル合金は、ニッケルを主成分とし、かつシリコン
、モリブデン、鉄、クロムおよび銅からなる群から選択
される少なくとも１種を含有している。このようなニッ
ケル合金では、ニッケルは３０〜９９原子％好ましくは
５０〜９０原子％の量で存在している。

上記のような反射膜を構成するニッケル合金としては、
具体的には下記のような合金を用いることができる。

Ｎ　ｉ−３ｉ系合金（８５原子％Ｎｉ、ＩＱ原子％Ｓ１
．３原子％Ｃｕ、２原子％Ａｌ） Ｎ　ｉ−Ｃｕ系合金（６３原子％Ｎｉ２９〜３０原子％
Ｃｕ１０．９〜２原子％Ｆｅ　、０．１〜４原子％Ｓｉ
　　Ｏ〜２．７５原子％ＡＡ）Ｎｉ−Ｍｏ−Ｆｅ系合金
（６０〜６５原子％Ｎｉ２５〜３５原子％ＭＯ１５原子
％Ｆｅ）Ｎ　ｉ−Ｍ　ｏ−Ｆ　ｅ−Ｃｒ系合金（５５〜
６０原子％Ｎｉ　　１５〜２０原子％ＭＯ１６原子％Ｆ
ｅ。

１２〜１６原子％Ｃｒ、５原子％Ｗ） Ｎ　ｉ−Ｍ　ｏ−Ｆ　ｅ−Ｃｒ−Ｃｕ系合金（６０原子
％Ｎ【、５原子％Ｍｏ、８原子％Ｆｅ、２１原子％Ｃ１
゜３原子％Ｃｕ　　１原子％Ｓｉ　　ｌ原子％Ｍｎ。

１原子％Ｗ１あるいは４４〜４７原子％Ｎｉ５．５〜７
．５原子％Ｍｏ１２１〜２３原子％Ｃｒ、０．１５原子
％Ｃｕ、ｌ原子％５ｉ１１〜２原子％Ｍｎ、２．５原子
％Ｃｏ、ｌ原子％Ｗ１１．７〜２．５原子％Ｎｂ、残部
Ｆｅ）Ｎ　ｉ−Ｃｒ−Ｃｕ−Ｍ　ｏ系合金（５６〜５７
原子％Ｎｉ２３〜２４原子％Ｃｒ、８原子％Ｃｕ、４原
子％Ｍｏ、２原子％Ｗ、１原子％ＳｉまたはＭｎ） Ｎ　ｉ−Ｃｒ−Ｆ　ｅ系合金（７９，５原子％Ｎｉ１３
原子％Ｃｕ、６．５原子％Ｆｅ、０．２原子％Ｃｕ、あ
るいは３０〜３４原子％Ｎｉ、１９〜２２原子％Ｃ＋０
．５原子％Ｃｕ　　ｌ原子％Ｓｉ１．５原子％Ｍｎ、残
部Ｆｅ） （ｂ）鉄合金 鉄合金は、鉄を主成分とし、かつ銅、クロム、モリブデ
ン、シリコンおよびニッケルからなる群から選択される
少なくとも１種を含有している。

このような反射膜を構成する鉄合金としては、具体的に
は下記のような鉄合金を用いることができる。

Ｆ　ｅ−Ｃｒ−Ｎ　ｉ系合金（１９〜２０原子％Ｃｒ。

２２〜２４原子％Ｎｉ　　２〜３原子％ＭＯ１１〜１．
７５原子％Ｃｕ、１〜３．２５原子％５Ｏ６０７原子％
Ｃ１残部Ｆｅ、あるいは２０原子％Ｃ＋、２９原子％Ｎ
ｉ　　２原子％Ｍｏ、４原子％Ｃｕ、ｌ原子％ｓ＋、ｏ
、ｏ７７原子Ｃ１残部Ｆｅ、もしくは２５原子％Ｃ「、
３５原子％Ｎｉ。

５原子％ＭＯ１０，２〜０．５原子％Ｃ１残部Ｆｅ） Ｆ　ｅ−Ｃを系合金（４〜１０原子％Ｃ＋、０．５〜１
．５原子％ＭＯ１残部Ｆｅ） （Ｃ）銅合金 銅合金は、銅を主成分とし、かつアルミニウム、シリコ
ン、スズ、亜鉛およびニッケルからなる群から選択され
る少なくとも１種を含有している。

このような反射膜を構成する銅合金としては、具体的に
は下記のような銅合金を用いることができる。

Ｃｕ−Ａ　Ａｆｉ系合金８．５〜１１１１原子Ａ、０〜
４原子％Ｆｅ、残部Ｃｕ） Ｃｕ−８ｉ系合金（１〜４原子％Ｓｉ　　Ｏ〜１原原 子４Ｍｎ、０〜１．７５原子％Ｓｎ、０．１原子％Ｚｎ
、残部Ｃｕ） Ｃｕ−８ｎ系合金（４〜１２原子％５ｎＯ１２５原子％
以下のＰｂまたはＺｎ、残部Ｃｕ）Ｃｕ−３ｎ−Ｚ　ｎ
系合金（２０原子％以下Ｓｎ。

１７原子％以下Ｚｎ　　（Ｚｎ　＜Ｓｎ　）　、少量の
ｐｂ。

残部Ｃｕ） Ｃｕ−Ｚ　ｎ系合金（１７原子％以下Ｚｎ、残部Ｃｏ） Ｃｕ−Ｎ　ｉ系合金（８０原子％Ｃｕ、２０原子％Ｎｉ
あるいは７５原子％Ｃｕ、２０原子％Ｎｉ。

５原子％Ｚｎ、あるいは７０原子％Ｃｉ＋、３０原子％
Ｎｉ）　　　Ｘ （ｄ）鉛合金 鉛合金は、鉛を主成分とし、かつ銅、ビスマス、テルル
およびスズからなる群から選択される少なくとも１種を
含有している。

このような反射膜を構成する鉛合金としては、具体的に
は下記のような鉛合金を用いることができる。

Ｐ　ｂ−Ｃｕ−Ｂ　ｉ−Ｔ　ｅ系合金（９９，８５原子
％ｐｂ、最高０．０８５原子％までのＣｕ、最高０．０
０５原子％までのＢｉ　　０１０５原子％Ｔｅ） Ｐ　ｂ−Ｃｕ−Ｂ　ｉ系合金（９９原子％Ｐｂ、最高０
．０８原子％までのＣｕ、最高０．００５原子％までの
Ｂｉ） Ｐｂ−３ｎ系合金（４〜１０原子％Ｓｎ、残部ｐｂ） （ｅ）ステンレス系合金 ステンレス系合金は、鉄を主成分とし、かつクロム、ニ
ッケル、モリブデンおよび炭素からなる群から選択され
る少なくとも１種を含有している。

このような反射膜を構成するステンレス系合金としては
、具体的には下記のようなステンレス系合金を用いるこ
とができる。

（ｉ）Ｃｒ　　：　１６〜２０原子％、Ｎｉ：１０〜１
６原子％、 Ｍｏ：２〜４原子％、 Ｃ：０．１原子％、残部Ｆｅ （ｉｉ）　Ｃｒ　　：　１０〜１６原子％、Ｎｉ：１７
〜１９原子％、 Ｍｏ　　：　１．２〜２．７５原子％、Ｃｕ　　：　１
．Ｏ〜２．５原子％、 Ｃ：０．０８原子％、残部Ｆｅ （ｉｉｉ）Ｃ＋：２２〜２４原子％、 Ｎｉ：１２〜１５原子％、 ｃ：ｏ、ｉ原子％、残部Ｆｅ （ｉｖ）Ｃｒ　：２４〜２６原子％、 Ｎｉ：１９〜２２原子％、 Ｃ：０．１原子％、残部Ｆｅ このようなニッケル合金からなる反射膜４を有する光磁
気記録媒体は、アルミニウム、金などからなる反射膜を
有する光磁気記録媒体と比較して、優れたＣ／Ｎ比を有
している。

このような反射膜５の膜厚は、１００〜４０００人好ま
しくは２００〜２０００人程度である。

次に、本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法について
説明する。

基板温度を室温程度に保ち、非晶質合金薄膜を構成する
各元素からなるチップを所定割合で配置した複合ターゲ
ット、または所定割合の組成を有する合金ターゲットを
用い、スパッタリング法あるいは電子ビーム蒸着法など
の従来公知の成膜条件を採用して、この基板（基板は固
定していてもよく、また自転していてもよい）上に所定
組成の非晶質合金薄膜を被着させ、次いでこの上に反射
膜を上記と同様にして被着させることによって、本発明
に係る光磁気記録媒体を製造することができる。

このように本発明に係る光磁気記録媒体は、常温での成
膜が可能であり、膜面に垂直な磁化容易軸を持たせるた
めに成膜後にアニール処理などの熱処理をする必要がな
い。

なお必要に応じては、基板温度を５０〜６００℃に加熱
しながらまたは一５０℃まで冷却しながら、基板上に非
晶質合金薄膜を形成することもできる。

またスパッタリング時に、基板を負電位になるようにバ
イアスすることもできる。このようにすると、電界で加
速されたアルゴンなどの不活性ガスイオンはターゲット
物質ばかりでなく成膜されつつある垂直磁化膜をもたた
くことになり、優れた特性を有する垂直磁化膜が得られ
ることがある。

発明の効果 本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも
（Ｉ）エンハンス膜と（ＩＩ）光磁気記録膜とを有し、
この（Ｉ）エンハンス膜は特定組成の窒化ケイ素からな
り、また（ＩＩ）光磁気記録膜も特定の組成を有してい
るので、耐酸化性に優れた光磁気記録膜を有するととも
に、エンハンス膜を薄く形成することが可能であって、
基板に反りが生じたり、膜剥離が生じたりすることがな
く、生産性に優れている。

以下本発明を実施例によって説明するが、本発明は、こ
れら実施例に限定されるものではない。

実施例１ エチレン・テトラシクロドデセン共重合体（エチレン含
量６０モル％、テトラシクロドデセン含量４０モル％）
製ディスク基板上に、スパッタ法によってエンハンス層
として７００人のＳｉＮｘ（１，０＜ｘ＜１．３、屈折
率ｎ＝２．３、ｋ（消衰係数）　−〇ｙ０１４）　、光
磁気記録層として３００人のＰＩ　Ｔｂ　Ｆｅ　Ｃ０１
反射層として７００人のＮ　Ｉ　８０　Ｃｔ　２０を逐
次積層形成し、光磁気ディスクを作成した。

このディスクの記録再生特性を記録周波数ＩＭＨｚ　　
（Ｄｕｔｙ比５０％）、線速５．４ｍ／ｓにて評価した
。

その結果、最適記録レーザパワーは３．５ｍＷであり、
Ｃ／Ｎは５’０ｄＢ（再生レーザパワーは１．０ｍＷ）
であった。また、８０℃、８５％高温高湿条件下、２０
００時間放置後のＣ／Ｎ変化量△Ｃ／Ｎも０であった。

実施例２〜７ 実施例１と同様にして、基板上にエンハンス層として７
００人のＳ　ｉ　Ｎｘ　（１，０＜ｘ＜１．３、屈折率
ｎ＝２．３、ｋ（消衰係数）＝０．０１４）、光磁気記
録層および反射層として表１に示すような組成および構
造を有する光磁気ディスクを作成し、評価を行なった。

結果を表１に示す。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、本発明に係る光磁気記録媒体の
断面図である。 また第３図は、本発明に係る（　Ｐ　ｌ　２０Ｔ　ｂ　
３５Ｆ　ｅ　２５ＣＯ２Ｇ）の保磁力の変化および比較
例に係るＴｂ　　Ｃｏ　　およびＴ　ｂ　２５Ｆ　ｅ　
６６ＣＯ９の保磁力の変化を示す図である。 １・・・光磁気記録媒体　　　２・・・基板３・・・エ
ンハンス膜　　　　４・・・光磁気記録膜５・・・反射
膜

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に、少なくとも（ I ）エンハンス膜と（II
   ）光磁気記録膜とを有する光磁気記録媒体において、 （ I ）エンハンス膜は、屈折率ｎが１．９以上である
   ＳｉＮ＿ｘ（ただし０＜ｘ＜１．３３）で表わされる窒
   化ケイ素膜からなり、 （II）光磁気記録膜は、 ［Ｐｄ＿ａＰｔ＿１＿−＿ａ］＿ｙ［ＲＥ＿ｘＴＭ＿１
   ＿−＿ｘ］＿１＿−＿ｙ（式中、ＲＥは少なくとも５０
   原子％以上がＴｂおよび／またはＤｙであり、残部がＮ
   ｄ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｓｍであり
   、ＴＭはＦｅおよび／またはＣｏであり、０≦ａ≦１、
   ０．２＜ｘ＜０．７、０．０５≦ｙ≦０．３である）で
   表わされる膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金
   薄膜からなることを特徴とする光磁気記録媒体。 ２、（ I ）エンハンス膜は、屈折率が２．１〜３．０
   であり、ＳｉＮ＿ｘ（ただし０．７＜ｘ＜１．３）であ
   る請求項第１項に記載の光磁気記録媒体。 ３、（ I ）エンハンス膜の膜厚が８００Å未満である
   請求項第１項に記載の光磁気記録媒体。